JP2017197781A - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】成膜容器やワークにシール部材を設けて成膜を行う場合において、成膜不良を抑制する。
【解決手段】成膜装置は、第１窪み部と第１窪み部の周囲に配置された第１平面部とを有し第１窪み部の底部に排気口を備える第１の型と、第１の型に対向して配置された第２の型と、を有する成膜容器と、第１の型の第１平面部と第２の型との間に配置され成膜容器内の気密を保つシール部材と、排気口に接続された排気装置と、を備え、ワークは第１平面部から離間され、かつ、ワークの被成膜対象部分は成膜容器が閉じた状態において第１窪み部内の空間に向けられ、方法は（ａ）成膜装置によりワークの一部に成膜を行う工程と、（ｂ）工程（ａ）の後に、成膜容器を開く工程と、（ｃ）工程（ｂ）が開始される際に、排気装置により排気口を介して成膜容器内を排気する工程と、を備える。
【選択図】図４

Description

本発明は、成膜方法及び成膜装置に関する。

ワークに成膜を行う装置として、特許文献１には、上下に２分割される成膜容器によってワークを挟み込み、成膜容器にガスを充填させて成膜を行う装置が記載されている。

特開２００９−６２５７９号公報

成膜容器によってワークを挟み込む場合において、例えば成膜容器やワークにシール部材を設けて成膜容器内の気密を保つことが考えられる。しかし、成膜終了後、成膜容器が開く際には、成膜容器内の気体が成膜容器外に向けて流れることにより、成膜によって生じた成膜容器内の異物がシール部材に付着する場合があった。このような場合には、成膜容器が閉じた状態において成膜容器内の気密が保たれず、成膜不良が生じるおそれがあった。そのため、成膜容器やワークにシール部材を設けて成膜を行う場合において、成膜不良を抑制可能な技術が望まれていた。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

（１）本発明の一形態によれば、ワークの一部に成膜を行う成膜装置による成膜方法が提供される。この成膜方法では；前記成膜装置は；第１窪み部と前記第１窪み部の周囲に配置された第１平面部とを有し、前記第１窪み部の底部に排気口を備える第１の型と、前記第１の型に対向して配置された第２の型と、を有する成膜容器と；前記第１の型の前記第１平面部と前記第２の型との間に配置され前記成膜容器が閉じた状態において、前記成膜容器内の気密を保つシール部材と；前記排気口に接続され前記成膜容器内を排気可能な排気装置と；前記成膜容器を開閉する開閉装置と、を備え；前記ワークは前記第１平面部から離間され、かつ、前記ワークの被成膜対象部分は前記成膜容器が閉じた状態において前記第１窪み部内の空間に向けられ；（ａ）前記成膜装置により前記ワークの一部に成膜を行う工程と；（ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記開閉装置により前記第１の型を前記ワークに対して相対的に離間させる方向に移動させて、前記成膜容器を開く工程と；（ｃ）前記工程（ｂ）が開始される際に、前記排気装置により前記排気口を介して前記成膜容器内を排気する工程と、を備える。このような形態の成膜方法であれば、成膜容器が開く際に、第１窪み部の底部の排気口を介して成膜容器内が排気されるので、成膜容器が開く際には成膜容器の第１平面部側から排気口へ向かう気流が形成される。この気流によって、成膜容器内の異物が排気口から排出されるので、異物がシール部材へ付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器が閉じた状態において成膜容器内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。

（２）上記形態の成膜方法において、前記第１窪み部は、前記排気口と前記第１平面部との間の少なくとも一部に、前記被成膜対象部分側を向く傾斜面を有してもよい。このような形態の成膜方法であれば、第１窪み部内の体積は、傾斜面を有さない場合と比較して小さいため、第１平面部側から排気口へ向かう気流を強くすることができ、異物がシール部材へ付着することをより抑制することができる。そのため、成膜不良をより抑制することができる。

（３）上記形態の成膜方法において、前記第１の型は、前記ワークの下方に配置されてもよい。このような形態の成膜方法であれば、成膜容器の下方には異物が堆積しやすいものの、成膜容器が開く際にはワークの下方に配置される第１の型において、第１平面部側から排気口へ向かう気流が発生する。そのため、異物が堆積しやすい下方に配置された型において、異物が排気口から排気されるので、成膜容器内の異物を一層排出することができ、異物がシール部材へ付着することを一層抑制することができる。そのため、成膜不良を一層抑制することができる。

（４）上記形態の成膜方法において、前記成膜装置は、前記成膜容器外に前記第１の型側から前記第２の型側又は前記第２の型側から前記第１の型側へ向かう気流を形成する気流形成部を備え：（ｄ）前記工程（ｂ）が開始される際に、前記気流形成部によって前記気流を形成する工程を備えていてもよい。このような形態の成膜方法であれば、成膜容器が開く際には、成膜容器外には、第１の型側から第２の型側又は第２の型側から第１の型側へ向かう気流が形成されるので、成膜容器外の異物が成膜容器内へ侵入することが抑制される。そのため、異物がシール部材へ付着することを効果的に抑制することができ、成膜不良を効果的に抑制することができる。

（５）本発明の他の形態によれば、ワークの一部に成膜を行う成膜装置が提供される。この成膜装置は；第１窪み部と前記第１窪み部の周囲に配置された第１平面部とを有し、前記第１窪み部の底部に排気口を備える第１の型と、前記第１の型に対向して配置された第２の型と、を有する成膜容器と；前記第１の型の前記第１平面部と前記第２の型との間に配置され前記成膜容器が閉じた状態において、前記成膜容器内の気密を保つシール部材と；前記排気口を介して前記成膜容器内を排気可能な排気装置と；前記成膜容器を開閉する開閉装置と；制御部と、を備え；前記ワークは前記第１平面部から離間され、かつ、前記ワークの被成膜対象部分は前記成膜容器が閉じた状態において前記第１窪み部内の空間に向けられており；前記制御部は；前記ワークの一部に成膜が行われた後に、前記開閉装置を制御して前記第１の型を前記ワークに対して相対的に離間させる方向に移動させて前記成膜容器を開き；前記成膜容器を開く際に、前記排気装置を制御して前記排気口を介して前記成膜容器内を排気する。このような形態の成膜装置であれば、第１窪み部の底部の排気口を介して排気装置により成膜容器内が排気されるので、第１平面部側から排気口へ向かう気流が形成される。この気流によって、成膜容器内の異物が排気口から排出されるので、異物がシール部材へ付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器が閉じた状態において成膜容器内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。

（６）上記形態の成膜装置において、前記第１窪み部は、前記排気口と前記第１平面部との間の少なくとも一部に、前記被成膜対象部分側を向く傾斜面を有していてもよい。このような形態の成膜装置であれば、第１窪み部内の体積は、傾斜面を有さない場合と比較して小さいため、第１平面部側から排気口へ向かう気流を強くすることができ、異物がシール部材へ付着することをより抑制することができる。そのため、成膜不良をより抑制することができる。

（７）上記形態の成膜装置において、前記第１の型は、前記ワークの下方に配置されていてもよい。このような形態の成膜装置であれば、成膜容器の下方には異物が堆積しやすいものの、成膜容器が開く際にはワークの下方に配置される第１の型において、第１平面部側から排気口へ向かう気流が発生する。そのため、異物が堆積しやすい下方に配置された型において、異物が排気口から排気されるので、成膜容器内の異物を一層排出することができ、異物がシール部材へ付着することを一層抑制することができる。そのため、成膜不良を一層抑制することができる。

（８）上記形態の成膜装置において、前記成膜容器外に前記第１の型側から前記第２の型側又は前記第２の型側から前記第１の型側へ向かう気流を形成する気流形成部を備え；前記制御部は、前記ワークの一部に成膜が行われた後、前記成膜容器を開く際に、前記気流形成部を制御して前記成膜容器外に前記気流を形成してもよい。このような形態の成膜装置であれば、成膜容器が開く際には、成膜容器外には、第１の型側から第２の型側又は第２の型側から第１の型側へ向かう気流が形成されるので、成膜容器外の異物が成膜容器内へ侵入することが抑制される。そのため、異物がシール部材へ付着することを効果的に抑制することができ、成膜不良を効果的に抑制することができる。

本発明は、上述した成膜方法及び成膜装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、成膜装置の制御方法及び制御装置、それらの方法又は装置の機能を実現するためのコンピュータプログラム、そのコンピュータプログラムを記録した記録媒体等の形態で実現することができる。

本発明の第１実施形態における成膜装置の構成を示す概略断面図。 成膜装置の分解斜視図。 成膜装置の構成を部分的に示す部分概略断面図。 成膜装置による成膜方法について示す工程図。 ステップＳ６５の様子を示す図。 第１実施形態の変形例３における成膜装置を示す図。 第１実施形態の変形例４における成膜装置を示す図。 第２実施形態における成膜装置の構成を示す概略断面図。 第２実施形態におけるステップＳ６５の様子を示す図。 第３実施形態における成膜装置を示す概略断面図。 成膜装置による成膜方法について示す工程図。 ステップＳ６７の様子を示す図。 第４実施形態における成膜装置の構成を部分的に示す部分概略断面図。

Ａ．第１実施形態：
Ａ１．成膜装置の構成：
図１は、本発明の第１実施形態における成膜装置２００の構成を示す概略断面図である。図２は、成膜装置２００の分解斜視図である。図１及び図２には、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。Ｙ軸方向は鉛直方向を示し、Ｘ軸方向は水平方向を示し、Ｚ軸方向はＹ軸及びＸ軸に垂直な方向を示す。＋Ｙ方向は上方であり、−Ｙ方向は下方である。このことは、以降の図においても同様である。

成膜装置２００は、ワークＷの一部の被成膜対象部分１０Ａに成膜を行う装置である。本実施形態では、成膜装置２００は、いわゆるプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、被成膜対象部分１０Ａに薄膜を形成する。本実施形態では、ワークＷは、被成膜対象物１０と、マスキング部材２０と、絶縁部材３０と、パレット１３０と、を含む。本実施形態では、被成膜対象物１０は、燃料電池のセパレータの基材として用いられる板状の金属板である。成膜装置２００は、被成膜対象物１０の被成膜対象部分１０Ａに、例えば導電性の炭素系の薄膜を形成する。

成膜装置２００は、成膜容器１００と、開閉装置５０と、シール部材６０と、排気装置９０と、制御部９５と、を備える。成膜装置２００は、さらに、搬送装置５５と、電力印加部７０と、ガス供給装置８０と、を備える。なお、図２では、開閉装置５０と、搬送装置５５と、電力印加部７０及びその電力導入部７１と、ガス供給装置８０及びその供給口８１と、排気装置９０及び排気口９１、９２と、制御部９５と、は図示を省略している。

