JP2017526978A - 薄膜トランジスタアレイ基板、及びその製造方法、液晶表示装置 - Google Patents

薄膜トランジスタアレイ基板、及びその製造方法、液晶表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】バックライトモジュールの提供する高強度の光線の照射を遮って光電流に発生を抑制し、表示画面に残像現象が出現することがなく、また、電気抵抗の電気容量の遅延作用が深刻な状態となって起きる画素電極の充電不足、又は充電エラー現象が発生しない薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置を提供する。【解決手段】 液晶表示装置は薄膜トランジスタアレイ基板と第２基板と該薄膜トランジスタアレイ基板と該第２基板との間に設ける液晶層とを含んでなり、薄膜トランジスタアレイ基板は画素領域とデータ線配線領域とを含み、かつ該画素領域に透明画素電極層を形成するとともに、該画素領域と該データ線配線領域とに第１金属層と第１絶縁層とアモルファスシリコン層と第２金属層と第２絶縁層を形成し、該第１絶縁層が該第１金属層を覆い、該アモルファスシリコンと該第２金属層と該第２絶縁層とが順に該第１絶縁層上に形成され、該画素領域の該第２絶縁層にコンタクトホールを形成し、該透明画素電極が該コンタクトホールを介して該第２金属層にコンタクトする。【選択図】図５

Description

この発明は、液晶表示技術に関し、特に薄膜トランジスタアレイ基板とその製造方法、及び液晶表示装置に関する。
情報社会の発展に伴い、人々の平面パネル表示装置に対するニーズも急成長している。液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤと略称する）は、体積が小さく、消費パワーが少なく、電磁波の輻射がない、などの長所を有し、目下平面パネル表示装置市場において主動的な地位を得ている。然しながら、製造業者間の激烈な競争によって、表示品質の向上、高い歩留まり、生産コストの節減は、ＬＣＤ製造業者にとって、市場競争で生存するための重要な保証となっている。ＬＣＤにおいては、一般に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴと略称する）を用いて駆動する。このため、ハイスピード、高輝度、高コントラスト比による情報の表示を実現している。
目下、主流となる底面ゲート構造のＴＦＴの製造方法は、４フォトマスク技術（４Ｍａｓｋ）と５フォトマスク技術（５Ｍａｓｋ）である。その内、５フォトマスク技術はゲートマスク（Ｇａｔｅ Ｍａｓｋ）、アクティブマスク（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｓｋ）、ソースドレインマスク（Ｓ／Ｄ Ｍａｓｋ）、ビアホールマスク（Ｖｉａ Ｈｏｌｅ Ｍａｓｋ）、ピクセルマスク（Ｐｉｘｅｌ Ｍａｓｋ）を含む。それぞれのマスク技術のステップには、薄膜蒸着（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）技術、エッチング（乾式エッチングＤｒｙ Ｅｔｃｈと湿式エッチングＷｅｔ Ｅｔｃｈとを含む）、及び剥離技術を含み、５回の薄膜蒸着→フォトリソグラフィ→エッチング→剥離の循環する過程を繰り返す。
４マスク技術は、５マスクを基礎とし、グレイトーンマスク（Ｇｒａｙ Ｔｏｎｅ Ｍａｓｋ）か、ハーフトーンマスク（Ｈａｌｆ ＴｏｎｅＭａｓｋ）、もしくはＳＳＭ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｓｌｉｔ Ｍａｓｋ）を利用してアクティブマスク（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｓｋ）と、ソースドレインマスク（Ｓ／Ｄ Ｍａｓｋ）とを一つのマスクに合成し、エッチング（Ｅｔｃｈ）調整技術によって、本来のＡｃｔｉｖｅ ＭａｓｋとＳ／Ｄ Ｍａｓｋの機能を完成させる。即ち１回のマスク技術で２回のマスク技術の効果を達成する。
