JP2017526165A - フレキシブル基板上に電子デバイスを形成する方法 - Google Patents
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Abstract
アセトン溶剤を用いることなく、フレキシブル基板（３０）上に電子デバイス（２０）を形成する方法を開示する。本方法は、多孔質膜（１０）上に疎水性マスク（１２）をプリントして、前記膜上に所望されるパターンに対して相補的なパターンを形成するステップと、多孔質膜のプリントされていない領域（１１）を介して電子材料（２２）の水性懸濁液を濾過し、これにより、所望されるパターンを辿る前記プリントされていない領域（１１）に電子材料が堆積されるステップと、プリントされた膜面にフレキシブル基板（３０）を押し当て、多孔質膜上に堆積されパターニングされた電子材料（２２）をフレキシブル基板へ転写してその上に電子デバイス（２０）を形成するステップと、を含む。【選択図】図１
Description
本出願は、２０１４年６月２０日に提出された欧州特許出願第１４３８２２４０．１号の利益（優先権）を主張するものである。
本発明は、適切なフレキシブル基板上に電子デバイスを形成する方法、及び、このような方法によって製造される電子デバイスを備える装置に関する。このようなデバイスは、例えば、電極もしくは電極アレイ、又は、より一般的には電子プラットフォームであり得る。
この種のデバイスは、太陽電池、発光ダイオード（ＬＥＤ）、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、スーパーキャパシタ、バイオセンサ等の製造に使用可能である。このようなデバイス用の興味深い１つの材料は、酸化型（ｏＧＯ）または還元型（ｒＧＯ）を問わず酸化グラフェン（ＧＯ）であるが、例えば金ナノ粒子、カーボンナノチューブ、ＣｄＳｅもしくはＣｄＴｅ量子ドット、または複合材料であってもよいが、のような他の材料も使用可能である。
酸化型酸化グラフェン（ｏＧＯ）ベースのプラットフォームの成長（発展、進歩）は、スピンコーティング、自己集合、真空濾過または溶媒交換によって駆動され、かつナノリソグラフィ技術、マイクロ接触技術またはインクジェット技術を用いてパターニングされることが可能である。これらの方法は、長い製造期間、高コスト、高い技能およびクリーンルーム設備を必要とする。加えて、前記方法は、トランジスタまたはキャパシタのような単純なデバイスの設計において多用途かつ効果的でない。
特許文献１（ＷＯ２００７／０３５８３８）は、膜ブロッキングを用いる濾過プロセスを介してフィルム内に高精度パターンを製造するための低温方法を開示していて、この方法では、フィルム形成プロセスに先行して、多孔質の濾過膜の選択された領域がブロックされ、よって、この選択された領域は、有孔性を介する溶液への流れを提供しない。膜は、アセトンによって溶解され、硬質基板上のパターニングされたフィルムから離れる。
エダ（Ｅｄａ）らは、非特許文献１において、大面積に渡る還元型酸化グラフェンの均一かつ制御可能な堆積(deposition)を可能にする溶液ベースの方法を開示している。真空濾過は、平均孔径が２５ｎｍである市販の混合ニトロセルロースエステル膜（ＮＣＭ）を介するＧＯ懸濁液の濾過を包含する。懸濁液が膜を介して濾過されるにつれて、液体は、細孔を通過することができるが、ＧＯシートは膜上に引っかかる。前記引っかかったＧＯは、フィルム側を下にして膜を配置すると共に、均一なＧＯ薄フィルムの背後に残る膜をアセトンで溶解することによって転写されることが可能である。
主題が変わって、ルー（Ｌｕ）らは、非特許文献２において、膜内に疎水性領域を形成するワックスパターニングのプロセスを開示している。
Ｅｄａほか、「Ｌａｒｇｅ−ａｒｅａ ｕｌｔｒａｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｏｆ ｒｅｄｕｃｅｄ ｇｒａｐｈｅｎｅ ｏｘｉｄｅ ａｓ ａ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ａｎｄ ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌ」 Ｎａｔｕｒｅ Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ３，２７０−２７４（２００８）
Ｌｕほか、「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｐａｐｅｒ−ｂａｓｅｄ ｍｉｃｒｏｆｌｕｉｄｉｃｓ ｐｒｅｐａｒｅｄ ｉｎ ｎｉｔｒｏｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ｍｅｍｂｒａｎｅ ｂｙ ｗａｘ ｐｒｉｎｔｉｎｇ」 Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ８２， ３２９−３３５ （２０１０）