成膜容器１００は、分割可能な金属製の容器である。成膜容器１００は、第１の型１１０と、第１の型１１０に対向して配置された第２の型１２０と、を備える。第１の型１１０は、第１窪み部１１４と第１窪み部１１４の周囲に配置された第１平面部１１１とを備える。第１窪み部１１４はワークＷから離間する方向に窪んでおり、本実施形態ではワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａから見て上方に窪んでいる。また、第１窪み部１１４は、側部１１２と底部１１３とを備える。本実施形態では、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所は、被成膜対象部分１０Ａの端部と、同一のＹＺ平面状に位置している。第１の型１１０の底部１１３には、排気口９１が備えられている。第２の型１２０は、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａから見て下方に窪んだ第２窪み部１２４と、第２窪み部１２４の周囲に配置された第２平面部１２１と、を備える。第２窪み部１２４は、側部１２２と底部１２３とを備える。第２平面部１２１は、第１の型１１０の第１平面部１１１に対応する部分に配置されている。本実施形態では、第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所は、被成膜対象部分１０Ａの端部と、同一のＹＺ平面状に位置している。第２の型１２０の底部１２３には、排気口９２が備えられている。本実施形態において、第１平面部１１１及び第２平面部１２１は、ＸＺ平面と平行である。第１の型１１０及び第２の型１２０は、排気口９１、９２に加え、成膜容器１００内にガス供給装置８０からガスを供給するための供給口８１を備える。供給口８１及び排気口９１、９２には、開閉可能な弁が設けられている。また、第２の型１２０は、ワークＷに電圧を印加するための電力導入部７１を備える。第２の型１２０と電力導入部７１との間は、絶縁部材３５によって電気的に絶縁されている。本実施形態において、成膜容器１００は、アース電位を有している。成膜容器１００内において、ワークＷは、第１平面部１１１から離間され、かつ、ワークＷの被成膜対象部分１０Ａは成膜容器１００が閉じた状態において第１窪み部１１４内の空間に向けられている。

マスキング部材２０は、被成膜対象物１０の非被成膜対象部分１０Ｂを覆う部材である。言い換えると、マスキング部材２０は、被成膜対象部分１０Ａにおいて開口する部材である。本実施形態では、マスキング部材２０は、上側マスキング部材２１と下側マスキング部材２２とを有する。上側マスキング部材２１は、被成膜対象物１０の上面側に配置されている。下側マスキング部材２２は、被成膜対象物１０の下面側に配置されている。本実施形態において、下側マスキング部材２２は、被成膜対象物１０を支持する。マスキング部材２０は、導電性の部材で形成されている。被成膜対象物１０とマスキング部材２０とは、接触することにより電気的に接続されている。

絶縁部材３０は、第１平面部１１１と第２平面部１２１との間に配置されている。絶縁部材３０は、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａを第１窪み部１１４内の空間に向けるとともに、被成膜対象物１０及びマスキング部材２０を第１平面部１１１から離間させた状態で、マスキング部材２０に接触する。また、本実施形態では、絶縁部材３０は、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａを第２窪み部１２４内の空間に向けるとともに、被成膜対象物１０及びマスキング部材２０を第２平面部１２１から離間させた状態で、マスキング部材２０に接触する。本実施形態では、絶縁部材３０は、下側マスキング部材２２に接触して下側マスキング部材２２を支持する。絶縁部材３０は、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等のセラミックスで形成されている。

パレット１３０は、金属製の板状部材である。本実施形態では、パレット１３０は、被成膜対象物１０とマスキング部材２０と絶縁部材３０とを成膜容器１００内に搬送する部材でもある。パレット１３０には、絶縁部材３０、下側マスキング部材２２、被成膜対象物１０及び上側マスキング部材２１が、この順に上方に積載される。本実施形態において、パレット１３０は、アース電位を有している。

シール部材６０は、第１の型１１０の第１平面部１１１と第２の型１２０との間に配置されている。シール部材６０は、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つための部材である。本実施形態では、シール部材６０は、ゴム製の環状部材である。本実施形態では、シール部材６０は、オーリングを用いている。本実施形態では、シール部材６０は、第１シール部材６１と第２シール部材６２とを備えている。第１シール部材６１は、第１平面部１１１とワークＷとの間に配置され、ワークＷを第１平面部１１１から離間させた状態で第１平面部１１１及びワークＷに接触する。本実施形態では、第１シール部材６１は第１の型１１０の第１平面部１１１に設けられた溝部に嵌め込まれており、成膜容器１００が閉じた状態においてパレット１３０の上面に接触する。第２シール部材６２は、第２平面部１２１とワークＷとの間に配置され、ワークＷを第２平面部１２１から離間させた状態で第２平面部１２１及びワークＷに接触する。本実施形態では、第２シール部材６２は、パレット１３０の下面に設けられた溝部に嵌め込まれており、成膜容器１００が閉じた状態において、第２平面部１２１に接触する。

開閉装置５０は、成膜容器１００を開閉するための装置である。開閉装置５０は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させて成膜容器１００を開く。本実施形態では、開閉装置５０は、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に上方に移動させて成膜容器１００を開き、第１の型１１０をワークＷに対して相対的に下方に移動させて成膜容器１００を閉じる。

搬送装置５５は、ワークＷを１００内へ搬送し、ワークＷを成膜容器１００外へ搬送するための装置である。本実施形態では、搬送装置５５は、パレット１３０の端部１３０ｔに接触して、成膜容器１００が開いた状態において、パレット１３０及びパレット１３０に積載された絶縁部材３０、マスキング部材２０、被成膜対象物１０を成膜容器１００内に搬送する。また、搬送装置５５は、搬送したワークＷを下方に移動させることによってワークＷを第２シール部材６２を介して第２の型１２０上に設置する。また、本実施形態では、搬送装置５５は、パレット１３０の端部１３０ｔに接触して、パレット１３０を第２の型１２０に対して相対的に上方に移動させることも可能である。また、搬送装置５５は、上方に移動させたワークＷをＸＺ平面に沿って移動させて成膜容器１００外へ搬送することも可能である。なお、開閉装置５０がパレット１３０に接続可能であることとし、パレット１３０を第２の型１２０に対して相対的に上方に移動させる動作を、開閉装置５０が行ってもよい。

電力印加部７０は、プラズマを発生させるための装置である。電力印加部７０は、ワークＷのうちのマスキング部材２０及び被成膜対象物１０に電力を印加する。電力印加部７０は、成膜容器１００内に供給された原料ガスをプラズマ化するための電場を生成する。本実施形態では、電力導入部７１、被成膜対象物１０及びマスキング部材２０は陰極であり、第１の型１１０、第２の型１２０及びパレット１３０は陽極である。本実施形態では、電力印加部７０は、下側マスキング部材２２を通じて被成膜対象物１０にバイアス電圧を印加する。電力印加部７０は、例えば、電力導入部７１に−３０００Ｖの電圧を印加することができる。なお、本実施形態では、成膜容器１００及びパレット１３０はアース（０Ｖ）に接続されている。

ガス供給装置８０は、供給口８１を介して、成膜容器１００内にガスを供給する。ガス供給装置８０は、異なる種類のガスを貯留するタンクと接続されている。ガス供給装置８０は、各タンクと供給口８１との間に設けられた切替弁が操作されることにより、供給口８１に供給されるガスの種類を切り替えて、成膜容器１００内に異なる種類のガスを供給することが可能である。ガス供給装置８０は、キャリアガス及び原料ガスを供給する。本実施形態では、ガス供給装置８０は、キャリアガスとして例えば窒素（Ｎ_２）ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスを供給し、原料ガスとして例えばピリジン（Ｃ_５Ｈ_５Ｎ）ガスを供給する。また、ガス供給装置８０は、成膜容器１００内の圧力を、開閉装置５０が成膜容器１００を開くことが可能な程度の圧力に戻すために、成膜装置２００による成膜後に成膜容器１００内に例えば窒素ガスを供給する。

排気装置９０は、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気可能な装置である。排気装置９０は、例えば、ロータリポンプや拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ等により構成される。排気装置９０は、成膜が行われる前に、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気する。また、排気装置９０は、成膜容器１００が開く際に、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気する。なお、「成膜容器１００が開く際」とは、「成膜容器１００内の気密が解除される際」との意味である。すなわち、排気装置９０は少なくとも成膜容器１００内の気密が解除された時に、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気する。なお、排気装置９０は、成膜容器１００が開かれる直前から成膜容器１００が開かれた時にかけて、排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気してもよい。なお、排気装置９０は、成膜が行われる前に１００内を排気するための装置と、成膜容器１００が開く際に成膜容器１００内を排気する装置と、を分けて備えていてもよい。成膜容器１００が開く際に成膜容器１００内を排気する排気装置９０は、例えば集塵装置であってもよい。

制御部９５は、成膜装置２００全体の動作を制御する。制御部９５は、ＣＰＵとメモリーとを含む。ＣＰＵは、メモリーに格納されたプログラムを実行することによって、成膜装置２００の制御を行う。このプログラムは、各種記録媒体に記録されていてもよい。制御部９５は、ワークＷの一部に成膜が行われた後に、開閉装置５０を制御して第１の型１１０をワークＷに対して相対的に離間させる方向に移動させて成膜容器１００を開く。また、制御部９５は、成膜容器１００を開く際に、排気装置９０を制御して排気口９１、９２を介して成膜容器１００内を排気する。また、制御部９５は、搬送装置５５を制御してワークＷを搬送する。また、制御部９５は、ガス供給装置８０を制御して成膜容器１００内にガスを供給し、電力印加部７０を制御してワークＷに電力を印加する。