図１は、従来の４回マスク技術によって製造した薄膜トランジスタアレイ基板を示した説明図である。図２は、図１に開示するＡ−Ａ線に沿った断面の構造を示した説明図である。図１、２に開示するように、薄膜トランジスタアレイ基板２０は。ゲート電極配線領域２０ａと、データ線配線領域２０ｂと、画素領域２０ｃとを含む。薄膜トランジスタアレイ基板２０は、ガラス基板２１上に順に形成するゲート電極金属層２２と、ゲート電極絶縁層２３と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）によって形成する活性層２４と、活性層２４上のソース電極金属層２５ａ及びドレイン電極金属層２５ｂ、不動態化層２６と、ドレイン電極層２５ｂ上に位置し、かつ不動態化層２６上に形成する不動態化層ホール２７と、透明画素電極層（即ちＩＴＯ≪ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、酸化インジウムスズ≫）２８とを含む。その内透明画素電極層２８は不動態化層ホール２７を介してドレイン電極金属層２５ｂにコンタクトする。
データ線配線領域２０ｂは、ガラス基板２１上に順に形成するゲート電極絶縁層２３と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）によって形成する活性層２４と、活性層２４上のソース電極金属層２５ａ、不動態化層２６とを含む。画素領域２０ｃは、ガラス基板２１上に順に形成するゲート電極絶縁層２３と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）によって形成する活性層２４と、活性層２４上に形成するソース電極金属層２５ａ、不動態化層２６と、不動態化層２６上に形成する不動態化層ホール２７と、透明画素電極層２８とを含む。その内、明画素電極層２８は不動態化層ホール２７を介してドレイン電極金属層２５ｂにコンタクトする。
活性層２４を形成するアモルファスシリコンは一種の感光半導体材料であって、液晶表示装置のバックライトモジュールの提供する光の極めて強い照射によって光電流を発生させる。このため透明画素電極層２８が液晶画素の画素電圧に変化を生じさせ、最終的に液晶表示装置の表示画面の異状を招く。特に、性能テストの際に深刻な残像現象（Ｉｍａｇｅ ｓｔｉｃｋｉｎｇ）が出現する。
この発明は、液晶表示装置のバックライトモジュールの提供する高強度の光線の照射を遮って光電流に発生を抑制し、表示画面に残像現象（Ｉｍａｇｅ ｓｔｉｃｋｉｎｇ）が出現することがない薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置を提供することを課題とする。
また、この発明は電気抵抗の電気容量の遅延作用が深刻な状態となって画素電極の充電不足、又は充電エラー現象を招く事態を避けることのできる薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び液晶表示装置を提供することを課題とする。
上述する従来の技術の問題を解決するために提供するこの発明の薄膜トランジスタアレイ基板は、画素領域とデータ線配線領域とを含み、かつ該画素領域に透明画素電極層を形成するとともに、該画素領域と該データ線配線領域とに第１金属層と第１絶縁層とアモルファスシリコン層と第２金属層と第２絶縁層を形成し、該第１絶縁層が該第１金属層を覆い、該アモルファスシリコンと該第２金属層と該第２絶縁層とが順に該第１絶縁層上に形成され、該画素領域の該第２絶縁層にコンタクトホールを形成し、該透明画素電極が該コンタクトホールを介して該第２金属層にコンタクトする。
また、前記薄膜トランジスタアレイ基板が、該第１絶縁層と該アモルファスシリコン層との間に形成されるカラーレジスト層をさらに含む。
また、前記カラーレジスト層は、レッドカラーレジスト層か、グリーンカラーレジスト層か、またはブルーカラーレジスト層である。
この発明による薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法は、第１フォトリソグラフィマスクを利用して画素領域とデータ線配線領域に該第１金属膜層を形成するＡのステップと、第１絶縁層を蒸着するＢのステップと、第２フォトリソグラフィマスクを利用して該第１絶縁層上にアモルファスシリコン層と第２金属層とを形成するＣのステップと、第２絶縁層を蒸着するＤのステップと、第３フォトリソグラフィマスクを利用して該画素領域の該第２絶縁層にコンタクトホールを形成するＥのステップと、第４フォトリソグラフィマスクを利用して該画素領域の該第２絶縁層上に透明画素電極層を形成するＦのステップと、を含み、該透明画素電極層が該コンタクトホールを介して該画素領域の該第２金属層にコンタクトする。
また、前記Ｃのステップを行う前に該第１絶縁層上にカラーレジスト層を蒸着するステップが含まれ。
