JP2017211540A - フレキシブルデバイスおよびその製造方法、ならびに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を向上させることが可能なフレキシブルデバイスおよびその製造方法、ならびに電子機器を提供する。【解決手段】フレキシブルデバイスは、複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板と、この可撓性基板上に設けられた素子層とを備えている。可撓性基板では、空孔が基板面内で部分的に形成されている。フレキシブルデバイスの製造方法は、互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における第１面を、複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板における裏面に貼り合わせ、可撓性基板の表面に素子層を形成し、支持基板の第２面側から支持基板と可撓性基板との界面付近に向けてレーザ光を照射することにより、支持基板を可撓性基板から剥離させる。【選択図】図１

Description

本開示は、可撓性基板を用いたフレキシブルデバイスおよびその製造方法、ならびに、そのようなフレキシブルデバイスを備えた電子機器に関する。

プラスチック基板（樹脂基板）等の可撓性基板上に各種の素子層が形成されたフレキシブルデバイスとして、種々のものが提案されている（例えば、特許文献１，２）。

特開２０１０−９８１３３号公報 特開２０１２−１６７１８１号公報

ところで、このようなフレキシブルデバイスでは一般に、信頼性を向上させることが求められている。信頼性を向上させることが可能なフレキシブルデバイスおよびその製造方法、ならびに電子機器を提供することが望ましい。

本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスは、複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板と、この可撓性基板上に設けられた素子層とを備えたものである。上記可撓性基板では、空孔が基板面内で部分的に形成されている。

本開示の一実施の形態に係る電子機器は、上記本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスを備えたものである。

本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスおよび電子機器では、複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板において、空孔が基板面内で部分的に形成されている。これにより、例えば折り曲げ使用予定領域において、湾曲の際に空孔がつぶれることで、素子層への悪影響が抑えられる。また、支持基板を剥離するためのレーザ光照射の際に、可撓性基板の昇華に起因して発生する衝撃波が、空孔で吸収されて素子層へ伝播しにくくなる。すなわち、フレキシブルデバイスの製造や使用の際の素子層への悪影響が低減する。

本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスの製造方法は、互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における第１面を、複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板における裏面に貼り合わせ、可撓性基板の表面に素子層を形成し、支持基板の第２面側から支持基板と可撓性基板との界面付近に向けてレーザ光を照射することにより、支持基板を可撓性基板から剥離させるようにしたものである。

本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスの製造方法では、支持基板と、複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板との界面付近に向けて、レーザ光が照射されことで、支持基板が可撓性基板から剥離される。これにより、レーザ光照射の際に、可撓性基板の昇華に起因して発生する衝撃波が、空孔で吸収されて素子層へ伝播しにくくなる。すなわち、フレキシブルデバイスの製造の際の素子層への悪影響が低減する。

本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスおよび電子機器によれば、複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板において、空孔が基板面内で部分的に形成されているようにしたので、フレキシブルデバイスの製造や使用の際の素子層への悪影響を低減することができる。よって、信頼性を向上させることが可能となる。

本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスの製造方法によれば、支持基板と複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板との界面付近に向けてレーザ光を照射することによって、支持基板を可撓性基板から剥離させるようにしたので、フレキシブルデバイスの製造の際の素子層への悪影響を低減することができる。よって、信頼性を向上させることが可能となる。

なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。

本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスとしての表示装置の概略構成例を表す模式断面図である。 図１に示した表示装置を製造する際に用いられる支持基板について説明するための模式断面図である。 図１および図２に示した可撓性基板の形成方法の一例を表す模式図である。 比較例に係るフレキシブルデバイスとしての表示装置の概略構成例を表す模式断面図である。 図４に示した比較例における問題点について説明するための模式断面図である。 実施の形態に係る表示装置の作用の一例について説明するための模式断面図である。 実施の形態に係る表示装置の作用の他の例について説明するための模式断面図である。 可撓性基板における空孔の部分形成領域の具体例を表す模式平面図である。 フレキシブルデバイスとしての表示装置の概略構成例を表すブロック図である。 フレキシブルデバイスとしての撮像装置の概略構成例を表すブロック図である。 図９に示した表示装置または図１０に示した撮像装置を備えた電子機器への適用例を表すブロック図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（多孔質性の可撓性基板を用いたフレキシブルデバイスの例）
２．適用例（フレキシブルデバイスの電子機器への適用例）
３．変形例