本開示は、提示されている技術を組み合わせ、これら技術をしのぎ、そしてこれら技術を単純化する、フレキシブル基板上にｏＧＯおよび他の適切な電子材料をパターニングし且つ転写する方法を教示する。
本開示は、フレキシブル基板上に電子デバイスを形成する方法を企図するものであり、本方法は、次のステップ、即ち、
− 多孔質膜上に疎水性マスクをプリントして、前記膜上に所望されるパターンに対して相補的なパターンを形成するステップと、
− 多孔質膜のプリントされていない領域（非プリント領域）を介して電子材料の水性懸濁液を濾過し、これにより、所望されるパターンを辿る前記プリントされていない領域に一部の電子材料を堆積するステップと、
− プリントされた膜面にフレキシブル基板を押し当て、多孔質膜上に堆積されパターニングされた電子材料をフレキシブル基板へ転写してその上に電子デバイスを形成するステップと、を含み、
本方法は、アセトン溶剤を用いることなく実行される。
− 多孔質膜上に疎水性マスクをプリントして、前記膜上に所望されるパターンに対して相補的なパターンを形成するステップと、
− 多孔質膜のプリントされていない領域（非プリント領域）を介して電子材料の水性懸濁液を濾過し、これにより、所望されるパターンを辿る前記プリントされていない領域に一部の電子材料を堆積するステップと、
− プリントされた膜面にフレキシブル基板を押し当て、多孔質膜上に堆積されパターニングされた電子材料をフレキシブル基板へ転写してその上に電子デバイスを形成するステップと、を含み、
本方法は、アセトン溶剤を用いることなく実行される。
押し当てるステップは、表面に電子材料（例えば、酸化グラフェン−ＧＯ）のパターンを有する安価なフレキシブル基板を提供し、こうしてフレキシブル基板上に電子デバイスが形成される。
アセトン溶剤は、プレス力を電子材料（例えば、ＧＯメッシュ）とフレキシブルな標的基板との間に首尾良く適用するに足る強さにすることができるという理由で、省略することができる。これは、圧力が、（ワックス印刷の場合、高さ約２５μｍを有し得る）疎水性マスクに打ち勝ってＧＯメッシュと標的基板との間の直接的接触を達成するに十分であることを意味する。標的基板への電子材料の転写は、例えば、垂直圧またはロールツーロール状の圧力によって実行可能である。この転写現象は、多孔質膜の疎水性およびＧＯの湿度に関連し、これにより、例えば、ＮＣＭは、ＧＯを容易に剥離するための優れた膜になる。実験によっては、この転写は、ＮＣＭの単純な再湿潤によって１か月後も完全に有効なままであった。
本方法は、電子デバイス（おそらくは透明、下記参照）、例えば多電極アレイ、の工業生産用の単純な印刷プロセスを作り上げるために、真空濾過技術の多用性、マスク印刷によって多孔質膜を成形する能力、および電子材料と膜との間のファンデルワールス相互作用の脆弱さ（ファンデルワールス相互作用は、電子材料とフレキシブル基板との間の方が強い）を活用し、かつこれらの３技術間の相乗効果を達成する。
この電極印刷技術は、容易さ、コストおよび用途の面で既知の製造方法より効果的である。例えば、これは、クリーンルームの使用もアセトン溶剤の使用も不要である。用途に関しては、これは、センサおよびバイオセンサの即座で低コストな工業製造への道、および３Ｄアーキテクチャへの道を開く。
パターニングされた電子デバイスは、導電性である必要はない。例えば、ｏＧＯは、導電性ではないが、その還元形ｒＧＯは、導電性である。ｏＧＯで製造される電子構造体は、絶縁体または半導体として使用可能であり、かつドーピングされた、但し還元されていないｏＧＯは、ＬＥＤとして使用可能である。
既に述べたように、多孔質膜は、ニトロセルロースで製造することができるが、ＰＴＦＥ、紙などの他の材料も使用されてもよい。
電子材料および膜材料に依存して、酸化グラフェンの場合の孔径は、０．０１μｍから０．３μｍまでの間、より精密には、０．０１５μｍから０．１μｍまでの間、好ましくは、０．０２μｍから０．０３μｍまでの間であってもよい。
先に述べたように、疎水性マスクの印刷材料は、ワックスであってもよいが、インクジェット技術およびスクリーン印刷技術に通常使用される他の疎水性ポリマーも使用されてもよい。
フレキシブル基板は、有機物であってもよく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であってもよい。
ある例において、転写するステップは、例えば５００ｋｇから７００ｋｇまでの間の力をかけるプレスによって実行されてもよい。プレスは、フレキシブル基板を粘着するスタンプを介して作動してもよい。
ある例において、フレキシブル基板は、シート、例えば連続シートであってもよく、かつ転写するステップは、ロールツーロールハードウェア（設備）を用いて実行されてもよく、この場合、疎水性マスクをプリントするためのプリンタは、ロールツーロールハードウェアに一体化されてもよい。
