JP2017204384A - 電極組立体の製造方法及び電極組立体の製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】タブ積層体の溶接部近傍の空間において異物の滞留を抑制できる電極組立体の製造方法及び電極組立体の製造装置を提供する。【解決手段】実施形態の電極組立体３の製造方法は、積層されたタブ１４ｂを有するタブ積層体２１を準備する工程と、タブ積層体２１に溶接部Ｗを形成する工程とを含む。溶接部Ｗを形成する工程は、タブ積層体２１のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって、第１噴射口３１ａから第１ガスＧ１を噴射しながら溶接を行う工程と、タブ積層体２１のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって、第１噴射口３１ａとは異なる場所に位置する第２噴射口３３ａから、第１ガスＧ１を噴射する時刻とは異なる時刻に第２ガスＧ２を噴射しながら溶接を行う工程とを含む。【選択図】図６

Description

本発明は、電極組立体の製造方法及び電極組立体の製造装置に関する。

レーザービームにより鋼板を溶接する際に、溶接により生じるスパッタ粒子に向かってノズルからガスを噴射する方法が知られている（特許文献１参照）。

特開２００９−１６６０５０号公報

ところで、例えばリチウムイオン二次電池等の蓄電装置は、積層されたタブを有するタブ積層体を有する電極組立体を備える。タブ積層体には溶接部が形成される。タブ積層体に溶接部を形成する際に、上記方法を用いて、溶接により生じる異物を吹き飛ばすことが考えられる。

しかし、タブ積層体の溶接部近傍の空間において異物を十分に吹き飛ばすことができない場合がある。例えば、異物を吹き飛ばすガスの速度は比較的大きいので、通常レイノルズ数が大きくなり、乱流が生じる。ここで、タブ積層体の溶接部近傍の空間において、異物を吹き飛ばすガスの流路上に、溶接装置の一部（例えば抵抗溶接の電極）が位置していると、乱流により溶接装置の一部の背後に渦が生じる可能性がある。その結果、溶接装置の一部の背後に異物が滞留するおそれがある。

本発明の一側面は、タブ積層体の溶接部近傍の空間において異物の滞留を抑制できる電極組立体の製造方法及び電極組立体の製造装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る電極組立体の製造方法は、タブを含む電極を有する電極組立体の製造方法であって、積層された前記タブを有するタブ積層体を準備する工程と、前記タブ積層体に溶接部を形成する工程と、含み、前記溶接部を形成する工程が、前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される部分に向かって、第１噴射口から第１ガスを噴射しながら溶接を行う工程と、前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される前記部分に向かって、前記第１噴射口とは異なる場所に位置する第２噴射口から、前記第１ガスを噴射する時刻とは異なる時刻に第２ガスを噴射しながら溶接を行う工程と、を含む。

この電極組立体の製造方法では、第１ガス及び第２ガスが、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分に向かって、異なる場所に位置する噴射口から異なる時刻に噴射される。そのため、タブ積層体の溶接部近傍の空間において、溶接により生じる異物が第１ガスにより吹き飛ばされずに滞留しても、当該異物は第２ガスによって吹き飛ばされる。したがって、タブ積層体の溶接部近傍の空間において異物の滞留を抑制できる。

前記第１ガスを第１方向に噴射し、前記第２ガスを前記第１方向とは異なる第２方向に噴射してもよい。

この場合、第２方向が第１方向と同じ方向の場合に比べて、タブ積層体の溶接部近傍の空間において、ガスの流れる方向を経時的に大きく変化させることができる。

前記タブ積層体の積層方向において、前記第１噴射口及び前記第２噴射口が同じ高さに位置してもよい。

この場合、第１噴射口及び第２噴射口と同じ高さにおける異物の滞留を抑制できる。

前記第１ガスの噴射が終了した時刻以降に前記第２ガスの噴射が開始してもよい。

この場合、第１ガスの噴射が終了する前に第２ガスの噴射を開始する場合に比べて、タブ積層体の溶接部近傍の空間において、第１ガスと第２ガスとが互いに干渉し難くなる。

本発明の一側面に係る電極組立体の製造装置は、タブを含む電極を有する電極組立体の製造装置であって、積層された前記タブを有するタブ積層体に溶接部を形成するための溶接装置と、前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される部分に向かって第１ガスを噴射するための第１噴射口が設けられた第１噴射部と、前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される部分に向かって第２ガスを噴射するための第２噴射口が設けられた第２噴射部と、前記第１ガスを噴射する時刻とは異なる時刻に前記第２ガスを噴射するように前記第１ガス及び前記第２ガスの噴射時刻を制御するための制御装置と、を備え、前記第２噴射口は、前記第１噴射口とは異なる場所に位置している。

この電極組立体の製造装置では、第１ガス及び第２ガスが、タブ積層体のうちの溶接部が形成される部分に向かって、異なる場所に位置する噴射口から異なる時刻に噴射される。そのため、タブ積層体の溶接部近傍の空間において、溶接により生じる異物が第１ガスにより吹き飛ばされずに滞留しても、当該異物は第２ガスによって吹き飛ばされる。したがって、タブ積層体の溶接部近傍の空間において異物の滞留を抑制できる。

本発明の一側面によれば、タブ積層体の溶接部近傍の空間において異物の滞留を抑制できる電極組立体の製造方法及び電極組立体の製造装置が提供され得る。

第１実施形態に係る電極組立体を備える蓄電装置の分解斜視図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。 第１実施形態に係る電極組立体の斜視図である。 第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。 第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。 第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。 第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。 第１ガス及び第２ガスの噴射タイミングの例を示す図である。 第２実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態が詳細に説明される。図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号が用いられ、重複する説明は省略される。図面には、必要に応じてＸＹＺ直交座標系が示されている。Ｚ軸方向は例えば鉛直方向、Ｘ軸方向及びＹ方向は例えば水平方向である。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る電極組立体を備える蓄電装置の分解斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った蓄電装置の断面図である。図１及び図２に示される蓄電装置１は、例えばリチウムイオン二次電池といった非水電解質二次電池又は電気二重層キャパシタである。

