JP2017203178A - 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 - Google Patents
基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017203178A JP2017203178A JP2016093993A JP2016093993A JP2017203178A JP 2017203178 A JP2017203178 A JP 2017203178A JP 2016093993 A JP2016093993 A JP 2016093993A JP 2016093993 A JP2016093993 A JP 2016093993A JP 2017203178 A JP2017203178 A JP 2017203178A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- substrate
- holding member
- substrate holder
- holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 284
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 17
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 10
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/004—Sealing devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
- C25D17/08—Supporting racks, i.e. not for suspending
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/005—Contacting devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
【解決手段】基板を支持する支持面33を有する第1保持部材31と、第1保持部材31と共に基板を挟み込んで保持する第2保持部材32と、を有する。第1保持部材31は、支持面33の周囲に沿って配置された第1接点60を有する。第2保持部材32は、支持面33に配置された基板と接触するように構成された第2接点70を有する。第1接点60は、平板形状を有する。第2接点70は、基板と接触する第1端部71と、第1接点60と接触する第2端部72と、を有し、第2端部72は、第1保持部材31と第2保持部材32とで基板を保持したときに第1接点60に対して弾性接触するように構成される基板ホルダ。
【選択図】図3
Description
して取付けられる固定リング41との間に挟持されてシールホルダ36に取付けられている。
4の内径との差は、0.05mm〜0.16mmに設定され得る。
に第2端部72の弾性に起因する力を加えることができ、第1接点60と確実に接触することができる。これに加えて、第2接点70が第1接点60に対して弾性接触するように構成されるので、本実施形態のように、第1接点60を平板形状に形成することができる。したがって、第1接点60を、ステンレス鋼等のバネ材で形成する必要がなく、基板ホルダ30のコストを低減することができる。
囲に沿うように、支持面33の全周にわたって支持ベース43に配置される。
旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
31…第1保持部材
32…第2保持部材
33…支持面
38…外部接点部
60…第1接点
62…接点端部
63…平面結合部
65…導線
70…第2接点
71…第1端部
71a…折り曲げ部
71b…折り曲げ部
72…第2端部
73…第2接点本体
Wf…基板
Claims (12)
- 基板を支持する支持面を有する第1保持部材と、
前記第1保持部材と共に前記基板を挟み込んで保持する第2保持部材と、を有し、
前記第1保持部材は、前記支持面の周囲に沿って配置された第1接点を有し、
前記第2保持部材は、前記支持面に配置された前記基板と接触するように構成された第2接点を有し、
前記第1接点は、平板形状を有し、
前記第2接点は、前記基板と接触する第1端部と、前記第1接点と接触する第2端部と、を有し、
前記第2端部は、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記基板を保持したときに前記第1接点に対して弾性接触するように構成される、基板ホルダ。 - 請求項1に記載された基板ホルダにおいて、
前記第1端部は、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記基板を保持したときに前記基板に対して弾性接触するように構成される、基板ホルダ。 - 請求項1又は2に記載された基板ホルダにおいて、
前記第2端部は、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記基板を保持したときに前記第1接点と曲面で接触するように構成される、基板ホルダ。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
前記第2端部は、前記第1接点を前記第1保持部材に向けて付勢するように前記第1接点と弾性接触する、基板ホルダ。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
前記第1接点は、複数の接点端部と、前記接点端部を互いに結合する平面結合部と、を有する、基板ホルダ。 - 請求項5に記載された基板ホルダにおいて、
外部の電源と電気的に接続されるように構成される外部接点部と、
前記外部接点部と前記第1接点とを電気的に接続する導線と、を有し、
前記導線の外周面は、前記第1接点の前記平面結合部と接触する、基板ホルダ。 - 請求項5又は6に記載された基板ホルダにおいて、
前記第1保持部材は、前記平面結合部を固定するための固定面を有し、
前記第1接点の前記複数の接点端部は、自由端部を構成する、基板ホルダ。 - 請求項5から7のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
前記第2接点は、複数の前記第2端部を有し、
前記複数の第2端部の各々は、前記第1接点の前記複数の接点端部の各々と接触するように構成される、基板ホルダ。 - 請求項1から8のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
前記第2接点は、前記第1端部と前記第2端部とを接続する第2接点本体を有し、
前記第1端部は、前記第2接点本体から折れ曲がる折り曲げ部を有し、且つ前記支持面の中央側に向かって延在し、
前記基板を前記第1保持部材と前記第2保持部材とで保持したときに、前記折り曲げ部は、前記基板の被めっき面と略同一の高さに位置する、基板ホルダ。 - 請求項1から9のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
前記第2保持部材は、前記第2端部の前記第1接点との接触部以外の領域の少なくとも一部を取り囲む壁面部を有する、基板ホルダ。 - 請求項1から10のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
前記第2接点の前記第1端部は、前記基板の周方向の95%以上にわたって前記基板と接触するように構成される、基板ホルダ。 - 請求項1から11に記載された基板ホルダを使用して基板にめっき処理を行う、めっき装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016093993A JP6747859B2 (ja) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 |
TW106113751A TWI719199B (zh) | 2016-05-09 | 2017-04-25 | 基板固持器及使用該基板固持器之鍍覆裝置 |
SG10201703595XA SG10201703595XA (en) | 2016-05-09 | 2017-05-03 | Substrate holder and plating apparatus using the same |
US15/589,888 US10738390B2 (en) | 2016-05-09 | 2017-05-08 | Substrate holder and plating apparatus using the same |
SG10201705522TA SG10201705522TA (en) | 2016-05-09 | 2017-07-05 | Substrate holder and plating apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016093993A JP6747859B2 (ja) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017203178A true JP2017203178A (ja) | 2017-11-16 |
JP6747859B2 JP6747859B2 (ja) | 2020-08-26 |
Family
ID=60242581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016093993A Active JP6747859B2 (ja) | 2016-05-09 | 2016-05-09 | 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10738390B2 (ja) |
JP (1) | JP6747859B2 (ja) |
SG (2) | SG10201703595XA (ja) |