本方法は、多大な多用性を見込み、よって例えば、電子デバイスは、円形または他の交互嵌合電極であっても、電極マイクロアレイであってもよい。
電子デバイスは、透明であっても、半透明であってもよい。例えば、酸化グラフェンの場合、ｒＧＯ濃度の低下は、透明性の利得をもたらすが、これは、透明性と転写された層数とが逆比例することに起因する。即ち、濾過されるＧＯの濃度が高まれば、より多くの層およびより大きい垂直高さが生成され、透明性が下がる結果となる。よって、転写される層の数を制御すれば、電子デバイスの厚さ、ひいてはその透明性も制御することができる。
また、本開示は、開示した上記方法で製造される電子デバイスを備える装置も企図している。
以下、添付の図面を参照して、本開示の幾つかの例を単に非限定的な例示として説明する。
図１を参照すると、図１（ａ）は、例えば約２５ｎｍの孔径を有する親水性のニトロセルロース膜（ＮＣＭ）である、多孔質膜１０を表す。図１（ｂ）は、多孔質膜上にプリントされた疎水性マスク１２、例えば約２５μｍの高さを有するワックス印刷マスク（ＷＰＭ）を示す。マスク１２は、電子デバイスまたは電子構造体２０に所望されるパターンとは相補的なパターンを辿り（図１ｂおよび図１ｅ参照）、膜１０の表面に達する対応する開口１１を残す。
図１（ｃ）は、多孔質膜を介しての、電子材料、例えば非導電性酸化グラフェン（ｏＧＯ）、の懸濁液、例えば水性懸濁液、の真空濾過の結果として多孔質膜１０のプリントされていない領域上、即ちマスク１２により残された開口１１上、に堆積された電子材料２２を示す。即ち、例えば水である液体は、膜１０を介して濾過され、よって開口１１内に（プリントされたマスク１２が疎水性であることを想起されたい）、そして多孔質膜のプリントされていない領域上に電子材料２２の堆積(deposition)が存在する。プリントされたマスク１２は、電子デバイス用に所望されるパターンに対して相補的なパターンを辿ることから、堆積された電子材料２２は、所望されるパターンを辿る。
図１（ｄ）は、裏返しにされた多孔質膜１０、プリントされたマスク１２および電子材料２２のアッセンブリを示すと共に、それら（１０，１２，２２）が、プレススタンプ５０（例えば、ＰＤＭＳスタンプ）により例えば６００ｋｇの力をかけて、例えばＰＥＴであるフレキシブル基板３０に対してプレス（押圧）されている様子を示す。基板３０に接触するアッセンブリの面は、プリントされたマスク１２および前記マスクに残された開口１１上に堆積された電子材料２２による面である。
図１（ｅ）は、ファンデルワールス相互作用が、電子材料２２とフレキシブル基板３０との間よりも電子材料２２と多孔質膜１０との間の方が弱いことに起因して（図１ｅ参照）、スタンプ５０によりかけられる圧力によってフレキシブル基板３０上に転写された、電子デバイス２０へと変換された電子材料を示す。
図２は、コンピュータおよびプリンタ（例えば、ゼロックス社製のＣｏｌｏｕｒＱｕｂｅ ８５７０プリンタ）を用いてワックスマスク１２をプリントするプロセスを示す。マスクは、コンピュータ設計されることが可能であり、かつこのような設計は、ニトロセルロースシート１０上にワックス印刷されることが可能である。開口１１は、所望される電極パターンを画定する（開口は、マスクの補完または「陰画」である）。
図３（ａ）は、幾つかの開口１１１を残して多孔質膜１０１上にプリントされたマスク１２１の一例を示し、図３（ｂ）は、開口１１１に一致し、よってマスク１２１に対して相補的であってフレキシブル基板３０１上へ転写されている電子デバイス２０１を示す。これは、電子デバイス２０１を形成する方形電極の一例である。
図４（ａ）は、幾つかの開口１１２を残して多孔質膜１０２上にプリントされたマスク１２２の一例を示し、図４（ｂ）は、開口１１２に一致し、よってマスク１２２に対して相補的であってフレキシブル基板３０２上へ転写されている電子デバイス２０２を示す。これは、電子デバイス２０２を形成する交互嵌合電極の一例である。
図５（ｂ）は、フレキシブル基板３０３上の電子デバイス２０３の一例を示し、図５（ａ）は、１対の対応する電極をより詳細に示す。これは、電子デバイス２０３を形成する円形交互嵌合電極の一例である。
図６（ｂ）は、フレキシブル基板３０４上の電子デバイス２０４の一例を示し、図６（ａ）は、１対の対応する電極をより詳細に示す。これは、電子デバイス２０４を形成する電極マイクロアレイの一例である。
当然ながら、これらの材料は、例毎に変わる可能性があり、一部のエレメントでは同じであって他では異なる可能性もあり、または類似するエレメントで常に同じである可能性もある。また、フレキシブル基板上に形成される電極（または、電子コンポーネント）の数は適切な任意の数であってもよく、または同じ基板上に異なる電極またはコンポーネントが存在してもよい。
