JP2017504266A - 移載可能なマイクロ加工の圧電トランスジューサアレイのための方法、装置及びシステム - Google Patents
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Abstract
Description
110:ウェハ
120:トランスジューサ素子
130:ハンドリングウェハ
140:メンブレーン
150:ダイ
160:プリンタ
162:プローブ
164:柔軟なシート
202:ウェハ
206a、206b:凸状バンプ構造体
210:任意の層
212a、212b:底部電極
214a、214b:相互接続部
216a、216b:圧電メンブレーン
218:薄膜誘電体層
220:頂部電極金属被覆
222a、222b:穴
224a、224b:支持構造体
230a、230b:犠牲的材料
235:ポリマー層
240a、240b:アクセス穴
250a、250b:ビア
260:接着材層
265:ハンドリングウェハ
270:アッセンブリ
275a、275b:カーブ面部分
280:支持構造体
282:接合層
284a、284b:空洞
286a、286b:トランスジューサ素子
288a、288b:貯蔵器
290:ASIC
400:プローブ装置
410:主本体部分
412:アレイ
414:遠方端
430:柔軟なMEMS装置
432:柔軟なシート
434:アレイ
436:I/O回路
Claims (20)
- マイクロ加工のトランスジューサアレイを備え、該トランスジューサアレイは、複数のトランスジューサ素子を含み、その各々は、
基準電極;
信号電極;
前記基準電極と信号電極との間に配置された圧電素子であって、前記トランスジューサ素子のメンブレーン部分が該圧電素子の少なくとも一部分を含むような圧電素子;及び
前記メンブレーン部分又はその周囲に配置された支持構造体であって、前記メンブレーン部分から前記支持構造体を少なくとも一部分通して延びる穴を形成する支持構造体;
を備えている装置。 - 前記マイクロ加工のトランスジューサアレイは、前記複数のトランスジューサ素子に隣接するポリマー層を更に含む、請求項1に記載の装置。
- 前記ポリマー層は、ポリイミドを含む、請求項2に記載の装置。
- 前記複数のトランスジューサ素子の各々に対し、前記ポリマー層は、前記トランスジューサ素子のメンブレーン部分に隣接する各空洞を少なくとも一部分形成する、請求項2に記載の装置。
- 前記複数のトランスジューサ素子の各電極から前記ポリマー層を通して各々延びるビアを更に含む、請求項2に記載の装置。
- 前記複数のトランスジューサ素子は、第1の支持構造体を含む第1のトランスジューサ素子を備え、この第1の支持構造体の断面プロフィールは、環状である、請求項1に記載の装置。
- 前記複数のトランスジューサ素子に結合された犠牲的ウェハを更に備え、この犠牲的ウェハの表面は、前記複数のトランスジューサ素子の各メンブレーン部分において接合される、請求項1に記載の装置。
- 前記マイクロ加工のトランスジューサアレイは、前記複数のトランスジューサ素子に隣接するポリマー層を更に含み、前記装置は、前記ポリマー層に接着されたハンドリングウェハを更に備えた、請求項7に記載の装置。
- 前記マイクロ加工のトランスジューサアレイは、前記複数のトランスジューサ素子に結合された基板を更に含み、この基板は、前記複数のトランスジューサ素子の各メンブレーン部分に各々整列されたくぼみを含む、請求項1に記載の装置。
- マイクロ加工のトランスジューサアレイを製造する方法において、
犠牲的ウェハに複数のトランスジューサ素子を形成する段階を備え、この段階は、前記複数のトランスジューサ素子の各トランスジューサ素子に対して、
前記トランスジューサ素子の圧電素子、基準電極及び信号電極を形成し、該圧電素子は、それら基準電極と信号電極との間に配置され、そして前記トランスジューサ素子のメンブレーン部分は、その圧電素子の少なくとも一部分を含み;
前記メンブレーン部分又はその周囲に支持構造体を形成し、この支持構造体は、前記トランスジューサ素子のメンブレーン部分から前記支持構造体を少なくとも一部分通して延びる穴を画成するものである;
ことを含む方法。 - 前記複数のトランスジューサ素子に隣接するポリマー層を形成することを更に含む、請求項10に記載の方法。
- 前記ポリマー層は、ポリイミドを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記ポリマー層をエッチングして、前記複数のトランスジューサ素子の各々に対して、前記トランスジューサ素子のメンブレーン部分に隣接する各空洞を形成することを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記複数のトランスジューサ素子の各電極から前記ポリマー層を通して各々延びるビアを形成するようにメッキを行うことを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記複数のトランスジューサ素子は、第1の支持構造体を含む第1のトランスジューサ素子を備え、この第1の支持構造体の断面プロフィールは環状である、請求項10に記載の方法。
- 前記複数のトランスジューサ素子から犠牲的ウェハを除去することを更に含む、請求項10に記載の方法。
- 前記複数のトランスジューサ素子に隣接するポリマー層を形成し、及び
前記ポリマー層にハンドリングウェハを接合する、
ことを更に含む、請求項16に記載の方法。 - 前記複数のトランスジューサ素子に基板を接合することを更に含み、その基板は、前記複数のトランスジューサ素子の各メンブレーン部分に各々整列されたくぼみを含む、請求項17に記載の方法。
- 媒体に圧力波を発生しそして感知するシステムにおいて、
請求項1から6のいずれかに記載の装置;
マイクロ加工のトランスジューサアレイに結合され、少なくとも1つのドライブ/センス電極に電気的ドライブ信号を印加する発生手段;
マイクロ加工のトランスジューサアレイに結合され、少なくとも1つのドライブ/センス電極から電気的応答信号を受信する受信手段;及び
前記受信手段に結合され、複数のドライブ/センス電極から受信した電気的応答信号を処理する信号処理手段;
を備えたシステム。 - 前記発生手段は、電気的ドライブ信号を印加して、前記複数のトランスジューサ素子の少なくとも1つの圧電素子が超音波周波数で共振するようにさせる、請求項19に記載のシステム。
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