JP2017203178A - 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 - Google Patents

基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017203178A
JP2017203178A JP2016093993A JP2016093993A JP2017203178A JP 2017203178 A JP2017203178 A JP 2017203178A JP 2016093993 A JP2016093993 A JP 2016093993A JP 2016093993 A JP2016093993 A JP 2016093993A JP 2017203178 A JP2017203178 A JP 2017203178A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contact
substrate
holding member
substrate holder
holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016093993A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6747859B2 (ja
Inventor
松太郎 宮本
Matsutaro Miyamoto
松太郎 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2016093993A priority Critical patent/JP6747859B2/ja
Priority to TW106113751A priority patent/TWI719199B/zh
Priority to SG10201703595XA priority patent/SG10201703595XA/en
Priority to US15/589,888 priority patent/US10738390B2/en
Priority to SG10201705522TA priority patent/SG10201705522TA/en
Publication of JP2017203178A publication Critical patent/JP2017203178A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6747859B2 publication Critical patent/JP6747859B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/004Sealing devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C25D17/08Supporting racks, i.e. not for suspending
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • C25D7/123Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/005Contacting devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

【課題】接点部に高価なバネ材で形成する必要がない基板ホルダ、及びこれを使用しためっき装置を提供。
【解決手段】基板を支持する支持面33を有する第1保持部材31と、第1保持部材31と共に基板を挟み込んで保持する第2保持部材32と、を有する。第1保持部材31は、支持面33の周囲に沿って配置された第1接点60を有する。第2保持部材32は、支持面33に配置された基板と接触するように構成された第2接点70を有する。第1接点60は、平板形状を有する。第2接点70は、基板と接触する第1端部71と、第1接点60と接触する第2端部72と、を有し、第2端部72は、第1保持部材31と第2保持部材32とで基板を保持したときに第1接点60に対して弾性接触するように構成される基板ホルダ。
【選択図】図3