図３は、成膜装置２００の構成を部分的に示す部分概略断面図である。図３には、図１に破線で示したＸ部分が示されている。図３には、マスキング部材２０と絶縁部材３０との接触点Ｐ１及び接触点Ｐ２が示されている。接触点Ｐ１は、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０とが接触する箇所のうち、第１平面部１１１に対向する箇所である。接触点Ｐ２は、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０とが接触する箇所のうち、第２平面部１２１に対向する箇所である。図３にはさらに、接触点Ｐ１と第１平面部１１１との距離Ａ１と、被成膜対象物１０と第１窪み部１１４の底部１１３との距離Ｂ１と、が示されている。距離Ｂ１は、第１窪み部１１４と対向するワークＷのうちの陰極と、第１窪み部１１４の底部１１３との距離である。なお、以降の説明において、ワークＷのうちの陰極とは、マスキング部材２０と被成膜対象物１０を指す。また、図３には、接触点Ｐ２と第２平面部１２１との距離Ａ２と、被成膜対象物１０と第２窪み部１２４の底部１２３との距離Ｂ２と、が示されている。距離Ｂ２は、第２窪み部１２４と対向するワークＷのうちの陰極と、第２窪み部１２４の底部１２３との距離である。成膜装置２００において、距離Ａ１は距離Ｂ１よりも小さい。言い換えると、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１とで形成される空間は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４とで形成される空間よりも小さい。また、本実施形態では、距離Ａ２は、距離Ｂ２よりも小さい。言い換えると、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１とで形成される空間は、ワークＷのうちの陰極と第２窪み部１２４とで形成される空間よりも小さい。

本実施形態では、距離Ａ１及び距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０、マスキング部材２０）と陽極である成膜容器１００との間に電力を印加した場合に、ワークＷのうちの陰極と成膜容器１００（第１平面部１１１、第２平面部１２１）との間に形成されるシースの距離よりも短い。本実施形態では、距離Ａ１及び距離Ａ２は、２．０ｍｍ以下である。なお、成膜容器１００と被成膜対象物１０及びマスキング部材２０との絶縁性を十分に保つ観点から、距離Ａ１及び距離Ａ２は、０．５ｍｍ以上であることが好ましい。

図３には、更に、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所Ｑ１及び第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所Ｑ２から接触点Ｐ１、Ｐ２までのＸ軸に沿った最短距離Ｃが示されている。距離Ｃは、第１窪み部１１４の側部１１２及び第２窪み部１２４の側部１２２から、接触点Ｐ１、Ｐ２までのＸ軸に沿った最短距離でもある。本実施形態では、距離Ｃは、０（ゼロ）よりも大きい。本実施形態では、距離Ｃは、１０ｍｍ以上である。

Ａ２．成膜方法：
図４は、成膜装置２００による成膜方法について示す工程図である。成膜装置２００による成膜では、まず、ワークＷが成膜容器１００内に搬送される（ステップＳ１０）。本実施形態では、パレット１３０上に、絶縁部材３０、下側マスキング部材２２、被成膜対象物１０が積載され、さらに、被成膜対象物１０の上に上側マスキング部材２１が積載される。こうすることによって、被成膜対象物１０の非被成膜対象部分１０Ｂが、マスキング部材２０によって覆われる。その後、成膜容器１００の第１の型１１０が開閉装置５０によって上方に移動され、絶縁部材３０、マスキング部材２０及び被成膜対象物１０が積載されたパレット１３０が、搬送装置５５によって成膜容器１００内に搬送される。搬送されたパレット１３０は、下方に移動されて、第２シール部材６２を介して第２の型１２０上に配置される。

次に、成膜容器１００が閉じられる（ステップＳ２０）。本実施形態では、成膜容器１００内にパレット１３０が搬送された後、開閉装置５０によって第１の型１１０が下方に移動される。成膜容器１００が閉じられると、被成膜対象部分１０Ａは成膜容器１００の第１窪み部１１４及び第２窪み部１２４内の空間に向けられた状態になる。ワークＷのうちの陰極は、第１平面部１１１及び第２平面部１２１から離間された状態になる。また、ワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０）と絶縁部材３０との接触点Ｐ１と、第１平面部１１１と、の距離Ａ１は、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０）と第１窪み部１１４との距離Ｂ１よりも小さくなる。ワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０）と絶縁部材３０との接触点Ｐ２と、第２平面部１２１と、の距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０）と第２窪み部１２４との距離Ｂ２よりも小さくなる。

次に、成膜容器１００内が排気される（ステップＳ３０）。本実施形態では、成膜装置２００は、例えば、窒素ガス雰囲気に設置されている。ステップＳ３０では、排気装置９０によって排気口９１、９２を介して成膜容器１００内の窒素ガスが排気されると、成膜容器１００内は、真空化される。

成膜容器１００内が排気されると、成膜容器１００内に原料ガスが供給される（ステップＳ４０）。ステップＳ４０では、ガス供給装置８０によって供給口８１を介して成膜容器１００内にキャリアガス及び原料ガスが供給される。成膜容器１００内には、キャリアガスとして、例えば、水素ガス及びアルゴンガスが供給される。また、原料ガスとして、窒素ガス及びピリジンガスが供給される。ステップＳ４０では、成膜容器１００内の圧力値は、例えば、１１Ｐａである。なお、例えば成膜速度を高めるために、原料ガスが供給される前に、電力印加部７０によりワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０、マスキング部材２０）と成膜容器１００との間に電力を印加して、ワークＷの温度を昇温させてもよい。

次に、ワークＷのうちの陰極（被成膜対象物１０、マスキング部材２０）と成膜容器１００との間に電力が印加される（ステップＳ５０）。電力印加部７０によってワークＷのうちの陰極と成膜容器１００との間に電力が印加されると、第１窪み部１１４内及び第２窪み部１２４内にプラズマが発生し、被成膜対象物１０の被成膜対象部分１０Ａに薄膜が形成される。ステップＳ５０では、電力印加部７０によって、ワークＷのうちの陰極に例えば−３０００Ｖの電力が印加される。ステップＳ５０が終了すると、原料ガスの供給と電力の印加とが停止されて成膜が終了する。ステップＳ４０及びステップＳ５０を「工程（ａ）」とも呼ぶ。

成膜が終了すると、成膜容器１００内の圧力が調整される（ステップＳ５５）。本工程では、成膜容器１００内の圧力が成膜容器１００外の圧力よりも低く調整される。本実施形態では、成膜容器１００内の圧力を、開閉装置５０によって成膜容器１００を開くことが可能な程度の圧力に戻すために、ガス供給装置８０によって成膜容器１００内に窒素ガスが供給される。窒素ガスの供給量は、成膜容器１００内の圧力が成膜容器１００外の圧力よりも低くなるように調整される。

次に、成膜容器が開かれる（ステップＳ６０）。本実施形態では、制御部９５が開閉装置を制御して第１の型をワークＷに対して相対的に上方に移動させることによって、成膜容器１００が開かれる。成膜容器１００が開くと、成膜容器１００内の気密が解除される。ステップＳ６０を「工程（ｂ）」とも呼ぶ。

ステップＳ６０が開始される際には、制御部９５が排気装置９０を制御することにより排気口９１、９２を介して成膜容器１００内が排気される（ステップＳ６５）。ステップＳ６５を「工程（ｃ）」とも呼ぶ。

図５は、ステップＳ６５の様子を示す図である。図５及び以降の図では、開閉装置５０、搬送装置５５、電力印加部７０、ガス供給装置８０、排気装置９０及び制御部９５は図示を省略している。図５において、成膜容器１００内には、成膜容器１００内に形成された気流の向きを示す矢印が示されている。成膜容器１００が開く際には、排気装置９０により排気口９１、９２を介して成膜容器１００内が排気されるため（図４、ステップＳ６５）、成膜容器１００内には、第１平面部１１１側から排気口９１へ向かう気流が形成される。また、パレット１３０上には、絶縁部材３０、マスキング部材２０及び被成膜対象物１０が積載されており各部材の間は気密が保たれていないため、第２平面部１２１側から排気口９２へ向かう気流が形成される。そのため、成膜によって生じた異物は、第１の型１１０の第１平面部１１１から排気口９１へ向かい、排気口９１を介して成膜容器１００内から排出される。あるいは、第２の型１２０の第２平面部１２１から排気口９２へ向かい、排気口９２を介して成膜容器１００内から排出される。なお、本実施形態では、ステップＳ５５が行われることにより、成膜容器１００が開く前には、成膜容器１００内の圧力は成膜容器１００外の圧力よりも低くなっているため、成膜容器１００が開く際には、上記気流に加え、成膜容器１００外から成膜容器１００内に向かう気流が形成される。

ステップＳ６５が行われた後には、ワークＷを第２の型１２０に対して相対的に離間させる方向に移動させる。本実施形態では、搬送装置５５が、パレット１３０の端部１３０ｔに接触してパレット１３０（ワークＷ）を第２の型１２０の上方に移動させる。ワークＷは、搬送装置５５によってＸＺ平面に沿って移動されて、成膜容器１００外へ搬送される。以上のようにして成膜装置２００による一連の成膜方法が終了する。

Ａ３．効果：
Ａ３−１．効果１：
一般的に、２分割される成膜容器によってワークを挟み込み、成膜容器やワークにシール部材を設けて成膜容器内の気密を保ち成膜を行う場合には、成膜終了後、成膜容器が開く際に、成膜容器内の圧力と成膜容器外の圧力とが平衡になるために、成膜容器内の異物が成膜容器外へ移動しやすく、シール部材に付着しやすい。なお、異物とは、例えば、成膜の際に被成膜対象物の他に、成膜容器の内壁に堆積した膜である。また、成膜時の成膜容器の開閉動作や、ワークが成膜容器内に搬送される動作や、ワークが成膜容器外へ搬送される動作により、成膜容器内に堆積した膜が剥がれ落ちることによって生じた異物である。また、これらの動作によって、成膜容器外から成膜容器内に持ち込まれた異物である。これらの異物がシール部材に付着すると、成膜容器が閉じた状態において成膜容器内の気密が保たれず、成膜不良が生じるおそれがある。しかし、第１実施形態の成膜装置２００及び成膜方法によれば、成膜容器１００が開く際に、第１窪み部１１４の底部１１３の排気口９１を介して成膜容器１００内が排気されるので、成膜容器１００が開く際には成膜容器１００の第１平面部１１１側から排気口９１へ向かう気流が形成される。この気流によって、成膜容器１００内の異物が排気口９１から排出されるので、異物がシール部材６０へ付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。

また、第１実施形態の成膜装置２００及び成膜方法によれば、第２窪み部１２４の底部１２３の排気口９２を介して排気装置９０により成膜容器１００内が排気されるので、成膜容器１００が開く際には成膜容器１００の第２平面部１２１側から排気口９２へ向かう気流が形成される。この気流によって、成膜容器１００内の異物が排気口９２から排気されるので、異物がシール部材６０へ付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。