また、前記カラーレジスト層は、レッドカラーレジスト層か、グリーンカラーレジスト層か、またはブルーカラーレジスト層である。
また、この発明による液晶表示装置は、上述する薄膜トランジスタアレイ基板を含む。
この発明は、アモルファスシリコンによって形成するアモルファスシリコン層の下方に第１金属層を形成する。第１金属層は非光透過性の金属材によって形成されるため、液晶表示装置のバックライトモジュールが提供する高強度の光線を遮ることができ、アモルファスシリコンによって形成されるアモルファスシリコン層上に直接照射することを避けることができる。よって、アモルファスシリコン層は高電流を発生させることがない。このため透明画素電極層２８が液晶画素に提供する画素電圧に影響を与えることなく、液晶表示装置の画面の異状を招くことがない。即ち、液晶表示装置の画面に残像現象（Ｉｍａｇｅ Ｓｔｉｃｋｉｎｇ）が発生しない。さらに、第絶縁層とアモルファスシリコン層との間にカラーレジスト層を形成する。カラーレジスト層は誘電率が比較的低く、比較的厚いため、第１金属層と第２金属層との間の距離を増大させ、第１金属層と第２金属層との間の電気容量を大幅に減少させる。よって、電気抵抗の電気容量の遅延作用が深刻な状態となり、画素電極の充電不足、又は充電エラー現象を招く事態を避けることができ、画像表示の質量を高めるという効果が得られる。
従来の４フォトマスク技術で製造した薄膜トランジスタアレイ基板を正面から見た状態を示した説明図である。 図１に開示するＡ−Ａ線に沿った断面を示した説明図である。 この発明の実施例の薄膜トランジスタアレイ基板を正面から見た状態を示した説明図である。 図３に開示するＢ−Ｂ線に沿った断面を示した説明図である。 この発明の実施例の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を示したフローチャートである。 この発明の実施例の液晶表示装置の構造を示した説明図である。
この発明の好ましい実施の形態について図面を参照にして以下に詳述する。然しながら、多くの異なる形式でこの発明を実施することは可能である。而も、この発明は、ここで解説する具体的な実施例に限られるものと解釈すべきではない。ここで提供する実施例は、この発明の原理と実際の応用を解釈するためのものである。ここから当業者はこの発明の実施例と、特定の予期される応用に適合する各種修正を理解することができる。
また、ここで用いる技術用語について、譬え「第１「、「第２」などによってそれぞれの部材を表わしたとしても、これら部材がそれら技術用語の制限を受けるべきではなく、これら技術用語は一つの部材と他の部材との区別するものであることを理解しておくべきである。
図３は、正面から見たこの発明の薄膜トランジスタアレイ基板の構造を示した説明図である。図４は図３に開示するＢ−Ｂ線に沿った断面を示した説明図である。
図３、図４に開示するこの発明の実施例による薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｍ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｍ、ＴＦＴと略称する）アレイ基板１００は、ゲート電極配線領域１００ａと、データ線配線領域１００ｂと、画素領域１００ｃとを含む。
この発明の実施例による薄膜トランジスタアレイ基板１００は、基板（例えば光透過性を有するガラス基板）１１０上に順に形成する第１金属層（ゲート電極金属層）１２０と、第１金属層１２０を覆う第１絶縁層（即ちゲート電極絶縁層）１３０と、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）によって形成されるアモルファスシリコン層（即ち活性層）１４０と、アモルファスシリコン層１４０上に形成する第２金属層１５０（その内画素領域１００ｃ内の第２金属層１５０はドレイン電極金属層であって、ゲート電極配線領域１００ａ、又はデータ線配線領域１００ｂに位置する第２金属層１５０はソース電極金属層となる）と、第２絶縁層（又は不動態化層とも称する）１６０と、ドレイン電極金属層上方に位置し、かつ第２絶縁層１６０上に形成されるコンタクトホール１７０と及び透明画素電極（即ちＩＴＯ≪Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、酸化インジウムスズ≫電極）層１８０とを含む。その内、透明画素電極層１８０はコンタクトホール１７０を介してドレイン金属層にコンタクトする。
