JP2005194589A

JP2005194589A - 真空装置およびその制御方法

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Publication number: JP2005194589A
Application number: JP2004003086A
Authority: JP
Inventors: Kazutomo Miyata; 一智宮田; Teruyuki Ota; 輝之太田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2004-01-08
Filing date: 2004-01-08
Publication date: 2005-07-21

Abstract

【課題】生産効率の低下を招くことなく、隣接する真空チャンバ間におけるガス混入を低減できるようにする。
【解決手段】切替手段３₁〜３₇によりガスｇ₁〜ｇ₇の導出先を真空チャンバ１₁〜１₇側から排気用真空ポンプ５₁〜５₇側に切り替え、真空ポンプ１₁〜１₇により複数の真空チャンバ１₁〜１₇内に導入されたガスｇ₁〜ｇ₇を排気し、開閉手段６₁〜６₈を開いて搬送手段により対象物７を搬送し、開閉手段６₁〜６₈を閉じて切替手段３₁〜３₇によりガスｇ₁〜ｇ₇の導出先を排気用真空ポンプ５₁〜５₇側から真空チャンバ１₁〜１₇側に切り替える。これにより、開閉手段６₁〜６₈を開くときに真空チャンバ１₁〜１₇へのガス導入を素早く停止し、開閉手段６₁〜６₈を閉じた後に真空チャンバ１₁〜１₇に導入するガスｇ₁〜ｇ₇の流量を素早く安定させることができる。
【選択図】図１

Description

この発明は、隣接する複数の真空チャンバを有する真空装置およびその制御方法に関する。

光学ディスクや半導体の製造工程においては様々の真空装置が用いられるが、近年最も広く利用されている真空装置の一つとして、隣接する複数の真空チャンバを有する真空装置がある。

図１２は、隣接する複数の真空チャンバを有する真空装置を示す模式図である。図１２に示すように、この真空装置は、真空チャンバ１０１₁〜１０１₄と、扉（バルブ）１０６₁〜１０６₅と、真空ポンプ（図１２中、ＶＰ）１０２₁〜１０２₄と、流量制御装置（図１２中、ＭＦＣ）１０４₁〜１０４₄とを備える。

真空チャンバ１０１₁〜１０１₄が一列をなすように隣接している。扉１０６₂〜１０６₄がそれぞれ真空チャンバ１０１₁〜１０１₄の間に設けられている。列をなす真空チャンバ１０１₁〜１０１₄の一端に位置する真空チャンバ１０１₁には扉１０６₁が設けられ、他端に位置する真空チャンバ１０１₄には扉１０６₅が設けられている。列をなす真空チャンバ１０１₁〜１０１₄の両端には、図示を省略したロード・ロック室が設けられている。

真空チャンバ１０１₁〜１０１₄はそれぞれ、排気管を介して真空ポンプ１０２₁〜１０２₄に接続される。真空チャンバ１０１₁〜１０１₄がそれぞれ、ガス導入管を介して流量制御装置１０４₁〜１０４₄に接続される。流量制御装置１０４₁〜１０４₄にはそれぞれ、ガス（プロセスガス）ｇ₁₀₁〜ｇ₁₀₄が供給される。

真空ポンプ１０２₁〜１０２₄はそれぞれ、真空チャンバ１０１₁〜１０１₄を真空引きする。流量制御装置１０４₁〜１０４₄はそれぞれ、真空チャンバ１０１₁〜１０１₄に導入するガスｇ₁₀₁〜ｇ₁₀₄の流量を制御する。扉１０６₂〜１０６₄はそれぞれ、真空チャンバ１０１₁〜１０１₄間を開閉可能に構成されている。扉１０６₁は、図示を省略したロード・ロック室と真空チャンバ１０１₁との間を開閉可能に構成されている。扉１０６₅は、図示を省略したロード・ロック室と真空チャンバ１０１₄との間を開閉可能に構成されている。

以下に、上述の真空装置の制御方法について説明する。まず、基板などの対象物（アクト）１０７が保持された真空チャンバ１０１₁〜１０１₄内を排気し、真空チャンバ１０１₁〜１０１₄内にガスｇ₁₀₁〜ｇ₁₀₄を導入しながら、スパッタリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Reactive Ion Etching）などのプロセスを対象物１０７に対して施す。その後、扉１０６₁〜１０６₅を一斉に開けて、プロセスを施した対象物１０７を一度に次のプロセスを施す真空チャンバ１０１₁〜１０１₄に移動させる。このように、扉１０６₁〜１０６₅を一斉に開け、プロセスを施した対象物１０７を一度に移動させることで、タクトアップおよび真空装置（生産装置）の簡易化を実現できる。