Description

本発明は、基板ホルダ及びこれを用いためっき装置に関する。
例えば、TAB(Tape Automated Bonding)やフリップチップの製造においては、導線が形成された半導体チップの表面の所定箇所(電極)に金、銅、はんだ、若しくはニッケル、又はこれらを多層に積層した金属からなる突起状接続電極(バンプ)を形成することが広く行われている。このバンプを介して、半導体チップを、パッケージの電極やTAB電極と電気的に接続している。このバンプの形成方法としては、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法といった種々の手法がある。近年では、半導体チップのI/O数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
ここで、電解めっき法は、カップ式とディップ式に大別される。カップ式では、半導体ウェハ等の基板の被めっき面を下向き(フェイスダウン)にして水平に置き、めっき液を下から噴き上げて、基板にめっきが行われる。ディップ式では、めっき槽の中に基板を垂直に立て、めっき液をめっき槽の下から注入しオーバーフローさせることで、基板にめっきが行われる。ディップ方式を採用した電解めっき法は、めっきの品質に悪影響を与える泡の抜けが良く、フットプリントが小さいという利点を有している。このため、めっき穴の寸法が比較的大きく、めっきに長い時間を要するバンプめっきに適していると考えられる。
従来のディップ方式を採用した電解めっき装置においては、半導体ウェハ等の基板を着脱自在に保持する基板ホルダが使用される。この基板ホルダは、基板の端面と裏面をシールし表面(被めっき面)を露出させる。この基板ホルダを基板と共にめっき液中に浸漬させることで、基板の表面にめっきが行われる。
基板ホルダは、めっき液中に浸漬させて使用するので、この基板ホルダで基板を保持したときに、基板の裏面(被めっき面とは逆側の面)側へめっき液が周り込まないよう、基板の外周部を十分にシールする必要がある。このため、例えば、一対の保持部材で基板を着脱自在に保持するようにした基板ホルダにおいては、一方の保持部材にシール部材を取付け、このシール部材を他方の保持部材に載置した基板の周縁部に圧接させることで、基板の外周部をシールしている。
このような基板ホルダでは、基板の外周部をシールするようにしているので、めっき後に基板を基板ホルダから取り外すためにシール部材を取付けた保持部材を開くとき、基板がシール部材にくっついたまま保持部材が開き、基板が不意に脱落する虞があった。そこで、基板ホルダから基板を取り外す際に、基板を支持面に対して付勢するようにした板バネ部材を有する基板ホルダが知られている(特許文献1参照)。この板バネ部材は、基板表面に電流を流すための電気接点を兼用している。
特許第4162440号
特許文献1に記載された基板ホルダでは、固定保持部材と可動保持部材とで基板を挟み込んで保持している。また、可動保持部材が上記電気接点を有している。固定保持部材は、基板が配置される支持面の周囲に沿って導電体を有している。この導電体は、外部の電源と電気的に接続され、固定保持部材と可動保持部材とで基板を挟み込んだときに、電気接点と接触する。これにより、外部の電源からの電流を基板表面に流すことができる。
特許文献1に記載された基板ホルダの導電体(以下、第1接点という)は、電気接点(以下、第2接点という)と確実に接触することができるように、弾性を有するように構成されている。具体的には、この第1接点は、第2接点に付勢力を与えることができるように、湾曲した板状体を構成している。このように、第2接点は基板を支持面に対して付勢するように板バネ状に形成され、第1接点は第2接点に付勢力を与えるように板バネ状に形成される。したがって、従来の基板ホルダでは、第1接点と第2接点の両方をバネ材(例えば、ステンレス鋼等)で形成する必要があった。しかしながら、このようなバネ材は、一般的な金属材料に比べて高価である。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、バネ材で形成する必要がない第1接点を備えた基板ホルダ、及びこれを使用しためっき装置を提供することである。
本発明の一形態によれば、基板ホルダが提供される。この基板ホルダは、基板を支持する支持面を有する第1保持部材と、前記第1保持部材と共に前記基板を挟み込んで保持する前記第2保持部材と、を有する。前記第1保持部材は、前記支持面の周囲に沿って配置された第1接点を有する。前記第2保持部材は、前記支持面に配置された前記基板と接触するように構成された第2接点を有する。前記第1接点は、平板形状を有する。前記第2接点は、前記基板と接触する第1端部と、前記第1接点と接触する第2端部と、を有する。前記第2端部は、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記基板を保持したときに前記第1接点に対して弾性接触するように構成される。
この一形態によれば、第1保持部材と第2保持部材とで基板を保持したときに、第2接点が第1接点に対して弾性接触するように構成されるので、第2接点を第1接点に確実に接触させることができる。これに加えて、第2接点が第1接点に対して弾性接触するように構成されるので、第1接点を平板形状に形成することができ、第1接点をステンレス鋼等のバネ材で形成する必要がなく、基板ホルダのコストを低減することができる。
本発明の一形態において、前記第1端部は、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記基板を保持したときに前記基板に対して弾性接触するように構成される。
この一形態によれば、第2接点の第1端部が基板と確実に接触することができる。
本発明の一形態において、前記第2端部は、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記基板を保持したときに前記第1接点と曲面で接触するように構成される。
第2接点の第2端部は、第1接点と弾性接触するとき、弾性力に対する第1接点からの反力により、第2端部と第1接点との接触部がずれる可能性がある。この一形態によれば、第2接点の第2端部が第1接点と曲面で接触するので、第2端部と第1接点との接触部がずれた場合でも、第2端部と第1接点との摩擦を緩和することができる。ひいては、第1接点の表面に導電性を向上させるための金めっき等が被覆されている場合には、第1接点の表面の金めっき等が剥離することを抑制することができる。
本発明の一形態において、前記第2端部は、前記第1接点を前記第1保持部材に向けて付勢するように前記第1接点と弾性接触する。
本発明の一形態において、前記第1接点は、複数の接点端部と、前記接点端部を互いに結合する平面結合部と、を有する。
本発明の一形態において、基板ホルダは、外部の電源と電気的に接続されるように構成される外部接点部と、前記外部接点部と前記第1接点とを電気的に接続する導線と、を有する。前記導線の外周面は、前記第1接点の前記平面結合部と接触する。
この一形態によれば、導線の外周面が第1接点の平面結合部と接触するので、その接触面積を十分に確保することができ、第1接点に十分に電流を流すことができる。