＜１．実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係るフレキシブルデバイスとしての表示装置（表示装置１）の概略構成例を、模式的に断面図で表したものである。表示装置１は、例えば有機電界発光（ＥＬ：Electro-Luminescence）装置であり、半導体装置１０上に表示素子層１５および保護層１６をこの順に備えたものである。半導体装置１０は、可撓性基板１１の上（表面）に、例えば、平坦化層１２、保護層１３およびＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）層１４を、この順に有している。なお、ＴＦＴ層１４および表示素子層１５はそれぞれ、本開示における「素子層」の一具体例に対応している。

可撓性基板１１は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＩ（ポリイミド），ＰＣ（ポリカーボネート），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ＰＡ（ポリアミド），ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）などの樹脂材料により構成されている。すなわち、この可撓性基板１１は、例えば樹脂基板（プラスチック基板）からなる。ただし、可撓性基板１１の構成材料としては、このような樹脂材料には限られず、他の材料を用いて可撓性基板１１を構成するようにしてもよい。

ここで、この可撓性基板１１には、例えば図１に模式的に示したように、微小な複数の空孔Ｈが形成されている。すなわち、可撓性基板１１は、多孔質性の基板となっている。なお、この空孔Ｈの径は、例えば、０．１μｍ〜５μｍ程度である。

平坦化層１２は、可撓性基板１１と素子層（この例では、ＴＦＴ層１４および表示素子層１５）との間に設けられており、素子形成面を平坦化するための層である。これは、可撓性基板１１が上記したように多孔質性の基板であることから、可撓性基板１１の表面に微小な凹凸が存在する（可撓性基板１１の表面が非平滑面となっている）ためである。なお、このような平坦化層１２は、例えば、ポリイミド，シロキサン等の材料により構成されている。

保護層１３は、平坦化層１２上を覆うように設けられており、例えば、酸化珪素，窒化珪素等の材料により構成されている。

ＴＦＴ層１４は、薄膜トランジスタ等を含む層である。この薄膜トランジスタは、例えば、トップゲート型、ボトムゲート型あるいはデュアルゲート型の薄膜トランジスタであり、保護層１３上の選択的な領域に半導体層を有している。この半導体層は、チャネル領域（活性層）を含んでおり、例えば、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），チタン（Ｔｉ）およびニオブ（Ｎｂ）等のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む、酸化物半導体により構成されている。具体的には、この酸化物半導体としては、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ: ＩｎＧａＺｎＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）および酸化インジウム（ＩｎＯ）等が挙げられる。なお、この半導体層が、低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）または非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）等から構成されていてもよい。

表示素子層１５は、複数の画素を含むと共に、上記した薄膜トランジスタが複数配置されたバックプレーンにより表示駆動される、表示素子（発光素子）を含んでいる。この表示素子としては、例えば有機ＥＬ素子または液晶表示素子などが挙げられる。このうちの有機ＥＬ素子は、ＴＦＴ層１４側から順に、例えば、アノード電極（第１電極）、有機電界発光層（表示機能層）およびカソード電極（第２電極）を有している。アノード電極は、例えば上記した薄膜トランジスタにおけるソース・ドレイン電極に接続されている。カソード電極には、例えば配線などを通じて、各画素に共通のカソード電位が供給されるようになっている。

保護層１６は、表示素子層１５を外部から保護するための層である。この保護層１６は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_x），窒化シリコン（ＳｉＮ_x），酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料により構成されている。ただし、保護層１６が、有機材料により構成されていてもよい。

ここで、例えば図２（Ａ）に示したように、このような表示装置１の製造の際には、詳細は後述するが、可撓性基板１１に対して、ガラス基板等からなる支持基板９が貼り合わされた状態となっている。具体的には、この支持基板９は、互いに対向する表面Ｓ１（第１面）および裏面Ｓ２（第２面）を有しており、支持基板９における表面Ｓ１が、可撓性基板１１の裏面に貼り合わせられるようになっている。