ところが、上述の真空装置およびその制御方法では、真空チャンバに導入するガスｇ₁₀₁〜ｇ₁₀₄の種類が異なる場合には、ガスコンタミネーションが生じてしまうとうい問題がある。例えば、真空チャンバ１０１₂に導入するガスｇ₁₀₂の種類が、真空チャンバ１０１₁，１０１₃に導入するガスｇ₁₀₁，ｇ₁₀₃の種類とは異なる場合、真空チャンバ１０１₂内に真空チャンバ１０１₁，１０１₃から異なる種類のガスｇ₁₀₁，ｇ₁₀₃が流れ込み、その結果、真空チャンバ１０１₂におけるプロセスが本来意図しているものとは異なるものとなってしまう。

このため、従来ではガスコンタミを防ぐために、以下のような制御方法が用いられている。すなわち、プロセス終了後に真空チャンバ１０１₁〜１０１₄へのガスｇ₁〜ｇ₄の導入を流量制御装置１０４₁〜１０４₄により止め、真空チャンバ１０１₁〜１０１₄内の真空度が十分真空度が高くなった後、扉１０６₁〜１０６₅を開ける。しかしながら、この制御方法では、扉１０６₁〜１０６₅を閉じて真空チャンバへのガス導入を再開した後、流量制御装置１０４₁〜１０４₄においてガス流量が安定するのに時間がかかってしまうため、タクトが上がらず、生産効率の低下を招いてしまうという問題がある。

したがって、この発明の目的は、生産効率の低下を招くことなく、隣接する真空チャンバ間におけるガス混入を低減することができる真空装置およびその制御方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、第１の発明は、隣接する複数の真空チャンバと、
複数の真空チャンバ間を開閉するための開閉手段と、
複数の真空チャンバを真空引きする真空ポンプと、
真空チャンバ側および排出側のどちらか一方にガスの導出先を切り替える切換手段と、
開閉手段を介して複数の真空チャンバ間における対象物の搬送を行う搬送手段と
を備え、
切替手段によりガスの導出先を真空チャンバ側から排気側に切り替え、真空ポンプにより複数の真空チャンバ内に導入されたガスを排気し、開閉手段を開いて搬送手段により対象物を搬送し、開閉手段を閉じて切替手段によりガスの導出先を排気側から真空チャンバ側に切り替えることを特徴とする真空装置である。

第２の発明は、隣接する複数の真空チャンバと、
複数の真空チャンバ間を開閉するための開閉手段と、
複数の真空チャンバを真空引きする真空ポンプと、
真空チャンバ側および排出側のどちらか一方にガスの導出先を切り替える切換手段と
開閉手段を介して複数の真空チャンバ間における対象物の搬送を行う搬送手段と
を備える真空装置の制御方法であって、
切替手段によりガスの導出先を真空チャンバ側から排気側に切り替え、真空ポンプにより複数の真空チャンバ内に導入されたガスを排気し、開閉手段を開いて搬送手段により対象物を搬送し、開閉手段を閉じて切替手段によりガスの導出先を排気側から真空チャンバ側に切り替えることを特徴とする真空装置の制御方法である。

この発明によれば、切替手段によりガスの導出先を真空チャンバ側から排気側に切り替え、真空ポンプにより複数の真空チャンバ内に導入されたガスを排気し、開閉手段を開いて搬送手段により対象物を搬送し、開閉手段を閉じて切替手段によりガスの導出先を排気側から真空チャンバ側に切り替えるので、開閉手段を開くときに真空チャンバへのガス導入を素早く停止し、開閉手段を閉じた後に真空チャンバに導入するガスの流量を素早く安定させることができる。

以上説明したように、この発明によれば、開閉手段を開くときに真空チャンバへのガス導入を素早く停止し、開閉手段を閉じた後に真空チャンバに導入するガスの流量を素早く安定させることができる。これにより、開閉手段を開くときに真空チャンバ内に残留するガスの濃度を素早く低減することができ、かつ、開閉手段を閉じた後にガス導入を停止する前のガス流量に素早く戻すことができる。これにより、生産効率の低下を招くことなく、隣接する真空チャンバ間におけるガスの混入を低減することができる。