図１及び図２に示されるように、蓄電装置１は、例えば略直方体形状をなす中空のケース２と、ケース２内に収容された電極組立体３とを備えている。ケース２は、例えばアルミニウム等の金属によって形成されている。ケース２は、一方側において開口した本体部２ａと、本体部２ａの開口を塞ぐ蓋部２ｂとを有している。ケース２の内壁面上には、絶縁フィルム（図示せず）が設けられる。ケース２の内部には、例えば非水系（有機溶媒系）の電解液が注液されている。電極組立体３では、後述する正極１１の正極活物質層１５、負極１２の負極活物質層１８、及びセパレータ１３が多孔質をなしており、その空孔内に、電解液が含浸されている。ケース２の蓋部２ｂには、正極端子５と負極端子６とが互いに離間して配置されている。正極端子５は、絶縁リング７を介してケース２に固定され、負極端子６は、絶縁リング８を介してケース２に固定されている。

電極組立体３は、積層型の電極組立体である。電極組立体３は、複数の正極１１（電極）と、複数の負極１２（電極）と、正極１１と負極１２との間に配置された袋状のセパレータ１３とによって構成されている。セパレータ１３内には、例えば正極１１が収容されている。セパレータ１３内に正極１１が収容された状態で、複数の正極１１と複数の負極１２とがセパレータ１３を介して交互に積層されている。

正極１１は、例えばアルミニウム箔からなる金属箔１４と、金属箔１４の両面に形成された正極活物質層１５と、を有している。正極１１の金属箔１４は、矩形状の本体１４ａと、本体１４ａの一端から突出する矩形状のタブ１４ｂと、を含む。正極活物質層１５は、正極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。正極活物質層１５は、本体１４ａの両面において、少なくとも本体１４ａの中央部分に正極活物質が担持されて形成されている。

正極活物質としては、例えば複合酸化物、金属リチウム、硫黄等が挙げられる。複合酸化物には、例えばマンガン、ニッケル、コバルト及びアルミニウムの少なくとも１つと、リチウムとが含まれる。ここでは、一例として、タブ１４ｂには、正極活物質が担持されていない。ただし、タブ１４ｂにおける本体１４ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。

タブ１４ｂは、本体１４ａの上縁部から上方に延び、集電板１６を介して正極端子５に接続されている。集電板１６はタブ１４ｂと正極端子５との間に配置されている。集電板１６は、例えば、正極１１の金属箔１４と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１４ｂは、集電板１６と、集電板１６よりも薄い保護板２３との間に配置される（図３参照）。保護板２３は、例えば、正極１１の金属箔１４と同一の材料から矩形平板状に構成される。

負極１２は、例えば銅箔からなる金属箔１７と、金属箔１７の両面に形成された負極活物質層１８と、を有している。負極１２の金属箔１７は、正極１１の金属箔１４と同様に、矩形状の本体１７ａと、本体１７ａの一端部から突出する矩形状のタブ１７ｂと、を含む。負極活物質層１８は、本体１７ａの両面において、少なくとも本体１７ａの中央部分に負極活物質が担持されて形成されている。負極活物質層１８は、負極活物質とバインダとを含んで形成されている多孔質の層である。

負極活物質としては、例えば黒鉛、高配向性グラファイト、メソカーボンマイクロビーズ、ハードカーボン、ソフトカーボン等のカーボン、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、金属化合物、ＳｉＯｘ（０．５≦ｘ≦１．５）等の金属酸化物、ホウ素添加炭素等が挙げられる。ここでは、一例として、タブ１７ｂには、負極活物質が担持されていない。ただし、タブ１７ｂにおける本体１７ａ側の基端部分には、活物質が担持されている場合もある。

タブ１７ｂは、本体１７ａの上縁部から上方に延び、集電板１９を介して負極端子６に接続されている。集電板１９はタブ１７ｂと負極端子６との間に配置されている。集電板１９は、例えば、負極１２の金属箔１７と同一の材料から矩形平板状に構成される。積層された複数のタブ１７ｂは、集電板１９と、集電板１９よりも薄い保護板２７との間に配置される（図３参照）。保護板２７は、例えば、負極１２の金属箔１７と同一の材料から矩形平板状に構成される。

セパレータ１３は、正極１１を収容している。セパレータ１３は、正極１１及び負極１２の積層方向からみて矩形状である。セパレータ１３は、例えば、一対の長尺シート状のセパレータ部材を互いに溶着して袋状に形成される。セパレータ１３の材料としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂からなる多孔質フィルム、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、メチルセルロース等からなる織布又は不織布等が例示される。

図３は、第１実施形態に係る電極組立体の斜視図である。図３に示される電極組立体３は、セパレータ１３を介して互いに積層された複数の正極１１及び複数の負極１２を含む。複数の正極１１のそれぞれは、ＸＹ平面に延在する本体１４ａと、本体１４ａの一端からＸ軸方向に突出するタブ１４ｂとを含む。複数の負極１２のそれぞれは、ＸＹ平面に延在する本体１７ａと、本体１７ａの一端からＸ軸方向に突出するタブ１７ｂとを含む。タブ１４ｂ，１７ｂは、互いに積層されてタブ積層体２１，２５をそれぞれ構成する。すなわち、電極組立体３は、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１４ｂを有するタブ積層体２１と、Ｚ軸方向に積層された複数のタブ１７ｂを有するタブ積層体２５とを備える。タブ積層体２１，２５は、Ｙ軸方向において、互いに離間して配列される。

タブ積層体２１は、タブ積層体２１の積層方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するタブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂ，２１ｃを備える。端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟む面であり、端面２１ｃは端面２１ａ，２１ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２１ａ，２１ｂは、タブ積層体２１を挟んで互いに反対側に配置されている。また、端面２１ａ，２１ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２１ｃは、タブ積層体２１の先端に向かうに連れてタブ積層体２１の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。

タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において、集電板１６と保護板２３との間に配置される。すなわち、タブ積層体２１は、Ｚ軸方向において集電板１６上に配置される。保護板２３は、Ｚ軸方向においてタブ積層体２１上に配置される。保護板２３は、集電板１６と接触しておらず、保護板２３と集電板１６とは、タブ積層体２１を積層方向に挟んで離間している。タブ積層体２１は保護板２３よりも厚く、集電板１６はタブ積層体２１よりも厚い。電極組立体３は、保護板２３及び集電板１６を備えなくてもよい。

