JP2017537858A - サブストレートを処理するための装置 - Google Patents
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Abstract
Description
4 液体
6 容器
8 堰
10 直線エッジ
12 搬送ローラ
14 サブストレート
16 液膜
18 搬送方向
20 液体薄膜
22 サブストレート後部エッジ
23a,23b コーナー
24,24a−d 装置
26 搬送装置
28 容器
30 堰
32 傾斜エッジ
34 搬送ローラ
36 搬送経路
38 液体薄膜
39 剥離フロント
40 堰
42 不規則なエッジ輪郭
44 規則的なエッジ
46 前突出部
48 主たる伸長方向
50 鋸歯形状
52 堰
54 規則的なエッジ
56 規則的なエッジ輪郭
58 堰
60 エッジ
62 エッジ輪郭
64 堰
66 回転軸
68 開口部
70 堰
72 基本体
74 エッジ
76 高さ形状
A 間隔
E 延長長さ
Claims (21)
- 液体(4)によりサブストレート(14)を処理するための装置(24,24a−d)であって、前記装置は、
− サブストレート(14)を搬送方向(18)に、液体(4)を含む容器(28)を通過して搬送することができる搬送装置(26)、
− 少なくとも部分的にサブストレート(14)の搬送方向(18)に対して斜めに伸びる、サブストレート(14)が乗り越え可能なエッジ(32,44,54,60,74)を示す堰(30,40,52,58,64,70)を有することを特徴とする、
装置。 - エッジ(44)が少なくとも2つの搬送経路(36)を越えて伸びており、その間に不規則なエッジ輪郭を有していることを特徴とする、
請求項1に記載の装置。 - エッジ(54)が少なくとも2つの搬送経路(36)を越えて伸びており、その間に規則的なエッジ輪郭(56)を有していることを特徴とする、
請求項1または2に記載の装置。 - エッジ(60)が、どの点においても微分可能なエッジ輪郭(62)を有していることを特徴とする、
請求項1乃至3の何れか一項に記載の装置。 - エッジ(44)が少なくとも1つの搬送経路内で1つの不規則なエッジ輪郭(42)を有していることを特徴とする、
請求項1乃至4の何れか一項に記載の装置。 - エッジ(60)が少なくとも部分的に丸みを付けた、好ましくは正弦波状のエッジ輪郭(62)を有していることを特徴とする、
請求項1乃至5の何れか一項に記載の装置。 - エッジ(44,54,60)が2つ以上の搬送経路(36)を越えて、好ましくは少なくとも3つの搬送経路(36)を越えて、特に好ましくは全ての搬送経路(36)を越えて伸びていることを特徴とする、
請求項1乃至6の何れか一項に記載の装置。 - 搬送方向(18)に堰(30,40,52,58,64,70)の前後に搬送ローラ(34)が配置され、これによりサブストレート(14)が液体(4)を含む容器(28)を通過して搬送されることを特徴とする、
請求項1乃至7の何れか一項に記載の装置。 - エッジ(32,44,54,60,74)が、搬送方向(18)に向いて、最後に堰(30,40,52,58,64,70)の前に配置される搬送ローラ(34)と最初に堰(30,40,52,58,64,70)の後ろに配置される搬送ローラ(34)との内法間隔(A)を最低50%、好ましくは最低75%、そして特に好ましくは最低95%以上にわたって伸びていることを特徴とする、
請求項8に記載の装置。 - 回転軸(66)が堰(64)の搬送ローラ(34)の少なくとも1つを貫通していることを特徴とする、
請求項8または9に記載の装置。 - 液体(4)でサブストレート(14)を処理するための装置(24,24a−d)で使用する堰(30,40,52,58,64,64,70)であって、前記堰は、
少なくとも部分的に斜めに伸びるエッジ(32,44,54,60,)を特徴とする、
堰。 - エッジ(44,54,60,74)が少なくとも1つの前突出部(46)または少なくとも1つの後突出部、好ましくは前突出部(46)を有していることを特徴とする、
請求項11に記載の堰。 - エッジ(44,74)が少なくとも部分的に鋸歯形状を有していることを特徴とする、請求項11または12に記載の堰。
- エッジ(74)が平坦ではない、好ましくは波形の高さ形状(76)を有していることを特徴とする、
請求項11乃至13の何れか一項に記載の堰。 - 堰(30,40,52,58,64,70)が一体物で、好ましくは1つの基本の材料除去によって仕上げられていることを特徴とする、
請求項11乃至14の何れか一項に記載の堰。 - 軸(66)を固定するための開口部(68)を少なくとも1つ有していることを特徴とする、
請求項11乃至15の何れか一項に記載の堰。 - 請求項1〜10の何れか一項に記載の装置(24,24a−d)内で使用される、
請求項11乃至16の何れか一項に記載の堰。 - 液体薄膜(38)の少なくとも一点において剥離フロント(39)が形成され、
前記剥離フロント(39)がサブストレートエッジ(22)に沿って進むことで液体薄膜(38)の幅を縮小させることができる、
サブストレートエッジ(22)から液体薄膜(38)を剥がす方法。 - サブストレートのエッジ(22)から液体薄膜(38)が剥がれる前に、液体薄膜(38)の幅が、元の幅の最低50%、好ましくは最低80%、そして特に好ましくは最低97%ほど縮小されることを特徴とする、
