JP2017189015A - 入力過電圧保護回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】コストを抑えつつ、簡易な構成で、過電圧から被保護回路を保護する入力過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】入力過電圧保護回路10は、電圧を供給するために被保護回路20に接続された第1配線12aおよび第2配線12bと、第1配線12aに直列に挿入され、所定値以上の電流が流れると第1配線12aに流れる電流を遮断するヒューズ14と、一端が第1配線12a中のヒューズ14と被保護回路20との間に接続され、他端が第2配線12bに接続されたシリコンサージアブソーバ16と、シリコンサージアブソーバ16と被保護回路20との間で、第1配線12aと第2配線12bとに接続された双方向性二端子サイリスタ18と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】入力過電圧保護回路10は、電圧を供給するために被保護回路20に接続された第1配線12aおよび第2配線12bと、第1配線12aに直列に挿入され、所定値以上の電流が流れると第1配線12aに流れる電流を遮断するヒューズ14と、一端が第1配線12a中のヒューズ14と被保護回路20との間に接続され、他端が第2配線12bに接続されたシリコンサージアブソーバ16と、シリコンサージアブソーバ16と被保護回路20との間で、第1配線12aと第2配線12bとに接続された双方向性二端子サイリスタ18と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、過電圧から被保護回路を保護する入力過電圧保護回路に関する。
下記に示す特許文献1には、ヒューズと、ブレークオーバー型半導体サージアブソーバとを用いて、被保護回路を保護する保護回路が開示されている(特許文献1の図1参照)。
下記に示す特許文献2には、部品の交換や修理を必要としない過電圧入力に対する保護装置が開示されている。簡単に説明すると、この保護装置は、外部電源と機器とを電気的に接続または遮断する双方向サイリスタおよびスイッチ部と、外部電源の電圧が定常的な過電圧である場合には双方向サイリスタを切断させる過電圧検出部と、外部電源の電圧が瞬時的な過電圧である場合にはスイッチ部を切断させる過渡電圧検出部とを備える。
ブレークオーバー型半導体サージアブソーバは、ブレークオーバー電圧以上の電圧が印加されると導通する特性を有する。したがって、上記特許文献1のように、ヒューズと、ブレークオーバー型半導体サージアブソーバを用いた保護回路の場合は、瞬間的にエネルギーの小さい過電圧(ブレークオーバー電圧よりも高い過電圧)が発生すると、ブレークオーバー型半導体サージアブソーバが導通してしまい、ヒューズが切れてしまう。また、このような瞬間的な過電圧(サージ)は、他の回路動作などの影響によって頻繁に発生するため、その都度ヒューズを交換しなければならず、手間がかかるとともにコストもかかる。
一方で、サージアブソーバとして、シリコンサージアブソーバというものが知られている。このシリコンサージアブソーバは、クランプ電圧(クランピング電圧)以上の電圧が印加されても、それを吸収し、後段の回路にかかる電圧をクランプ電圧に抑制する。したがって、上記特許文献1の図1に示すブレークオーバー型半導体サージアブソーバをシリコンサージアブソーバに置き換えることによって、瞬間的なエネルギーの小さい過電圧の発生によってヒューズが切れてしまうことを防止することができる。しかしながら、シリコンサージアブソーバが吸収したエネルギーは、シリコンサージアブソーバの素子内で熱となる。瞬時的なエネルギーの小さい過電圧が発生してもシリコンサージアブソーバの素子の温度はあまり上昇しないが、エネルギーの大きい過電圧が発生するとシリコンサージアブソーバの素子の温度が上昇し易くなる。シリコンサージアブソーバは、素子内の温度が限界を超えると破損して短絡状態となり、それによりヒューズが切れてしまう。シリコンサージアブソーバが破損すると、ヒューズのみならずシリコンサージアブソーバも交換しなければならず、高コストとなる。