集電板１６のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２１のＹ軸方向における長さ（端面２１ａ，２１ｂ間の距離）よりも大きくなっている。Ｙ軸方向において、集電板１６のＹ軸方向における外側端部の位置は、本体１４ａのＹ軸方向における端部の位置と一致している。保護板２３のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２１のＹ軸方向における長さと略同じである。

タブ積層体２１は、溶接部Ｗを有する。溶接部Ｗは、複数のタブ１４ｂ同士を接続する。溶接部Ｗは、Ｚ軸方向に延びており、集電板１６、タブ積層体２１及び保護板２３を貫通する。溶接部Ｗの形状は、例えばＺ軸方向に延びる中心軸を有する円柱である。

同様に、タブ積層体２５は、タブ積層体２５の積層方向（Ｚ軸方向）に沿って延在するタブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂ，２５ｃを備える。端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟む面であり、端面２５ｃは端面２５ａ，２５ｂを繋ぐ面である。すなわち、端面２５ａ，２５ｂは、タブ積層体２５を挟んで互いに反対側に配置されている。また、端面２５ａ，２５ｂは、ＸＺ平面に沿う面である。また、端面２５ｃは、タブ積層体２５の先端に向かうに連れてタブ積層体２５の厚みが小さくなるようにＸＹ平面に対して傾斜した面である。

タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において、集電板１９と保護板２７との間に配置される。すなわち、タブ積層体２５は、Ｚ軸方向において集電板１９上に配置される。保護板２７は、Ｚ軸方向においてタブ積層体２５上に配置される。保護板２７は、集電板１９と接触しておらず、保護板２７と集電板１９とは、タブ積層体２５を積層方向に挟んで離間している。タブ積層体２５は保護板２７よりも厚く、集電板１９はタブ積層体２５よりも厚い。電極組立体３は、保護板２７及び集電板１９を備えなくてもよい。

集電板１９のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２５のＹ軸方向における長さ（端面２５ａ，２５ｂ間の距離）よりも大きくなっている。Ｙ軸方向において、集電板１９のＹ軸方向における外側端部の位置は、本体１７ａのＹ軸方向における端部の位置と一致している。保護板２７のＹ軸方向における長さは、タブ積層体２５のＹ軸方向における長さと略同じである。

タブ積層体２５は、溶接部Ｗを有する。溶接部Ｗは、複数のタブ１７ｂ同士を接続する。溶接部Ｗは、Ｚ軸方向に延びており、集電板１９、タブ積層体２５及び保護板２７を貫通する。溶接部Ｗの形状は、例えばＺ軸方向に延びる中心軸を有する円柱である。

図４〜図７は、第１実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。図３に示される電極組立体３は、例えば図５〜図７に示される電極組立体の製造装置１００を用いて以下の方法により製造される。

（タブ積層体の準備工程）
まず、図４に示されるように、複数のタブ積層体２１，２５を準備する。図４（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図であり、図４（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。例えば、まず、集電板１６，１９上にそれぞれタブ１４ｂ，１７ｂを積層することによりタブ積層体２１，２５を形成する。その後、タブ積層体２１，２５上にそれぞれ保護板２３，２７を載置する。タブ積層体２１，２５は、例えば治具により保護板２３，２７を介して押圧されるが、押圧されなくてもよい。

（溶接部の形成工程）
次に、図５〜図７に示されるように、タブ積層体２１，２５に溶接部Ｗを形成する。図５（Ａ）はＸ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図であり、図５（Ｂ）はＹ軸方向から見たタブ積層体２５を示す図である。図６及び図７はＺ軸方向から見たタブ積層体２１，２５を示す図である。

溶接部Ｗは、図５〜図７に示される製造装置１００の溶接装置４０を用いて形成されてもよい。タブ積層体２１，２５の溶接部Ｗのうち少なくとも１つを溶接装置４０により形成してもよい。溶接装置４０は例えば抵抗溶接装置である。

製造装置１００は、積層された本体１４ａ及び本体１７ａを有する電極本体を覆うカバー３０を備えてもよい。カバー３０により、カバー３０外の異物がカバー３０内に侵入することが抑制される。カバー３０の構成材料は例えば樹脂である。タブ積層体２１，２５はカバー３０外に配置される。各タブ積層体２１，２５は、カバー３０に設けられた開口から外側に突出している。

製造装置１００はノズル３１，３３，３５，３７を備える。ノズル３１，３３，３５，３７はカバー３０に取り付けられてもよい。ノズル３１，３３，３５，３７は、この順にＹ軸方向に沿って配列されている。ノズル３１，３３，３５，３７は、例えば管形状を有する。製造装置１００がカバー３０を備えない場合、ノズル３１，３３，３５，３７は、カバー３０とは別の部材に取り付けられてもよい。

ノズル３１（第１噴射部）の先端には、第１ガスＧ１を噴射するための第１噴射口３１ａが設けられている。第１ガスＧ１は、第１噴射口３１ａから第１方向Ａ３１（ノズル３１の軸線方向）に噴射される。第１ガスＧ１は、第１噴射口３１ａから遠ざかるに連れて第１方向Ａ３１から離れるように拡散する。ノズル３３（第２噴射部）の先端には、第２ガスＧ２を噴射するための第２噴射口３３ａが設けられている。第２ガスＧ２は、第２噴射口３３ａから第２方向Ａ３３（ノズル３３の軸線方向）に噴射される。第２ガスＧ２は、第２噴射口３３ａから遠ざかるに連れて第２方向Ａ３３から離れるように拡散する。ノズル３５（第１噴射部）の先端には、第１ガスＧ１を噴射するための第１噴射口３５ａが設けられている。第１ガスＧ１は、第１噴射口３５ａから第１方向Ａ３５（ノズル３５の軸線方向）に噴射される。第１ガスＧ１は、第１噴射口３５ａから遠ざかるに連れて第１方向Ａ３５から離れるように拡散する。ノズル３７（第２噴射部）の先端には、第２ガスＧ２を噴射するための第２噴射口３７ａが設けられている。第２ガスＧ２は、第２噴射口３７ａから第２方向Ａ３７（ノズル３７の軸線方向）に噴射される。第２ガスＧ２は、第２噴射口３７ａから遠ざかるに連れて第２方向Ａ３７から離れるように拡散する。

