JP2017190398A - 切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法 - Google Patents
切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017190398A JP2017190398A JP2016080547A JP2016080547A JP2017190398A JP 2017190398 A JP2017190398 A JP 2017190398A JP 2016080547 A JP2016080547 A JP 2016080547A JP 2016080547 A JP2016080547 A JP 2016080547A JP 2017190398 A JP2017190398 A JP 2017190398A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cutting
- mass
- additive
- cutting water
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 167
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 40
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 16
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 16
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 5
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims abstract 3
- -1 alkyl sulfate salt Chemical class 0.000 claims description 43
- 150000008051 alkyl sulfates Chemical class 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 9
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 3
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 17
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 14
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 14
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 14
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 14
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 9
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N dodecyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O MOTZDAYCYVMXPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229940043264 dodecyl sulfate Drugs 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- CSMFSDCPJHNZRY-UHFFFAOYSA-M decyl sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O CSMFSDCPJHNZRY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- CSMFSDCPJHNZRY-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid monodecyl ester Natural products CCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O CSMFSDCPJHNZRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 4
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 4
- URLJMZWTXZTZRR-UHFFFAOYSA-N sodium myristyl sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O URLJMZWTXZTZRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960000776 sodium tetradecyl sulfate Drugs 0.000 description 4
- QTUIJRIDZOSXHJ-UHFFFAOYSA-M tridecyl sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O QTUIJRIDZOSXHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UZZYXUGECOQHPU-UHFFFAOYSA-M n-octyl sulfate Chemical compound CCCCCCCCOS([O-])(=O)=O UZZYXUGECOQHPU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KETHQOOVMIVLCH-UHFFFAOYSA-M nonyl sulfate(1-) Chemical compound CCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O KETHQOOVMIVLCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229940067739 octyl sulfate Drugs 0.000 description 3
- COUMKTRLCGRAAA-UHFFFAOYSA-M pentadecyl sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O COUMKTRLCGRAAA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 3
- UZZYXUGECOQHPU-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid monooctyl ester Natural products CCCCCCCCOS(O)(=O)=O UZZYXUGECOQHPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 3
- STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-dinitroanilino)-4-methylpentanoic acid Chemical compound CC(C)CC(C(O)=O)NC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O STMDPCBYJCIZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- HVWGGPRWKSHASF-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid, monooctadecyl ester Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O HVWGGPRWKSHASF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 2