実施例において、ゲート電極配線領域１００ａは、基板１１０上に順に形成する第１金属層１２０と、第１金属層１２０を覆う第１絶縁層１３０と、アモルファスシリコンによって形成されるアモルファスシリコン層１４０と、アモルファシリコンス層１４０上に形成する第２金属層１５０（即ち、アモルファスシリコン層１４０上のソース電極金属層）と、第２絶縁層１６０とを含む。データ線配線領域１００ｂは、基板１１０上に順に形成する第１金属層１２０と、第１絶縁層１３０と、アモルファスシリコンによって形成されるアモルファス層１４０と、アモルファシリコンス層１４０上に形成する第２金属層１５０（即ち、アモルファスシリコン層１４０上のソース電極金属層）と、第２絶縁層１６０とを含む。画素領域１００ｃは、基板１１０上に順に形成する第１金属層１２０と、第１絶縁層１３０と、アモルファスシリコンによって形成されるアモルファス層１４０と、アモルファシリコンス層１４０上に形成する第２金属層１５０（即ち、アモルファスシリコン層１４０上のドレイン電極金属層）と、第２絶縁層１６０と、ドレイン電極金属層上方に位置し、かつ第２絶縁層１６０上に形成されるコンタクトホール１７０と及び透明画素電極層１８０とを含む。その内、透明画素電極層１８０はコンタクトホール１７０を介してドレイン金属層にコンタクトする。
以上から明らかなように、それぞれの領域においては、アモルファスシリコン層１４０の下方に形成される第１金属層１２０は、第１金属層１２０が非光透過性の金属材によって形成されるため、液晶表示装置のバックライトモジュールが提供する高強度の光線を遮ることができ、アモルファスシリコンによって形成されるアモルファスシリコン層１４０上に直接照射することを避けることができる。よって、アモルファスシリコン層１４０は高電流を発生させることがない。このため透明画素電極層２８が液晶画素に提供する画素電圧に影響を与えることなく、液晶表示装置の画面の異状を招くことがない。即ち、液晶表示装置の画面に残像現象（Ｉｍａｇｅ Ｓｔｉｃｋｉｎｇ）が発生しない。
また、この発明の実施例では、薄膜トランジスタアレイ基板１００は、カラーレジスト層１９０を更に含む。カラーレジスト層１９０は第１絶縁層１３０とアモルファスシリコンによって形成するアモルファスシリコン層１４０との間に形成する。即ち、それぞれの領域の第１絶縁層１３０とアモルファスシリコンによって形成するアモルファスシリコン層１４０との間には、いずれもカラーレジスト層１９０が形成される。カラーレジスト層１９０は誘電率が比較的低く、比較的厚いため、第１金属層１２０と第２金属層１５０との間の距離を増大させ、第１金属層１２０と第２金属層１５０との間の電気容量を大幅に減少させる。よって、電気抵抗の電気容量の遅延作用が深刻な状態となり、画素電極の充電不足、又は充電エラー現象を招く事態を避けることができる。実施例において、カラーレジスト層１９０はレッドカラーレジスト層、グリーンカラーレジスト層及びブルーカラーレジスト層の内の一を選択する。
この発明の実施例による薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法について以下に詳述する。図５はこの発明の実施例による薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法に係るステップのフローチャートである。
図３から図５に開示するように、２１０のステップにおいて、第１フォトリソグラフィマスクを利用してゲート電極配線領域１００ａ、画素領域１００ｃ及びデータ線配線領域１００ｂに第１金属層１２０を形成する。２１０のステップの具体的な方法は、基板１１０上に第１金属膜層を蒸着し、第１フォトリソグラフィマスクを利用して該第１金属膜層に露光、現像を行い、かつ湿式エッチング及び剥離を行ない、第１金属層１２０を形成する。即ち、ゲート電極金属層である。このステップにおいて、第１金属膜層は、例えばタンタル（Ｔａ）、モリブデン・タンタル（ＭｏＴａ）、モリブデン・タングステン（ＭｏＷ）、又はアルミ（Ａｌ）などの金属材を用いる。
２２０のステップにおいて、第１絶縁層１３０を蒸着する。ここにおいて第１絶縁層１３０は、ゲート電極絶縁層とも称する。それぞれの領域の第１金属層１２０及び第１金属層１２０を剥離した基板１１０上に蒸着する。