噴射口３１ａ，３３ａ，３５ａ，３７ａの形状は、例えば円形であるが、矩形であってもよい。噴射口３１ａ，３３ａ，３５ａ，３７ａのそれぞれは、ノズルではない噴射部に設けられてもよい。

噴射口３１ａ，３３ａは、タブ積層体２１の積層方向において、基準面Ｒから同じ高さＨに位置しているが、異なる高さに位置してもよい。基準面Ｒは、例えばタブ積層体２１の載置面を含むＸＹ平面である。同様に、噴射口３５ａ，３７ａは、タブ積層体２５の積層方向において、基準面Ｒから同じ高さＨに位置しているが、異なる高さに位置してもよい。基準面Ｒは、例えばタブ積層体２５の載置面を含むＸＹ平面である。

第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２は、同じ種類のガスであってもよいし、異なる種類のガスであってもよい。第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２は、例えば窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスであってもよいし、不活性ガスと空気との混合ガスであってもよいし、例えばドライエア等のエアであってもよい。第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２が不活性ガス又は不活性ガスと空気との混合ガスである場合、溶接熱によるタブ積層体２１，２５の表面の酸化が抑制される。あるいは、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２は、密度の高いガス又は元素重量の重いガスであってもよい。この場合、溶接部Ｗ近傍の空間において、異物を吹き飛ばして滞留を抑制する効果が大きくなる。元素重量の重いガスとしては、例えばアルゴン、キセノン、ネオン等が挙げられる。

図６に示されるように、第１方向Ａ３１及び第１方向Ａ３５は同じ方向であるが、互いに異なる方向であってもよい。第２方向Ａ３３及び第２方向Ａ３７は同じ方向であるが、互いに異なる方向であってもよい。第１方向Ａ３１及び第２方向Ａ３３は、タブ積層体２１の溶接部Ｗ近傍の空間において交差しているが、同じ方向（例えばＸ軸方向）であってもよいし、交差せずに互いにねじれの位置の関係にあってもよい。第１方向Ａ３５及び第２方向Ａ３７は、タブ積層体２５の溶接部Ｗにおいて交差しているが、同じ方向（例えばＸ軸方向）であってもよいし、交差せずに互いにねじれの位置の関係にあってもよい。

第１方向Ａ３１と第２方向Ａ３３とのなす角度のうち小さい方の角度をθとすると、θは３０°以上１５０°未満が好ましく、４５°以上９０°未満がより好ましい。同様に、第１方向Ａ３５と第２方向Ａ３７とのなす角度のうち小さい方の角度をθとすると、θは３０°以上１５０°未満が好ましく、４５°以上９０°未満がより好ましい。

製造装置１００は、ノズル３１，３３，３５，３７に加えて更なるノズルを備えてもよい。例えば、各タブ積層体２１，２５について、２つのノズルではなく、３つ以上のノズルを用いてもよい。

製造装置１００は、ノズル３１，３３，３５，３７のうち少なくとも１つのノズルを備えてもよい。この場合、当該少なくとも１つのノズルは移動可能である。例えば、製造装置１００が１つのノズル３１のみを備え、ノズル３１が、ノズル３３，３５，３７の位置まで移動可能であってもよい。この場合、第１噴射口３１ａがその他の噴射口３３ａ，３５ａ，３７ａを兼ねることになる。あるいは、製造装置１００がノズル３１，３３を備え、ノズル３１がノズル３５の位置まで移動可能であり、ノズル３３がノズル３７の位置まで移動可能であってもよい。この場合、第１噴射口３１ａが第１噴射口３５ａを兼ね、第２噴射口３３ａが第２噴射口３７ａを兼ねることになる。移動可能なノズルは、カバー３０に代えて駆動装置に取り付けられる。あるいは、製造装置１００がノズル３１，３３を備え、タブ積層体２１，２５をＹ軸方向に移動することによって、タブ積層体２５をノズル３１，３３の位置まで移動させてもよい。この場合、第１噴射口３１ａが第１噴射口３５ａを兼ね、第２噴射口３３ａが第２噴射口３７ａを兼ねることになる。

ノズル３１，３５には、第１ガスＧ１のガス供給源３２が接続されている。ノズル３３，３７には、第２ガスＧ２のガス供給源３４が接続されている。ノズル３１，３３，３５，３７及びガス供給源３２，３４には、制御装置３６が接続されている。制御装置３６は、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の噴射流速、噴射時刻、噴射方向等を制御可能である。ガス供給源３２，３４及び制御装置３６は、カバー３０外に配置される。第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２が同じ種類のガスである場合、１つのガス供給源を用い、バルブによりガスが供給されるノズルを切り替えてもよい。

製造装置１００の溶接装置４０は、タブ積層体２１を抵抗溶接するための一対の電極４１，４３と、タブ積層体２５を抵抗溶接するための一対の電極４５，４７とを備える。一対の電極４１，４３は、集電板１６、タブ積層体２１及び保護板２３をＺ軸方向において挟む。保護板２３は、電極４１とタブ積層体２１との間に配置される。集電板１６は、電極４３とタブ積層体２１との間に配置される。電極４１は、タブ積層体２１の溶接部Ｗ近傍の空間において、第１方向Ａ３１及び第２方向Ａ３３と交差する。同様に、一対の電極４５，４７は、集電板１９、タブ積層体２５及び保護板２７をＺ軸方向において挟む。保護板２７は、電極４５とタブ積層体２５との間に配置される。集電板１９は、電極４７とタブ積層体２５との間に配置される。電極４５は、タブ積層体２５の溶接部Ｗ近傍の空間において、第１方向Ａ３５及び第２方向Ａ３７と交差する。電極４１，４３は、例えばＺ軸方向に延びる中心軸を有する棒状電極である。