以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。

図１は、この発明の第１の実施形態による真空装置の一構成例を示す模式図である。図１に示すように、この真空装置は、真空チャンバ１₁〜１₇と、真空ポンプ（図１中、ＶＰ）２₁〜２₇と、切替手段３₁〜３₇と、流量制御装置（図１中、ＭＦＣ）４₁〜４₇と、ガス排気用真空ポンプ（図１中、ＶＰ）５₁〜５₇と、開閉手段６₁〜６₈とを備える。この発明は、例えば、スパッタリング装置、エッチング装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、熱酸化装置およびこれらうち少なくとも２つを組み合わせた装置に対して適用することができる。以下では、一例として、第１の実施形態による真空装置が光記録媒体および光磁気記録媒体などを製造するスパッタリング装置である場合を示す。

真空チャンバ１₁〜１₇が一列をなすように隣接している。開閉手段６₂〜６₇がそれぞれ、真空チャンバ１₁〜１₇の間に設けられている。列をなす真空チャンバ１₁〜１₇の一端に位置する真空チャンバ１₁には開閉手段６₁が設けられ、他端に位置する真空チャンバ１₇には開閉手段６₈が設けられている。列をなす真空チャンバ１₁〜１₇の両端には、図示を省略したロード・ロック室が設けられている。

真空チャンバ１₁〜１₇はそれぞれ、排気管を介して真空ポンプ２₁〜２₇に接続される。真空チャンバ１₁〜１₇がそれぞれ、ガス導入管を介して切替手段３₁〜３₇に接続される。切替手段３₁〜３₇がそれぞれ、ガス導入管を介して流量制御装置４₁〜４₇に接続される。切替手段３₁〜３₇がそれぞれ、排気管を介して真空ポンプ５₁〜５₇に接続される。流量制御装置４₁〜４₇にはそれぞれ、ガス（プロセスガス）ｇ₁〜ｇ₇が供給される。導入されるガスｇ₁〜ｇ₇の種類は、少なくとも２種以上である。

真空ポンプ２₁〜２₇はそれぞれ、真空チャンバ１₁〜１₇を真空引きする。この真空ポンプ２₁〜２₇としては、例えばロータリポンプが用いられる。切替手段３₁〜３₇はそれぞれ、真空チャンバ１₁〜１₇およびガス排気用真空ポンプ５₁〜５₇のどちらか一方にガスｇ₁〜ｇ₇の導入先を切り替える。この切替手段３₁〜３₇としては、例えば切替バルブ（ＳＶ）が用いられる。

流量制御装置４₁〜４₇はそれぞれ、真空チャンバ１₁〜１₇に導入するガスの流量を制御する。ガス排気用真空ポンプ５₁〜５₇はそれぞれ、切替手段３₁〜３₇を介して供給されるガスｇ₁〜ｇ₇を排気する。このガス排気用真空ポンプ５₁〜５₇としては、例えばロータリポンプが用いられる。

開閉手段６₂〜６₇はそれぞれ、真空チャンバ１₁〜１₇間を開閉可能に構成されている。開閉手段６₁は、図示を省略したロード・ロック室と真空チャンバ１₁との間を開閉可能に構成されている。開閉手段６₈は、図示を省略したロード・ロック室と真空チャンバ１₇との間を開閉可能に構成されている。開閉手段６₁〜６₈としては、例えば扉（バルブ）が用いられる。

図２は、真空チャンバ１₁〜１₇の一構成例を示す模式図である。図２に示すように、真空チャンバ１₁〜１₇はそれぞれ、その内部に、ターゲット１１と、キャリア１２とを備える。ソース（気化源）であるターゲット１１を構成する材料は、基板などの対象物７に積層する薄膜の種類に応じて選ばれる。キャリア１２は、例えば基板などの対象物７を保持するための複数のホルダ１３を備える。キャリア１２は、列方向（図２中、矢印ａの方向）に移動可能に構成されている。