本発明の一形態において、前記第1保持部材は、前記平面結合部を固定するための固定面を有し、前記第1接点の前記複数の接点端部は、自由端部を構成する。
この一形態によれば、第1接点は平板形状であっても、第2接点の第2端部が第1接点に接触したときに、第1接点がしなることができる。したがって、第1接点は、第2接点に対して多少の弾性を有して接触することができ、第1接点と第2接点との接触をいっそう確実にすることができる。
本発明の一形態において、前記第2接点は、複数の前記第2端部を有し、前記複数の第2端部の各々は、前記第1接点の前記複数の接点端部の各々と接触するように構成される。
本発明の一形態において、前記第2接点は、前記第1端部と前記第2端部とを接続する第2接点本体を有し、前記第1端部は、前記第2接点本体から折れ曲がる折り曲げ部を有し、且つ前記支持面の中央側に向かって延在し、前記基板を前記第1保持部材と前記第2保持部材とで保持したときに、前記折り曲げ部は、前記基板の被めっき面と略同一の高さに位置する。
本発明の一形態において、前記第2保持部材は、前記第2端部の前記第1接点との接触部以外の領域の少なくとも一部を取り囲む壁面部を有する。
第2接点の第2端部は、第1接点と弾性接触するとき、弾性力に対する第1接点からの反力により、第2端部が第1接点に対してずれる可能性がある。この一形態によれば、第2端部が第1接点に対してずれたとき、第2端部が壁面部に接触することになる。したがって、第2端部が第1接点に弾性接触したときの第2端部の第1接点に対するずれの変位量を、壁面部と第2端部との隙間の間隔内に抑えることができる。言い換えれば、第2端部が第1端部に対して大きくずれることを抑制することができる。
本発明の一形態において、前記第2接点の前記第1端部は、前記基板の周方向の95%以上にわたって前記基板と接触するように構成される。
この一形態によれば、基板のほぼ全周に亘って第2接点の第1端部が基板と接触するので、基板表面に流れる電流の均一性を向上させることができる。
本発明の一形態によれば、上記基板ホルダを使用して基板にめっき処理を行うめっき装置が提供される。
本実施形態に係る基板ホルダを使用してめっき処理を行うめっき装置の全体配置図である。 本実施形態に係る基板ホルダの分解斜視図である。 基板を保持した状態の基板ホルダの厚さ方向の切断面における部分拡大断面図である。 ベースガイド機構を示す拡大断面図である。 第2接点を示す図である。 第2接点を示す図である。 第2接点を示す図である。 基板ホルダの第1保持部材の部分平面図である。 支持ベースに固定された第1接点の部分拡大図である。 支持ベースから取り外した状態の第1接点の部分拡大図である。 第2接点の別の形態を示す側面図である。 第2接点の別の形態を示す側面図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。図1は、本実施形態に係る基板ホルダを使用してめっき処理を行うめっき装置の全体配置図である。図1に示すように、このめっき装置は、2台のカセットテーブル102と、基板のオリフラ(オリエンテーションフラット)やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ104と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンリンスドライヤ106とを有する。カセットテーブル102は、半導体ウェハ等の基板を収納したカセット100を搭載する。スピンリンスドライヤ106の近くには、基板ホルダ30を載置して基板の着脱を行う基板着脱部120が設けられている。これらのユニット100,104,106,120の中央には、これらのユニット間で基板を搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置122が配置されている。
基板着脱部120は、レール150に沿って横方向にスライド自在な平板状の載置プレート152を備えている。2個の基板ホルダ30は、この載置プレート152に水平状態で並列に載置され、一方の基板ホルダ30と基板搬送装置122との間で基板の受渡しが行われた後、載置プレート152が横方向にスライドされ、他方の基板ホルダ30と基板搬送装置122との間で基板の受渡しが行われる。
めっき装置は、さらに、ストッカ124と、プリウェット槽126と、プリソーク槽128と、第1洗浄槽130aと、ブロー槽132と、第2洗浄槽130bと、めっき槽110と、を有する。ストッカ124では、基板ホルダ30の保管及び一時仮置きが行われる。プリウェット槽126では、基板が純水に浸漬される。プリソーク槽128では、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面の酸化膜がエッチング除去される。第1洗浄槽130aでは、プリソーク後の基板が基板ホルダ30と共に洗浄液(純水等)で洗浄される。ブロー槽132では、洗浄後の基板の液切りが行われる。第2洗浄槽130bでは、めっき後の基板が基板ホルダ30と共に洗浄液で洗浄される。基板着脱部120、ストッカ124、プリウェット槽126、プリソーク槽128、第1洗浄槽130a、ブロー槽132、第2洗浄槽130b、及びめっき槽110は、この順に配置されている。
このめっき槽110は、例えば、オーバーフロー槽136の内部に複数のめっきセル114を収納して構成されている。各めっきセル114は、内部に1つの基板を収納し、内部に保持しためっき液中に基板を浸漬させて基板表面に銅めっき等のめっきを施すように構成される。
めっき装置は、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ30を基板とともに搬送する、例えばリニアモータ方式を採用した基板ホルダ搬送装置140を有する。この基板ホルダ搬送装置140は、第1トランスポータ142と、第2トランスポータ144を有している。第1トランスポータ142は、基板着脱部120、ストッカ124、プリウェット槽126、プリソーク槽128、第1洗浄槽130a、及びブロー槽132との間で基板を搬送するように構成される。第2トランスポータ144は、第1洗浄槽130a、第2洗浄槽130b、ブロー槽132、及びめっき槽110との間で基板を搬送するように構成される。めっき装置は、第2トランスポータ144を備えることなく、第1トランスポータ142のみを備えるようにしてもよい。
オーバーフロー槽136の両側には、各めっきセル114の内部に位置してめっきセル114内のめっき液を攪拌する掻き混ぜ棒としてのパドルを駆動する、パドル駆動部160及びパドル従動部162が配置されている。
このめっき装置による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、カセットテーブル102に搭載したカセット100から、基板搬送装置122で基板を1つ取出し、アライナ104に基板を搬送する。アライナ104は、オリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ104で方向を合わせた基板を基板搬送装置122で基板着脱部120まで搬送する。