そして、可撓性基板１１上に各層（平坦化層１２、保護層１３、ＴＦＴ層１４、表示素子層１５および保護層１６）が形成された後、例えば図２（Ｂ）に示したように、支持基板９が可撓性基板１１から剥離されるようになっている（図２（Ｂ）中の矢印Ｐ１参照）。具体的には、詳細は後述するが、本実施の形態では、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近に向けてレーザ光が照射されることによって、支持基板９が可撓性基板１１から剥離されるようになっている。

［製造方法］
上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、前述した複数の空孔Ｈを有する、多孔質性の可撓性基板１１を形成する。このような多孔質性の可撓性基板１１の形成方法としては、例えば以下の２つの手法が挙げられる。

最初に、例えば図３（Ａ）に示した形成方法では、以下のような塗工処理および熱処理を行うことにより、多孔質性の可撓性基板１１を形成する。具体的には、まず、塗料の１種であるワニス８１を用意し、このワニス８１をコーター（塗工機）８２を用いて、基材８０上に塗布する（塗工処理）。次いで、基材８０上に塗布されたワニス８１に対して、例えば、３００〜５００℃程度の温度範囲にて、３０分〜２時間程度の熱処理を行う。これにより、前述したような、複数の空孔Ｈを有する多孔質性の可撓性基板１１が形成される。

一方、例えば図３（Ｂ）に示した形成方法では、以下のような塗工処理、熱処理および酸処理を行うことにより、多孔質性の可撓性基板１１を形成する。具体的には、まず、上記したワニス８１に多数のナノ微粒子８３を分散させた液体を用意し、この液体をコーター８２を用いて、基材８０上に塗布する（塗工処理）。次いで、基材８０上に塗布された上記液体に対して、例えば、３００〜５００℃程度の温度範囲にて、３０分〜２時間程度の熱処理を行う。続いて、そのような熱処理後の基材８０とワニス８１およびナノ微粒子８３とに対して、所定の酸処理を行う。この例では、これらの基材８０、ワニス８１およびナノ微粒子８３をそれぞれ、フッ酸溶液８４中に例えば１分〜３０分程度浸けることで、そのような酸処理を行う。これにより、ナノ微粒子８３のみがフッ酸溶液８４によって溶かされる結果、ナノ微粒子８３の配置箇所が空孔Ｈとなり、前述したような、複数の空孔Ｈを有する多孔質性の可撓性基板１１が形成される。

次に、このようにして形成された可撓性基板１１の裏面に、上記した支持基板９の表面Ｓ１を貼り合わせる。この際の貼り合わせの手法としては、例えば、支持基板９上にワニス等を塗布して焼き固める手法（この場合、例えば図３中の基材８０が、そのまま支持基板９となる。）や、接着層等を用いて貼り合わせる手法などが挙げられる。この接着層の構成材料としては、例えば、シロキサン等が挙げられる。

次いで、このような支持基板９が貼り合わされた後、可撓性基板１１の表面に、前述した材料よりなる平坦化層１２を、例えばスリットコーター等を用いて形成する。続いて、この平坦化層１２の表面に、前述した材料よりなる保護層１３を、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法を用いて形成する。

次に、この保護層１３の表面に、素子層（ＴＦＴ層１４および表示素子層１５）を形成する。

具体的には、まず、保護層１３上に、前述した材料（例えば酸化物半導体）よりなる半導体層を、例えばスパッタ法等を用いて成膜した後、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより、この半導体層を所定の形状にパターニングする。そして、各種の絶縁膜や電極を形成することにより、ＴＦＴ層１４が形成される。

続いて、このＴＦＴ層１４上に、表示素子層１５を形成する。例えば表示素子層１５が有機ＥＬ素子を含む場合には、ＴＦＴ層１４上に、例えばアノード電極、有機電界発光層、およびカソード電極を含む表示素子層１５を形成する。