また、成膜容器１００の下方には異物が堆積しやすいものの、第１実施形態の成膜装置２００及び成膜方法によれば、成膜容器１００が開く際にはワークＷの下方に配置される第２の型１２０において、第２平面部１２１側から排気口９２へ向かう気流が発生する。そのため、異物が堆積しやすい下方に配置された型において異物が排気口９２から排気されるので、成膜装置２００内の異物をより排出することができ、異物がシール部材６０へ付着することをより抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密をより保つことができるので、成膜不良をより抑制することができる。

また、本実施形態では、成膜容器１００が開く際には、成膜容器１００内の圧力が成膜容器１００外の圧力よりも低くなるように調整されるので、成膜容器１００が開く際には、成膜容器１００外から成膜容器１００内へ向かう気流が形成される。そのため、成膜容器１００内の異物がシール部材６０へ付着することを一層抑制することができる。

Ａ３−２．効果２：
第１実施形態の成膜装置２００によれば、成膜容器１００が閉じた状態において、ワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０、被成膜対象物１０）と接触する絶縁部材３０は第１平面部１１１と第２平面部１２１との間に配置され、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１と、第１平面部１１１と、の距離Ａ１は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４の底部１１３との距離Ｂ１よりも小さい。そのため、プラズマＣＶＤ法により成膜又はエッチングを行う場合には、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１とで形成される空間に第１窪み部１１４や第２窪み部１２４からプラズマが侵入することが抑制される。そのため、接触点Ｐ１におけるプラズマの量が低減されるので、異常放電の発生を抑制することができる。

同様に、第２平面部１２１と対向するワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ２と、第２平面部１２１と、の距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極と第２窪み部１２４の底部１２３との距離Ｂ２よりも小さいため、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１とで形成される空間に第２窪み部１２４や第１窪み部１１４からプラズマが侵入することが抑制される。そのため、接触点Ｐ２におけるプラズマの量が低減されるので、異常放電の発生を抑制することができる。

また、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所Ｑ１及び第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所Ｑ２から、絶縁部材３０までのＸ軸に沿った距離Ｃは０（ゼロ）よりも大きいため、第１窪み部１１４及び第２窪み部１２４で形成されるプラズマが発生する空間と、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１、Ｐ２とが離れている。そのため、接触点Ｐ１、Ｐ２におけるプラズマの量がより低減されるので、異常放電の発生をより抑制することができる。

また、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１と、第１平面部１１１と、の距離Ａ１は、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１との間に形成されるシースの距離よりも短いため、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。また、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ２と、第２平面部１２１と、の距離Ａ２は、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１との間に形成されるシースの距離よりも短いため、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。そのため、接触点Ｐ１、Ｐ２におけるプラズマの量が効果的に低減されるので、異常放電の発生を効果的に抑制することができる。

また、距離Ａ１及び距離Ａ２は２．０ｍｍ以下であるため、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１とで形成される空間及びワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１とで形成される空間に、第１窪み部１１４及び第２窪み部１２４からプラズマが侵入することが一層抑制される。また、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。また、ワークＷのうちの陰極と第２平面部１２１との間にプラズマを発生させないようにすることができる。そのため、接触点Ｐ１、Ｐ２におけるプラズマの量がより低減されるので、異常放電の発生をより抑制することができる。

また、成膜装置２００において、ワークＷの被成膜対象部分１０Ａは第１窪み部１１４内の空間及び第２窪み部１２４内の空間に向けられており、絶縁部材３０とワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０）の端部とは、第１平面部１１１と第２平面部１２１との間に位置している。そのため、ワークＷ全体をプラズマが発生する空間内に収容する場合と比較して、成膜装置２００を小型化することができる。また、成膜装置２００では、成膜のために排気が行われる空間が小さいので、排気に要する時間を短くすることができ、被成膜対象部分１０Ａに成膜を行うために要する時間を短くすることができる。

Ａ４．第１実施形態の変形例：
Ａ４−１．第１実施形態の変形例：
上述の第１実施形態では、排気装置９０は、第１の型１１０がワークＷに対して相対的に離間される際に、第１の型１１０に接続される排気口９１及び第２の型１２０に接続される排気口９２から、成膜容器１００内を排気している。これに対し、第２の型１２０に接続される排気口９２の弁を閉じたままにし、第１の型１１０に接続される排気口９１から成膜容器１００内を排気してもよい。また、第１の型１１０に接続される排気口９１の弁を閉じたままにし、第２の型１２０に接続される排気口９２から成膜容器１００内を排気してもよい。このようにしても、成膜容器１００が開く際には、第１平面部１１１側から排気口９１へ向かう気流又は第２平面部１２１側から排気口９２へ向かう気流が形成されるので、異物がシール部材６０へ付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。

Ａ４−２．第１実施形態の変形例２：
上述の第１実施形態では、ステップＳ５５（図４）において、成膜容器１００内の圧力が成膜容器１００外の圧力よりも低くなるように、ガス供給装置８０によって窒素ガスの供給量が調整される。これに対し、ステップＳ５５において成膜容器１００内の圧力が成膜容器１００外の圧力よりも低くなるようにする場合には、ガス供給装置８０によって、成膜容器１００内に窒素ガスを成膜容器１００外の圧力と同じ圧力又は成膜容器１００内の圧力より高い圧力になるように供給した後、排気装置９０によって成膜容器１００内を排気してもよい。このようにして、成膜容器１００内の圧力を成膜容器１００外の圧力よりも低くしてもよい。また、開閉装置５０によって成膜容器１００を開くことが可能であれば、ステップＳ５５（図４）は省略されてもよく、ガス供給装置８０によって窒素ガスを供給しなくともよい。なお、開閉装置５０によって成膜容器１００を開くことが可能であれば、排気装置９０による排気は、成膜容器１００が開く前に行われていてもよい。すなわち、成膜容器１００が開く際に、成膜容器１００外から成膜容器１００内へ向かい、排気口９１から異物が排出されるための気流が形成されれば、成膜後におけるガス供給装置８０によるガスの供給と、排気装置９０による排気とは、適宜調整されてもよい。

Ａ４−３．第１実施形態の変形例３：
図６は、第１実施形態の変形例３における成膜装置２００ｂを示す図である。成膜装置２００ｂは、第１実施形態の成膜装置２００とは異なり、被成膜対象物１０の第１窪み部１１４側のみに成膜を行う。そのため、本変形例では、成膜容器１００ｂの第２の型１２０ｂと被成膜対象物１０との間に空間がなく、第２の型１２０ｂ上に絶縁部材３０ｂが接触し、絶縁部材３０ｂ上に下側マスキング部材２２ｂが接触し、下側マスキング部材２２ｂ上に被成膜対象物１０の下側全面が接触する。また、シール部材６０ｂは、第１の型１１０の第１平面部１１１と第２の型１２０とに接触する。なお、本変形例では、第２の型１２０ｂは排気口９２を備えていない。また、ワークＷはパレット１３０を含んでいない。なお、本変形例では、第１の型１１０ｂ側に電力導入部７１が備えられている。本変形例においても、上述の第１実施形態と同様に、第１窪み部１１４の底部１１３に排気口９１が備えられている。また、ワークＷのうちの陰極（下側マスキング部材２２）と絶縁部材３０ｂとの接触点Ｐ１ｂと、第１平面部１１１と、の距離は、ワークＷと第１窪み部１１４の底部１１３との距離よりも小さい。本変形例における成膜装置２００ｂその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため説明を省略する。また、本変形例における成膜装置２００ｂによる成膜方法では、成膜容器１００が開く際に第１の型１１０の排気口９１からのみ１００内を排気する点を除き、上述の第１実施形態の成膜装置２００による成膜方法と同様であるため説明を省略する。

本変形例においても、成膜容器１００ｂが開く際には、排気口９１を介して成膜容器１００ｂ内が排気される。そのため、成膜容器１００ｂの第１平面部１１１側から排気口９１へ向かう気流が形成されるので、第１実施形態と同様に異物がシール部材６０ｂへ付着することを抑制することができる。そのため、成膜容器１００ｂが閉じた状態において成膜容器１００ｂ内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。また、このような成膜装置２００ｂによっても、上述の第１実施形態と同様に異常放電の発生を抑制することができる。

Ａ４−４．第１実施形態の変形例４：
図７は、第１実施形態の変形例４における成膜装置２００ｍを示す図である。本変形例の成膜装置２００ｍでは、第１窪み部１１４ｍと第１平面部１１１ｍとの接続箇所Ｑ１及び第２窪み部１２４ｍと第２平面部１２１ｍとの接続箇所Ｑ２から、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１、Ｐ２までの第１平面部１１１ｍに沿った最短距離が、０（ゼロ）である。本変形例では、接続箇所Ｑ２と接触点Ｐ２とは、同一のＹＺ平面に位置している。そのため、図７に示すように、成膜容器１００ｍでは、上側マスキング部材２１が、第１の型１１０ｍの第１窪み部１１４ｍ内に露出しており、下側マスキング部材２２の一部が、第２の型１２０ｍの第２窪み部１２４ｍ内に露出している。なお、本変形例においても、上述の第１実施形態と同様に、接触点Ｐ１と第１平面部１１１ｍとの距離は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４ｍの底部１１３ｍとの距離よりも小さい。また、接触点Ｐ２と第２平面部１２１ｍとの距離は、ワークＷのうちの陰極と第２窪み部１２４ｍの底部１２３ｍとの距離よりも小さい。本変形例における成膜装置２００ｍのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため説明を省略する。このような成膜装置２００ｍによっても、上述の第１実施形態と同様に成膜容器１００が閉じた状態において成膜容器１００内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。また、異常放電の発生を抑制することができる。

Ａ４−５．第１実施形態の変形例５：
上述の第１実施形態では、ワークＷは、被成膜対象物１０とマスキング部材２０と絶縁部材３０とパレット１３０とを含んでいる。これに対し、ワークＷは、被成膜対象物１０のみで構成されることとしてもよい。すなわちワークＷは、マスキング部材２０と絶縁部材３０とパレット１３０とを含んでいなくともよい。この場合には、第２シール部材６２を被成膜対象物１０の下面に設けることとしてもよく、第２の型１２０の第２平面部１２１に設けることとしてもよい。また、被成膜対象物１０を搬送装置５５により搬送することとしてもよい。また、この場合には、上述の接触点Ｐ１は、被成膜対象物１０と第１シール部材６１との接触する箇所であってもよく、接触点Ｐ２は、被成膜対象物１０と第２シール部材６２との接触する箇所であってもよい。また、上述の距離Ｃは、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所及び第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所から、被成膜対象物１０と第１シール部材６１又は第２シール部材６２とが接触する箇所までのＸ軸に沿った最短距離であってもよい。