基板着脱部120においては、ストッカ124内に収容されていた基板ホルダ30を基板ホルダ搬送装置140の第1トランスポータ142で2基同時に把持して、基板着脱部120まで搬送する。そして、2基の基板ホルダ30を基板着脱部120の載置プレート152の上に同時に水平に載置する。この状態で、それぞれの基板ホルダ30に基板搬送装置122が基板を搬送し、搬送した基板を基板ホルダ30で保持する。
次に、基板を保持した基板ホルダ30を基板ホルダ搬送装置140の第1トランスポータ142で2基同時に把持し、プリウェット槽126に収納する。次に、プリウェット槽126で処理された基板を保持した基板ホルダ30を、第1トランスポータ142でプリソーク槽128に搬送し、プリソーク槽128で基板上の酸化膜をエッチングする。続いて、この基板を保持した基板ホルダ30を、第1洗浄槽130aに搬送し、この第1洗浄槽130aに収納された純水で基板の表面を水洗する。
水洗が終了した基板を保持した基板ホルダ30は、第2トランスポータ144により、第1洗浄槽130aからめっき槽110に搬送され、めっき液を満たしためっきセル114に収納される。第2トランスポータ144は、上記の手順を順次繰り返し行って、基板を保持した基板ホルダ30を順次めっき槽110の各々のめっきセル114に収納する。
各々のめっきセル114では、めっきセル114内のアノード(図示せず)と基板Wfとの間にめっき電圧を印加し、同時にパドル駆動部160及びパドル従動部162によりパドルを基板の表面と平行に往復移動させることで、基板の表面にめっきを行う。
めっきが終了した後、めっき後の基板を保持した基板ホルダ30を第2トランスポータ144で2基同時に把持し、第2洗浄槽130bまで搬送し、第2洗浄槽130bに収容された純水に浸漬させて基板の表面を純水洗浄する。次に、基板ホルダ30を、第2トランスポータ144によってブロー槽132に搬送し、エアーの吹き付け等によって基板ホルダ30に付着した水滴を除去する。その後、基板ホルダ30を、第1トランスポータ142によって基板着脱部120に搬送する。
基板着脱部120では、基板搬送装置122によって基板ホルダ30から処理後の基板が取り出され、スピンリンスドライヤ106に搬送される。スピンリンスドライヤ106は、高速回転によってめっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させる。乾燥した基板は、基板搬送装置122によりカセット100に戻される。
次に、図1に示した基板ホルダ30の詳細について説明する。図2は、本実施形態に係る基板ホルダ30の分解斜視図である。図2に示すように基板ホルダ30は、例えば塩化ビニル製で矩形平板状の第1保持部材31と、この第1保持部材31に対して着脱自在に構成される第2保持部材32とを有している。この基板ホルダは、第1保持部材31と第2保持部材とでウェハ等の基板を挟み込むことで、基板を保持する。基板ホルダ30の第1保持部材31の略中央部には、基板を支持するための支持面33が設けられている。また、第1保持部材31の支持面33の外側には、支持面33の周囲に沿って、内方に突出する突出部を有する逆L字状のクランパ34が等間隔に複数設けられている。
基板ホルダ30の第1保持部材31の端部には、基板ホルダ30を搬送したり吊下げ支持したりする際の支持部となる一対のハンド35が連結されている。図1に示したストッカ124内において、ストッカ124の周壁上面にハンド35を引っ掛けることで、基板ホルダ30が垂直に吊下げ支持される。また、この吊下げ支持された基板ホルダ30のハンド35を第1トランスポータ142又は第2トランスポータ144で把持して基板ホルダ30が搬送される。
また、ハンド35の一つには、外部電源と電気的に接続される外部接点部38が設けられている。この外部接点部38は、複数の導線を介して支持面33の外周に設けられた複数の第1接点60(図3及び図8−10参照)と電気的に接続されている。
第2保持部材32は、リング状のシールホルダ36を備えている。第2保持部材32のシールホルダ36には、シールホルダ36を第1保持部材31に押し付けて固定するための押えリング37が回転自在に装着されている。押えリング37は、その外周部において外方に突出する複数の突条部37aを有している。突条部37aの上面とクランパ34の内方突出部の下面は、回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面を有する。
基板を保持するときは、まず、第2保持部材32を第1保持部材31から取り外した状態で、第1保持部材31の支持面33に基板を載置し、第2保持部材32を第1保持部材31に取り付ける。続いて、押えリング37を時計回りに回転させて、押えリング37の突条部37aをクランパ34の内方突出部の内部(下側)に滑り込ませる。これにより、押えリング37とクランパ34にそれぞれ設けられたテーパ面を介して、第1保持部材31と第2保持部材32とが互いに締付けられてロックされ、基板が保持される。基板の保持を解除するときは、第1保持部材31と第2保持部材32とがロックされた状態において、押えリング37を反時計回りに回転させる。これにより、押えリング37の突条部37aが逆L字状のクランパ34から外されて、基板の保持が解除される。
図3は、基板を保持した状態の基板ホルダ30の厚さ方向の切断面における部分拡大断面図である。図示のように、第2保持部材32のシールホルダ36の第1保持部材31と対向する面には、基板シール部材39と、ホルダシール部材40が設けられる。基板シール部材39は、基板ホルダ30で基板Wfを保持したとき、基板Wfの外周部に接触して基板Wf表面とシールホルダ36との間をシールするように構成される。ホルダシール部材40は、基板シール部材39よりも径方向外側に設けられ、第1保持部材31の支持ベース43と接触するように構成される。これにより、ホルダシール部材40は、シールホルダ36と支持ベース43との間をシールすることができる。基板シール部材39及びホルダシール部材40は、シールホルダ36と、シールホルダ36にボルト等の締結具を介
して取付けられる固定リング41との間に挟持されてシールホルダ36に取付けられている。
第2保持部材32のシールホルダ36の外周部には段部が設けられ、この段部に、押えリング37がスペーサ42を介して回転自在に装着されている。押えリング37は、酸に対して耐食性に優れ、十分な剛性を有する金属(例えばチタン)から構成される。スペーサ42は、押えリング37がスムーズに回転できるように、摩擦係数の低い材料、例えばPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)で構成されている。
第1保持部材31は、略平板状で、基板ホルダ30で基板Wfを保持したときにホルダシール部材40と接触する支持ベース43と、この支持ベース43から分離した略円板状の可動ベース44とを有する。可動ベース44は、図2に示した支持面33を有する。支持面33は、基板ホルダ30で基板Wfを保持したときに、基板Wfの外周部を支持する。支持ベース43は、可動ベース44と対向する面に、突起45と、円筒状の圧縮ばね46とを有する。図3では、1つの突起45及び1つの圧縮ばね46が示されるが、突起45及び圧縮ばね46は、支持面33の周方向に沿って複数配置される。圧縮ばね46は、突起45の周囲を囲繞するように配置され、可動ベース44を支持ベース43から離れる方向に付勢する。可動ベース44の支持ベース43に対向する面には、圧縮ばね46の一部が挿入される凹部42aが設けられる。
可動ベース44は、圧縮ばね46の付勢力に対抗して、支持ベース43に近接する方向に移動自在に支持ベース43に取付けられている。これにより、厚みの異なる基板Wfを基板ホルダ30で保持したときに、基板Wfの厚みに応じて、可動ベース44が圧縮ばね46の付勢力(ばね力)に対抗して支持ベース43に近接する方向に移動する。したがって、基板ホルダ30は、厚みの異なる基板Wfを保持した場合でも、基板シール部材39とホルダシール部材40が、それぞれ基板Wfと支持ベース43に適切に接触することができる。
具体的には、第2保持部材32を第1保持部材31にロックして基板Wfを基板ホルダ30で保持したとき、基板シール部材39が基板ホルダ30で保持した基板Wfの外周部に沿った位置に接触し、ホルダシール部材40が第1保持部材31の支持ベース43の表面に接触する。このとき、可動ベース44が基板Wfの厚みに対応して、支持ベース43に対して移動する。即ち、基板Wfが厚いほど、可動ベース44の支持ベース43に対する移動量が大きくなる。
したがって、この基板ホルダ30では、基板Wfが厚くなるほど、基板Wfの厚みの増加分にほぼ対応した量だけ圧縮ばね46の歪み(縮み)量が増加し、その分、可動ベース44の支持ベース43に対する移動量が大きくなる。このように、基板Wfの厚みに応じて可動ベース44の移動量が変化するので、基板シール部材39の圧縮寸法を一定範囲に保った状態で、厚みの異なる基板Wfを基板ホルダ30で保持することができる。
図4は、ベースガイド機構を示す拡大断面図である。基板ホルダ30は、可動ベース44が支持ベース43に対してスムーズに移動することができるように、ベースガイド機構90を有する。ベースガイド機構90は、支持ベース43に固定したボルト等から構成されるガイドシャフト92と、可動ベース44に固定した、フランジ94aを有する略円筒状のシャフト受け94とを有する。ガイドシャフト92はシャフト受け94の内部を挿通する。これにより、可動ベース44は、ガイドシャフト92の外周面に沿って支持ベース43に対して移動可能に構成される。ガイドシャフト92は、例えばステンレス製で、シャフト受け94は、例えば潤滑性のよい樹脂製である。可動ベース44が支持ベース43に対して横方向に動かないようにするため、ガイドシャフト92の外径とシャフト受け9
4の内径との差は、0.05mm〜0.16mmに設定され得る。
図示の例では、ガイドシャフト92を構成するボルトの頭部をストッパ92aとして使用し、圧縮ばね46のばね力によって、シャフト受け94のフランジ94aをストッパ92aに当接させる。これにより、可動ベース44が支持ベース43から脱離することを防止している。また、図示の例では、可動ベース44の表面に凹部44cを設け、この凹部44c内にガイドシャフト92のストッパ92aが露出するようにしている。これにより、ガイドシャフト92を構成するボルトを介して、可動ベース44の支持ベース43への取付け、取外しを容易に行うことができる。
説明を図3に戻す。図3に示すように、第1保持部材31の支持ベース43には、平板形状の第1接点60が設けられる。図3には1つの第1接点60が示されているが、第1接点60は、支持面33の周囲に沿うように、支持ベース43に複数配置される。第1接点60は、図2に示した外部接点部38と、後述する導線65(図9及び図10参照)により電気的に接続される。第1接点60は、その一端側がねじ等の任意の固定手段により支持ベース43に固定される。また、第1接点60の他端側が自由端になるように、支持ベース43に段部48が形成される。
第2保持部材32の固定リング41の内周面には、基板ホルダ30で基板Wfを保持したとき、支持面33に支持された基板Wfの外周部と接触して基板Wfに給電する複数の第2接点70が取付けられている。図3には一つの第2接点70が示されるが、複数の第2接点70が、固定リング41のほぼ全周に亘って取り付けられている。
図5から図7は、図3に示す第2接点70を示す図である。具体的には、図5は第2接点70の側面図であり、図6は第2接点70の前側斜視図であり、図7は第2接点の後側斜視図である。ここで、前側とは基板ホルダ30の支持面33側をいい、後側とはその逆側をいう。図5から図7に示すように、第2接点70は、基板Wfと接触する複数の第1端部71と、第1接点60と接触する複数の第2端部72と、第1端部71と第2端部とを接続する板状の第2接点本体73とを有する。第2接点70は、好ましくは、ステンレス鋼等のばね材から形成される。
第1端部71は、第2接点本体73に対して約90°の角度で折れ曲がる折り曲げ部71aを有し、前側(支持面33の中央側)に板ばね状に突出して構成される。この折り曲げ部71aは、図3に示すように、基板Wfを第1保持部材31と第2保持部材32とで保持したときに、基板Wfの被めっき面(図3では上面)と略同一の高さに位置する。第1端部71は、図3に示すように、基板ホルダ30で基板Wfを保持したときに、基板Wfの外周部に弾性接触するように構成される。具体的には、第1端部71は、基板ホルダ30で基板Wfを保持したときに、撓みながら基板Wfの外周部に接触する。これにより、第2接点70の第1端部71は、基板Wfの外周部に第1端部71の弾性に起因する力を加えることができ、基板Wfと確実に接触することができる。また、第1端部71は、基板Wfの周方向の95%以上にわたって基板Wfと接触する。
図3及び図5から図7に示すように、第2接点70の第2端部72は、基板ホルダ30の厚さ方向の切断面において略C形の断面を有する。具体的には、第2端部72は、第1端部71の折れ曲がる方向(前側)とは逆側に湾曲して、略C形の断面を形成している。これにより、第2接点70の第2端部72は、第1保持部材31と第2保持部材32とで基板Wfを保持したときに第1接点60に対して弾性接触するように構成される。より具体的には、第2接点70の第2端部72は、第1保持部材31と第2保持部材32とで基板Wfを保持したときに、第1接点60を第1保持部材31に向けて付勢するように、第1接点60と弾性接触する。これにより、第2接点70の第2端部72は、第1接点60
に第2端部72の弾性に起因する力を加えることができ、第1接点60と確実に接触することができる。これに加えて、第2接点70が第1接点60に対して弾性接触するように構成されるので、本実施形態のように、第1接点60を平板形状に形成することができる。したがって、第1接点60を、ステンレス鋼等のバネ材で形成する必要がなく、基板ホルダ30のコストを低減することができる。
なお、本実施形態では、第2端部72が図5から図7に示すように略C形の断面を有するように形成されているが、第1保持部材31と第2保持部材32とで基板Wfを保持したときに第2端部72が第1接点60に対して弾性接触することができれば、第2端部72の形状はこれには限られない。例えば、第2端部72が第1接点60に接触したときに撓むように、第2端部72が板バネ状、コイルバネ状、又は皿バネ状に形成されてもよい。
本実施形態では、図3に示すように、第2端部72の第1接点60と接触する部分が曲面状に形成される。このように、第2端部72は、第1保持部材31と第2保持部材32とで基板Wfを保持したときに第1接点60と曲面で接触することが好ましい。第2接点70の第2端部72は、第1接点60と弾性接触するとき、弾性力に対する第1接点60からの反力により、第2端部72と第1接点60との接触部がずれる可能性がある。本実施形態のように、第2接点70の第2端部72が第1接点60と曲面で接触すれば、第2端部72と第1接点60との接触部がずれた場合でも、第2端部72と第1接点60との間の摩擦を緩和することができる。ひいては、第1接点60の表面に導電性を向上させるための金めっき等が被覆されている場合には、第1接点60の表面の金めっき等が剥離することを抑制することができる。
また、図3に示すように、第2接点70の第2端部72は、その上側及び後側が、固定リング41及びシールホルダ36により取り囲まれている。言い換えれば、第2保持部材32の固定リング41及びシールホルダ36は、第2端部72の第1接点60との接触部以外の領域の少なくとも一部を取り囲む壁面部を構成する。上述したように、第2接点70の第2端部72は、第1接点60と弾性接触するとき、弾性力に対する第1接点60からの反力により、第2端部72が第1接点60に対してずれる可能性がある。本実施形態によれば、第2端部72が第1接点60に対してずれたとき、第2端部72が上記壁面部に接触することになる。したがって、第2端部72が第1接点60に弾性接触したときの第2端部72の第1接点60に対するずれの変位量を、壁面部と第2端部72との隙間の間隔内に抑えることができる。言い換えれば、第2端部72が第1端部71に対してずれることを抑制することができる。
図6及び図7に示すように、第2接点本体73は、図3に示した固定リング41にねじ等を用いて固定するための複数の孔74を有する。なお、図6及び図7に示すように、固定リング41に取り付ける前の第2接点70は長さ方向に湾曲していないが、固定リング41に取り付けたときは、第2接点70は固定リング41の内周面に沿うように、言い換えれば第2接点70の第1端部71が基板Wfの外周縁に沿うように、湾曲する。第2接点70は、固定リング41のほぼ全周に亘って取り付けられ、それにより第2接点の第1端部71が基板Wfの周方向の95%以上にわたって基板Wfと接触するように構成されている。これにより、基板Wfのほぼ全周にわたって第2接点70の第1端部71が基板Wfと接触するので、基板Wf表面に流れる電流の均一性を向上させることができる。なお、第2接点70は消耗品であるので、所定期間使用した後、又は不具合が生じた場合には、交換される。
次に、図3に示した第1接点60について詳細に説明する。図8は、基板ホルダ30の第1保持部材31の部分平面図である。図示のように、第1接点60は、支持面33の周
囲に沿うように、支持面33の全周にわたって支持ベース43に配置される。
図9は、支持ベース43に固定された第1接点60の部分拡大図である。また、図10は、支持ベース43から取り外した状態の第1接点60の部分拡大図である。図9及び図10に示すように、第1接点60は、複数の接点端部62と、これらの接点端部62を互いに結合する平面結合部63と、を有する。第1接点60の複数の接点端部62の各々は、図3及び図5から図7に示した第2接点70の複数の第2端部72の各々と接触する。第1接点60は、上述したように、全体として平板形状を有し、その表面に導電性を向上させるための金めっき等が被覆され得る。
また、支持ベース43には、図2に示した外部接点部38と第1接点60とを電気的に接続するための導線65が埋め込まれるように配置されている。導線65は、例えば表面に金めっきが施されている。図10に示すように、導線65は、支持ベース43の中央から外周側に向かって延び、第1接点60の下面において、平面結合部63の表面に沿うように設けられる。これにより、導線65の外周面が、第1接点60の平面結合部63と接触するので、その接触面積を十分に確保することができ、外部の電源から第1接点60に十分に電流を流すことができる。
図10に示すように、第1接点60の平面結合部63には、支持ベース43にねじ64を用いて固定するための複数の孔63aが形成されている。また、図10に示すように、支持ベース43には、平面結合部63を固定するための固定面47と、固定面47に対して高さの低い段部48が形成される。段部48は、複数の接点端部62の下方に位置する。これにより、第1接点60の複数の接点端部62は自由端部を構成する。したがって、第1接点60は平板形状であるが、第2接点70の第2端部72が第1接点60の接点端部62に接触したときに、第1接点60がしなる。したがって、第1接点60は、第2接点70に対して多少の弾性を有して接触することができ、第1接点60と第2接点70との接触をいっそう確実にすることができる。
以上で説明したように、本実施形態に係る基板ホルダ30によれば、第1保持部材31と第2保持部材32とで基板Wfを保持したときに、第2接点70が第1接点60に対して弾性接触するように構成されるので、第2接点70を第1接点60に確実に接触させることができる。これに加えて、第2接点70が第1接点60に対して弾性接触するように構成されるので、第1接点60を平板形状に形成することができ、第1接点60をステンレス鋼等のバネ材で形成する必要がなく、基板ホルダ30のコストを低減することができる。
図11及び図12は、第2接点70の別の形態を示す側面図である。図11に示す第2接点70は、図3及び図5から図7に示した第2接点70と、第2端部72及び第2接点本体73の形状は同一である。しかし、図11に示す第2接点70の第1端部71は、第2接点本体73に対して約60°の角度で折れ曲がる折り曲げ部71aを有する。
図12に示す第2接点70は、図3及び図5から図7に示した第2接点70と、第2端部72及び第2接点本体73の形状は同一である。しかし、図12に示す第2接点70の第1端部71は、第2接点本体73に対して約60°の角度で折れ曲がる折り曲げ部71aを有し、さらに、第1端部71の先端部が第2接点本体73に対して約90°の角度を有するようにさらに折れ曲がる折り曲げ部71bを有する。このように、第2接点70は、様々な形状をとり得る。
以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣
旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
30…基板ホルダ
31…第1保持部材
32…第2保持部材
33…支持面
38…外部接点部
60…第1接点
62…接点端部
63…平面結合部
65…導線
70…第2接点
71…第1端部
71a…折り曲げ部
71b…折り曲げ部
72…第2端部
73…第2接点本体
Wf…基板