- 229940053200 antiepileptics fatty acid derivative Drugs 0.000 description 2
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical class C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019387 fatty acid methyl ester Nutrition 0.000 description 2
- KGIBGHABTNQVJX-UHFFFAOYSA-N heptadecyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O KGIBGHABTNQVJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPTIRUACFKQDHZ-UHFFFAOYSA-N hexadecyl sulfate;hydron Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O LPTIRUACFKQDHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 2
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 2
- 229920001515 polyalkylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N protonated dimethyl amine Natural products CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 2
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 2
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 2
- PSBDWGZCVUAZQS-UHFFFAOYSA-N (dimethylsulfonio)acetate Chemical compound C[S+](C)CC([O-])=O PSBDWGZCVUAZQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylimidazole Chemical compound C=CN1C=CN=C1 OSSNTDFYBPYIEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N Betaine Natural products C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 CCC(C)(CC)N(*C)O* Chemical compound CCC(C)(CC)N(*C)O* 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerol Natural products OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-O N,N,N-trimethylglycinium Chemical compound C[N+](C)(C)CC(O)=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N Sulfobutanedioic acid Chemical class OC(=O)CC(C(O)=O)S(O)(=O)=O ULUAUXLGCMPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical class OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUBJEHHGZYTRPH-KTKRTIGZSA-N [(z)-octadec-9-enyl] hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOS(O)(=O)=O ZUBJEHHGZYTRPH-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000001548 androgenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229940064004 antiseptic throat preparations Drugs 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000686 benzalkonium chloride Drugs 0.000 description 1
- UREZNYTWGJKWBI-UHFFFAOYSA-M benzethonium chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC(C(C)(C)CC(C)(C)C)=CC=C1OCCOCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 UREZNYTWGJKWBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960001950 benzethonium chloride Drugs 0.000 description 1
- CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N benzyl(dimethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].C[NH+](C)CC1=CC=CC=C1 CADWTSSKOVRVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940000635 beta-alanine Drugs 0.000 description 1
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical class OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical class CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGFIRJFZBSYRDL-UHFFFAOYSA-N docosyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O LGFIRJFZBSYRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002169 ethanolamines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N glyceric acid Chemical compound OCC(O)C(O)=O RBNPOMFGQQGHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical class C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N n-vinylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(C=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 KKFHAJHLJHVUDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- JKTVUKBHRRIGSI-UHFFFAOYSA-N nonadecyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O JKTVUKBHRRIGSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004365 octenyl group Chemical group C(=CCCCCCC)* 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000002467 phosphate group Chemical class [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920013639 polyalphaolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000223 polyglycerol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920013636 polyphenyl ether polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 108090000765 processed proteins & peptides Proteins 0.000 description 1
- 102000004196 processed proteins & peptides Human genes 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 229940117986 sulfobetaine Drugs 0.000 description 1
- 150000008054 sulfonate salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- OXYOPNBYVLUFAF-UHFFFAOYSA-M tetracosyl sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O OXYOPNBYVLUFAF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005425 toluyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- LLWSFGBRDPXOTH-UHFFFAOYSA-N tricosyl hydrogen sulfate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O LLWSFGBRDPXOTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical class CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止できる切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法を提供すること。【解決手段】本発明の切削水用添加剤は、下記一般式(1)で表される構成単位を50質量%以上含有する0.001質量%以上50質量%以下の高分子化合物と、高分子化合物10質量部に対して、1質量部以上100質量部以下の発泡剤と、を含有する水溶液である。【化1】(式(1)中、R1〜R4は、それぞれ水素原子又は炭素原子が1以上8以下の炭化水素基を表す。R1〜R4は、同一であってもよく、相互に異なっていてもよい。)【選択図】なし
Description
本発明は、切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法に関し、例えば、高分子化合物及び発泡剤を含有する切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法に関する。
半導体ウェーハ及び発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)基板などの光デバイスウェーハ、並びに、ガラス基板及びセラミックス基板などは、切削ブレードを用いた切削加工により個々のデバイスチップに分割されている。この切削加工では、切削加工に伴って発生する切削屑が被加工物に付着して被加工物である半導体デバイスに付着する場合がある。特に、相補性金属酸化膜半導体(CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor)及び電荷結合素子(CCD:Charge Coupled Device)などの半導体デバイスなどの被加工物を切削する際には、切削加工に伴って発生する切削屑が被加工物に付着して素子の機能を抑制して半導体デバイスの性質が低下する場合があり、切削屑への対処が特に重要となる。
従来、被加工物への切削屑の付着を抑制する切り屑付着抑制剤が提案されている(例えば、特許文献1参照)。この特許文献1に記載の切り屑付着抑制剤は、切削加工に用いる切削水に所定量の高分子量水溶性カチオンポリマーを添加することにより、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止している。
しかしながら、特許文献1に記載の切り屑付着抑制を用いた場合であっても、必ずしも十分に除去できない場合があり、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止できる更なる技術が望まれている。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止できる切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上述した課題を解決するべく、鋭意検討を行った結果、特定構造を有する高分子化合物と発泡剤とを含有する水溶液の切削水用添加剤を用いることにより、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を十分に防止可能な切削水を従来と比較してより安価に実現できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明の切削水用添加剤は、下記一般式(1)で表される構成単位を50質量%以上含有する0.001質量%以上50質量%以下の高分子化合物と、前記高分子化合物10質量部に対して、1質量部以上100質量部以下の発泡剤と、を含有する水溶液であることを特徴とする。
(式(1)中、R1〜R4は、それぞれ水素原子又は炭素原子が1以上8以下の炭化水素基を表す。R1〜R4は、同一であってもよく、相互に異なっていてもよい。)
本発明の切削水用添加剤においては、前記高分子化合物の重量平均分子量が、50,000以上80,000以下であることが好ましい。
本発明の切削水用添加剤においては、水不溶分の含有量が0.1質量%未満であることが好ましい。
本発明の切削水用添加剤においては、前記高分子化合物が、前記一般式(1)で表される構成単位からなることが好ましい。
本発明の切削水用添加剤においては、前記一般式(1)で表される構成単位のR1〜R4が全て水素原子であることが好ましい。
本発明の切削水用添加剤においては、前記発泡剤が、アルキル硫酸塩を含有することが好ましい。
本発明の切削水用添加剤においては、前記アルキル硫酸塩が、硫酸アンモニウム塩を含有することが好ましい。
本発明の切削水用添加剤においては、前記高分子化合物が、下記一般式(2)で表される化合物を含む単量体を重合させて得られることが好ましい。
(式(2)中、R1〜R4は、それぞれ水素原子又は炭素原子が1以上8以下の炭化水素基を表す。R1〜R4は、同一であってもよく、相互に異なっていてもよい。)