また、ワークＷは、被成膜対象物１０とマスキング部材２０とにより構成されることとしてもよい。すなわち、ワークＷは絶縁部材３０とパレット１３０とを含んでいなくともよい。この場合には、第２シール部材６２は被成膜対象物１０又は下側マスキング部材２２の下面に設けることとしてもよく、第２の型１２０の第２平面部１２１に設けることとしてもよい。また、被成膜対象物１０及びマスキング部材２０を搬送装置５５により搬送することとしてもよい。また、この場合には、上述の接触点Ｐ１は、被成膜対象物１０又はマスキング部材２０と第１シール部材６１との接触する箇所であってもよく、接触点Ｐ２は、被成膜対象物１０又はマスキング部材２０と第２シール部材６２との接触する箇所であってもよい。また、上述の距離Ｃは、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所及び第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所から、被成膜対象物１０又はマスキング部材２０と第１シール部材６１又は第２シール部材６２とが接触する箇所までのＸ軸に沿った最短距離であってもよい。

Ａ４−６．第１実施形態の変形例６：
上述の第１実施形態では、成膜装置２００はプラズマＣＶＤ法により成膜を行っている。これに対し、成膜装置２００は、例えば物理気相成長（Physical Vapor Deposition；ＰＶＤ）法など他の方法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。例えば、成膜装置２００は、成膜容器１００内で成膜材料を蒸発（あるいは昇華）させる機構を備えることとし、蒸着法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。また、成膜装置２００は、成膜材料を蒸発させた粒子をプラズマ中を通過させる機構を備えることとし、イオンプレーティング法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。また、成膜装置２００は、高いエネルギーをもった粒子を成膜材料（ターゲット）に衝突させる機構を備えることとし、スパッタリング法により被成膜対象部分１０Ａに成膜を行ってもよい。

Ａ４−７．第１実施形態のその他の変形例：
上述の第１実施形態では、接触点Ｐ１と第１平面部１１１との距離Ａ１は、ワークＷうちの陰極と第１平面部１１１との間に形成されるシースの距離よりも短く、接触点Ｐ２と第２平面部１２１との距離Ａ２は、ワークＷうちの陰極と第２平面部１２１との間に形成されるシースの距離よりも短い。これに対し、距離Ａ１と距離Ａ２とのうち、いずれか一方がシースの距離よりも大きくてもよく、両方がシースの距離よりも大きくてもよい。また、上述の第１実施形態では、距離Ａ１及び距離Ａ２は２．０ｍｍ以下である。これに対し、距離Ａ１と距離Ａ２のうち、いずれか一方が２．０ｍｍより大きくてもよく、両方が、２．０ｍｍより大きくてもよい。

上述の第１実施形態では、第１窪み部１１４は、側部１１２と底部１１３とを備えているが、第１窪み部１１４は、第１平面部１１１から被成膜対象物１０と離れる方向に窪んでいればよく、例えば、半球状であってもよい。この場合には、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４の底部１１３との距離Ｂ１は、第１窪み部１１４と対向するワークＷのうちの陰極と、第１窪み部１１４のワークＷのうちの陰極から最も離れた箇所と、の距離であってもよい。

上述の実施形態では、成膜容器１００及びパレット１３０はアース電位であるが、プラズマＣＶＤ法により成膜を行う場合において、成膜容器１００及びパレット１３０はアース電位でなくてもよい。電力印加部７０は成膜容器１００と被成膜対象物１０との間に被成膜対象物１０を成膜させるための電力を印加できればよい。

Ｂ．第２実施形態：
Ｂ１．成膜装置の構成：
図８は、第２実施形態における成膜装置２００ｊの構成を示す概略断面図である。図８には、成膜容器１００ｊが閉じた状態における成膜装置２００ｊが示されている。本実施形態における第１の型１１０ｊの第１窪み部１１４ｊは、排気口９１と第１平面部１１１ｊとの間の少なくとも一部に、被成膜対象部分１０Ａ側を向く傾斜面１１２ｊを備える。本実施形態において、傾斜面１１２ｊは、第１窪み部１１４ｊの底部１１３ｊ（排気口９１）と第１平面部１１１とを接続し、被成膜対象部分１０Ａ側を向く面である。本実施形態では、図８に示すように、傾斜面１１２ｊは第１窪み部１１４ｊ内の空間に向けて突出した曲面であり、いわゆるＲ形状を有している。このような傾斜面１１２ｊを有しているため、第１の型１１０ｊの第１窪み部１１４ｊ内の体積は、上述の第１実施形態の第１の型１１０の第１窪み部１１４内の体積よりも小さい。

本実施形態では、第２の型１２０ｊの第２窪み部１２４ｊもまた、排気口９２と第２平面部１２１ｊとの間の少なくとも一部に、被成膜対象部分１０Ａ側を向く傾斜面１２２ｊを備える。本実施形態において、傾斜面１２２ｊは、第２窪み部１２４ｊの底部１２３ｊ（排気口９２）と第２平面部１２１とを接続し、被成膜対象部分１０Ａ側を向く面である。本実施形態では、図８に示すように、傾斜面１２２ｊは、第２平面部１２１ｊと底部１２３ｊとを接続する平面である。このような傾斜面１２２ｊを有しているため、第２窪み部１２４ｊ内の体積は、上述の第１実施形態の第２の型１２０の第２窪み部１２４内の体積よりも小さい。本実施形態における成膜装置２００ｊのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため、説明を省略する。

Ｂ２．成膜方法：
第２実施形態においても上述の実施形態と同様の工程を経て、成膜が行われる。具体的には、成膜容器１００ｊが開く際には、制御部９５が排気装置９０を制御することにより、排気口９１、９２を介して成膜容器１００ｊ内が排気される（図４、ステップＳ６５）。

図９は、第２実施形態におけるステップＳ６５の様子を示す図である。図９において、成膜容器１００ｊ内には、成膜容器１００ｊ内に形成された気流の向きを示す矢印が示されている。本実施形態の成膜装置２００ｊでは、第１窪み部１１４ｊ内の体積は、第１実施形態の第１窪み部１１４内の体積よりも小さい。そのため、第１平面部１１１ｊ側から排気口９１へ向かう気流は、上述の第１実施形態よりも強い。同様に、第２窪み部１２４ｊ内の体積は、上述の第１実施形態の第２窪み部１２４内の体積よりも小さい。そのため、第２平面部１２１ｊ側から排気口９２へ向かう気流は、上述の第１実施形態よりも強い。

Ｂ３．効果：
第２実施形態の成膜装置２００ｊ及び成膜方法によれば、第１窪み部１１４ｊ内の体積は傾斜面１１２ｊを有さない場合と比較して小さいため、傾斜面１１２ｊを有さない場合と比較して第１平面部１１１ｊ側から排気口９１へ向かう気流を強くすることができ、異物がシール部材６０へ付着することをより抑制することができる。そのため、成膜容器１００ｊが閉じた状態において成膜容器１００ｊ内の気密をより保つことができるので、成膜不良をより抑制することができる。

また、第２実施形態の成膜装置２００ｊ及び成膜方法によれば、傾斜面１１２ｊは、第１平面部１１１ｊと排気口９１とを接続しつつ、第１窪み部１１４ｊ内の空間に向けて突出した曲面であるため、傾斜面１１２ｊが第１平面部１１１ｊと排気口９１とを接続する平面である場合と比較して、第１窪み部１１４ｊ内の体積をより小さくすることができ、第１平面部１１１ｊ側から排気口９１へ向かう気流をより強くすることができる。そのため、異物がシール部材６０へ付着することをより抑制することができ、成膜不良をより抑制することができる。

また、第２窪み部１２４ｊ内の体積は傾斜面１２２ｊを有さない場合と比較して小さいため、傾斜面１２２ｊを有さない場合と比較して第２平面部１２１側から排気口９２へ向かう気流を強くすることができ、異物がシール部材６０へ付着することをより抑制することができる。また、異物が堆積しやすい下方に配置された型（第２の型１２０ｊ）が傾斜面１２２ｊを有しているため、成膜装置２００ｊ内の異物を一層排出することができ、異物がシール部材６０へ付着することを一層抑制することができる。そのため、成膜不良を一層抑制することができる。

また、ワークＷの下方に配置される型（第２の型１２０ｊ）の傾斜面１２２ｊは、第２平面部１２１ｊと排気口９２とを接続する平面であるため、成膜容器１００ｊ内で下方（第２の型１２０ｊの方向）へ落下した異物が堆積することを抑制することができ、排気装置９０によって成膜容器１００ｊ内の異物を効果的に排出することができる。そのため、異物がシール部材６０へ付着することを効果的に抑制できるので、成膜不良を効果的に抑制することができる。

さらに、第２実施形態の成膜装置２００ｊによれば、第１窪み部１１４ｊは傾斜面１１２ｊを備えており、第２窪み部１２４ｊは傾斜面１２２ｊを備えているため、上述の第１実施形態の成膜装置２００と比較して、成膜のために排気が行われる空間が小さい。そのため、成膜を行うための排気に要する時間をより短くすることができ、被成膜対象部分１０Ａに成膜を行うために要する時間をより短くすることができる。

また、本実施形態の成膜装置２００ｊによれば、成膜容器１００ｊが開く際には、排気装置９０により排気口９１、９２を介して成膜容器１００ｊ内が排気される。そのため、第１実施形態と同様に異物がシール部材６０へ付着することを抑制することができ、成膜不良を抑制することができる。

Ｂ４．第２実施形態の変形例：
上述の第２実施形態では、第１の型１１０ｊ及び第２の型１２０ｊは、それぞれ傾斜面１１２ｊ、１２２ｊを備えている。これに対し、傾斜面は、第１の型１１０ｊと第２の型１２０ｊの少なくとも一方に設けられていてもよい。第１の型１１０ｊと第２の型１２０ｊの少なくとも一方に傾斜面を設ける場合には、傾斜面は、ワークＷの下方に配置される型に設けられることが好ましい。このようにすれば、異物が堆積しやすい下方に配置された型において、異物を効果的に排出することができるので、異物がシール部材６０へ付着することを効果的に抑制することができる。