TW (1) | TWI719199B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220057484A (ko) | 2019-09-10 | 2022-05-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 홀더 및 그것을 구비한 기판 도금 장치, 그리고 전기 접점 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111560593A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-08-21 | 惠州市祺光科技有限公司 | 一种小尺寸光学镜片的镀膜用固定治具及其镀膜方法 |
EP4219800A1 (en) * | 2022-01-31 | 2023-08-02 | Semsysco GmbH | Substrate holder for holding a substrate in a chemical and/or electrolytic surface treatment of the substrate |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001323397A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 薄膜形成装置及びそのコンタクト治具の製造方法 |
US20020029963A1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-03-14 | Junichiro Yoshioka | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
JP2002363794A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-18 | Ebara Corp | 基板ホルダ及びめっき装置 |
JP2002363797A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-18 | Ebara Corp | 電気接点及びその製造方法、並びにめっき装置 |
JP2003518333A (ja) * | 1999-12-22 | 2003-06-03 | ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板保持体 |
JP2004052059A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Ebara Corp | 基板ホルダ及びめっき装置 |
JP2005220414A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Ebara Corp | メッキ装置 |
JP2008156758A (ja) * | 2002-06-21 | 2008-07-10 | Ebara Corp | 基板ホルダ及びめっき装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101281858B (zh) | 2002-06-21 | 2011-02-02 | 株式会社荏原制作所 | 基片保持装置和电镀设备 |
US20140251798A1 (en) * | 2011-10-19 | 2014-09-11 | Jcu Corporation | Substrate electroplating jig |
US8900425B2 (en) * | 2011-11-29 | 2014-12-02 | Applied Materials, Inc. | Contact ring for an electrochemical processor |
JP2015071802A (ja) * | 2013-10-02 | 2015-04-16 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置および該めっき装置に使用されるクリーニング装置 |
JP6508935B2 (ja) | 2014-02-28 | 2019-05-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板ホルダ、めっき装置及びめっき方法 |
-
2016
- 2016-05-09 JP JP2016093993A patent/JP6747859B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-25 TW TW106113751A patent/TWI719199B/zh active
- 2017-05-03 SG SG10201703595XA patent/SG10201703595XA/en unknown
- 2017-05-08 US US15/589,888 patent/US10738390B2/en active Active
- 2017-07-05 SG SG10201705522TA patent/SG10201705522TA/en unknown
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003518333A (ja) * | 1999-12-22 | 2003-06-03 | ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板保持体 |
US20020029963A1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-03-14 | Junichiro Yoshioka | Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer |
JP2001323397A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 薄膜形成装置及びそのコンタクト治具の製造方法 |
JP2002363794A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-18 | Ebara Corp | 基板ホルダ及びめっき装置 |
JP2002363797A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-18 | Ebara Corp | 電気接点及びその製造方法、並びにめっき装置 |
JP2008156758A (ja) * | 2002-06-21 | 2008-07-10 | Ebara Corp | 基板ホルダ及びめっき装置 |
JP2004052059A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Ebara Corp | 基板ホルダ及びめっき装置 |
JP2005220414A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Ebara Corp | メッキ装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220057484A (ko) | 2019-09-10 | 2022-05-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 홀더 및 그것을 구비한 기판 도금 장치, 그리고 전기 접점 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG10201705522TA (en) | 2017-12-28 |
US10738390B2 (en) | 2020-08-11 |
JP6747859B2 (ja) | 2020-08-26 |
US20170321343A1 (en) | 2017-11-09 |
TWI719199B (zh) | 2021-02-21 |
SG10201703595XA (en) | 2017-12-28 |
TW201740477A (zh) | 2017-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6713863B2 (ja) | 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 | |
JP4669019B2 (ja) | 基板ホルダ及び電解めっき装置 | |
JP5643239B2 (ja) | 基板ホルダ及びめっき装置 | |
JP6596372B2 (ja) | 基板ホルダ及びめっき装置 | |
US10316425B2 (en) | Substrate holder, plating apparatus, and plating method | |
JP2020002389A (ja) | 基板ホルダ及びめっき装置 | |
JP6747859B2 (ja) | 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 | |
TWI753991B (zh) | 基板固持器、鍍覆裝置、鍍覆方法、及電氣接點 | |
US11905611B2 (en) | Maintenance member, substrate holding module, plating apparatus, and maintenance method | |
TWI705161B (zh) | 基板固持器及使用該基板固持器之鍍覆裝置 | |
JP4104465B2 (ja) | 電解めっき装置 | |
JP7146663B2 (ja) | 基板ホルダ及びめっき装置 | |
WO2021049145A1 (ja) | 基板ホルダ及びそれを備えた基板めっき装置、並びに電気接点 | |
CN113825860B (zh) | 基板保持器及具备该基板保持器的基板镀覆装置、以及电接点 | |
KR20210075862A (ko) | 기판 홀더 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190820 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200323 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200806 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6747859 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |