JP2017505549A5 - - Google Patents
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Claims (2)
- 請求項１乃至６の何れか１項に記載の集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造（４１１）において、
前記第１のウェル拡散層（４３０）内に配置されて前記ハイサイド負電源電圧ポートへの第１の電気的接続を確立する第１のウェルコンタクト；及び
前記第２のウェル拡散層（４２９）中に配置されて前記ハイサイド負電源電圧ポートへの第２の電気的接続を確立する第２のウェルコンタクトをさらに備えた、集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造（４１１）。 - 請求項１乃至７の何れか１項に記載の集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造（４１１）において、
前記第１のウェル拡散層（４３０）に隣接して半導体基板（４２２）内に配置された、第２の極性の半導体材料を含む第３のウェル拡散層と、
前記第３のウェル拡散層の内側に配置された、第２の極性の半導体材料を含む第２のトランジスター・ボディ拡散層と、
前記第２のトランジスター・ボディ拡散層内に配置されたＬＤＭＯＳＦＥＴ（４０５）と、をさらに備えた、集積化ハイサイド・ゲート・ドライバー構造（４１１）。
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