Claims (12)

  1. 基板を支持する支持面を有する第1保持部材と、
    前記第1保持部材と共に前記基板を挟み込んで保持する第2保持部材と、を有し、
    前記第1保持部材は、前記支持面の周囲に沿って配置された第1接点を有し、
    前記第2保持部材は、前記支持面に配置された前記基板と接触するように構成された第2接点を有し、
    前記第1接点は、平板形状を有し、
    前記第2接点は、前記基板と接触する第1端部と、前記第1接点と接触する第2端部と、を有し、
    前記第2端部は、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記基板を保持したときに前記第1接点に対して弾性接触するように構成される、基板ホルダ。
  2. 請求項1に記載された基板ホルダにおいて、
    前記第1端部は、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記基板を保持したときに前記基板に対して弾性接触するように構成される、基板ホルダ。
  3. 請求項1又は2に記載された基板ホルダにおいて、
    前記第2端部は、前記第1保持部材と前記第2保持部材とで前記基板を保持したときに前記第1接点と曲面で接触するように構成される、基板ホルダ。
  4. 請求項1から3のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
    前記第2端部は、前記第1接点を前記第1保持部材に向けて付勢するように前記第1接点と弾性接触する、基板ホルダ。
  5. 請求項1から4のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
    前記第1接点は、複数の接点端部と、前記接点端部を互いに結合する平面結合部と、を有する、基板ホルダ。
  6. 請求項5に記載された基板ホルダにおいて、
    外部の電源と電気的に接続されるように構成される外部接点部と、
    前記外部接点部と前記第1接点とを電気的に接続する導線と、を有し、
    前記導線の外周面は、前記第1接点の前記平面結合部と接触する、基板ホルダ。
  7. 請求項5又は6に記載された基板ホルダにおいて、
    前記第1保持部材は、前記平面結合部を固定するための固定面を有し、
    前記第1接点の前記複数の接点端部は、自由端部を構成する、基板ホルダ。
  8. 請求項5から7のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
    前記第2接点は、複数の前記第2端部を有し、
    前記複数の第2端部の各々は、前記第1接点の前記複数の接点端部の各々と接触するように構成される、基板ホルダ。
  9. 請求項1から8のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
    前記第2接点は、前記第1端部と前記第2端部とを接続する第2接点本体を有し、
    前記第1端部は、前記第2接点本体から折れ曲がる折り曲げ部を有し、且つ前記支持面の中央側に向かって延在し、
    前記基板を前記第1保持部材と前記第2保持部材とで保持したときに、前記折り曲げ部は、前記基板の被めっき面と略同一の高さに位置する、基板ホルダ。
  10. 請求項1から9のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
    前記第2保持部材は、前記第2端部の前記第1接点との接触部以外の領域の少なくとも一部を取り囲む壁面部を有する、基板ホルダ。
  11. 請求項1から10のいずれか一項に記載された基板ホルダにおいて、
    前記第2接点の前記第1端部は、前記基板の周方向の95%以上にわたって前記基板と接触するように構成される、基板ホルダ。
  12. 請求項1から11に記載された基板ホルダを使用して基板にめっき処理を行う、めっき装置。
JP2016093993A 2016-05-09 2016-05-09 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置 Active JP6747859B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016093993A JP6747859B2 (ja) 2016-05-09 2016-05-09 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置
TW106113751A TWI719199B (zh) 2016-05-09 2017-04-25 基板固持器及使用該基板固持器之鍍覆裝置
SG10201703595XA SG10201703595XA (en) 2016-05-09 2017-05-03 Substrate holder and plating apparatus using the same
US15/589,888 US10738390B2 (en) 2016-05-09 2017-05-08 Substrate holder and plating apparatus using the same
SG10201705522TA SG10201705522TA (en) 2016-05-09 2017-07-05 Substrate holder and plating apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016093993A JP6747859B2 (ja) 2016-05-09 2016-05-09 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017203178A true JP2017203178A (ja) 2017-11-16
JP6747859B2 JP6747859B2 (ja) 2020-08-26