本発明の切削水用添加剤においては、金属分の含有量が0.1質量%未満であることが好ましい。
本発明の切削水は、上記切削水用添加剤を含むことを特徴とする。
本発明の切削水においては、固形分の含有量が、0.001質量%以上1質量%以下であることが好ましい。
本発明の切削加工方法は、上記切削水を用いて被加工物の切削加工を行う工程を含むことを特徴とする。
本発明によれば、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止できる切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法を実現できる。
以下、本発明の一実施の形態について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、適宜変更して実施可能である。
<切削水用添加剤>
本発明に係る切削水用添加剤は、下記一般式(1)で表される構成単位を50質量%以上含有する0.001質量%以上50質量%以下の高分子化合物と、高分子化合物10質量部に対して、1質量部以上100質量部以下の発泡剤と、を含有する水溶液である。
(式(1)中、R1〜R4は、それぞれ水素原子又は炭素原子が1以上8以下の炭化水素基を表す。R1〜R4は、同一であってもよく、相互に異なっていてもよい。)
本発明に係る切削水用添加剤は、下記一般式(1)で表される構成単位を50質量%以上含有する0.001質量%以上50質量%以下の高分子化合物と、高分子化合物10質量部に対して、1質量部以上100質量部以下の発泡剤と、を含有する水溶液である。
上記切削水用添加剤によれば、上記一般式(1)の構成単位を含む高分子化合物が直鎖状の分子構造を有するので、この直鎖状の分子構造と発泡剤との相乗効果により切削水用添加剤を添加した切削水の親水性が、従来の切削水用添加剤と比較してより一層向上する。これにより、切削加工中の半導体ウェハーなどの被加工物の表面が高い親水性を有する切削水用添加剤を含有する切削水によって被覆されるので、被加工物表面が切削屑の付着しにくい状態となり、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止できる。また、上記一般式(1)の構成単位を含む高分子化合物は、安価に入手できるので、被加工物への切削屑の付着を十分に防止可能な切削水のコストを従来と比較して削減することができる。
上記切削水用添加剤においては、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止する観点から、水不溶分の含有量が0.1質量%未満であることが好ましく、0.05質量%未満であることがより好ましく、0.01質量%未満であることが更に好ましい。ここで、水不溶分とは、一般的な非水溶性の物質であり、例えば、水に対する溶解度が0.1質量%以下のもののことである。水不溶分としては、例えば、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂、アルキド樹脂、ポリエチレン、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、フッ素樹脂、ポリアミド樹脂及びこれらの混合樹脂などの合成樹脂、ポリ-α-オレフィン、エチレン-α-オレフィン共重合体、ポリブテン、アルキルベンゼン、アルキルナフタレン、ポリアルキレングリコール、ポリフェニルエーテル、アルキル置換ジフェニルエーテル、ポリオールエステル、二塩基酸エステル、炭酸エステル、シリコーン油及びフッ素化油などの合成油、パラフィン系鉱油及びナフテン系鉱油などの鉱油、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン及びペンタンなどの炭化水素系溶剤、トリクロロエタン及びジクロロメタンなどのハロゲン系溶剤、酸化カルシウム、酸化鉄及びシリカなどが挙げられる。なお、切削水用添加剤が含有する水としては、被加工物の切削屑を除去できるものであれば、特に制限はない。水としては、例えば、水道水、イオン交換水、蒸留水及び純水などが用いられる。
上記切削水用添加剤においては、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止する観点から、金属分の含有量が0.1質量%未満であることが好ましい。金属分の含有量が0.1質量%未満であれば、水に不溶な金属分による硬質板状物などの被加工物の表面への損傷及び金属の被加工物上への残存による半導体チップの不具合を防ぐことができる。また、金属分は、水に可溶なものであっても、被加工物上に残存すると不具が生じる場合がある。水不溶分の含有量としては、上述した作用効果がより一層向上する観点から、0.05質量%以下が好ましく、0.01質量%以下がより好ましく、0.005質量%以下が更に好ましく、実質含有していないことがより更に好ましい。金属分とは、単体の金属、金属酸化物及び金属塩化物などである。金属分としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム、バリウムなどのアルカリ土類金属、チタン、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛などの遷移金属元素、アルミニウム、ガリウム及び鉛などの典型金属元素、珪素及びリンなどのその他の元素、並びに、これらの酸化物、塩化物、炭化物、窒化物、炭窒化物、オキシ窒化物及びホウ化物などが挙げられる。
上記切削水用添加剤は、高分子化合物などの固形分の濃度が、0.001質量%以上50質量%以下であることが好ましい。固形分の濃度が0.001質量%以上であれば、輸送時のコストを削減することができ、50質量%以下であれば、安定性が向上してゲル化及び分離などを防ぐことができる。固形分の濃度は、3質量%以上45質量%以下が好ましく、5質量%以上40質量%以下が更に好ましい。以下、本発明に係る切削水用添加剤の各種構成要素について詳細に説明する。
(高分子化合物)
高分子化合物としては、下記一般式(1)で表される構成単位を50質量%以上含有するものを用いる。
(式(1)中、R1〜R4は、それぞれ水素原子又は炭素原子が1以上8以下の炭化水素基を表す。R1〜R4は、同一であってもよく、相互に異なっていてもよい。)
高分子化合物としては、下記一般式(1)で表される構成単位を50質量%以上含有するものを用いる。
上記一般式(1)におけるR1〜R4としては、水素原子又は炭素原子が1以上8以下の炭化水素基であり、例えば、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ターシャリブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基などの炭素数1以上8以下のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、イソペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基及びオクテニル基などの炭素数2以上8以下のアルケニル基、フェニル基、トルイル基及びキシリル基などのアリール基などが挙げられる。
これらの中でも、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を効率良く防止できる観点から、上記一般式(1)におけるR1〜R4としては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ターシャリブチル基及びペンチル基などのアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、イソペンテニル基などのアルケニル基などの炭素数1以上5以下の炭化水素基が好ましく、水素原子、メチル基、エチル基及びなどのアルキル基、ビニル基、アリル基及びプロペニル基などのアルケニル基などの炭素数1以上3以下の炭化水素基がより好ましく、更に入手容易性及び経済性にも優れる観点から、全て水素原子であることがより更に好ましい。