２４０のステップにおいて、第２フォトリソグラフィマスクを利用して第１絶縁層１３０上にアモルファスシリコン層１４０と第２金属層１５０を形成する。ここにおいてゲート電極配線領域１００ａとデータ線配線領域１００ｂの第２金属層１５０はソース電極金属層であって、画素領域１００ｃにおける第２金属層１５０はドレイン電極金属層である。２４０のステップの具体的な方法を述べると、第１絶縁層１３０上に、順にアモルファスシリコン膜層及び第２金属膜層を形成し、第２フォトリソグラフィマスクを利用して露光、現像、湿式エッチング、乾式エッチング、及び剥離を行いアモルファスシリコン層１４０（即ち活性層）及び第２金属層１５０を形成する。
２５０のステップにおいて、第２絶縁層１６０を蒸着する。ここにおいて第２絶縁層は不動態化層とも称し、それぞれの領域の第２金属層１５０、及びアモルファスシリコン層１４０と第２金属層１５０を剥離した後の第２絶縁層１３０上に蒸着する。
２６０のステップにおいて、第３フォトリソグラフィマスクを利用して画素領域１００ｃの第２絶縁層１６０にコンタクトホール１７０を形成する。具体的に方法を述べると、第３フォトリソグラフィマスクを利用して第２絶縁層１６０に露光、現像、湿式エッチング、乾式エッチング、及び剥離を行い、画素領域１００ｃの第２絶縁層１６０にコンタクトホール１７０を形成する。
２７０のステップにおいて、第４フォトリソグラフィマスクを利用して画素領域１００ｃの第２絶縁層１６０に透明画素電極層１８０（即ちＩＴＯ≪ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ、酸化インジウムスズ≫）形成する。透明画素電極層１８０はコンタクトホール１７０を介して画素領域 １００ｃの第２金属層１５０（即ち、ドレイン電極金属層）にコンタクトする。２７０のステップについて具体的に方法を述べると、第２絶縁層１６０上に透明画素電極膜層を蒸着し、第４フォトリソグラフィマスクを利用して露光、現像、湿式エッチング、乾式エッチング、及び剥離を行い画素領域１００ｃの透明画素電極膜層を除去し、かつ画素領域１００ｃの透明画素電極膜層を保留して画素領域１００ｃの第２絶縁層１６０上に透明画素傳電極層１８０を形成する。
また、実施例においては、２４０のステップを実行する前に、この発明の実施例による薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法は、更に２３０のステップを含む。２３０のステップにおいては、第１絶縁層１３０上にカラーレジスト層１９０を蒸着する。ここにおいてカラーレジスト層１９０はそれぞれの領域の第１絶縁層１３０上に蒸着する。カラーレジスト層１９０はレッドカラーレジスト層か、グリーンカラーレジスト層か、またはブルーカラーレジスト層の内の一を選択する。
図６は、この発明の実施例による液晶表示装置の構造を示した説明図である。
図６に開示するこの発明の実施例による液晶表示装置は、液晶表示パネルと、該液晶表示パネルに対向して設けるバックライトモジュール４００とを含んでなる。バックライトモジュール４００は該液晶表示パネルに光源を提供し、液晶表示パネルはバックライトモジュール４００の提供する光によって画像を表示する。液晶表示パネルは次に掲げる配置構造を具える。即ち、上述する薄膜トランジスタアレイ基板１００と、ブラックマトリクス及び配向層などを含む第２基板２００と（即ち、カラーフィルタ基板である）、薄膜トランジスタアレイ基板１００と第２基板２００との間に挟まれるように設ける液晶表示層３００とを含んでなり、かつ薄膜トランジスタアレイ基板１００と第２基板２００とが対向して配置される。
この発明で採用する第２基板２００は、従来の技術によるものと同様である。よって、その具体的な構造は関連する従来の技術を参考にすることができるので、ここでは詳述しない。実施例におけるバックライトモジュール４００についても、従来の液晶表示装置におけるバックライトモジュールと同様である。よって、その具体的な構造は関連する従来の技術を参考にすることができるので、ここでは詳述しない。
特定の実施例を挙げてこの発明について説明したが、この発明の特許請求の範囲を離れることなく、均等の効果を有するものであれば、この発明の精神の下において、形式と細部での各種変化をなすことが可能であることは。当業者であれば理解できることである。
１００ 薄膜トランジスタアレイ基板
１００ａ ゲート電極配線領域
１００ｂ データ線配線領域
１００ｃ 画素領域
１１０ 基板
１２０ 第１金属層
１３０ 第１絶縁層
１４０ アモルファスシリコン層
１５０ 第２金属層
１６０ 第２絶縁層
１７０ コンタクトホール
１８０ 透明画素電極層
１９０ カラーレジスト層
２０ 薄膜トランジスタアレイ基板
２００ 第２基板