製造装置１００は、案内部材５１，５５を備えてもよい。案内部材５１は、第１噴射口３１ａから噴射された第１ガスＧ１と第２噴射口３３ａから噴射された第２ガスＧ２とを案内する溝部５３を有する。溝部５３と噴射口３１ａ，３３ａとの間には、電極４１が配置される。案内部材５５は、第１噴射口３５ａから噴射された第１ガスＧ１と第２噴射口３７ａから噴射された第２ガスＧ２とを案内する溝部５７を有する。溝部５７と噴射口３５ａ，３７ａとの間には、電極４５が配置される。溝部５３及び溝部５７は、例えば、Ｚ軸方向に延びており、湾曲した底面を有する。溝部５３及び溝部５７の下流側端部には、溝部５３及び溝部５７を通過した第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２を吸引する吸引口５０が配置されてもよい。溝部５３の下流側端部に配置される第１吸引口とは異なる第２吸引口が、溝部５７の下流側端部に配置されてもよい。

製造装置１００は、複数のピトー管６１，６７及び風圧表示ボックス６３，６５を備えてもよい。複数のピトー管６１は、溝部５３の下流側端部と吸引口５０との間に配置される。複数のピトー管６１は、溝部５３の幅方向（Ｙ軸方向）に配列される。各ピトー管６１の一方の開口は溝部５３の下流側端部に配置され、各ピトー管６１の他方の開口は風圧表示ボックス６３に接続される。これにより、溝部５３を通る第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の一部は、各ピトー管６１の一方の開口内に入り、他方の開口から風圧表示ボックス６３内に入る。溝部５３を通る第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の残部は吸引口５０に入る。風圧表示ボックス６３は、案内部材５１に取り付けられている。風圧表示ボックス６３は、デジタル表示部６３ａと、バーグラフ表示部６３ｂとを有する。デジタル表示部６３ａは、複数のピトー管６１のうちＹ軸方向において中心に位置するピトー管６１の風圧値を代表値としてデジタル表示する。バーグラフ表示部６３ｂは、縦に配列された複数の発光素子を備える。バーグラフ表示部６３ｂは、複数のピトー管６１のうちＹ軸方向において中心に位置するピトー管６１の風圧値と、他のピトー管６１の風圧値との差をレベル表示する。バーグラフ表示部６３ｂを観察することにより、第１噴射口３１ａから噴射される第１ガスＧ１及び第２噴射口３３ａから噴射される第２ガスＧ２の流れが適正なプロフィール（速度分布）を描いているかをモニターすることができる。

複数のピトー管６７は、溝部５７の下流側端部と吸引口５０との間に配置される。複数のピトー管６７は、溝部５７の幅方向（Ｙ軸方向）に配列される。各ピトー管６７の一方の開口は溝部５７の下流側端部に配置され、各ピトー管６７の他方の開口は風圧表示ボックス６５に接続される。これにより、溝部５７を通る第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の一部は、各ピトー管６７の一方の開口内に入り、他方の開口から風圧表示ボックス６５内に入る。溝部５７を通る第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の残部は吸引口５０に入る。風圧表示ボックス６５は、案内部材５５に取り付けられている。風圧表示ボックス６５は、デジタル表示部６５ａと、バーグラフ表示部６５ｂとを有する。デジタル表示部６５ａは、複数のピトー管６７のうちＹ軸方向において中心に位置するピトー管６７の風圧値を代表値としてデジタル表示する。バーグラフ表示部６５ｂは、縦に配列された複数の発光素子を備える。バーグラフ表示部６５ｂは、複数のピトー管６７のうちＹ軸方向において中心に位置するピトー管６７の風圧値と、他のピトー管６７の風圧値との差をレベル表示する。バーグラフ表示部６５ｂを観察することにより、第１噴射口３５ａから噴射される第１ガスＧ１及び第２噴射口３７ａから噴射される第２ガスＧ２の流れが適正なプロフィール（速度分布）を描いているかをモニターすることができる。

溶接部Ｗの形成工程は、例えば上述の製造装置１００を用いて、第１ガスＧ１を噴射しながら溶接を行う第１工程と、第２ガスＧ２を噴射しながら溶接を行う第２工程とを含む。

第１工程では、図５及び図６に示されるように、タブ積層体２１のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって、第１噴射口３１ａから第１ガスＧ１を噴射しながら溶接を行う。同様に、タブ積層体２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって、第１噴射口３５ａから第１ガスＧ１を噴射しながら溶接を行う。第１ガスＧ１は第１方向Ａ３１及び第１方向Ａ３５に噴射され、電極４１，４５に衝突する。タブ積層体２１のうちの溶接部Ｗが形成される部分は、第１方向Ａ３１と交差していないが、第１噴射口３１ａから噴射された第１ガスＧ１は拡散により広がって、タブ積層体２１の溶接部Ｗ近傍の空間（電極４１の周囲の空間）に到達する。同様に、タブ積層体２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分は第１方向Ａ３５と交差していないが、第１噴射口３５ａから噴射された第１ガスＧ１は拡散により広がって、タブ積層体２５の溶接部Ｗ近傍の空間（電極４５の周囲の空間）に到達する。

電極４１，４５の位置における第１ガスＧ１の噴射流速Ｖ１は、例えば５０〜１００ｍ／ｓである。噴射流速Ｖ１が１００ｍ／ｓを超えると、電極４１，４５裏側での大きな乱流が生じやすい傾向にある。噴射流速Ｖ１が５０ｍ／ｓ未満であると、溶接により生じる異物が溝部５３，５７まで到達せずにＺ軸方向に滞留し堆積してしまう傾向にある。第１ガスＧ１は、例えばパルス状に噴射される。第１工程では第２ガスＧ２が噴射されてもよいし、噴射されなくてもよい。第１工程において、タブ積層体２１，２５の溶接部Ｗ近傍の空間を通過した第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２を吸引口５０から吸引しながら溶接を行ってもよい。これにより、溶接により生じる異物を効率的に除去することができる。第１工程において、複数のピトー管６１，６７及び風圧表示ボックス６３，６５を用いて、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の流れをモニターしながら溶接を行ってもよい。