上記一般式(1)で表される構成単位を含有する高分子化合物としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリエチレンオキサイドとポリプロピレンオキサイドとの共重合体などのポリアルキレングルコールなどが挙げられる。これらの中でも、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を効率良く防止できる観点から、高分子化合物としては、ポリエチレンオキサイド及びポリプロピレンオキサイドが好ましく、更に入手容易性及び経済性の観点から、上記一般式(1)で表される構成単位からなるポリエチレンオキサイドがより好ましい。このポリエチレンオキサイドは、下記一般式(2)で表される化合物を含む単量体を重合させて得ることができる。
(式(2)中、R1〜R4は、それぞれ水素原子又は炭素原子が1以上8以下の炭化水素基を表す。R1〜R4は、同一であってもよく、相互に異なっていてもよい。)
また、高分子化合物は、上記一般式(1)で表される構成単位からなる単量体の単独高分子化合物を用いてもよく、上記一般式(1)で表される構成単位からなる第1単量体と、第1単量体以外の構成単位からなる第2単量体とを共重合して得られる共重合体を用いてもよい。第2単量体としては、例えば、上記一般式(1)で表される単量体と共重合するものであれば特に制限はなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、スチレン、アクリロニトリル、酢酸ビニル、ビニルカルバゾール、塩化ビニリデン、ブタジエン、ビニルアセテート、ビニルイミダゾール、ビニルカプトラクタムなどの単量体が挙げられる。これらの単独重合体及び共重合体は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
高分子化合物としては、上記一般式(1)で表される構成単位の含有量が50質量%以上含有するものを用いる。上記一般式(1)で表される構成単位の含有量が50質量%以上であれば、高分子化合物の分子構造が十分に直鎖状となるので、切削水の親水性が向上して、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止できる。上記一般式(1)で表される構成単位の含有量は、上述した作用効果がより一層向上する観点から、60質量%以上が好ましく、70質量%以上がより好ましく、80質量%以上が更に好ましく、更に入手容易性及び経済性の観点から、含有量が100質量%となる上記一般式(1)で表される構成単位からなるポリオキシエチレンが特に好ましい。
また、高分子化合物としては、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止する観点から、重量平均分子量が50,000以上80,000以下のものが好ましい。上述した作用効果をより一層向上する観点から、重量平均分子量は、50,250以上70,000以下がより好ましく、50,500以上60,500以下が更に好ましい。
(発泡剤)
発泡剤としては、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤及び両性界面活性剤などの界面活性剤などを用いることができる。アニオン界面活性剤としては、例えば、高級脂肪酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、硫化オレフィン塩、高級アルキル硫酸塩などのアルキル硫酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、硫酸化脂肪酸塩、スルホン化脂肪酸塩、リン酸エステル塩、脂肪酸エステルの硫酸エステル塩、グリセライド硫酸エステル塩、脂肪酸エステルのスルホン酸塩、α−スルホ脂肪酸メチルエステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸エステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド、脂肪酸アルカノールアミド又はそのアルキレンオキサイド付加物の硫酸エステル塩、スルホコハク酸エステル、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、アルキルベンゾイミダゾールスルホン酸塩、ポリオキシアルキレンスルホコハク酸塩、N−アシル−N−メチルタウリンの塩、N−アシルグルタミン酸又はその塩、アシルオキシエタンスルホン酸塩、アルコキシエタンスルホン酸塩、N−アシル−β−アラニン又はその塩、N−アシル−N−カルボキシエチルタウリン又はその塩、N−アシル−N−カルボキシメチルグリシン又はその塩、アシル乳酸塩、N−アシルサルコシン塩、及びアルキル又はアルケニルアミノカルボキシメチル硫酸塩等が挙げられる。なお、上記のアニオン界面活性剤の塩としては、アンモニウム塩、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩が挙げられる。
発泡剤としては、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤及び両性界面活性剤などの界面活性剤などを用いることができる。アニオン界面活性剤としては、例えば、高級脂肪酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、硫化オレフィン塩、高級アルキル硫酸塩などのアルキル硫酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、硫酸化脂肪酸塩、スルホン化脂肪酸塩、リン酸エステル塩、脂肪酸エステルの硫酸エステル塩、グリセライド硫酸エステル塩、脂肪酸エステルのスルホン酸塩、α−スルホ脂肪酸メチルエステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル硫酸エステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルフェニルエーテル硫酸エステル塩、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド、脂肪酸アルカノールアミド又はそのアルキレンオキサイド付加物の硫酸エステル塩、スルホコハク酸エステル、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、アルキルベンゾイミダゾールスルホン酸塩、ポリオキシアルキレンスルホコハク酸塩、N−アシル−N−メチルタウリンの塩、N−アシルグルタミン酸又はその塩、アシルオキシエタンスルホン酸塩、アルコキシエタンスルホン酸塩、N−アシル−β−アラニン又はその塩、N−アシル−N−カルボキシエチルタウリン又はその塩、N−アシル−N−カルボキシメチルグリシン又はその塩、アシル乳酸塩、N−アシルサルコシン塩、及びアルキル又はアルケニルアミノカルボキシメチル硫酸塩等が挙げられる。なお、上記のアニオン界面活性剤の塩としては、アンモニウム塩、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩が挙げられる。
これらのアニオン界面活性剤の中でも、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止する観点から、アルキル硫酸塩が好ましく、高級アルキル硫酸塩がより好ましい。高級アルキル硫酸塩としては、例えば、例えば、オクチル硫酸塩、ノニル硫酸塩、デシル硫酸塩、ドデシル硫酸塩、トリデシル硫酸塩、テトラデシル硫酸塩、ペンタデシル硫酸塩、ヘキサデシル硫酸塩、ヘプタデシル硫酸塩、オクタデシル硫酸塩、ノナデシル硫酸塩、エイコシル硫酸塩、ヘンイコシル硫酸塩、ドコシル硫酸塩、トリコシル硫酸塩、テトラコシル硫酸塩、オレイル硫酸塩などが挙げられる。これらの中でも、アルキル硫酸塩としては、オクチル硫酸塩、ノニル硫酸塩、デシル硫酸塩、ドデシル硫酸塩、トリデシル硫酸塩、テトラデシル硫酸塩、ペンタデシル硫酸塩、ヘキサデシル硫酸塩、ヘプタデシル硫酸塩、オクタデシル硫酸塩などの炭素数8以上18以下のアルキル硫酸塩が好ましく、オクチル硫酸塩、ノニル硫酸塩、デシル硫酸塩、ドデシル硫酸塩、トリデシル硫酸塩、テトラデシル硫酸塩及びペンタデシル硫酸塩などの炭素数8以上15以下のアルキル硫酸塩がより好ましく、デシル硫酸塩、ドデシル硫酸塩、トリデシル硫酸塩及びテトラデシル硫酸塩などの炭素数10以上14以下のアルキル硫酸塩が更に好ましく、デシル硫酸塩及びドデシル硫酸塩がより更に好ましく、ドデシル硫酸塩が特に好ましい。