請求項18に記載の方法。 - サブストレートエッジ(22)のコーナー(23a)で剥離フロント(39)が形成されることを特徴とする、
請求項18または19に記載の方法。 - 剥離フロントがサブストレートエッジ(22)のコーナーまで進むことを特徴とする、
請求項18乃至20の何れか一項に記載の方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5601655A (en) * | 1995-02-14 | 1997-02-11 | Bok; Hendrik F. | Method of cleaning substrates |
JPH11507003A (ja) * | 1995-06-07 | 1999-06-22 | リビー−オーウェンズ−フォード・カンパニー | ガラスサブストレート上へのバッキングの形成 |
JP2003031546A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Toppan Printing Co Ltd | スリット状の噴射口を複数有する基板の液切り装置 |
WO2005048336A1 (ja) * | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd | 液切り装置 |
JP2009164346A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6180826A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-24 | Hitachi Ltd | 液体処理装置 |
IT1231384B (it) * | 1988-08-26 | 1991-12-02 | Central Glass Co Ltd | Procedimento e dispositivo per rivestire la superficie di una piastra con una pellicola sottile di liquido. |
EP0518407A3 (en) * | 1991-06-12 | 1993-02-24 | Stork Screens B.V. | Metal suspension half-cell for an accumulator, method for operating such a half-cell and metal suspension accumulator comprising such a half-cell |
DE19549488C2 (de) * | 1995-01-05 | 2001-08-02 | Steag Micro Tech Gmbh | Anlage zur chemischen Naßbehandlung |
JP2001341827A (ja) | 2000-05-31 | 2001-12-11 | Canon Inc | 枚葉式洗浄機および枚葉式洗浄機に用いられるローラーコンベア用の中間軸受け |
JP4938944B2 (ja) | 2001-09-12 | 2012-05-23 | 東芝エレベータ株式会社 | エレベータの情報伝送制御装置 |
JP2003229356A (ja) * | 2002-02-06 | 2003-08-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP5398225B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2014-01-29 | 上村工業株式会社 | 処理液槽 |
JP5133428B2 (ja) * | 2009-02-02 | 2013-01-30 | シャープ株式会社 | 基板処理装置 |
CN103021905B (zh) * | 2011-07-20 | 2016-12-21 | 显示器生产服务株式会社 | 基板处理装置 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5601655A (en) * | 1995-02-14 | 1997-02-11 | Bok; Hendrik F. | Method of cleaning substrates |
JPH11507003A (ja) * | 1995-06-07 | 1999-06-22 | リビー−オーウェンズ−フォード・カンパニー | ガラスサブストレート上へのバッキングの形成 |
JP2003031546A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Toppan Printing Co Ltd | スリット状の噴射口を複数有する基板の液切り装置 |
WO2005048336A1 (ja) * | 2003-11-14 | 2005-05-26 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd | 液切り装置 |
JP2005144325A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 液切り装置 |
JP2009164346A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置 |
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