第２工程では、図７に示されるように、タブ積層体２１のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって、第１噴射口３１ａとは異なる場所に位置する第２噴射口３３ａから、第１ガスＧ１を噴射する時刻とは異なる時刻に第２ガスＧ２を噴射しながら溶接を行う。同様に、タブ積層体２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって、第１噴射口３５ａとは異なる場所に位置する第２噴射口３７ａから、第１ガスＧ１を噴射する時刻とは異なる時刻に第２ガスＧ２を噴射しながら溶接を行う。第２ガスＧ２は第２方向Ａ３３及び第２方向Ａ３７に噴射され、電極４１，４５に衝突する。タブ積層体２１のうちの溶接部Ｗが形成される部分は、第２方向Ａ３３に位置せず、第２方向Ａ３３とは異なる場所に位置してもよい。その場合であっても、第２噴射口３３ａから噴射された第２ガスＧ２は拡散により広がって、タブ積層体２１の溶接部Ｗ近傍の空間に到達する。同様に、タブ積層体２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分は、第２方向Ａ３７に位置せず、第２方向Ａ３７とは異なる場所に位置してもよい。その場合であっても、第２噴射口３７ａから噴射された第２ガスＧ２は拡散により広がって、タブ積層体２５の溶接部Ｗ近傍の空間に到達する。

電極４１，４５の位置における第２ガスＧ２の噴射流速Ｖ２は、例えば７０〜１００ｍ／ｓである。噴射流速Ｖ２は、噴射流速Ｖ１と異なってもよいし、噴射流速Ｖ１より大きくてもよい。噴射流速Ｖ２が１００ｍ／ｓを超えると、電極４１，４５裏側での大きな乱流が生じやすい。噴射流速Ｖ２が７０ｍ／ｓ未満であると、第１ガスＧ１の残留している渦流の干渉により生じる拡散が増加し流量が低下するため、溶接により生じる異物が溝部５３，５７まで到達せずにＺ軸方向に滞留し堆積してしまう傾向にある。第２ガスＧ２は、例えばパルス状に噴射される。第２工程では第１ガスＧ１が噴射されない。第２工程において、タブ積層体２１，２５の溶接部Ｗ近傍の空間を通過した第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２を吸引口５０から吸引しながら溶接を行ってもよい。これにより、溶接により生じる異物を効率的に除去することができる。第２工程において、複数のピトー管６１，６７及び風圧表示ボックス６３，６５を用いて、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の流れをモニターしながら溶接を行ってもよい。

図８は、第１ガス及び第２ガスの噴射タイミングの例を示す図である。図８（Ａ）に示される第１例では、時刻ｔ１において第１ガスＧ１の噴射が開始し、時刻ｔ２において第１ガスＧ１の噴射が終了し、第２ガスＧ２の噴射が開始する。時刻ｔ３において、第２ガスＧ２の噴射が終了する。時刻ｔ１から時刻ｔ２までの時間において、第１ガスＧ１の噴射流速Ｖ１は一定である。すなわち、第１ガスＧ１の噴射流速Ｖ１は時間変化に対して矩形波を描く。時刻ｔ２から時刻ｔ３までの時間において、第２ガスＧ２の噴射流速Ｖ２は一定である。すなわち、第２ガスＧ２の噴射流速Ｖ２は時間変化に対して矩形波を描く。第１例では、第１ガスＧ１の噴射が終了した時刻ｔ２と同時刻に第２ガスＧ２の噴射を開始する。第２ガスＧ２の噴射流速Ｖ２は、第１ガスＧ１の噴射流速Ｖ１と同じでもよいし、異なってもよい。時刻ｔ１から時刻ｔ３までの時間（第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２のうちの少なくとも一方を噴射している時間）は、例えば０．０５〜１．０秒間である。

図８（Ｂ）に示される第２例は、第２ガスＧ２の噴射時刻が異なること以外、図８（Ａ）に示される第１例と同じである。第２例では、時刻ｔ２よりも後の時刻ｔ４において第２ガスＧ２の噴射が開始し、時刻ｔ５において第２ガスＧ２の噴射が終了する。時刻ｔ４から時刻ｔ５までの時間において、第２ガスＧ２の噴射流速Ｖ２は一定である。すなわち、第２ガスＧ２の噴射流速Ｖ２は時間変化に対して矩形波を描く。第２例では、第１ガスＧ１の噴射が終了した時刻ｔ２から時間をおいた時刻ｔ４において第２ガスＧ２の噴射を開始する。このため、時刻ｔ２よりも後から時刻ｔ４よりも前までの時間において、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２のいずれも噴射されない。第１例及び第２例では、第１ガスＧ１の噴射が終了した時刻ｔ２以降に第２ガスＧ２の噴射が開始している。

図８（Ｃ）に示される第３例は、第２ガスＧ２の噴射時刻が異なること以外、図８（Ａ）に示される第１例と同じである。第３例では、時刻ｔ１と時刻ｔ２との間の時刻ｔ６において第２ガスＧ２の噴射が開始し、時刻ｔ２よりも後の時刻ｔ７において第２ガスＧ２の噴射が終了する。時刻ｔ６から時刻ｔ７までの時間において、第２ガスＧ２の噴射流速Ｖ２は一定である。すなわち、第２ガスＧ２の噴射流速Ｖ２は時間変化に対して矩形波を描く。第３例では、時刻ｔ６から時刻ｔ２までの時間において、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の両方が噴射されている。

上記第１例〜第３例では、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの時間が第１工程に相当し、時刻ｔ２より後の時間が第２工程に相当する。第１例〜第３例では、第１ガスＧ１の噴射流速Ｖ１及び第２ガスＧ２の噴射流速Ｖ２が、時間変化に対して正弦波を描くように制御されてもよい。第１例〜第３例では、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の噴射が交互に繰り返し行われてもよい。第１ガスＧ１の噴射流速Ｖ１及び噴射時刻、第２ガスＧ２の噴射流速Ｖ２及び噴射時刻は、制御装置３６によって制御可能である。