また、アルキル硫酸塩としては、アルキル硫酸ナトリウム、アルキル硫酸カリウムなどの各種アルキル硫酸金属塩及びアルキル硫酸アンモニウムが好ましく、被加工物の表面への金属の付着を防ぐ観点から、アルキル硫酸アンモニウムがより好ましい。
ノニオン界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルケニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル(エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの付加形態は、ランダム状、ブロック状の何れでもよい。)、ポリエチレングリコールプロピレンオキサイド付加物、ポリプロピレングリコールエチレンオキサイド付加物、グリセリン脂肪酸エステル又はそのエチレンオキサイド付加物、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、アルキルポリグルコシド、脂肪酸モノエタノールアミド又はそのエチレンオキサイド付加物、脂肪酸−N−メチルモノエタノールアミド又はそのエチレンオキサイド付加物、脂肪酸ジエタノールアミド又はそのエチレンオキサイド付加物、ショ糖脂肪酸エステル、アルキル(ポリ)グリセリンエーテル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸メチルエステルエトキシレート、N−長鎖アルキルジメチルアミンオキサイド等が挙げられる。
カチオン界面活性剤としては、例えば、アルキル(アルケニル)トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル(アルケニル)ジメチルアンモニウム塩、アルキル(アルケニル)四級アンモニウム塩、エーテル基或いはエステル基或いはアミド基を含有するモノ或いはジアルキル(アルケニル)四級アンモニウム塩、アルキル(アルケニル)ピリジニウム塩、アルキル(アルケニル)ジメチルベンジルアンモニウム塩、アルキル(アルケニル)イソキノリニウム塩、ジアルキル(アルケニル)モルホニウム塩、ポリオキシエチレンアルキル(アルケニル)アミン、アルキル(アルケニル)アミン塩、ポリアミン脂肪酸誘導体、アミルアルコール脂肪酸誘導体、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム等が挙げられる。
両性界面活性剤としては、例えば、カルボキシベタイン、スルホベタイン、ホスホベタイン、アミドアミノ酸、イミダゾリニウムベタイン系界面活性剤等が挙げられる。
以上を考慮すると、発泡剤としては、アルキル硫酸塩が好ましく、炭素数8以上18以下のアルキル硫酸塩がより好ましく、炭素数8以上18以下のアルキル硫酸アンモニウムが更に好ましく、ドデシル硫酸アンモニウムが特に好ましい。
発泡剤の配合量は、高分子化合物10質量部に対して、1質量部以上100質量部以下である。これにより、切削加工中のウェハー表面が高い親水性を有する切削水用添加剤を含有する切削水で被覆されるので、被加工物表面が切削屑の付着しにくい状態となり、被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止できる。発泡剤の配合量は、高分子化合物10質量部に対して、2質量部以上50質量部以下が好ましく、3以上20質量部以下がより好ましく、5以上15質量部以下が更に好ましい。
(その他の成分)
本発明に係る切削水用添加剤は、加工性及び泡立ちの度合いを著しく低下させず、水に0.1質量%以上溶解するものであれば、一般的な加工油剤に添加できる種々のその他の成分を必要に応じて加えて用いてもよい。このようなその他の成分としては、例えば、一般的な加工油に添加されている公知の防錆剤、消泡剤、防腐剤、防食剤及び着色剤などが挙げられる。これらのその他の成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、これらのその他の成分としては、金属を含有しないもの及び水に対して易溶などものが好ましい。
本発明に係る切削水用添加剤は、加工性及び泡立ちの度合いを著しく低下させず、水に0.1質量%以上溶解するものであれば、一般的な加工油剤に添加できる種々のその他の成分を必要に応じて加えて用いてもよい。このようなその他の成分としては、例えば、一般的な加工油に添加されている公知の防錆剤、消泡剤、防腐剤、防食剤及び着色剤などが挙げられる。これらのその他の成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、これらのその他の成分としては、金属を含有しないもの及び水に対して易溶などものが好ましい。
<切削水>
本発明に係る切削水は、上記切削水用添加剤を含有するものである。本発明に係る切削水は、例えば、上記切削水用添加剤を水道水、イオン交換水、蒸留水及び純水などの各種水で希釈したものである。切削水中の切削水用添加剤の濃度としては、例えば、0.001質量%以上1.0質量%以下が好ましい。なお、上記切削水用添加剤の濃度が低く、本発明に係る切削水として使用できる上記濃度の範囲内である場合には、上記切削水用添加剤を上記切削水として用いてもよい。
本発明に係る切削水は、上記切削水用添加剤を含有するものである。本発明に係る切削水は、例えば、上記切削水用添加剤を水道水、イオン交換水、蒸留水及び純水などの各種水で希釈したものである。切削水中の切削水用添加剤の濃度としては、例えば、0.001質量%以上1.0質量%以下が好ましい。なお、上記切削水用添加剤の濃度が低く、本発明に係る切削水として使用できる上記濃度の範囲内である場合には、上記切削水用添加剤を上記切削水として用いてもよい。
切削水においては、固形分が0.0001質量%以上1質量%以下であることが好ましい。これにより、切削水は、固形分の含有量が1質量%以下であれば、経済的に優れ、硬質板状物などの被加工物上に微量の固形分が残存することによる悪影響を防ぐことができ、また0.0001質量%以上であれば、切削水用添加剤による効果を十分に得ることができる。切削水における固形分の含有量としては、0.001質量%以上0.5質量%以下がより好ましく、0.001質量%以上0.1質量%以下が更に好ましい。固形分とは、例えば、高分子化合物、上述した水不溶分及び金属分などである。
<切削加工方法>
本実施の形態に係る切削加工方法は、上記切削水を用いて被加工物の切削加工を行う工程を含む。被加工物としては、例えば、金属、ガラス及びセラミックスなどの硬質材料からなる硬質板状物などが挙げられ、切削屑による阻害を特に受けやすい半導体ウェハー及び電子部品材料が好ましい。半導体ウェハー及び電子部品材料としては、例えば、シリコンウェハー、ガラス製基板、セラミックス製基板、サファイア基板、リチウムタンタレート(LT)基板、リチウムナイオベート(LN)基板、QFN(Quad Flat No-Lead)パッケージを含む樹脂基板、化合物半導体などの板状の形成材料が挙げられる。半導体ウェハー及び電子部品材料料から形成される製品としては、例えば、CCD/CMOSイメージセンサ、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、表面弾性波(SAW:surface acoustic wave filter)フィルター、コンデンサ及びCSP(Chip Size Package)などが挙げられる。