そののち、表示素子層１５上に、前述した材料よりなる保護層１６を、例えばＣＶＤ法を用いて形成する。

そして、例えば図２（Ｂ）中の矢印Ｐ１で示したように、支持基板９を可撓性基板１１から剥離させる。具体的には、詳細は後述するが、支持基板９の裏面Ｓ２側から、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近（例えば前述した接着層）に向けてレーザ光を照射することにより、支持基板９を可撓性基板１１から剥離させる。なお、このようなレーザ光の照射によって、支持基板９が可撓性基板１１から剥離されるのは、例えば以下のメカニズムによる。すなわち、レーザ光が照射されると、例えば、可塑性基板１１を構成する原子間または分子間の結合力が消失もしくは減少すること、または、前述した接着層を構成する物質における原子間または分子間の結合力が消失または減少することによって、層内剥離や界面剥離が生じるようになっている。

以上により、図１に示した表示装置１が完成する。

［作用・効果］
（基本動作）
この表示装置１では、外部から入力される映像信号に基づいて、表示素子層１５における各画素が表示駆動され、映像表示がなされる。このとき、ＴＦＴ層１４では、例えば画素ごとに薄膜トランジスタが電圧駆動される。具体的には、この薄膜トランジスタに対して閾値電圧以上の電圧が供給されると、前述した半導体層が活性化され（チャネルが形成され）、その結果、薄膜トランジスタにおける一対のソース・ドレイン電極間に、電流が流れる。このような薄膜トランジスタに対する電圧駆動を利用して、表示装置１における映像表示が行われる。

（比較例）
ここで、図４は、比較例に係るフレキシブルデバイスとしての表示装置（表示装置１００）の概略構成例を、模式的に断面図で表したものである。この比較例の表示装置１００は、本実施の形態の表示装置１において、可撓性基板１１の可撓性基板１１の代わりに、多孔質性を有しない（空孔Ｈが形成されていない）可撓性基板１０１を設けると共に、平坦化層１２を設けないようにしたものに対応しており、他の構成は基本的に同様となっている。

このような比較例の表示装置１００では、まず、例えば図５（Ａ）に示したように、フレキシブルデバイスとしての使用の際に、以下の問題が生じ得る。すなわち、この表示装置１００を例えば湾曲させて使用する際に（図５（Ａ）中の矢印参照）、素子層（ＴＦＴ層１４および表示素子層１５）への悪影響が大きくなるおそれがある。具体的には、表示装置１００を湾曲させたときに、応力に起因して各素子が破壊されてしまうリスクが増加する。その結果、この表示装置１００では、そのような素子破壊を回避するために限界曲率を小さく設定せざるを得なくなったり、製造の際の歩留りが低下してしまうおそれが生じる。

また、例えば図５（Ｂ）に示したように、この表示装置１００では、製造の際にも、前述したようなレーザ光を利用した支持基板９の剥離の際に、以下の問題が生じ得る。すなわち、支持基板９と可撓性基板１０１との界面付近にレーザ光Ｌを照射して可撓性基板１０１から支持基板９を剥離する際に、レーザ光Ｌの照射による可撓性基板１０１の昇華に起因して、表示装置１００内で衝撃波Ｗが発生し、上記した素子層への悪影響が大きくなるおそれがある。具体的には、このような衝撃波Ｗが素子層へ伝播することで、各素子が破壊されてしまうリスクが増加する。その結果、表示装置１００では、このような観点からも、製造の際の歩留りが低下してしまうおそれが生じる。

このようにして、比較例に係る表示装置１００では、製造や使用の際に素子層への悪影響が大きくなり、その結果、フレキシブルデバイスとしての信頼性が低下してしまうおそれが生じる。

（実施の形態）
これに対して本実施の形態に係る表示装置１では、複数の空孔Ｈを有する多孔質性の可撓性基板１１が設けられている。これにより、この表示装置１では上記比較例の表示装置１００とは異なり、以下のようになる。