次に、第１の実施形態による真空装置の制御方法について説明する。図３は、第１の実施形態による真空装置の制御方法を説明するためのフローチャートである。

まず、ステップＳ１において、真空チャンバ１₁〜１₇内が所定の圧力になるまで真空ポンプ２₁〜２₇により真空チャンバ１₁〜１₇内を真空引きする。その後、ステップＳ２において、ガスｇ₁〜ｇ₇を真空チャンバ１₁〜１₇内に導入しながら、ターゲット１１をスパッタリングして対象物７上に磁性膜などの薄膜を成膜する。

次に、ステップＳ３において、流量制御装置４₁〜４₇により真空チャンバ１₁〜１₇に導入するガスｇ₁〜ｇ₇の流量を一定に保持した状態で、切替手段３₁〜３₇によりガスｇ₁〜ｇ₇の導入先を真空チャンバ１₁〜１₇側からガス排気用真空ポンプ５₁〜５₇側に切り替える。これにより、真空チャンバ１₁〜１₇内に導入するガスｇ₁〜ｇ₇がガス排気用真空ポンプ５₁〜５₇により排気される。そして、ステップＳ４において、開閉手段６₁〜６₈を開く。

次に、ステップＳ５において、対象物７を次のプロセスを施す真空チャンバ１₁〜１₇に搬送する。ステップＳ６において、開閉手段６₁〜６₈を閉じた後、ステップＳ７において、切替手段３₁〜３₇によりガスｇ₁〜ｇ₇の導入先をガス排気用真空ポンプ５₁〜５₇側から真空チャンバ１₁〜１₇側に切り替える。その後、ステップＳ１〜Ｓ７の処理を繰り返す。

この発明の第１の実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
一列をなすように隣接する真空チャンバ１₁〜１₇を真空ポンプ２₁〜２₇により真空引きし、ガスｇ₁〜ｇ₇を真空チャンバ１₁〜１₇に導入しながら、ターゲット１１をスパッタリングして対象物７に薄膜を成膜する。そして、切替手段３₁〜３₇によりガスｇ₁〜ｇ₇の導入先を真空チャンバ１₁〜１₇側からガス排気用真空ポンプ５₁〜５₇側へ切り替え、開閉手段６₁〜６₈を開き、この開閉手段６₁〜６₈を介して次のプロセスを施す真空チャンバ１₁〜１₇へ薄膜が成膜された対象物７を搬送する。そして、開閉手段６₁〜６₈を閉じ、切替手段３₁〜３₇によりガスｇ₁〜ｇ₇の導入先をガス排気用真空ポンプ５₁〜５₇側から真空チャンバ１₁〜１₇側へ切り替える。その後、上述のプロセスを繰り返す。

したがって、開閉手段６₁〜６₈を開くときに真空チャンバ１₁〜１₇へのガス導入を素早く停止し、開閉手段６₁〜６₈を閉じた後に真空チャンバ１₁〜１₇に導入するガスｇ₁〜ｇ₇の流量を素早く安定させることができる。これにより、開閉手段を開くとき真空チャンバ１₁〜１₇内に残留するガスｇ₁〜ｇ₇の濃度を素早く低減することができ、かつ、開閉手段６₁〜６₈を閉じた後にガス導入を停止する前のガス流量に素早く戻すことができる。よって、光記録媒体、光磁気記録媒体および半導体などの生産効率の低下を招くことなく、隣接する真空チャンバ間における異種ガスの混入を低減することができる。

次に、この発明の第２の実施形態について説明する。上述の第１の実施形態では、インライン式の装置に対してこの発明を適用した例について説明したが、この第２の実施形態では枚葉式の装置に対してこの発明を適用した例について説明する。なお、以下の説明では、上述の第１の実施形態と同一または対応する箇所には同一の符号を付して説明を省略する。

図４は、この発明の第２の実施形態による真空装置の一構成例を示す模式図である。図４に示すように、この真空装置は、メインチャンバ２１と、プロセスチャンバ２２₁〜２２₇と、基板入れ換え部２３と、開閉手段２８₁〜２８₈、複数の真空ポンプ２（図４中、ＶＰ）と、複数のガス導入部２９とを備える。この発明は、例えば、スパッタリング装置、エッチング装置、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、熱酸化装置およびこれらうち少なくとも２つを組み合わせた装置に対して適用することができる。以下では、一例として、第２の実施形態による真空装置が光記録媒体および光磁気記録媒体などを製造するスパッタリング装置である場合を示す。