上述の第２実施形態では、第１の型１１０ｊの傾斜面１１２ｊは第１窪み部１１４ｊ内の空間に向けて突出した曲面であり、いわゆるＲ形状を有している。また、第２の型１２０ｊの傾斜面１２２ｊは、排気口９２（底部１２３ｊ）と第２平面部１２１とを接続する平面である。これに対し、第１の型１１０ｊの傾斜面１１２ｊは、排気口９１と第１平面部１１１ｊとを接続する平面であってもよく、また、第２の型１２０ｊの傾斜面は１２２ｊは、第２窪み部１２４ｊ内の空間に向けて突出した曲面であってもよい。なお、第１窪み部１１４ｊは、排気口９１と第１平面部１１１ｊとの間の少なくとも一部に、被成膜対象部分１０Ａ側を向く傾斜面１１２ｊを備えていればよい。すなわち、傾斜面１１２ｊの形状は、第１窪み部１１４ｊが傾斜面１１２ｊを有さない場合と比較して、第１窪み部１１４ｊ内の体積を小さくし、第１平面部１１１ｊ側から排気口９１へ向かう気流を強くする形状であればよい。同様に、第２窪み部１２４ｊは、排気口９２と第２平面部１２１ｊとの間の少なくとも一部に、被成膜対象部分１０Ａ側を向く傾斜面１２２ｊを備えていればよい。傾斜面１２２ｊの形状は、第２窪み部１２４ｊが傾斜面１２２ｊを有さない場合と比較して第２窪み部１２４ｊ内の体積を小さくし、第２平面部１２１ｊ側から排気口９２へ向かう気流を強くする形状であればよい。なお、成膜容器１００ｊ内に異物が堆積することを抑制する観点から、傾斜面は、凹凸を有していないことが好ましい。

Ｃ．第３実施形態：
Ｃ１．成膜装置：
図１０は、第３実施形態における成膜装置２００ｋを示す概略断面図である。図１０には、成膜容器１００が閉じた状態における成膜装置２００ｋが示されている。本実施形態における成膜装置２００ｋは、気流形成部４０を備えている。気流形成部４０は、成膜容器１００外に第１の型１１０側から第２の型１２０側又は第２の型１２０側から第１の型１１０側へ向かう気流を形成させる装置である。気流形成部４０の形成する気流の向きは、第１平面部１１１と略直交する向きである。本実施形態において、制御部９５は、気流形成部４０を制御して、少なくとも成膜容器１００が開く際に、成膜容器１００外に第１の型１１０側から第２の型１２０側又は第２の型１２０側から第１の型１１０側へ向かう気流を形成する。気流形成部４０の形成する気流の速度は、成膜容器１００が開く際に排気装置９０が排気口９１、９２から排気する速度よりも大きい。本実施形態では、気流形成部４０は、第１の型１１０側から第２の型１２０側へ向かう気流を形成させる。本実施形態では、気流形成部４０は、成膜装置２００ｋの上方から下方へ清浄な気体を流すことにより、成膜容器１００外にダウンフローを形成している。本実施形態における成膜装置２００ｋのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため、説明を省略する。

Ｃ２．成膜方法：
図１１は、成膜装置２００ｋによる成膜方法について示す工程図である。本実施形態における成膜方法では、上述の第１実施形態と同様に成膜が行われ（ステップＳ１０〜ステップＳ５０）、成膜容器１００内の圧力が調整されて（ステップＳ５５）、成膜容器１００が開かれる（ステップＳ６０）。本実施形態では、ステップＳ６０が開始される際には、制御部９５が排気装置９０を制御することにより排気口９１、９２を介して成膜容器１００内が排気され、さらに、制御部９５が気流形成部４０を制御することにより、成膜容器１００外に第１の型１１０側から第２の型１２０側へ向かう気流が形成される（ステップＳ６７）。ステップＳ６７を「工程（ｄ）」とも呼ぶ。

図１２は、ステップＳ６７の様子を示す図である。図１２において、成膜装置２００ｋの成膜容器１００外には、成膜容器１００外に形成された気流の向きを示す矢印が示されている。成膜容器１００が開く際には、気流形成部４０により第１の型１１０側（上方）から第２の型１２０側（下方）へ向かう気流が形成されるため、成膜容器１００外の異物は、気流形成部４０によって形成された気流により、第１の型１１０側から第２の型１２０側へ向かう。なお、上述の第１実施形態と同様に、成膜容器１００が開く際には、排気装置９０により排気口９１、９２を介して成膜容器１００内が排気されるため（図１１、ステップＳ６７）、成膜容器１００内には、第１平面部１１１側から排気口９１へ向かう気流が形成される。また、第２平面部１２１側から排気口９２へ向かう気流が形成される。そのため、成膜によって生じた異物は、第１の型１１０の第１平面部１１１から排気口９１へ向かい、排気口９１を介して成膜容器１００内から排出される。あるいは、第２の型１２０の第２平面部１２１から排気口９２へ向かい、排気口９２を介して成膜容器１００内から排出される。以上のようにして成膜装置２００ｋによる一連の成膜方法が終了する。

Ｃ３．効果：
第３実施形態の成膜装置２００ｋ及び成膜方法によれば、成膜容器１００外には、第１の型１１０側から第２の型１２０側へ向かう気流が形成されるので、成膜容器１００外の異物が成膜容器１００内へ侵入することが抑制される。そのため、異物がシール部材６０へ付着することを効果的に抑制することができ、成膜不良を効果的に抑制することができる。

また、第３実施形態の成膜装置２００ｋ及び成膜方法によれば、成膜容器１００が開く際には、排気装置９０により排気口９１、９２を介して成膜容器１００内が排気される。そのため、第１実施形態と同様に異物がシール部材６０へ付着することを抑制することができ、成膜不良を抑制することができる。

Ｃ４．第３実施形態の変形例：
上述の第３実施形態では、気流形成部４０は、第１の型１１０側から第２の型１２０側へ向かう気流を形成している。これに対し、気流形成部４０は、第２の型１２０側から第１の型１１０側へ向かう気流を形成してもよい。このようにしても、成膜容器１００外の異物が成膜容器１００内へ侵入することが抑制されるので、成膜不良を効果的に抑制することができる。

Ｄ．第４実施形態：
Ｄ１．成膜装置の構成：
図１３は、第４実施形態における成膜装置２００ｄの構成を部分的に示す部分概略断面図である。図１３には、図１のＸ部分に相当する部分Ｘ１が示されている。
本実施形態における成膜装置２００ｄは、第１の型１１０ｄの第１窪み部１１４ｄ（側部１１２ｄ）と第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１が、被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置している。また、第２の型１２０ｄの第２窪み部１２４ｄ（側部１２２ｄ）と第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２が、被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置している。

図１３には、第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄの接続箇所Ｑ１と、被成膜対象部分１０Ａの端部とのＸ軸に沿った距離Ｌ１が示されている。また、第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄの接続箇所Ｑ２と、被成膜対象部分１０Ａの端部とのＸ軸に沿った距離Ｌ２が示されている。本実施形態では、距離Ｌ１と距離Ｌ２とは等しい。例えば、電力印加部７０によってワークＷのうちの陰極に印加される電力が−１０００Ｖであり、成膜容器１００ｄ内の圧力が１０Ｐａである場合には、距離Ｌ１、Ｌ２は約３ｍｍ以上であることが好ましい。また、例えば、電力印加部７０によってワークＷのうちの陰極に印加される電力が−３０００Ｖであり、成膜容器１００ｄ内の圧力が１０Ｐａである場合には、距離Ｌ１、Ｌ２は約９ｍｍ以上であることが好ましい。このように、距離Ｌ１、Ｌ２は、電力印加部７０によって印加される電力と、成膜容器１００ｄ内の圧力（真空度）とに応じて変更可能である。本実施形態の成膜装置２００ｄのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため、説明を省略する。

Ｄ２．効果：
電力が印加されるワークのうちの陰極と成膜容器との間にプラズマを発生させて被成膜対象部分に成膜を行うために、被成膜対象部分と成膜容器との間は、いわゆるシースの距離よりも離れていることが好ましく、被成膜対象部分と成膜容器とが近接している箇所ではプラズマが発生せず、被成膜対象部分の端部において成膜不良が発生する場合がある。しかし、本実施形態の成膜装置２００ｄによれば、成膜容器１００ｄの第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１は、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置しているので、被成膜対象部分１０Ａと成膜容器１００ｄとの距離を確保することができる。そのため、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａの端部において成膜不良が発生することを抑制することができる。

また、成膜容器１００ｄの第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２は、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置しているので、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａと成膜容器１００ｄとの距離を確保することができる。そのため、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａの端部において成膜不良が発生することを抑制することができる。

また、本実施形態の成膜装置２００ｄによれば、上述の第１実施形態の効果２と同様の効果を奏する。すなわち、異常放電の発生を抑制することができる。

Ｄ３．第４実施形態の変形例：
上述の第４実施形態では、第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１と、被成膜対象部分１０Ａの端部と、の距離Ｌ１と、第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２と、被成膜対象部分１０Ａの端部と、の距離Ｌ２は、等しい。これに対し、距離Ｌ１と距離Ｌ２とは異なっていてもよい。例えば、第１窪み部１１４ｄと第１平面部１１１ｄとの接続箇所Ｑ１のみが、ワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置していてもよく、第２窪み部１２４ｄと第２平面部１２１ｄとの接続箇所Ｑ２のみが、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａの端部から絶縁部材３０側へ離れて位置していてもよい。

Ｅ．その他の変形例：
上述の実施形態では、被成膜対象物１０はセパレータであるが、被成膜対象物１０は、導電性を有する部材であればよい。また、上述の実施形態では、成膜装置２００〜２００ｍは炭素系の薄膜を成膜しているが、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、シリコン（Ｓｉ）など他の導電性の元素の薄膜を形成するものとしてもよい。

上述の実施形態では、各シール部材６０（６１、６２）、６０ｂゴム製の環状部材である。これに対し、各シール部材６０（６１、６２）、６０ｂは、成膜容器１００、１００ｂ、１００ｄ、１００ｊ、１００ｍが閉じた状態において成膜容器１００、１００ｂ、１００ｄ、１００ｊ、１００ｍ内の気密を保つための部材であればよい。例えば、各シール部材６０（６１、６２）、６０ｂは、貼り付け又はインジェクション成形によってワークＷ、第１の型又は第２の型に一体化されていてもよい。例えばシール部材６１が第１の型１１０に一体化されている場合には、シール部材６１の形状はワークＷ（パレット１３０）を向く凸形状であってもよい。

上述の実施形態において、第１の型１１０は第２の型１２０と入れ替えられても良い。すなわち、第２の型が第１の型であってもよく、第１の型が第２の型であってもよい。

本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態や変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組合せを行うことが可能である。また、前述した実施形態及び各変形例における構成要素の中の、独立請求項で記載された要素以外の要素は、付加的な要素であり、適宜省略可能である。