すなわち、まず、例えば図６に示したように、表示装置１を例えば湾曲させて使用する際に（図６中の矢印参照）、上記した表示装置１００の場合と比べ、素子層（ＴＦＴ層１４および表示素子層１５）への悪影響が抑えられる。具体的には、表示装置１００を湾曲させたときに、例えば図６に模式的に示したように、可撓性基板１１における空孔Ｈがつぶれることで、湾曲による応力が吸収される（可撓性基板１１が応力吸収層として機能する）。その結果、このような応力に起因して各素子が破壊されてしまうリスクが低減することから、表示装置１では表示装置１００と比べ、限界曲率を大きく設定することが可能となったり、製造の際の歩留りが向上することになる。

また、例えば図７に示したように、この表示装置１では、製造の際にも、レーザ光Ｌを利用した支持基板９の剥離の際に、以下のようになる。すなわち、支持基板９と可撓性基板１１との界面付近にレーザ光Ｌを照射して可撓性基板１１から支持基板９を剥離する際に、レーザ光Ｌの照射による可撓性基板１０１の昇華に起因して発生する衝撃波Ｗが、上記した表示装置１００の場合と比べ、上記素子層に伝播しにくくなる。具体的には、そのような衝撃波Ｗが可撓性基板１１内の空孔Ｈに吸収されることから、衝撃波Ｗが素子層へ伝播しにくくなり、素子層への悪影響が低減する。つまり、衝撃波Ｗが素子層へ伝播することによって各素子が破壊されてしまうリスクが低減し、その結果、表示装置１では表示装置１００と比べ、この点でも製造の際の歩留りが向上することになる。

以上のように本実施の形態では、複数の空孔Ｈを有する多孔質性の可撓性基板１１を用いて、フレキシブルデバイスとしての表示装置１を構成するようにしたので、この表示装置１を製造する際や使用する際の、素子層（ＴＦＴ層１４および表示素子層１５）への悪影響を低減することができる。よって、表示装置１における信頼性を向上させることが可能となる。

また、可撓性基板１１と上記素子層との間に、平坦化層１２を設けるようにしたので、素子形成面を平坦化（平滑化）することができる。ここで、可撓性基板１１が上記したように多孔質性の基板であることから、可撓性基板１１の表面には、微小な凹凸が存在している（可撓性基板１１の表面が非平滑面となっている）ことになる。そのため、このような平坦化層１２を設けることで、ＴＦＴ層１４および表示素子層１５における各素子への悪影響（微小な凹凸に起因した悪影響）を低減もしくは回避することができ、表示装置１における信頼性を更に向上させることが可能となる。

更に、本実施の形態の表示装置１では、例えば以下詳述するように、多孔質性の可撓性基板１１において、空孔Ｈが基板面内で部分的に形成されているのが望ましい。すなわち、可撓性基板１１における基板面内に、空孔Ｈの部分的形成領域が設けられているのが望ましい。また、このような空孔Ｈの部分的形成領域としては、例えば、表示装置１等のフレキシブルデバイスにおける折り曲げ使用予定領域（湾曲使用予定領域）が挙げられる。

このようにして、多孔質性の可撓性基板１１において、空孔Ｈが基板面内で部分的に形成されているようにした場合、例えば上記した折り曲げ使用予定領域において、湾曲の際に空孔Ｈがつぶれることで、表示装置１等の製造や使用の際の素子層（ＴＦＴ層１４および表示素子層１５）への悪影響が抑えられる。したがって、例えばそのような悪影響が特に生じ易いと想定される領域において、空孔Ｈを選択的に形成する（空孔Ｈの部分形成領域を選択的に設ける）ようにすれば、表示装置１等における信頼性を更に向上させることが可能となる。

ここで、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に、このような可撓性基板１１における空孔Ｈの部分的形成領域の具体例を、模式的に平面図にて示す。