例えば有機基板上へ例えばｏＧＯを形成する方法に関連して言えば、まず、ＮＣＭが、例えばワックスプリンタ（図２）を用いて所望される形状にパターニングされる。プリントされるべきエリアは、バイナリ・カラーコーディング・スキームによって線引きされる。正の値（または、バイナリプログラミング言語における１）が割り当てられた着色エリアは、ワックス印刷が予定されている（図１ｂにおける参照数字１２参照）のに対して、負の値（または０）が与えられた無着色エリアは、続いてフィルタとして機能するためにプリントされずに残される（開口１１）。ｏＧＯの水性懸濁液がマスク上へ注がれ、次いでこれらの被覆されていないエリア１１を介して濾過される。
濾過用ガラス上にＷＰＭが設定され、（所望される濃度における）ｏＧＯの懸濁液が濾過されてＷＰＭの上部にｏＧＯメッシュが残される（図１ｃ）。関連する研究において、他のグループは、ｏＧＯ懸濁液の濃度および量が濾過速度に大きく影響するという報告を行っている。しかしながら、そのケースでは、濾過面積の縮小が圧力の大幅低下に繋がり、よって必然的に、濾過速度が大幅に遅くなった。したがって、代わりに、濾過されなかったｏＧＯを単に取り除くことが決定された。
ｏＧＯ２２を載せたＷＰＭは、基板３０上に置かれ、アッセンブリに垂直圧がかけられて（図１ｄ）基板表面にパターニングされたｏＧＯデバイスまたは構造体２０（例えば、電極）が残される（図１ｅ）。転写は、２つの関連ステップ、即ち、ｏＧＯのＷＰＭからの排除、および基板表面への付着、を包含することが仮定される。発明者らは、排除が単純な空気／湿気圧力によって発生し、かつ付着は、ｏＧＯ／ＮＣＭ界面において報告される値がｏＧＯ／基板界面における値より低いことから、ファンデルワールス力によって有利に働くことを確信している。
さらに、特殊化された技術に適すると目下考えられている技術概念の証拠として、ロールツーロールハードウェアを装備したワックスプリンタが、成形されたｏＧＯをＰＥＴ基板上へ転写するのに使用された。ロールツーロール機械装置は、基板シートをプリンタへ供給するために且つワックスをプリントするために使用されることが可能であると共に、ｏＧＯを転写するに足る圧力を及ぼすに違いない。本方法は、このクラスのｏＧＯデバイスの工業規模での単純な高速印刷に対する強い可能性を提供する。
ＷＰＭの横方向高さが測定されると共に、その長期安定性が評価された。ワックス印刷の方向（水平または垂直）は、線縁の分解能および形状に影響することから、評価における重要なパラメータであった。最良の分解能は、境界に体系的曲線を生じないことから、線が垂直にプリントされる際に達成された。また、異なるワックスマスク形状についても評価された。図面に示されている（図３ａおよび図４ａ）または暗示されている（図５および図６）マスクは全て、用紙またはＮＣＭ上へプリントするための文献値と整合するところの、２００μｍから３００μｍの範囲にわたる容認できる設計を提示した。ＷＰＭの横方向カットは、約２５μｍの中間高さを示す。室温におけるＷＰＭ全体に及ぶワックスの横方向広がりの変化を５か月間調査して、重大な変形または広がりは観察されなかった。したがって、これらのＷＰＭは、長期に渡って安定していることが結論づけられる。
ワックス印刷方法は、ｏＧＯデバイスまたはｏＧＯプラットフォーム（図３から図６）をプリントするための様々な異なるマスクを作成するために使用されてきている。一般的な手順では、まず濾過用ガラス上へＷＰＭが置かれ、次に、これを介して５ｍＬのｏＧＯ水性懸濁液（０．１ｍｇ／ｍＬ）が５分間濾過される。濾過されなかったｏＧＯ溶液は、除去され（かつ後に再使用が可能）、図１（ｃ）に表示されているように、膜１０の上にｏＧＯメッシュ２２が残る。ｏＧＯ懸濁液の濃度、量および濾過時間は、各々、濾過圧力に依存し、かつ所望される最終アプリケーションの要件に従って調整されることが可能である。この方法論は、これまでに報告されている方法より高速であり、かつ制御可能でもある。
還元型酸化グラフェン（ｒＧＯ）は導体であり、対応するｏＧＯ製品をヒドラジン蒸気で還元することによって得ることができる。
このＷＰＭ方法およびこれに続く還元は、一般的な交互嵌合電極（ＩＤＥ、図４）、円形ＩＤＥ（図５）またはマルチ検出アプリケーションに修正可能なマルチアレイマイクロ電極システム（図６）のような様々なタイプの電子デバイスのパターニングに使用されることが可能である。
図３では、ｏＧＯの４つの正方形２０１がＰＥＴフィルム３０１上へパターニングされ、次に、還元によって導電性にされる。次には、ｏＧＯの３００μｍの円を幾つか作ることができ、次いで、これがフィルム上のｒＧＯ正方形上へ転写されて円形のｏＧＯパターンが残り、銀インクのインクジェット印刷により配線された集積化システムが築き上げられる。このようなアーキテクチャは、多様なナノマテリアルおよび／またはバイオマテリアルのデバイスへの結合、およびｏＧＯの特性のさらなる活用を有効化する。（透明な）電子デバイスのＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）画像は、ｏＧＯの転写が効率的であること、および形状が良く画定されることを示している。
