JP2017223890A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2017223890A5
JP2017223890A5 JP2016120602A JP2016120602A JP2017223890A5 JP 2017223890 A5 JP2017223890 A5 JP 2017223890A5 JP 2016120602 A JP2016120602 A JP 2016120602A JP 2016120602 A JP2016120602 A JP 2016120602A JP 2017223890 A5 JP2017223890 A5 JP 2017223890A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
mask blank
etching stopper
silicon
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016120602A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6698438B2 (ja
JP2017223890A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2016120602A priority Critical patent/JP6698438B2/ja
Priority claimed from JP2016120602A external-priority patent/JP6698438B2/ja
Publication of JP2017223890A publication Critical patent/JP2017223890A/ja
Publication of JP2017223890A5 publication Critical patent/JP2017223890A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6698438B2 publication Critical patent/JP6698438B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2016120602A 2016-06-17 2016-06-17 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 Active JP6698438B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016120602A JP6698438B2 (ja) 2016-06-17 2016-06-17 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016120602A JP6698438B2 (ja) 2016-06-17 2016-06-17 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017223890A JP2017223890A (ja) 2017-12-21
JP2017223890A5 true JP2017223890A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2019-07-18
JP6698438B2 JP6698438B2 (ja) 2020-05-27

Family

ID=60687037

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016120602A Active JP6698438B2 (ja) 2016-06-17 2016-06-17 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6698438B2 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11202007542WA (en) * 2018-02-27 2020-09-29 Hoya Corp Mask blank, phase shift mask, and method of manufacturing semiconductor device
CN111801618B (zh) * 2018-03-14 2023-08-22 Hoya株式会社 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
US20220035235A1 (en) * 2018-09-25 2022-02-03 Hoya Corporation Mask blank, transfer mask, and semiconductor-device manufacturing method
JP6756796B2 (ja) * 2018-10-09 2020-09-16 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス、ハーフトーンマスク、製造方法
JP7491681B2 (ja) * 2019-02-05 2024-05-28 株式会社トッパンフォトマスク クロムブランクス、フォトマスクの製造方法、およびインプリントモールドの製造方法
US20220179300A1 (en) * 2019-03-07 2022-06-09 Hoya Corporation Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP7313166B2 (ja) * 2019-03-18 2023-07-24 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
KR102402742B1 (ko) 2021-04-30 2022-05-26 에스케이씨솔믹스 주식회사 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크
JP7346527B2 (ja) * 2021-11-25 2023-09-19 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び表示装置の製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07134389A (ja) * 1993-06-25 1995-05-23 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法
JPH11184067A (ja) * 1997-12-19 1999-07-09 Hoya Corp 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
JP4340859B2 (ja) * 2003-07-25 2009-10-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク用基板の選定方法
TWI329779B (en) * 2003-07-25 2010-09-01 Shinetsu Chemical Co Photomask blank substrate, photomask blank and photomask
KR20050076827A (ko) * 2004-01-22 2005-07-28 쇼오트 아게 초 고투과율 위상편이 마스크 블랭크
JP2005208660A (ja) * 2004-01-22 2005-08-04 Schott Ag 超高透過率の位相シフト型のマスクブランク
JP4509050B2 (ja) * 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4490980B2 (ja) * 2007-02-16 2010-06-30 クリーンサアフェイス技術株式会社 ハーフトーンブランクス
US8535855B2 (en) * 2010-05-19 2013-09-17 Hoya Corporation Mask blank manufacturing method, transfer mask manufacturing method, mask blank, and transfer mask
JP6005530B2 (ja) * 2013-01-15 2016-10-12 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法
WO2015012151A1 (ja) * 2013-07-22 2015-01-29 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP6573806B2 (ja) * 2015-08-31 2019-09-11 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017223890A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2015200883A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2016164683A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2013257593A5 (ja) 転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2016189002A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2017049312A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2015191218A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2013254206A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2015222448A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2012078441A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2014186333A5 (ja) 透過型マスクブランク、透過型マスク及び半導体装置の製造方法
JP2016122684A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2014194547A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2015133514A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2013153160A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2014145920A5 (ja) マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
JP2009104174A5 (enrdf_load_stackoverflow)
TW201830469A (zh) 半導體裝置的形成方法
JP2019040200A5 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク、及び半導体デバイスの製造方法
US20160315197A1 (en) Thin-film transistor, preparation method thereof, array substrate and display device
EP2863259A3 (en) Method for manufacturing photomask blank
JP2012113297A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2014150124A5 (enrdf_load_stackoverflow)
JP2014007398A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2019207361A5 (enrdf_load_stackoverflow)