まず、図８（Ａ）に示した例では、表示装置１において、可撓性基板１１の基板面における端部領域（周辺領域，額縁領域）の１辺（この例では一対の短辺のうちの一方）に沿って、折り曲げ使用予定領域が設けられている（図８（Ａ）中の破線の矢印参照）。そして、この端部領域の１辺に沿った折り曲げ使用予定領域が、空孔形成領域Ａ１となっている。すなわち、この折り曲げ使用予定領域が、空孔Ｈの部分形成領域となっている。そして、可撓性基板１１の基板面における空孔形成領域Ａ１以外の領域は、空孔Ｈが形成されていない領域である、空孔非形成領域Ａ０となっている。なお、この例における折り曲げ使用予定領域は、例えば、駆動回路等を含む周辺回路（半導体などの電子部品）が配置される領域に対応しており、表示装置１において額縁領域を可能な限り無くす（額縁レスを実現する）ことを目的として、折り曲げ使用予定領域となっている。

また、図８（Ｂ）に示した例では、表示装置１において、可撓性基板１１の基板面における端部領域の２辺（この例では、一対の長辺および短辺のうちの各一方）に沿って、折り曲げ使用予定領域が設けられている（図８（Ｂ）中の破線の矢印参照）。そして、この端部領域の２辺に沿った折り曲げ使用予定領域が、空孔形成領域Ａ１となっている。すなわち、この折り曲げ使用予定領域が、空孔Ｈの部分形成領域となっている。そして、可撓性基板１１の基板面における空孔形成領域Ａ１以外の領域は、空孔非形成領域Ａ０となっている。なお、この例における折り曲げ使用予定領域もまた、例えば、駆動回路等を含む周辺回路が配置される領域に対応している。また、例えば、可撓性基板１１の基板面における端部領域の、３辺または４辺に沿って、折り曲げ使用予定領域が設けられているようにしてもよい。

更に、図８（Ｃ）に示した例では、折り曲げ使用予定領域として、表示装置１におけるヒンジ部に対応する領域が設けられている（図８（Ｃ）中の破線の矢印参照）。そして、このヒンジ部に対応する折り曲げ使用予定領域が、空孔形成領域Ａ１となっている。すなわち、この折り曲げ使用予定領域が、空孔Ｈの部分形成領域となっている。そして、可撓性基板１１の基板面における空孔形成領域Ａ１以外の領域は、空孔非形成領域Ａ０となっている。なお、この例では、フレキシブルデバイスとしての表示装置１が、上記ヒンジ部において折り畳み可能な電子ブックなどとして機能する場合に相当する。

なお、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示した例ではそれぞれ、折り曲げ使用予定領域に選択的に空孔Ｈを形成する（空孔形成領域Ａ１を設ける）と共に、それ以外の領域には空孔Ｈを形成しない（空孔非形成領域Ａ０とする）場合について説明したが、例えば以下のようにしてもよい。すなわち、フレキシブルデバイスにおける折り曲げ使用予定領域およびそれ以外の領域の双方において、空孔Ｈを形成すると共に、折り曲げ使用予定領域においてはそれ以外の領域と比べ、空孔Ｈの大きさが大きかったり、あるいは、空孔Ｈの形成密度（空隙率）が大きかったりするようにしてもよい。このようにした場合も、例えば図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示した例の場合と同様の効果を得ることが可能となる。すなわち、素子層（ＴＦＴ層１４および表示素子層１５）への悪影響が特に生じ易いと想定される領域において、空孔Ｈの形成度合い（大きさや空隙率）を高くするようにすれば、表示装置１等のフレキシブルデバイスにおける信頼性を更に向上させることが可能となる。

＜２．適用例＞
続いて、上記実施の形態に係るフレキシブルデバイス（表示装置１等）の、電子機器への適用例について説明する。

まず、本開示におけるフレキシブルデバイスの一具体例としての、表示装置および撮像装置のブロック構成例について、それぞれ説明する。

［表示装置１のブロック構成例］
図９は、フレキシブルデバイスとしての表示装置１の概略構成例を、ブロック図で模式的に表したものである。この表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するものであり、前述した有機ＥＬディスプレイの他にも、例えば液晶ディスプレイなどにも適用される。表示装置１は、例えばタイミング制御部２１と、信号処理部２２と、駆動部２３と、表示画素部２４とを備えている。