２０ａ ゲート電極配線領域
２０ｂ データ線配線領域
２０ｃ 画素領域
２１ ガラス基板
２２ ゲート電極金属層
２３ ゲート電極絶縁層
２４ 活性層
２５ａ ソース電極金属層
２５ｂ ドレイン電極金属層
２６ 不動態化層
２７ 不動態化層ホール
２８ 透明画素電極層
３００ 液晶層
４００ バックライトモジュール

Claims (9)

  1. 画素領域とデータ線配線領域とを含んでなり、かつ該画素領域に透明画素電極層を形成するとともに、該画素領域と該データ線配線領域とに第１金属層と第１絶縁層とアモルファスシリコン層と第２金属層と第２絶縁層を形成し、
    該第１絶縁層が該第１金属層を覆い、
    該アモルファスシリコンと該第２金属層と該第２絶縁層とが順に該第１絶縁層上に形成され、
    該画素領域の該第２絶縁層にコンタクトホールを形成し、該透明画素電極が該コンタクトホールを介して該第２金属層にコンタクトすることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。
  2. 前記薄膜トランジスタアレイ基板が、該第１絶縁層と該アモルファスシリコン層との間に形成されるカラーレジスト層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
  3. 前記カラーレジスト層が、レッドカラーレジスト層か、グリーンカラーレジスト層か、またはブルーカラーレジスト層であることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタアレイ基板。
  4. 第１フォトリソグラフィマスクを利用して画素領域とデータ線配線領域に該第１金属膜層を形成するＡのステップと、
    第１絶縁層を蒸着するＢのステップと、
    第２フォトリソグラフィマスクを利用して該第１絶縁層上にアモルファスシリコン層と第２金属層とを形成するＣのステップと、
    第２絶縁層を蒸着するＤのステップと、
    第３フォトリソグラフィマスクを利用して該画素領域の該第２絶縁層にコンタクトホールを形成するＥのステップと、
    第４フォトリソグラフィマスクを利用して該画素領域の該第２絶縁層上に透明画素電極層を形成するＦのステップと、を含み、
    該透明画素電極層が該コンタクトホールを介して該画素領域の該第２金属層にコンタクトすることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
  5. 前記Ｃのステップを行う前に該第１絶縁層上にカラーレジスト層を蒸着するステップが含まれることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
  6. 前記カラーレジスト層が、レッドカラーレジスト層か、グリーンカラーレジスト層か、またはブルーカラーレジスト層であることを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法。
  7. 薄膜トランジスタアレイ基板と、該薄膜トランジスタアレイ基板に対応して設ける第２基板と、該薄膜トランジスタアレイ基板と、薄膜トランジスタアレイ基板と該第２基板との間に設ける液晶層とを含んでなり、
    該薄膜トランジスタアレイ基板が画素領域とデータ線配線領域とを含み、
    該画素領域に透明画素電極層を形成するとともに、該画素領域と該データ線配線領域とに第１金属層と第１絶縁層とアモルファスシリコン層と第２金属層と第２絶縁層を形成し、
    該第１絶縁層が該第１金属層を覆い、
    該アモルファスシリコンと該第２金属層と該第２絶縁層とが順に該第１絶縁層上に形成され、
    該画素領域の該第２絶縁層にコンタクトホールを形成し、該透明画素電極が該コンタクトホールを介して該第２金属層にコンタクトすることを特徴とする液晶表示装置。
  8. 前記薄膜トランジスタアレイ基板が、該第１絶縁層と該アモルファスシリコン層との間に形成されるカラーレジスト層をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
  9. 前記カラーレジスト層が、レッドカラーレジスト層か、グリーンカラーレジスト層か、またはブルーカラーレジスト層であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
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