Family

ID=60242581

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016093993A Active JP6747859B2 (ja) 2016-05-09 2016-05-09 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10738390B2 (ja)
JP (1) JP6747859B2 (ja)
SG (2) SG10201703595XA (ja)
TW (1) TWI719199B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220057484A (ko) 2019-09-10 2022-05-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 홀더 및 그것을 구비한 기판 도금 장치, 그리고 전기 접점

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111560593A (zh) * 2020-06-23 2020-08-21 惠州市祺光科技有限公司 一种小尺寸光学镜片的镀膜用固定治具及其镀膜方法
EP4219800A1 (en) * 2022-01-31 2023-08-02 Semsysco GmbH Substrate holder for holding a substrate in a chemical and/or electrolytic surface treatment of the substrate

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001323397A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Shin Etsu Polymer Co Ltd 薄膜形成装置及びそのコンタクト治具の製造方法
US20020029963A1 (en) * 2000-01-31 2002-03-14 Junichiro Yoshioka Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer
JP2002363794A (ja) * 2001-06-01 2002-12-18 Ebara Corp 基板ホルダ及びめっき装置
JP2002363797A (ja) * 2001-06-01 2002-12-18 Ebara Corp 電気接点及びその製造方法、並びにめっき装置
JP2003518333A (ja) * 1999-12-22 2003-06-03 ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 基板保持体
JP2004052059A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Ebara Corp 基板ホルダ及びめっき装置
JP2005220414A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Ebara Corp メッキ装置
JP2008156758A (ja) * 2002-06-21 2008-07-10 Ebara Corp 基板ホルダ及びめっき装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101281858B (zh) 2002-06-21 2011-02-02 株式会社荏原制作所 基片保持装置和电镀设备
US20140251798A1 (en) * 2011-10-19 2014-09-11 Jcu Corporation Substrate electroplating jig
US8900425B2 (en) * 2011-11-29 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Contact ring for an electrochemical processor
JP2015071802A (ja) * 2013-10-02 2015-04-16 株式会社荏原製作所 めっき装置および該めっき装置に使用されるクリーニング装置
JP6508935B2 (ja) 2014-02-28 2019-05-08 株式会社荏原製作所 基板ホルダ、めっき装置及びめっき方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003518333A (ja) * 1999-12-22 2003-06-03 ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 基板保持体
US20020029963A1 (en) * 2000-01-31 2002-03-14 Junichiro Yoshioka Semiconductor wafer holder and electroplating system for plating a semiconductor wafer
JP2001323397A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Shin Etsu Polymer Co Ltd 薄膜形成装置及びそのコンタクト治具の製造方法
JP2002363794A (ja) * 2001-06-01 2002-12-18 Ebara Corp 基板ホルダ及びめっき装置
JP2002363797A (ja) * 2001-06-01 2002-12-18 Ebara Corp 電気接点及びその製造方法、並びにめっき装置
JP2008156758A (ja) * 2002-06-21 2008-07-10 Ebara Corp 基板ホルダ及びめっき装置
JP2004052059A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Ebara Corp 基板ホルダ及びめっき装置
JP2005220414A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Ebara Corp メッキ装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220057484A (ko) 2019-09-10 2022-05-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 홀더 및 그것을 구비한 기판 도금 장치, 그리고 전기 접점

Also Published As

Publication number Publication date
SG10201705522TA (en) 2017-12-28
US10738390B2 (en) 2020-08-11
JP6747859B2 (ja) 2020-08-26
US20170321343A1 (en) 2017-11-09
TWI719199B (zh) 2021-02-21
SG10201703595XA (en) 2017-12-28
TW201740477A (zh) 2017-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6713863B2 (ja) 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置
JP4669019B2 (ja) 基板ホルダ及び電解めっき装置
JP5643239B2 (ja) 基板ホルダ及びめっき装置
JP6596372B2 (ja) 基板ホルダ及びめっき装置
US10316425B2 (en) Substrate holder, plating apparatus, and plating method
JP2020002389A (ja) 基板ホルダ及びめっき装置
JP6747859B2 (ja) 基板ホルダ及びこれを用いためっき装置
TWI753991B (zh) 基板固持器、鍍覆裝置、鍍覆方法、及電氣接點
US11905611B2 (en) Maintenance member, substrate holding module, plating apparatus, and maintenance method
TWI705161B (zh) 基板固持器及使用該基板固持器之鍍覆裝置
JP4104465B2 (ja) 電解めっき装置
JP7146663B2 (ja) 基板ホルダ及びめっき装置
WO2021049145A1 (ja) 基板ホルダ及びそれを備えた基板めっき装置、並びに電気接点
CN113825860B (zh) 基板保持器及具备该基板保持器的基板镀覆装置、以及电接点
KR20210075862A (ko) 기판 홀더

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180926

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190820

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191015

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200323

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200730

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200806

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6747859

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250