タイミング制御部２１は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、信号処理部２２等の駆動制御を行うものである。

信号処理部２２は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号に対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号を駆動部２３に出力するものである。

駆動部２３は、例えば走査線駆動回路および信号線駆動回路などを含んで構成され、各種制御線を介して表示画素部２４の各画素を駆動するものである。

表示画素部２４は、例えば有機ＥＬ素子または液晶表示素子等の表示素子（前述した表示素子層１５）と、表示素子を画素ごとに駆動するための画素回路とを含んで構成されている。これらのうち、例えば、駆動部２３または表示画素部２４の一部を構成する各種回路に、前述したＴＦＴ層１４を含む半導体装置１０が用いられている。

［撮像装置２のブロック構成例］
上記実施の形態では、本開示におけるフレキシブルデバイスの具体例（半導体装置１０の適用例）として表示装置１を例に挙げて説明したが、本開示におけるフレキシブルデバイスが、表示装置１以外の他の装置（例えば撮像装置など）により構成されていてもよい。すなわち、半導体装置１０が、表示装置１の他にも、例えば撮像装置などに用いられてもよい。

図１０は、フレキシブルデバイスとしての撮像装置２の概略構成例を、ブロック図で模式的に表したものである。この撮像装置２は、例えば画像を電気信号として取得する固体撮像装置であり、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）またはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサなどから構成されている。撮像装置２は、例えばタイミング制御部２５と、駆動部２６と、撮像画素部２７と、信号処理部２８とを備えている。

タイミング制御部２５は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、駆動部２６の駆動制御を行うものである。

駆動部２６は、例えば行選択回路、ＡＤ（Analog-to-Digital）変換回路および水平転送走査回路などを含んで構成され、各種制御線を介して撮像画素部２７の各画素から信号を読み出す駆動を行うものである。

撮像画素部２７は、例えばフォトダイオードなどの撮像素子（光電変換素子）と、信号読み出しのための画素回路とを含んで構成されている。なお、このような撮像素子としては、可視光を検出する素子の他、例えば、赤外光や紫外光、放射線（Ｘ線など）等を、直接もしくは間接的に検出する素子であってもよい。

信号処理部２８は、撮像画素部２７から得られた信号に対して様々な信号処理を施すものである。これらのうち、例えば、駆動部２６または撮像画素部２７の一部を構成する各種回路に、前述したＴＦＴ層１４を含む半導体装置１０が用いられている。

［電子機器の構成例］
上記実施の形態において説明したフレキシブルデバイス（半導体装置１０を含む表示装置１または撮像装置２など）は、様々なタイプの電子機器に適用することが可能である。

図１１は、図９に示した表示装置１または図１０に示した撮像装置２を備えた電子機器（電子機器３）への適用例を、ブロック図で表したものである。このような電子機器３としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。

電子機器３は、例えば上記した表示装置１または撮像装置２と、インターフェース部３０とを備えている。インターフェース部３０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部３０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。

＜３．変形例＞
以上、実施の形態および適用例を挙げて本開示の技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。

例えば、上記実施の形態等に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。更に、半導体装置では、上記した全ての層を備えている必要はなく、あるいは上記した各層に加えて更に他の層を備えていてもよい。

また、上記実施の形態等では、可撓性基板１１における空孔Ｈの形成態様について具体的に説明したが、可撓性基板１１における空孔Ｈの形成態様（大きさや空隙率、形成領域など）は、上記実施の形態等で説明したものには限られず、他の形成態様であってもよい。