本実施の形態に係る切削加工方法は、上記切削水を用いて被加工物の切削加工を行う工程を含む。被加工物としては、例えば、金属、ガラス及びセラミックスなどの硬質材料からなる硬質板状物などが挙げられ、切削屑による阻害を特に受けやすい半導体ウェハー及び電子部品材料が好ましい。半導体ウェハー及び電子部品材料としては、例えば、シリコンウェハー、ガラス製基板、セラミックス製基板、サファイア基板、リチウムタンタレート(LT)基板、リチウムナイオベート(LN)基板、QFN(Quad Flat No-Lead)パッケージを含む樹脂基板、化合物半導体などの板状の形成材料が挙げられる。半導体ウェハー及び電子部品材料料から形成される製品としては、例えば、CCD/CMOSイメージセンサ、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、表面弾性波(SAW:surface acoustic wave filter)フィルター、コンデンサ及びCSP(Chip Size Package)などが挙げられる。
切削加工方法は、切削水を使用する公知のダイシング方法などを適用可能である。切削加工方法では、例えば、純水を切削水として使用する各種のダイシング装置において、純水を上記切削水に置き換えて被加工物を切削することができる。また、上記切削水の供給量、液温及び切削の加工速度などの条件は、一般的なダイシング装置の条件に合わせて適宜調整可能である。
以上説明したように、上記実施の形態によれば、上記一般式(1)の構成単位を含む高分子化合物が直鎖状の分子構造を有するので、この直鎖状の分子構造と発泡剤との相乗効果により切削水用添加剤を添加した切削水の親水性が向上する。これにより、切削加工中のウェハー表面が高い親水性を有する切削水で被覆されるので、ダイヤモンドソーなどによりシリコンウェハーなどの被加工物を切削して切断する場合においても、被加工物表面が切削屑の付着しにくい状態となる。この結果、比重の高い物質である切削屑を被加工物上から効率良く除去して被加工物の切削時における被加工物への切削屑の付着を防止できるので、切削屑の残存に基づく被加工物を用いた製品の電極配線の接合不良及びチップなどへの損傷及び半導体チップの歩留まりの悪化を防ぐことができる。さらに、また、上記一般式(1)の構成単位を含む高分子化合物は、安価に入手できるので、被加工物への切削屑の付着を十分に防止可能な切削水のコストを従来と比較して削減することができる。
以下、本発明の効果を明確にするために行った実施例及び比較例に基づいて、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例及び比較例によって何ら限定されるものではない。
(実施例1)
ポリエチレンオキサイド(重量平均分子量:60,000)4質量部と、ドデシル硫酸アンモニウム4質量部と、純水92質量部とを混合して切削水用添加剤を製造した。製造した切削水用添加剤は、インジェクタによってダイシング装置(商品名:「DFD63462」、ディスコ社製)の切削水供給ラインに接続された純水配管を流れる純水に所定量供給し、固形分濃度が10ppmとなるように希釈した切削水として使用した。なお、切削水添加剤は、別途設けられた切削水供給装置の切削水タンク中に供給して切削水を調製してもよい。
ポリエチレンオキサイド(重量平均分子量:60,000)4質量部と、ドデシル硫酸アンモニウム4質量部と、純水92質量部とを混合して切削水用添加剤を製造した。製造した切削水用添加剤は、インジェクタによってダイシング装置(商品名:「DFD63462」、ディスコ社製)の切削水供給ラインに接続された純水配管を流れる純水に所定量供給し、固形分濃度が10ppmとなるように希釈した切削水として使用した。なお、切削水添加剤は、別途設けられた切削水供給装置の切削水タンク中に供給して切削水を調製してもよい。
ダイシング加工の加工点に各種ノズルの合計として毎分4リットルとなるように、加工中及び加工前後に切削水を供給した。直径200mm、表面にポリイミドの薄膜を塗布された厚さ0.7mmのシリコンウェハーをダイシングテープに貼着し、毎分30,000回転で回転する#3000メッシュの刃厚40μm以上50um以下の切削ブレードにて10mm角サイズに切断した。切断したウェハーは自動搬送にて洗浄ステージに搬送し、洗浄ステージで純水と圧縮気体との混合水で30秒ほどスピン洗浄した後、毎分30,000回転で30秒ほどスピン乾燥した。
乾燥後に得られたシリコンウェハーの表面をパーティクルカウンタ(商品名:「NSX320」、ルドルフ社)により、所定面積のシリコンウェハー表面に付着した異物の数を自動でカウントした。純水のみで洗浄した際の異物の数を基準(指標値=100:比較例2参照)とし、下記式(A)を用いて指標化して下記の基準に基づいて評価した。結果を下記表1に示す。指標値は、数値が小さいほど異物の数が少なく、良好な切削水用添加剤であることを示している。
・式(A)
指標値=試験切削水用添加剤での洗浄の異物の数/ 純水での洗浄での異物の数
○:指標値が30以下
△:指標値が30超え50以下
×:指標値が50超え
・式(A)
指標値=試験切削水用添加剤での洗浄の異物の数/ 純水での洗浄での異物の数
○:指標値が30以下
△:指標値が30超え50以下
×:指標値が50超え
(実施例2)
ドデシル硫酸アンモニウムを1質量部とし、純水95質量部としたこと以外は、実施例1と同様にして異物の数を評価した。結果を下記表1に示す。
ドデシル硫酸アンモニウムを1質量部とし、純水95質量部としたこと以外は、実施例1と同様にして異物の数を評価した。結果を下記表1に示す。
(比較例1)
ポリエチレンオキサイド及びドデシル硫酸アンモニウムを用いなかったこと以外は、実施例1と同様にして異物の数を評価した。結果を下記表1に示す。
ポリエチレンオキサイド及びドデシル硫酸アンモニウムを用いなかったこと以外は、実施例1と同様にして異物の数を評価した。結果を下記表1に示す。
(比較例2)
ドデシル硫酸アンモニウムを用いなかったこと以外は、実施例1と同様にして異物の数を評価した。結果を下記表1に示す。
ドデシル硫酸アンモニウムを用いなかったこと以外は、実施例1と同様にして異物の数を評価した。結果を下記表1に示す。
(比較例3)
ポリエチレンオキサイドに代えて、アリルグリシジルエーテルとエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドとのランダム共重合体(重量平均分子量:80,000)を用いたこと以外は、比較例1と同様にして異物の数を評価した。結果を下記表1に示す。
ポリエチレンオキサイドに代えて、アリルグリシジルエーテルとエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドとのランダム共重合体(重量平均分子量:80,000)を用いたこと以外は、比較例1と同様にして異物の数を評価した。結果を下記表1に示す。
上記表1における各成分を以下に示す。
高分子化合物1:ポリエチレンオキサイド(重量平均分子量:60,000)
高分子化合物2:アリルグリシジルエーテルとエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドとのランダム共重合体(重量平均分子量:80,000)
発泡剤1:ドデシル硫酸アンモニウム
高分子化合物1:ポリエチレンオキサイド(重量平均分子量:60,000)
高分子化合物2:アリルグリシジルエーテルとエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドとのランダム共重合体(重量平均分子量:80,000)
発泡剤1:ドデシル硫酸アンモニウム
表1から分かるように、上記一般式(1)の構成単位を含む高分子化合物と、発泡剤とを含有する切削水用添加剤によれば、ウェハーの洗浄後の指標値が極めて小さくなり、基準となる純水のみで洗浄した場合と比較して、優れた切削屑の付着防止効果が得られることが分かる(実施例1及び比較例1参照)。この結果は、直鎖状の上記一般式(1)の構成単位を含む高分子化合物と発泡剤との相乗効果により切削水の親水性が向上するので、切削加工中のウェハー表面が、切削水用添加剤を含んだ親水性液にて被覆され、ウェハー表面が切削屑の付着しにくい状態となったためと考えられる。これに対して、上記一般式(1)の構成単位を含む高分子化合物を含有する場合であっても、発泡剤を含まない場合には、洗浄効果が著しく悪化することが分かる(比較例2、3参照)。
Claims (12)
- 前記高分子化合物の重量平均分子量が、50,000以上80,000以下である、請求項1に記載の切削水用添加剤。