プロセスチャンバ２２₁〜２２₇および基板入れ換え部２３がそれぞれメインチャンバ２１に隣接する。具体的には、メインチャンバ２１は多角形状の形状を有し、この多角形の各辺に対してそれぞれ、プロセスチャンバ２２₁〜２２₇および基板入れ換え部２３が隣接する。基板入れ換え部２３は、図示を省略したロード・ロック室と接続される。開閉手段２８₁〜２８₇がそれぞれ、メインチャンバ２１とプロセスチャンバ２２₁〜２２₇との間に設けられている。開閉手段２８₈が、メインチャンバ２１と基板入れ換え部２３との間に設けられている。

複数の真空ポンプ２がそれぞれ、メインチャンバ２１、プロセスチャンバ２２₁〜２２₇および基板入れ換え部２３に対して排気管を介して接続される。すなわち、メインチャンバ２１、プロセスチャンバ２２₁〜２２₇および基板入れ換え部２３はそれぞれ独立に真空排気可能な構成とされている。なお、図４では、便宜上、メインチャンバ２１、プロセスチャンバ２２₂〜２２₇および基板入れ換え部２３に接続される真空ポンプ２の図示を省略している。また、複数のガス導入部２９がそれぞれ、プロセスチャンバ２２₁〜２２₇に対してガス導入管を介して接続される。なお、図４では、便宜上、プロセスチャンバ２２₂〜２２₇に接続されるガス導入部２９の図示を省略している。

メインチャンバ２１は、そのチャンバ内に搬送部２４を備える。この搬送部２４は、メインチャンバ２１の中心部に配置された回転機構部２５と、回転機構部２５の中心Ｏから放射状に延びる複数のアーム２６とを備える。アーム２６の数は、プロセスチャンバ２２₁〜２２₇および基板入れ換え部２３の合計の数と同数とされる。

回転機構部２５は、その中心Ｏを軸として回転可能に構成されている。アーム２６は棒状の形状を有し、その一端が矢印ｂに示す方向に伸縮可能に回転機構部２５に保持されている。また、アーム２６の他端には、基板などの対象物７を保持するためのホルダ２７が備えられている。プロセスチャンバ２２₁〜２２₇は、基板などの対象物７上に磁性膜などの薄膜を順次積層するための真空チャンバである。

図５は、プロセスチャンバ２２の一構成例を模式的に示す断面図である。図５に示すように、プロセスチャンバ２２内部には、ターゲット４１および防着板４２が配設されている。また、プロセスチャンバ２２内には、ガス導入管３１が導入されている。

図６は、ガス導入管３１の一形状例を示す平面図である。図６に示すように、ガス導入管３１の端部はリング状を有し、このリングには、ガスを矢印ｃに示すようにリング中央部に向かって噴出するための複数の開口部３１ａが等間隔に設けられている。なお、このリングの中央部に、アーム２６により対象物７が搬送される。

図７は、プロセスチャンバ２２₁〜２２₇にガスを導入するためのガス導入部２９の一構成例を示す模式図である。図７に示すように、ガス導入部２９は、切替手段３と、流量制御装置（図７中、ＭＦＣ）４と、ガス排気用真空ポンプ（図７中、ＶＰ）５とを備える。切替手段３とプロセスチャンバ２２とがガス導入管３１により接続される。切替手段３と流量制御装置４とがガス導入管３２により接続される。切替手段３とガス排気用真空ポンプ５とが排気管３３により接続される。流量制御装置４には外部よりガスｇが供給される。以下では、プロセスチャンバ２２₁〜２２₇に導入するガスｇをそれぞれ、ガスｇ₁〜ｇ₇と称する。このガスｇ₁〜ｇ₇の種類は、少なくとも２種類以上である。

次に、上述の図３を参照しながら、第２の実施形態による真空装置の制御方法について説明する。

まず、ステップＳ１において、プロセスチャンバ２２₁〜２２₇が所定の圧力になるまで真空ポンプ２により真空引きする。その後、ステップＳ２において、ガスｇ₁〜ｇ₇をプロセスチャンバ２２₁〜２２₇内に導入しながら、ターゲット４１をスパッタリングして対象物７上に磁性膜などの薄膜を成膜する。