更に、これまでに説明した各種の例を、任意の組み合わせで適用させるようにしてもよい。

なお、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。

また、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板と、
前記可撓性基板上に設けられた素子層と
を備え、
前記可撓性基板では、前記空孔が基板面内で部分的に形成されている
フレキシブルデバイス。
（２）
前記空孔の部分的形成領域が、前記フレキシブルデバイスの折り曲げ使用予定領域である
上記（１）に記載のフレキシブルデバイス。
（３）
前記折り曲げ使用予定領域が、前記基板面における端部領域の１辺または２辺に沿って設けられている
上記（２）に記載のフレキシブルデバイス。
（４）
前記折り曲げ使用予定領域が、前記フレキシブルデバイスにおけるヒンジ部に対応する領域である
上記（２）に記載のフレキシブルデバイス。
（５）
前記可撓性基板と前記素子層との間に、平坦化層を更に備えた
上記（１）ないし（４）のいずれかに記載のフレキシブルデバイス。
（６）
表示装置または撮像装置として構成されている
上記（１）ないし（５）のいずれかに記載のフレキシブルデバイス。
（７）
前記表示装置が、有機ＥＬ表示装置である
上記（６）に記載のフレキシブルデバイス。
（８）
フレキシブルデバイスを備え、
前記フレキシブルデバイスは、
複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板と、
前記可撓性基板上に設けられた素子層と
を備え、
前記可撓性基板では、前記空孔が基板面内で部分的に形成されている
電子機器。
（９）
互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における前記第１面を、複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板における裏面に貼り合わせ、
前記可撓性基板の表面に素子層を形成し、
前記支持基板の前記第２面側から、前記支持基板と前記可撓性基板との界面付近に向けてレーザ光を照射することにより、前記支持基板を前記可撓性基板から剥離させる
フレキシブルデバイスの製造方法。
（１０）
前記可撓性基板では、前記空孔が基板面内で部分的に形成されている
上記（９）に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。

１…表示装置（フレキシブルデバイス）、１０…半導体装置、１１…可撓性基板、１２…平坦化層、１３，１６…保護層、１４…ＴＦＴ層、１５…表示素子層、２…撮像装置（フレキシブルデバイス）、２１，２５…タイミング制御部、２２，２８…信号処理部、２３，２６…駆動部、２４…表示画素部、２７…撮像画素部、３…電子機器、３０…インターフェース部、８０…基材、８１…ワニス、８２…コーター、８３…ナノ微粒子、８４…フッ酸溶液、９…支持基板、Ｓ１…表面、Ｓ２…裏面、Ｈ…空孔、Ｌ…レーザ光、Ｗ…衝撃波、Ａ０…空孔非形成領域、Ａ１…空孔形成領域（折り曲げ使用予定領域）。

Claims (10)

1. 複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板と、
   前記可撓性基板上に設けられた素子層と
   を備え、
   前記可撓性基板では、前記空孔が基板面内で部分的に形成されている
   フレキシブルデバイス。
2. 前記空孔の部分的形成領域が、前記フレキシブルデバイスの折り曲げ使用予定領域である
   請求項１に記載のフレキシブルデバイス。
3. 前記折り曲げ使用予定領域が、前記基板面における端部領域の１辺または２辺に沿って設けられている
   請求項２に記載のフレキシブルデバイス。
4. 前記折り曲げ使用予定領域が、前記フレキシブルデバイスにおけるヒンジ部に対応する領域である
   請求項２に記載のフレキシブルデバイス。
5. 前記可撓性基板と前記素子層との間に、平坦化層を更に備えた
   請求項１に記載のフレキシブルデバイス。
6. 表示装置または撮像装置として構成されている
   請求項１に記載のフレキシブルデバイス。
7. 前記表示装置が、有機ＥＬ表示装置である
   請求項６に記載のフレキシブルデバイス。
8. フレキシブルデバイスを備え、
   前記フレキシブルデバイスは、
   複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板と、
   前記可撓性基板上に設けられた素子層と
   を備え、
   前記可撓性基板では、前記空孔が基板面内で部分的に形成されている
   電子機器。
9. 互いに対向する第１面および第２面を有する支持基板における前記第１面を、複数の空孔を有する多孔質性の可撓性基板における裏面に貼り合わせ、
   前記可撓性基板の表面に素子層を形成し、
   前記支持基板の前記第２面側から、前記支持基板と前記可撓性基板との界面付近に向けてレーザ光を照射することにより、前記支持基板を前記可撓性基板から剥離させる
   フレキシブルデバイスの製造方法。
10. 前記可撓性基板では、前記空孔が基板面内で部分的に形成されている
    請求項９に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。

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