- 水不溶分の含有量が、0.1質量%未満である、請求項1又は請求項2に記載の切削水用添加剤。
- 前記高分子化合物が、前記一般式(1)で表される構成単位からなる、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の切削水用添加剤。
- 前記一般式(1)で表される構成単位のR1〜R4が全て水素原子である、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の切削水用添加剤。
- 前記発泡剤が、アルキル硫酸塩を含有する、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の切削水用添加剤。
- 前記アルキル硫酸塩が、硫酸アンモニウム塩を含有する、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の切削水用添加剤。
- 金属分の含有量が0.1質量%未満である、請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の切削水用添加剤。
- 請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の切削水用添加剤を含むことを特徴とする、切削水。
- 固形分の含有量が、0.001質量%以上1質量%以下である、請求項10に記載の切削水。
- 請求項10又は請求項11に記載の切削水を用いて被加工物の切削加工を行う工程を含むことを特徴とする、切削加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016080547A JP2017190398A (ja) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016080547A JP2017190398A (ja) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017190398A true JP2017190398A (ja) | 2017-10-19 |
Family
ID=60085799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016080547A Pending JP2017190398A (ja) | 2016-04-13 | 2016-04-13 | 切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017190398A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10324888A (ja) * | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Kyodo Yushi Kk | 金属加工用水溶性油剤 |
JP2009013301A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Adeka Corp | ダイシング切削水用添加剤及びそれを使用した切削加工方法 |
JP2014009313A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 水性加工液 |
WO2014155870A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 住友精化株式会社 | 水溶性金属加工油剤 |
JP2015157922A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 出光興産株式会社 | 水系潤滑剤 |
-
2016
- 2016-04-13 JP JP2016080547A patent/JP2017190398A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10324888A (ja) * | 1997-05-26 | 1998-12-08 | Kyodo Yushi Kk | 金属加工用水溶性油剤 |
JP2009013301A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Adeka Corp | ダイシング切削水用添加剤及びそれを使用した切削加工方法 |
JP2014009313A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 水性加工液 |
WO2014155870A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 住友精化株式会社 | 水溶性金属加工油剤 |
JP2015157922A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 出光興産株式会社 | 水系潤滑剤 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5253765B2 (ja) | ダイシング切削水用添加剤及びそれを使用した切削加工方法 | |
JP2015536379A (ja) | 水溶性切削流体組成物 | |
JP2015536379A5 (ja) | ||
JP2011190541A (ja) | アルカリ条件下でのアルミニウムまたは着色金属およびその合金の表面用洗浄・腐食抑制剤システムおよび組成物 | |
US20130053291A1 (en) | Composition for cleaning substrates post-chemical mechanical polishing | |
WO2012115099A1 (ja) | 固定砥粒ワイヤソー用水溶性加工液 | |
US20150133354A1 (en) | Aqueous processing liquid | |
TW201307237A (zh) | 洗淨劑及玻璃基板之洗淨方法 | |
JPWO2014084171A1 (ja) | 水溶性金属加工油剤組成物、金属研削方法および研削加工物 | |
JP2017115033A (ja) | フラックス用洗浄剤組成物 | |
JP2017190398A (ja) | 切削水用添加剤、切削水及び切削加工方法 | |
CN112708500B (zh) | 一种晶圆切割液 | |
TW201529835A (zh) | 焊料助焊劑殘餘物除去用洗淨劑組合物 | |
KR20100076903A (ko) | 경질 표면의 세정 방법 | |
US7674754B2 (en) | Water-based metalworking fluid incorporating polymeric boron materials | |
CN103154214B (zh) | 用于磨料的载体流体 | |
US4140554A (en) | Water-rinsable soldering fluid containing a polyamide dispersant | |
KR102062341B1 (ko) | 절삭유 조성물 및 그를 이용한 절삭방법 | |
JP2018090823A (ja) | 水溶性切削流体組成物 | |
CN110382673B (zh) | 脆性材料加工液 | |
JP2012201741A (ja) | 精密部品用洗浄剤組成物 | |
JP2007152858A (ja) | 高脆性材料の切削又は研削加工方法及び切り屑付着抑制剤 | |
JP2011040475A (ja) | 切削物用洗浄剤組成物 | |
JP3355160B2 (ja) | プラスチックレンズ用洗浄剤組成物 | |
WO2023243661A1 (ja) | 接着剤用洗浄剤組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191203 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200602 |