上記工程を経ることによって、電極組立体３が製造される。その後、タブ積層体２１，２５を折り曲げた電極組立体３をケース２内に収容し、蓄電装置１を製造することができる。

上述のように、本実施形態の電極組立体の製造装置１００は、タブ積層体２１，２５に溶接部Ｗを形成するための溶接装置４０と、タブ積層体２１，２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって第１ガスＧ１を噴射するための第１噴射口３１ａ，３５ａが設けられたノズル３１，３５と、タブ積層体２１，２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって第２ガスＧ２を噴射するための第２噴射口３３ａ，３７ａが設けられたノズル３３，３７と、第１ガスＧ１を噴射する時刻とは異なる時刻に第２ガスＧ２を噴射するように第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の噴射時刻を制御するための制御装置３６とを備える。第２噴射口３３ａ，３７ａは、第１噴射口３１ａ，３５ａとは異なる場所に位置している。

本実施形態の電極組立体の製造方法及び電極組立体の製造装置１００では、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２が、タブ積層体２１のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって、異なる場所に位置する噴射口３１ａ，３３ａから異なる時刻に噴射される。そのため、タブ積層体２１の溶接部Ｗ近傍の空間（すなわち、タブ積層体２１の溶接部Ｗに隣接する空間）において、溶接により生じる異物（例えばスパッタ粒子等の金属粒子）が第１ガスＧ１により吹き飛ばされずに滞留しても、当該異物は第２ガスＧ２によって吹き飛ばされる。したがって、タブ積層体２１の溶接部Ｗ近傍の空間において異物の滞留を抑制できる。例えば、溶接装置４０の一部である電極４１がタブ積層体２１の溶接部Ｗ近傍の空間に位置している場合、第１ガスＧ１が電極４１に衝突すると、電極４１の背後に渦が発生して異物が滞留する可能性がある。その場合でも、電極４１の背後に滞留した異物を第２ガスＧ２が吹き飛ばすことができる。よって、電極４１の背後に異物が滞留することを抑制できる。

同様に、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２が、タブ積層体２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって、異なる場所に位置する噴射口３５ａ，３７ａから異なる時刻に噴射される。そのため、タブ積層体２５の溶接部Ｗ近傍の空間（すなわち、タブ積層体２５の溶接部Ｗに隣接する空間）において、異物の滞留を抑制できる。例えば溶接装置４０の一部である電極４５がタブ積層体２５の溶接部Ｗ近傍の空間に位置している場合、第１ガスＧ１が電極４５に衝突すると、電極４５の背後に渦が発生して異物が滞留する可能性がある。その場合でも、電極４５の背後に滞留した異物を第２ガスＧ２が吹き飛ばすことができる。よって、電極４５の背後に異物が滞留することを抑制できる。

第２ガスＧ２が噴射される第２方向Ａ３３が、第１ガスＧ１が噴射される第１方向Ａ３１と異なっている場合、タブ積層体２１の溶接部Ｗ近傍の空間において、第２方向Ａ３３が第１方向Ａ３１と同じ方向の場合に比べて、ガスの流れる方向を経時的に大きく変化させることができる。よって、電極４１の背後に滞留した異物を第２ガスＧ２によって吹き飛ばし易くなる。同様に、第２ガスＧ２が噴射される第２方向Ａ３７が、第１ガスＧ１が噴射される第１方向Ａ３５と異なっている場合、タブ積層体２５の溶接部Ｗ近傍の空間において、第２方向Ａ３７が第１方向Ａ３５と同じ方向の場合に比べて、ガスの流れる方向を経時的に大きく変化させることができる。よって、電極４５の背後に滞留した異物を第２ガスＧ２によって吹き飛ばし易くなる。

噴射口３１ａ，３３ａが、タブ積層体２１の積層方向において同じ高さＨに位置する場合、高さＨにおける異物の滞留を抑制できる。同様に、噴射口３５ａ，３７ａが、タブ積層体２５の積層方向において同じ高さＨに位置する場合、高さＨにおける異物の滞留を抑制できる。

図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示される第１例及び第２例のように、第１ガスＧ１の噴射が終了した時刻ｔ２以降に第２ガスＧ２の噴射が開始する場合、図３に示される第３例のように第１ガスＧ１の噴射が終了する前に第２ガスＧ２の噴射を開始する場合に比べて、タブ積層体２１，２５の溶接部Ｗ近傍の空間において、第１ガスＧ１と第２ガスＧ２とが互いに干渉し難くなる。

（第２実施形態）
図９は、第２実施形態に係る電極組立体の製造方法の一工程を示す図である。本実施形態では、ノズル３１，３３，３５，３７に代えて揺動可能なノズル１３１，１３３，１３５，１３７をそれぞれ用いること以外は第１実施形態と同じように、電極組立体３を製造することができる。

ノズル１３１の先端には、第１ガスＧ１を噴射するための第１噴射口１３１ａが設けられている。第１噴射口１３１ａは、ＸＹ平面において第１方向Ａ３１を中心に揺動可能である。第１噴射口１３１ａは、Ｚ軸方向から見て、第１方向Ａ３１に直交する方向に対して傾斜している。ノズル１３３の先端には、第２ガスＧ２を噴射するための第２噴射口１３３ａが設けられている。第２噴射口１３３ａは、ＸＹ平面において第２方向Ａ３３を中心に揺動可能である。第２噴射口１３３ａは、Ｚ軸方向から見て、第２方向Ａ３３に直交する方向に対して傾斜している。ノズル１３５の先端には、第１ガスＧ１を噴射するための第１噴射口１３５ａが設けられている。第１噴射口１３５ａは、ＸＹ平面において第１方向Ａ３５を中心に揺動可能である。第１噴射口１３５ａは、Ｚ軸方向から見て、第１方向Ａ３５に直交する方向に対して傾斜している。ノズル１３７の先端には、第２ガスＧ２を噴射するための第２噴射口１３７ａが設けられている。第２噴射口１３７ａは、ＸＹ平面において第２方向Ａ３７を中心に揺動可能である。第２噴射口１３７ａは、Ｚ軸方向から見て、第２方向Ａ３７に直交する方向に対して傾斜している。