次に、ステップＳ３において、流量制御装置４によりプロセスチャンバ２２₁〜２２₇に導入するガスｇ₁〜ｇ₇の流量を一定に保持した状態で、切替手段３₁〜３₇によりガスｇ₁〜ｇ₇の導入先をプロセスチャンバ２２₁〜２２₇側からガス排気用真空ポンプ５側に切り替える。これにより、プロセスチャンバ２２₁〜２２₇内に導入するガスｇ₁〜ｇ₇がガス排気用真空ポンプ５により排気される。そして、ステップＳ４において、開閉手段２８₁〜２８₈を開く。

次に、ステップＳ５において、対象物７を次のプロセスを施すプロセスチャンバ２２₁〜２２₇にメインチャンバ２１を介して搬送する。次に、ステップＳ６において、開閉手段２８₁〜２８₈を閉じた後、ステップＳ７において、切替手段３₁〜３₇によりガスｇ₁〜ｇ₇の導入先をガス排気用真空ポンプ５側からプロセスチャンバ２２₁〜２２₇側に切り替える。そして、ステップＳ１〜Ｓ７の処理を繰り返す。

この発明の第２の実施形態では第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
第１の実施形態による真空装置を制御して光磁気記録媒体を作製した。図８は、第１の実施形態による真空装置を制御して作製された光磁気記録媒体の構成を示す断面図である。図８に示すように、この光磁気記録媒体５０は、基板５１上に、誘電体層５２、再生層５３、移動層５４、切断層５５、記録層５６、誘電体層５７、熱拡散層５８、保護層５９が順次積層されて構成される。なお、この光磁気記録媒体５０の情報信号の記録／再生は、光Ｌを対物レンズ６０により集光し、基板５１に照射することにより行われる。

（実施例１）
まず、射出成形法により、ランドおよびグルーブが一主面に形成された基板５１を作製した。そして、真空チャンバ１₁〜１₇に配設されたターゲット１１をスパッタリングすることにより、基板５１上に、誘電体層５２、再生層５３、移動層５４、切断層５５、記録層５６、誘電体層５７、熱拡散層５８、保護層５９を順次積層した。扉６₁〜６₈を空けて基板５１を搬送し、扉６₁〜６₈を閉じてプロセスを開始するまでの時間は０．５秒であった。なお、切替バルブ３₁〜３₇の切り替え、および扉６₁〜６₈の開閉は一斉に行った。

その後、スピンコート法により、熱拡散層５８上に紫外線硬化樹脂を均一に塗布し、塗布された紫外線硬化樹脂に対して紫外線を照射して、保護層５９を形成した。以上により、光磁気記録媒体５０を得た。

以下に、真空チャンバ１₁〜１₇におけるプロセス条件を示す。
真空チャンバ１１
ターゲット：Ｓｉターゲット
ガス種：Ａｒガスおよび窒素ガス
ガス流量：Ａｒ２０／Ｎ₂２０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．４５Ｐａ

真空チャンバ１２
ターゲット：ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲット
再生層５３の組成：Ｇｄ₂₆（Ｆｅ₉₅Ｃｏ₅）₇₄
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：３０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．３８Ｐａ

真空チャンバ１３
ターゲット：ＧｄＦｅＡｌ合金ターゲット
移動層５４の組成：（Ｇｄ_25.5Ｆｅ_74.5）₉₅Ａｌ₁₅
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：３０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．３８Ｐａ

真空チャンバ１４
ターゲット：ＴｂＦｅＣｏＡｌ合金ターゲット
切断層５５の組成：（Ｔｂ₂₆（Ｆｅ₉₂Ｃｏ₈）₇₄）₉₅Ａｌ₁₅
ガス種：Ｋｒガス
ガス流量：７０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．７２Ｐａ

真空チャンバ１５
ターゲット：ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲット
記録層５６の組成：Ｔｂ_23.5Ｆｅ_53.5Ｃｏ₂₃
ガス種：Ｋｒガス
ガス流量：７０ｓｃｃｍ
ガス圧力：１．１Ｐａ

真空チャンバ１６
ターゲット：Ｓｉターゲット
ガス種：アルゴンガスおよび窒素ガス
ガス流量：Ａｒ２０／Ｎ₂２０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．４５Ｐａ

真空チャンバ１７
ターゲット：ＡｌＴｉ合金ターゲット
ガス種：Ａｒガス
ガス流量：３０ｓｃｃｍ
ガス圧力：０．２５Ｐａ

（実施例２）
扉６₁〜６₈を空けて基板５１を搬送し、扉６₁〜６₈を閉じてプロセスを開始するまでの時間を１秒とする以外はすべて実施例１と同様にして光磁気記録媒体を得た。