１０…被成膜対象物
１０Ａ…被成膜対象部分
１０Ｂ…非被成膜対象部分
２０…マスキング部材
２１…上側マスキング部材
２２…下側マスキング部材
２２ｂ…下側マスキング部材
３０、３０ｂ…絶縁部材
３５…絶縁部材
４０…気流形成部
５０…開閉装置
５５…搬送装置
６０、６０ｂ…シール部材
６１…第１シール部材
６２…第２シール部材
７０…電力印加部
７１…電力導入部
８０…ガス供給装置
８１…供給口
９０…排気装置
９１、９２…排気口
９５…制御部
１００、１００ｂ、１００ｄ、１００ｊ、１００ｍ…成膜容器
１１０、１１０ｂ、１１０ｄ、１１０ｊ、１１０ｍ…第１の型
１１１、１１１ｄ、１１１ｊ、１１１ｍ…第１平面部
１１２、１１２ｄ…側部
１１２ｊ…傾斜面
１１３、１１３ｊ、１１３ｍ…底部
１１４、１１４ｄ、１１４ｊ、１１４ｍ…第１窪み部
１２０、１２０ｂ、１２０ｄ、１２０ｊ、１２０ｍ…第２の型
１２１、１２１ｄ、１２１ｊ、１２１ｍ…第２平面部
１２２、１２２ｄ…側部
１２２ｊ…傾斜面
１２３、１２３ｊ、１２３ｍ…底部
１２４、１２４ｄ、１２４ｊ、１２４ｍ…第２窪み部
１３０…パレット
１３０ｔ…端部
２００、２００ｂ、２００ｄ、２００ｋ、２００ｊ、２００ｍ…成膜装置
Ｐ１、Ｐ１ｂ、Ｐ２…接触点
Ｑ１、Ｑ２…接続箇所
Ｗ…ワーク

（４）上記形態の成膜方法において、前記成膜装置は、前記成膜容器外に前記第１の型側から前記第２の型側又は前記第２の型側から前記第１の型側へ向かう気流を形成する気流形成部を備え：前記工程（ｃ）では、前記工程（ｂ）が開始される際に、前記排気装置により前記排気口を介して前記成膜容器内を排気するとともに、前記気流形成部によって前記気流を形成してもよい。このような形態の成膜方法であれば、成膜容器が開く際には、成膜容器外には、第１の型側から第２の型側又は第２の型側から第１の型側へ向かう気流が形成されるので、成膜容器外の異物が成膜容器内へ侵入することが抑制される。そのため、異物がシール部材へ付着することを効果的に抑制することができ、成膜不良を効果的に抑制することができる。

（８）上記形態の成膜装置において、前記成膜容器外に前記第１の型側から前記第２の型側又は前記第２の型側から前記第１の型側へ向かう気流を形成する気流形成部を備え；前記制御部は、前記ワークの一部に成膜が行われた後、前記成膜容器を開く際に、前記排気装置により前記排気口を介して前記成膜容器内を排気するとともに、前記気流形成部を制御して前記成膜容器外に前記気流を形成してもよい。このような形態の成膜装置であれば、成膜容器が開く際には、成膜容器外には、第１の型側から第２の型側又は第２の型側から第１の型側へ向かう気流が形成されるので、成膜容器外の異物が成膜容器内へ侵入することが抑制される。そのため、異物がシール部材へ付着することを効果的に抑制することができ、成膜不良を効果的に抑制することができる。

成膜容器１００は、分割可能な金属製の容器である。成膜容器１００は、第１の型１１０と、第１の型１１０に対向して配置された第２の型１２０と、を備える。第１の型１１０は、第１窪み部１１４と第１窪み部１１４の周囲に配置された第１平面部１１１とを備える。第１窪み部１１４はワークＷから離間する方向に窪んでおり、本実施形態ではワークＷの上面側の被成膜対象部分１０Ａから見て上方に窪んでいる。また、第１窪み部１１４は、側部１１２と底部１１３とを備える。本実施形態では、第１窪み部１１４と第１平面部１１１との接続箇所は、被成膜対象部分１０Ａの端部と、同一のＹＺ平面上に位置している。第１の型１１０の底部１１３には、排気口９１が備えられている。第２の型１２０は、ワークＷの下面側の被成膜対象部分１０Ａから見て下方に窪んだ第２窪み部１２４と、第２窪み部１２４の周囲に配置された第２平面部１２１と、を備える。第２窪み部１２４は、側部１２２と底部１２３とを備える。第２平面部１２１は、第１の型１１０の第１平面部１１１に対応する部分に配置されている。本実施形態では、第２窪み部１２４と第２平面部１２１との接続箇所は、被成膜対象部分１０Ａの端部と、同一のＹＺ平面上に位置している。第２の型１２０の底部１２３には、排気口９２が備えられている。本実施形態において、第１平面部１１１及び第２平面部１２１は、ＸＺ平面と平行である。第１の型１１０及び第２の型１２０は、排気口９１、９２に加え、成膜容器１００内にガス供給装置８０からガスを供給するための供給口８１を備える。供給口８１及び排気口９１、９２には、開閉可能な弁が設けられている。また、第２の型１２０は、ワークＷに電圧を印加するための電力導入部７１を備える。第２の型１２０と電力導入部７１との間は、絶縁部材３５によって電気的に絶縁されている。本実施形態において、成膜容器１００は、アース電位を有している。成膜容器１００内において、ワークＷは、第１平面部１１１から離間され、かつ、ワークＷの被成膜対象部分１０Ａは成膜容器１００が閉じた状態において第１窪み部１１４内の空間に向けられている。

搬送装置５５は、ワークＷを成膜容器１００内へ搬送し、ワークＷを成膜容器１００外へ搬送するための装置である。本実施形態では、搬送装置５５は、パレット１３０の端部１３０ｔに接触して、成膜容器１００が開いた状態において、パレット１３０及びパレット１３０に積載された絶縁部材３０、マスキング部材２０、被成膜対象物１０を成膜容器１００内に搬送する。また、搬送装置５５は、搬送したワークＷを下方に移動させることによってワークＷを第２シール部材６２を介して第２の型１２０上に設置する。また、本実施形態では、搬送装置５５は、パレット１３０の端部１３０ｔに接触して、パレット１３０を第２の型１２０に対して相対的に上方に移動させることも可能である。また、搬送装置５５は、上方に移動させたワークＷをＸＺ平面に沿って移動させて成膜容器１００外へ搬送することも可能である。なお、開閉装置５０がパレット１３０に接続可能であることとし、パレット１３０を第２の型１２０に対して相対的に上方に移動させる動作を、開閉装置５０が行ってもよい。

Ａ３−２．効果２：
第１実施形態の成膜装置２００によれば、成膜容器１００が閉じた状態において、ワークＷのうちの陰極（マスキング部材２０、被成膜対象物１０）と接触する絶縁部材３０は第１平面部１１１と第２平面部１２１との間に配置され、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１と、第１平面部１１１と、の距離Ａ１は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４の底部１１３との距離Ｂ１よりも小さい。そのため、プラズマを用いて成膜又はエッチングを行う場合には、ワークＷのうちの陰極と第１平面部１１１とで形成される空間に第１窪み部１１４や第２窪み部１２４からプラズマが侵入することが抑制される。そのため、接触点Ｐ１におけるプラズマの量が低減されるので、異常放電の発生を抑制することができる。

Ａ４−２．第１実施形態の変形例２：
上述の第１実施形態では、ステップＳ５５（図４）において、成膜容器１００内の圧力が成膜容器１００外の圧力よりも低くなるように、ガス供給装置８０によって窒素ガスの供給量が調整される。これに対し、ステップＳ５５において成膜容器１００内の圧力が成膜容器１００外の圧力よりも低くなるようにする場合には、ガス供給装置８０によって、成膜容器１００内に窒素ガスを成膜容器１００外の圧力と同じ圧力又は成膜容器１００外の圧力より高い圧力になるように供給した後、排気装置９０によって成膜容器１００内を排気してもよい。このようにして、成膜容器１００内の圧力を成膜容器１００外の圧力よりも低くしてもよい。また、開閉装置５０によって成膜容器１００を開くことが可能であれば、ステップＳ５５（図４）は省略されてもよく、ガス供給装置８０によって窒素ガスを供給しなくともよい。なお、開閉装置５０によって成膜容器１００を開くことが可能であれば、排気装置９０による排気は、成膜容器１００が開く前に行われていてもよい。すなわち、成膜容器１００が開く際に、成膜容器１００外から成膜容器１００内へ向かい、排気口９１から異物が排出されるための気流が形成されれば、成膜後におけるガス供給装置８０によるガスの供給と、排気装置９０による排気とは、適宜調整されてもよい。

Ａ４−３．第１実施形態の変形例３：
図６は、第１実施形態の変形例３における成膜装置２００ｂを示す図である。成膜装置２００ｂは、第１実施形態の成膜装置２００とは異なり、被成膜対象物１０の第１窪み部１１４側のみに成膜を行う。そのため、本変形例では、成膜容器１００ｂの第２の型１２０ｂと被成膜対象物１０との間に空間がなく、第２の型１２０ｂ上に絶縁部材３０ｂが接触し、絶縁部材３０ｂ上に下側マスキング部材２２ｂが接触し、下側マスキング部材２２ｂ上に被成膜対象物１０の下側全面が接触する。また、シール部材６０ｂは、第１の型１１０の第１平面部１１１と第２の型１２０とに接触する。なお、本変形例では、第２の型１２０ｂは排気口９２を備えていない。また、ワークＷはパレット１３０を含んでいない。なお、本変形例では、第１の型１１０ｂ側に電力導入部７１が備えられている。本変形例においても、上述の第１実施形態と同様に、第１窪み部１１４の底部１１３に排気口９１が備えられている。また、ワークＷのうちの陰極（下側マスキング部材２２）と絶縁部材３０ｂとの接触点Ｐ１ｂと、第１平面部１１１と、の距離は、ワークＷと第１窪み部１１４の底部１１３との距離よりも小さい。本変形例における成膜装置２００ｂのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため説明を省略する。また、本変形例における成膜装置２００ｂによる成膜方法では、成膜容器１００ｂが開く際に第１の型１１０ｂの排気口９１からのみ成膜容器１００ｂ内を排気する点を除き、上述の第１実施形態の成膜装置２００による成膜方法と同様であるため説明を省略する。