異なるフレキシブル基板３０２（例えば、ガラス、ＰＥＮ、ＰＥＴ、酢酸セルロース、プラスチック粘着フィルム、ワックス変性紙、他）上に蒸着された図４（ｂ）の一般的なＩＤＥ２０２のＥＩＳ（電気化学的インピーダンス分光法）応答は、バイオセンシングおよびエネルギー（例えば、太陽電池）を含む無数の分野におけるアプリケーションに関する興味深い挙動を示している。達成された結果は、多様な機能を持つフレキシブルかつ透明なｒＧＯ電極への門戸を開く。異なるフレキシブル材料上へプリントされた一般的なＩＤＥのＥＩＳ応答は、その電極−電解質界面インピーダンス（ＥＥＩＩ）が変わるが、これは、これらのファクタがプリントされたｏＧＯの形態学に影響を与えたと思われることから、個々の基板の表面粗さ、フレキシブルさ（柔軟性）および疎水性の違いによるものと言える。ＰＥＮおよびフレキシブルガラスは、最も低いＥＥＩＩを提示するのに対して、プラスチック粘着フィルムおよび酢酸セルロースは、最も高い値を提供する。
しかしながら、ＰＥＴは、コスト、透明性およびフレキシブルさ（柔軟性）の点で最良の得失評価を与え、よって、これは、ｏＧＯ濃度が（ＥＩＳにより測定される）ＩＤＥパフォーマンスに与える影響に関するさらなる研究用に選択された。ｏＧＯ濃度の増加は、ＥＥＩＩの低下に相関し、よって、文献の報告と一致して、ｒＧＯの導電性の増大に相関した。この傾向は、ＰＥＴがその粗さに起因してナノメートル級のＡＦＭ測定にはあまり適さないという理由で、類似するガラスＩＤＥに関するＡＦＭ（原子間力顕微鏡法）調査を実行することにより、間接的に確認した。
要するに、本開示は、高度に安定したマイクロスケールＷＰＭを介してフレキシブル基板上にｏＧＯをパターニングするための新しい、多用途かつカスタマイズ可能な方法について報告するものである。これらのマスクは、異なるアプリケーションに合わせた様々な特定形状での制御されたｏＧＯプリントを可能にする。本明細書に報告するｏＧＯプリント技術は、容易さ、コストおよび潜在的な最終用途の面で、これまでに報告されたＧＯベースデバイスの製造方法よりも効果的であり、例えば、これは、クリーンルームの使用が不要である。これは、最終的に、センサおよびバイオセンサ等の広範なＧＯベースデバイス・アレイの即座で低コストな工業的製造への門戸を開くものである。
本明細書では、本発明の特定の実施形態のみを示しかつ説明しているが、当業者は、各事例の特定要件に依存して、添付の特許請求の範囲により規定される保護の範囲を逸脱することなく、改変を導入し、かつ本発明の何れかの技術的特徴を技術的に等価である他の特徴で置換することができるであろう。
例えば、諸図において、電子デバイスは黒で表されているが、これらは、透明であることも、半透明であることも可能である。
１０ 多孔質膜
１１ 開口／プリントされていない領域（非プリント領域）
１２ 疎水性マスク
２０ 電子デバイスまたは電子構造体
２２ 電子材料
３０ フレキシブル基板
１１ 開口／プリントされていない領域（非プリント領域）
１２ 疎水性マスク
２０ 電子デバイスまたは電子構造体
２２ 電子材料
３０ フレキシブル基板
Claims (15)
- フレキシブル基板上に電子デバイスを形成する方法であって、
多孔質膜上に疎水性マスクをプリントして、前記多孔質膜上に所望されるパターンと相補的なパターンを形成するステップと、
前記多孔質膜のプリントされていない領域を介して電子材料の水性懸濁液を濾過し、これにより、前記所望されるパターンを辿る前記プリントされていない領域に電子材料が堆積される、ステップと、
前記多孔質膜上に堆積されパターニングされた前記電子材料をフレキシブル基板へ転写してその上に電子デバイスを形成するために、プリントされた膜面に対しフレキシブル基板を押し当てるステップと、
を含み、
当該方法は、アセトン溶剤を用いることなく実行される、ことを特徴とする方法。 - 前記電子材料は酸化グラフェンである、請求項１に記載の方法。
- 前記多孔質膜はニトロセルロースで作られており、その孔径は、０．０１μｍから０．３μｍの間である、請求項１又は２に記載の方法。
- 前記疎水性マスクの印刷用材料はワックスである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記フレキシブル基板は有機物である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
- 前記フレキシブル基板はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）である、請求項５に記載の方法。
- 前記転写するステップはプレスによって実行される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
- プレス力は、５００ｋｇから７００ｋｇの間である、請求項７に記載の方法。
- 前記プレスは、前記フレキシブル基板を粘着するスタンプを介して作動する、請求項８に記載の方法。