ノズル１３１，１３３，１３５，１３７の構成材料は、例えばゴム等の可撓性材料である。ゴムとしては、例えばシリコーンゴム又はスチレンブタジエンゴム等が挙げられる。ノズル１３１では、第１ガスＧ１が第１噴射口１３１ａから噴射されると、噴射の反動により、ノズル１３１の先端が第１方向Ａ３１から離れる方向に移動する。その後、ノズル１３１の弾性により、ノズル１３１の先端が第１方向Ａ３１に近づく方向に戻る。このようにして、ノズル１３１が揺動する。ノズル１３３では、第２ガスＧ２が第２噴射口１３３ａから噴射されると、第２ガスＧ２の反動により、ノズル１３３の先端が第２方向Ａ３３から離れる方向に移動する。その後、ノズル１３３の弾性により、ノズル１３３の先端が第２方向Ａ３３に近づく方向に戻る。このようにして、ノズル１３３が揺動する。ノズル１３１，１３３と同様に、ノズル１３５，１３７も揺動する。

ノズル１３１，１３３，１３５，１３７は、ノズル自体の弾性により揺動するのではなく、駆動装置によって揺動されてもよい。この場合、ノズル１３１，１３３，１３５，１３７の構成材料は、例えば金属又は樹脂等の剛性材料であってもよい。

第２実施形態では、第１実施形態の作用効果に加えて、ノズル１３１，１３３，１３５，１３７が揺動することによって、タブ積層体２１，２５の溶接部Ｗ近傍の空間において、ガスの流れる方向を経時的に大きく変化させることができる。そのため、タブ積層体２１，２５の溶接部Ｗ近傍の空間において、異物が滞留することを更に抑制できる。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明されたが、本発明は上記各実施形態に限定されない。上記各実施形態の構成要素は、任意に組み合わせることができる。

製造装置１００の溶接装置４０は、超音波溶接装置であってもよい。この場合、タブ積層体２１，２５の溶接部Ｗ近傍の空間には、電極４１，４５に代えて、溶接装置の一部である超音波ホーンがそれぞれ配置される。この場合でも、上記各実施形態と同様に、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２は、タブ積層体２１，２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって、異なる場所に位置する噴射口から異なる時刻に噴射される。よって、超音波ホーンの背後に異物が滞留することを抑制できる。

製造装置１００の溶接装置４０は、例えばレーザービーム又は電子ビーム等のエネルギービームを用いた溶接装置であってもよい。この場合、溶接部Ｗは、タブ積層体２１の端面２１ａ，２１ｂ，２１ｃのうちの少なくとも１つに設けられる。同様に、溶接部Ｗは、タブ積層体２５の端面２５ａ，２５ｂ，２５ｃのうちの少なくとも１つに設けられる。タブ積層体２１，２５の溶接部Ｗ近傍の空間には、電極４１，４５に代えて、溶接装置の一部である、エネルギービームの照射装置（例えば溶接ファイバー）又はアシストガスの供給装置が配置される。この場合でも、上記各実施形態と同様に、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２は、タブ積層体２１，２５のうちの溶接部Ｗが形成される部分に向かって、異なる場所に位置する噴射口から異なる時刻に噴射される。よって、エネルギービームの照射装置又はアシストガスの供給装置の背後に異物が滞留することを抑制できる。

また、上記各実施形態の電極組立体３は積層型であるが、上記各実施形態の電極組立体の製造方法を用いて、巻回型の電極組立体を製造することもできる。例えば、巻回型の電極組立体のタブ積層体に溶接部を形成する際に、上記各実施形態と同様に、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２を、異なる場所に位置する噴射口から異なる時刻に噴射する。これにより、タブ積層体の溶接部近傍の空間において、異物が滞留することを抑制できる。

３…電極組立体、１１…正極（電極）、１２…負極（電極）、１４ｂ，１７ｂ…タブ、２１，２５…タブ積層体、３１，３５…ノズル（第１噴射部）、３１ａ，３５ａ…第１噴射口、３３，３７…ノズル（第２噴射部）、３３ａ，３７ａ…第２噴射口、Ａ３１，Ａ３５…第１方向、Ａ３３，Ａ３７…第２方向、３６…制御装置、４０…溶接装置、１００…電極組立体の製造装置、Ｇ１…第１ガス、Ｇ２…第２ガス、Ｗ…溶接部。

Claims (5)

1. タブを含む電極を有する電極組立体の製造方法であって、
   積層された前記タブを有するタブ積層体を準備する工程と、
   前記タブ積層体に溶接部を形成する工程と、
   を含み、
   前記溶接部を形成する工程が、
   前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される部分に向かって、第１噴射口から第１ガスを噴射しながら溶接を行う工程と、
   前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される前記部分に向かって、前記第１噴射口とは異なる場所に位置する第２噴射口から、前記第１ガスを噴射する時刻とは異なる時刻に第２ガスを噴射しながら溶接を行う工程と、
   を含む、電極組立体の製造方法。
2. 前記第１ガスを第１方向に噴射し、前記第２ガスを前記第１方向とは異なる第２方向に噴射する、請求項１に記載の電極組立体の製造方法。
3. 前記タブ積層体の積層方向において、前記第１噴射口及び前記第２噴射口が同じ高さに位置する、請求項１又は２に記載の電極組立体の製造方法。
4. 前記第１ガスの噴射が終了した時刻以降に前記第２ガスの噴射が開始する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電極組立体の製造方法。
5. タブを含む電極を有する電極組立体の製造装置であって、
   積層された前記タブを有するタブ積層体に溶接部を形成するための溶接装置と、
   前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される部分に向かって第１ガスを噴射するための第１噴射口が設けられた第１噴射部と、
   前記タブ積層体のうちの前記溶接部が形成される部分に向かって第２ガスを噴射するための第２噴射口が設けられた第２噴射部と、
   前記第１ガスを噴射する時刻とは異なる時刻に前記第２ガスを噴射するように前記第１ガス及び前記第２ガスの噴射時刻を制御するための制御装置と、
   を備え、
   前記第２噴射口は、前記第１噴射口とは異なる場所に位置している、電極組立体の製造装置。

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