Ａ４−４．第１実施形態の変形例４：
図７は、第１実施形態の変形例４における成膜装置２００ｍを示す図である。本変形例の成膜装置２００ｍでは、第１窪み部１１４ｍと第１平面部１１１ｍとの接続箇所Ｑ１及び第２窪み部１２４ｍと第２平面部１２１ｍとの接続箇所Ｑ２から、ワークＷのうちの陰極と絶縁部材３０との接触点Ｐ１、Ｐ２までの第１平面部１１１ｍに沿った最短距離が、０（ゼロ）である。本変形例では、接続箇所Ｑ２と接触点Ｐ２とは、同一のＹＺ平面に位置している。そのため、図７に示すように、成膜容器１００ｍでは、上側マスキング部材２１が、第１の型１１０ｍの第１窪み部１１４ｍ内に露出しており、下側マスキング部材２２の一部が、第２の型１２０ｍの第２窪み部１２４ｍ内に露出している。なお、本変形例においても、上述の第１実施形態と同様に、接触点Ｐ１と第１平面部１１１ｍとの距離は、ワークＷのうちの陰極と第１窪み部１１４ｍの底部１１３ｍとの距離よりも小さい。また、接触点Ｐ２と第２平面部１２１ｍとの距離は、ワークＷのうちの陰極と第２窪み部１２４ｍの底部１２３ｍとの距離よりも小さい。本変形例における成膜装置２００ｍのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため説明を省略する。このような成膜装置２００ｍによっても、上述の第１実施形態と同様に成膜容器１００ｍが閉じた状態において成膜容器１００ｍ内の気密を保つことができるので、成膜不良を抑制することができる。また、異常放電の発生を抑制することができる。

Ｂ．第２実施形態：
Ｂ１．成膜装置の構成：
図８は、第２実施形態における成膜装置２００ｊの構成を示す概略断面図である。図８には、成膜容器１００ｊが閉じた状態における成膜装置２００ｊが示されている。本実施形態における第１の型１１０ｊの第１窪み部１１４ｊは、排気口９１と第１平面部１１１ｊとの間の少なくとも一部に、被成膜対象部分１０Ａ側を向く傾斜面１１２ｊを備える。本実施形態において、傾斜面１１２ｊは、第１窪み部１１４ｊの底部１１３ｊ（排気口９１）と第１平面部１１１ｊとを接続し、被成膜対象部分１０Ａ側を向く面である。本実施形態では、図８に示すように、傾斜面１１２ｊは第１窪み部１１４ｊ内の空間に向けて突出した曲面であり、いわゆるＲ形状を有している。このような傾斜面１１２ｊを有しているため、第１の型１１０ｊの第１窪み部１１４ｊ内の体積は、上述の第１実施形態の第１の型１１０の第１窪み部１１４内の体積よりも小さい。

本実施形態では、第２の型１２０ｊの第２窪み部１２４ｊもまた、排気口９２と第２平面部１２１ｊとの間の少なくとも一部に、被成膜対象部分１０Ａ側を向く傾斜面１２２ｊを備える。本実施形態において、傾斜面１２２ｊは、第２窪み部１２４ｊの底部１２３ｊ（排気口９２）と第２平面部１２１ｊとを接続し、被成膜対象部分１０Ａ側を向く面である。本実施形態では、図８に示すように、傾斜面１２２ｊは、第２平面部１２１ｊと底部１２３ｊとを接続する平面である。このような傾斜面１２２ｊを有しているため、第２窪み部１２４ｊ内の体積は、上述の第１実施形態の第２の型１２０の第２窪み部１２４内の体積よりも小さい。本実施形態における成膜装置２００ｊのその他の構成は、上述の第１実施形態の成膜装置２００と同様であるため、説明を省略する。

また、第２窪み部１２４ｊ内の体積は傾斜面１２２ｊを有さない場合と比較して小さいため、傾斜面１２２ｊを有さない場合と比較して第２平面部１２１ｊ側から排気口９２へ向かう気流を強くすることができ、異物がシール部材６０へ付着することをより抑制することができる。また、異物が堆積しやすい下方に配置された型（第２の型１２０ｊ）が傾斜面１２２ｊを有しているため、成膜装置２００ｊ内の異物を一層排出することができ、異物がシール部材６０へ付着することを一層抑制することができる。そのため、成膜不良を一層抑制することができる。

上述の第２実施形態では、第１の型１１０ｊの傾斜面１１２ｊは第１窪み部１１４ｊ内の空間に向けて突出した曲面であり、いわゆるＲ形状を有している。また、第２の型１２０ｊの傾斜面１２２ｊは、排気口９２（底部１２３ｊ）と第２平面部１２１ｊとを接続する平面である。これに対し、第１の型１１０ｊの傾斜面１１２ｊは、排気口９１と第１平面部１１１ｊとを接続する平面であってもよく、また、第２の型１２０ｊの傾斜面は１２２ｊは、第２窪み部１２４ｊ内の空間に向けて突出した曲面であってもよい。なお、第１窪み部１１４ｊは、排気口９１と第１平面部１１１ｊとの間の少なくとも一部に、被成膜対象部分１０Ａ側を向く傾斜面１１２ｊを備えていればよい。すなわち、傾斜面１１２ｊの形状は、第１窪み部１１４ｊが傾斜面１１２ｊを有さない場合と比較して、第１窪み部１１４ｊ内の体積を小さくし、第１平面部１１１ｊ側から排気口９１へ向かう気流を強くする形状であればよい。同様に、第２窪み部１２４ｊは、排気口９２と第２平面部１２１ｊとの間の少なくとも一部に、被成膜対象部分１０Ａ側を向く傾斜面１２２ｊを備えていればよい。傾斜面１２２ｊの形状は、第２窪み部１２４ｊが傾斜面１２２ｊを有さない場合と比較して第２窪み部１２４ｊ内の体積を小さくし、第２平面部１２１ｊ側から排気口９２へ向かう気流を強くする形状であればよい。なお、成膜容器１００ｊ内に異物が堆積することを抑制する観点から、傾斜面は、凹凸を有していないことが好ましい。

Ｃ２．成膜方法：
図１１は、成膜装置２００ｋによる成膜方法について示す工程図である。本実施形態における成膜方法では、上述の第１実施形態と同様に成膜が行われ（ステップＳ１０〜ステップＳ５０）、成膜容器１００内の圧力が調整されて（ステップＳ５５）、成膜容器１００が開かれる（ステップＳ６０）。本実施形態では、ステップＳ６０が開始される際には、制御部９５が排気装置９０を制御することにより排気口９１、９２を介して成膜容器１００内が排気され、さらに、制御部９５が気流形成部４０を制御することにより、成膜容器１００外に第１の型１１０側から第２の型１２０側へ向かう気流が形成される（ステップＳ６７）。ステップＳ６７を「工程（ｃ）」とも呼ぶ。

Claims (8)

1. ワークの一部に成膜を行う成膜装置による成膜方法であって、
   前記成膜装置は、
   第１窪み部と前記第１窪み部の周囲に配置された第１平面部とを有し、前記第１窪み部の底部に排気口を備える第１の型と、前記第１の型に対向して配置された第２の型と、を有する成膜容器と、
   前記第１の型の前記第１平面部と前記第２の型との間に配置され前記成膜容器が閉じた状態において、前記成膜容器内の気密を保つシール部材と、
   前記排気口に接続され前記成膜容器内を排気可能な排気装置と、
   前記成膜容器を開閉する開閉装置と、を備え、
   前記ワークは前記第１平面部から離間され、かつ、前記ワークの被成膜対象部分は前記成膜容器が閉じた状態において前記第１窪み部内の空間に向けられ、
   （ａ）前記成膜装置により前記ワークの一部に成膜を行う工程と、
   （ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記開閉装置により前記第１の型を前記ワークに対して相対的に離間させる方向に移動させて、前記成膜容器を開く工程と、
   （ｃ）前記工程（ｂ）が開始される際に、前記排気装置により前記排気口を介して前記成膜容器内を排気する工程と、を備える、
   成膜方法。
2. 請求項１に記載の成膜方法であって、
   前記第１窪み部は、前記排気口と前記第１平面部との間の少なくとも一部に、前記被成膜対象部分側を向く傾斜面を有する、成膜方法。
3. 請求項１又は請求項２に記載の成膜方法であって、
   前記第１の型は、前記ワークの下方に配置される、成膜方法。
4. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の成膜方法であって、
   前記成膜装置は、前記成膜容器外に前記第１の型側から前記第２の型側又は前記第２の型側から前記第１の型側へ向かう気流を形成する気流形成部を備え、
   （ｄ）前記工程（ｂ）が開始される際に、前記気流形成部によって前記成膜容器外に前記気流を形成する工程を備える、成膜方法。
5. ワークの一部に成膜を行う成膜装置であって、
   第１窪み部と前記第１窪み部の周囲に配置された第１平面部とを有し、前記第１窪み部の底部に排気口を備える第１の型と、前記第１の型に対向して配置された第２の型と、を有する成膜容器と、
   前記第１の型の前記第１平面部と前記第２の型との間に配置され前記成膜容器が閉じた状態において、前記成膜容器内の気密を保つシール部材と、
   前記排気口を介して前記成膜容器内を排気可能な排気装置と、
   前記成膜容器を開閉する開閉装置と、
   制御部と、を備え、
   前記ワークは前記第１平面部から離間され、かつ、前記ワークの被成膜対象部分は前記成膜容器が閉じた状態において前記第１窪み部内の空間に向けられており、
   前記制御部は、
   前記ワークの一部に成膜が行われた後に、前記開閉装置を制御して前記第１の型を前記ワークに対して相対的に離間させる方向に移動させて前記成膜容器を開き、
   前記成膜容器を開く際に、前記排気装置を制御して前記排気口を介して前記成膜容器内を排気する、
   成膜装置。
6. 請求項５に記載の成膜装置であって、
   前記第１窪み部は、前記排気口と前記第１平面部との間の少なくとも一部に、前記被成膜対象部分側を向く傾斜面を有する、成膜装置。
7. 請求項５又は請求項６に記載の成膜方法であって、
   前記第１の型は、前記ワークの下方に配置される、成膜装置。
8. 請求項５から請求項７までのいずれか一項に記載の成膜装置であって、
   前記成膜容器外に前記第１の型側から前記第２の型側又は前記第２の型側から前記第１の型側へ向かう気流を形成する気流形成部を備え、
   前記制御部は、前記ワークの一部に成膜が行われた後、前記成膜容器を開く際に、前記気流形成部を制御して前記成膜容器外に前記気流を形成する、成膜装置。

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