- 前記フレキシブル基板はシートである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
- 前記転写するステップはロールツーロール設備によって実行される、請求項１０に記載の方法。
- 前記疎水性マスクをプリントするためのプリンタは、前記ロールツーロール設備に統合されている、請求項１１に記載の方法。
- 前記電子デバイスは交互嵌合電極である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
- 前記電子デバイスは透明である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
- 電子デバイスを備える装置であって、当該電子デバイスは、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法によって製造されることを特徴とする装置。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020056642A (ja) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | ヒューグルエレクトロニクス株式会社 | イオン分布可視化装置及びイオン分布可視化システム |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3530617A1 (en) | 2018-02-27 | 2019-08-28 | Fundacio Privada Institut Catala de Nanociencia I Nanotecnologia (ICN2) | Method of forming a porous graphene-based macroscopic structure |
| KR102130323B1 (ko) * | 2018-06-04 | 2020-07-06 | 한국화학연구원 | 기능성 물질을 이용한 패턴 필름의 제조방법 및 기능성 물질을 이용한 패턴 필름의 전사방법 |
| EP3772086A1 (en) | 2019-08-01 | 2021-02-03 | Fundació Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia (ICN2) | Method to form a laser-scribed rgo pattern on a substrate |
| CN110972411B (zh) * | 2019-10-22 | 2022-12-06 | 深圳丹邦科技股份有限公司 | 基于量子碳基膜的柔性线路板基材及其制备方法 |
| CN110658677B (zh) * | 2019-11-12 | 2021-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种压印方法、压印结构及显示基板 |
| CN111554756B (zh) * | 2020-05-15 | 2022-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光电探测器、显示基板 |
| US20230127465A1 (en) * | 2021-10-26 | 2023-04-27 | Ford Global Technologies, Llc | System and method for approaching vehicle detection |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11174017A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Akebono Brake Res & Dev Center Ltd | 微生物電極及び微生物センサ |
| JP2003262635A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Nitto Denko Corp | 吸水性基材を用いた、生物学的親和性に基づく物質の測定方法およびそのためのキット |
| JP2006270094A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機薄膜のパターニング方法、それを利用した有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタを備えた平板表示装置 |
| JP2013058599A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機半導体素子用電極及びその製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003249324A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-02-09 | University Of Florida | Transparent electrodes from single wall carbon nanotubes |