（実施例３）
扉６₁〜６₈を空けて基板５１を搬送し、扉６₁〜６₈を閉じてプロセスを開始するまでの時間を５秒とする以外はすべて実施例１と同様にして光磁気記録媒体を得た。

（実施例４）
扉６₁〜６₈を空けて基板５１を搬送し、扉６₁〜６₈を閉じてプロセスを開始するまでの時間を１０秒とする以外はすべて実施例１と同様にして光磁気記録媒体を得た。

次に、上述の実施形態の真空装置を制御して作製された光磁気記録媒体５０と比較するために、従来の真空装置を制御して光磁気記録媒体５０を作製した。

図９は、従来例の真空装置の構成を示す模式図である。図９に示すように、この従来例の真空装置は、切替バルブ３₁〜３₇とガス排気用真空ポンプ５₁〜５₇とが省略され、流量制御装置４₁〜４₇が真空チャンバ１₁〜１₇に直接接続されている以外は全て実施形態の真空装置と同様の構成を有する。

（従来例１）
切替バルブ３₁〜３₇に代えて、流量制御装置４₁〜４₇により真空チャンバ１₁〜１₇へのガスｇ₁〜ｇ₇の導入および停止を制御する以外のことは全て実施例１と同様にして光磁気記録媒体５０を得た。

（従来例２）
切替バルブ３₁〜３₇に代えて、流量制御装置４₁〜４₇により真空チャンバ１₁〜１７へのガスｇ₁〜ｇ₇の導入および停止を制御する以外のことは全て実施例２と同様にして光磁気記録媒体５０を得た。

（従来例３）
切替バルブ３₁〜３₇に代えて、流量制御装置４₁〜４₇により真空チャンバ１₁〜１₇へのガスｇ₁〜ｇ₇の導入および停止を制御する以外のことは全て実施例３と同様にして光磁気記録媒体５０を得た。

（従来例４）
切替バルブ３₁〜３₇に代えて、流量制御装置４₁〜４₇により真空チャンバ１₁〜１₇へのガスｇ₁〜ｇ₇の導入および停止を制御する以外のことは全て実施例４と同様にして光磁気記録媒体５０を得た。

次に、上述の実施例１〜４および比較例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０のジッタを測定した。図１０に、実施例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０における再生用ＬＤ（Laser Diode）パワーとジッタ（jitter）との関係を示す。図１１に、比較例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０における再生用ＬＤパワーとジッタとの関係を示す。図１０および１１において、横軸が再生用ＬＤパワーであり、縦軸がジッタである。なお、広い再生用ＬＤパワーの範囲でジッタが低い値をとることが望ましいとされている。

図１０および１１から、実施例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０は、従来例１〜４の制御方法により得られたものに比して、広い再生用ＬＤパワーの範囲で低いジッタが得られることが分かる。

また、実施例１の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０では、良好なジッタが得され、実施例２〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０では、より良好なジッタが得られることが分かる。すなわち、実施例の制御方法では、扉６₁〜６₈を空けて基板５１を搬送し、扉６₁〜６₈を閉じてプロセスを開始するまでの時間を０．５秒としたときにも良好なジッタが得られ、プロセスを開始するまでの時間を１秒以上としたきにはより良好なジッタが得られることが分かる。

これに対して、従来例１，２の制御方法により得られた光磁気記録媒体５０では、良好なジッタが得られず、従来例３，４の制御方法により得られた光磁気記録媒体では、良好なジッタが得られることが分かる。すなわち、すなわち、実施例の制御方法では、扉６₁〜６₈を空けて基板５１を搬送し、扉６₁〜６₈を閉じてプロセスを開始するまでの時間を１秒以下としたときには良好なジッタが得られず、プロセスを開始するまでの時間を５秒以上としたきには良好なジッタが得られることが分かる。

よって、実施例の制御方法では、従来の制御方法に比べて光磁気記録媒体の生産効率をより向上でき、かつ、隣接する真空チャンバ間における異種ガスの混入をより低減できることが分かる。

以上、この発明の第１および第２の実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の第１および第２の実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の第１および第２の実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。