| JP2009509358A (ja) * | 2005-09-21 | 2009-03-05 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド | パターン化導電性薄膜を形成するための低温法およびそれに由来するパターン化物品 |
| US8540922B2 (en) * | 2007-08-27 | 2013-09-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser patterning of a carbon nanotube layer |
| US8847313B2 (en) * | 2008-11-24 | 2014-09-30 | University Of Southern California | Transparent electronics based on transfer printed carbon nanotubes on rigid and flexible substrates |
| KR101502172B1 (ko) * | 2008-12-12 | 2015-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치의 제조 방법 |
| CN102452239A (zh) * | 2010-10-22 | 2012-05-16 | 韩国科学技术院 | 图案转印方法和图案转印装置以及利用该方法制造的产品 |
| LT5943B (lt) * | 2011-10-20 | 2013-06-25 | Vilniaus Universitetas | Plono elektrai laidaus permatomo grafeno sluoksnio gamybos būdas |
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2016
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11174017A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Akebono Brake Res & Dev Center Ltd | 微生物電極及び微生物センサ |
| JP2003262635A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Nitto Denko Corp | 吸水性基材を用いた、生物学的親和性に基づく物質の測定方法およびそのためのキット |
| JP2006270094A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機薄膜のパターニング方法、それを利用した有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタを備えた平板表示装置 |
| JP2013058599A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機半導体素子用電極及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| C. LIM, 他: "Direct patterning of carbon nanotube network devices by selective vacuum filtration", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 91, no. 24, JPN7019000338, 14 December 2007 (2007-12-14), US, pages pp.243117-1 - 243117-3, XP012104808, DOI: doi:10.1063/1.2824575 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020056642A (ja) * | 2018-10-01 | 2020-04-09 | ヒューグルエレクトロニクス株式会社 | イオン分布可視化装置及びイオン分布可視化システム |
| JP7190129B2 (ja) | 2018-10-01 | 2022-12-15 | ヒューグルエレクトロニクス株式会社 | イオン分布可視化装置及びイオン分布可視化システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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