また、上述の第１および第２の実施形態では、切替バルブ３の排気側に真空ポンプ５を備える例について示したが、省略することも可能である。

この発明の第１の実施形態による真空装置の一構成例を示す模式図である。各真空チャンバの一構成例を示す模式図である。第１の実施形態による真空装置の制御方法を説明するためのフローチャートである。第２の実施形態による真空装置の一構成例を示す模式図である。プロセスチャンバの一構成例を模式的に示す断面図である。ガス導入管の一形状例を示す平面図である。ガス導入部の一構成例を示す模式図である。第１の実施形態による真空装置を制御して得られた光磁気記録媒体の構成を示す断面図である。従来例の真空装置の構成例を示す模式図である。実施例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体における再生用ＬＤパワーとジッタとの関係を示す。比較例１〜４の制御方法により得られた光磁気記録媒体における再生用ＬＤパワーとジッタとの関係を示す。従来の真空装置の構成を示す模式図である。

符号の説明

１₁〜１₇・・・真空チャンバ、２₁〜２₇，５₁〜５₇・・・真空ポンプ、３₁〜３₇・・・切替バルブ、４₁〜４₇・・・流量制御装置、６₁〜６₈，２８₁〜２８₈・・・扉、７・・・対象物、２１・・・メインチャンバ、２２₁〜２２₇・・・プロセスチャンバ

Claims

隣接する複数の真空チャンバと、
上記複数の真空チャンバ間を開閉するための開閉手段と、
上記複数の真空チャンバを真空引きする真空ポンプと、
上記真空チャンバ側および排出側のどちらか一方にガスの導出先を切り替える切換手段と、
上記開閉手段を介して上記複数の真空チャンバ間における対象物の搬送を行う搬送手段と
を備え、
上記切替手段によりガスの導出先を上記真空チャンバ側から上記排気側に切り替え、上記真空ポンプにより上記複数の真空チャンバ内に導入されたガスを排気し、上記開閉手段を開いて上記搬送手段により対象物を搬送し、上記開閉手段を閉じて上記切替手段によりガスの導出先を上記排気側から上記真空チャンバ側に切り替えることを特徴とする真空装置。
ガスを排気するためのガス排気用真空ポンプを上記排気側にさらに備えることを特徴とする請求項１記載の真空装置。
上記複数の真空チャンバは一列をなすように隣接することを特徴とする請求項１記載の真空装置。
上記複数の真空チャンバの１つに対して、他の真空チャンバがそれぞれ隣接することを特徴とする請求項１記載の真空装置。
上記複数の真空チャンバに導入されるガスの種類は、少なくとも２種以上であることを特徴とする請求項１記載の真空装置。
対象物に薄膜を成膜するためのソースを上記真空チャンバ内にさらに備えることを特徴とする請求項１記載の真空装置。
隣接する複数の真空チャンバと、
上記複数の真空チャンバ間を開閉するための開閉手段と、
上記複数の真空チャンバを真空引きする真空ポンプと、
上記真空チャンバ側および排出側のどちらか一方にガスの導出先を切り替える切換手段と
上記開閉手段を介して上記複数の真空チャンバ間における対象物の搬送を行う搬送手段と
を備える真空装置の制御方法であって、
上記切替手段によりガスの導出先を上記真空チャンバ側から上記排気側に切り替え、上記真空ポンプにより上記複数の真空チャンバ内に導入されたガスを排気し、上記開閉手段を開いて上記搬送手段により対象物を搬送し、上記開閉手段を閉じて上記切替手段によりガスの導出先を上記排気側から上記真空チャンバ側に切り替えることを特徴とする真空装置の制御方法。
ガスを排気するためのガス排気用真空ポンプを上記排気側にさらに備えることを特徴とする請求項８記載の真空装置の制御方法。
上記複数の真空チャンバは一列をなすように隣接することを特徴とする請求項８記載の真空装置の制御方法。
上記複数の真空チャンバの１つに対して、他の真空チャンバがそれぞれ隣接することを特徴とする請求項８記載の真空装置の制御方法。
上記複数の真空チャンバに導入されるガスの種類が、少なくとも２種以上であることを特徴とする請求項８記載の真空装置の制御方法。
対象物に薄膜を成膜するためのソースを上記真空チャンバ内にさらに備え、
上記切替手段によりガスの導出先を切り替える前に、上記ソースにより対象物上に薄膜を形成することを特徴とする請求項８記載の真空装置の制御方法。