また、上記特許文献2の過電圧入力に対する保護装置は、双方向サイリスタ、スイッチ部、過電圧検出部、および、過渡電圧検出部などの様々な部品を必要とするため、コストがかかるとともに実装面積が増大し、大型化してしまう。
そこで、本発明は、コストを抑えつつ、簡易な構成で、過電圧から被保護回路を保護する入力過電圧保護回路を提供することを目的とする。
第1の本発明は、入力過電圧保護回路であって、電圧を供給するために被保護回路に接続された第1配線および第2配線と、前記第1配線に直列に挿入され、所定値以上の電流が流れると前記第1配線に流れる電流を遮断するヒューズと、一端が前記第1配線中の前記ヒューズと前記被保護回路との間に接続され、他端が前記第2配線に接続され、第1電圧より高い電圧が印加された場合は前記第1電圧に抑制して出力する第1のサージアブソーバと、前記第1のサージアブソーバと並列に接続され、前記第1のサージアブソーバと前記被保護回路との間で、前記第1配線と前記第2配線とに接続され、第2電圧より高い電圧が印加されると導通する第2のサージアブソーバと、を備える。
これにより、コストを抑えつつ、簡易な構成で、過電圧から被保護回路を保護することができる。詳しくは、瞬間的なエネルギーの小さい過電圧が発生した場合は、第1のサージアブソーバによって、ヒューズを切らすことなくエネルギーの小さい過電圧から被保護回路を保護することができる。また、エネルギーの大きい過電圧が印加された場合は、第2のサージアブソーバによって、ヒューズが切れてエネルギーの大きい過電圧から被保護回路を保護することができるとともに、第1のサージアブソーバの破損を防止することが可能となる。
第1の本発明は、前記入力過電圧保護回路であって、前記第1電圧は、前記第1のサージアブソーバの素子の温度の上昇に伴って高くなり、前記第2電圧は、前記素子の温度が上昇する前の前記第1電圧よりも高く、前記第1のサージアブソーバが破損して導通する前記素子の最大温度に対応する前記第1電圧よりも低く設定されている。
これにより、エネルギーの大きい過電圧が印加された場合であっても、第1のサージアブソーバが破損する前に、第2のサージアブソーバが導通してヒューズが切れるので、第1のサージアブソーバの破損を防止することができ、コストを抑えることができる。
第1の本発明は、前記入力過電圧保護回路であって、前記第1配線には、前記第2配線に印加される電位より高い電位が印加される。
第2の本発明は、入力過電圧保護回路であって、電圧を供給するために被保護回路に接続された第1配線および第2配線と、前記第1配線に直列に挿入され、所定値以上の電流が流れると前記第1配線に流れる電流を遮断するヒューズと、一端が前記第1配線中の前記ヒューズと前記被保護回路との間に接続され、他端が前記第2配線に接続されたシリコンサージアブソーバと、前記シリコンサージアブソーバと並列に接続され、前記シリコンサージアブソーバと前記被保護回路との間で、前記第1配線と前記第2配線とに接続された双方向性二端子サイリスタと、を備える。
これにより、コストを抑えつつ、簡易な構成で、過電圧から被保護回路を保護することができる。詳しくは、瞬間的なエネルギーの小さい過電圧が発生した場合は、シリコンサージアブソーバによって、ヒューズを切らすことなくエネルギーの小さい過電圧から被保護回路を保護することができる。また、エネルギーの大きい過電圧が印加された場合は、双方向性二端子サイリスタによって、ヒューズが切れてエネルギーの大きい過電圧から被保護回路を保護することができるとともに、シリコンサージアブソーバの破損を防止することが可能となる。
第2の本発明は、前記入力過電圧保護回路であって、前記シリコンサージアブソーバのクランプ電圧は、前記シリコンサージアブソーバのジャンクション温度の上昇に伴って高くなり、前記双方向性二端子サイリスタのブレークオーバー電圧は、前記ジャンクション温度が上昇する前の前記クランプ電圧よりも高く、前記ジャンクション温度の最大温度に対応する前記クランプ電圧よりも低く設定されている。
これにより、エネルギーの大きい過電圧が印加された場合であっても、シリコンサージアブソーバが破損する前に、双方向性二端子サイリスタが導通してヒューズが切れるので、シリコンサージアブソーバの破損を防止することができ、コストを抑えることができる。
本発明によれば、コストを抑えつつ、簡易な構成で、過電圧から被保護回路を保護することができる。詳しくは、瞬間的なエネルギーの小さい過電圧が発生した場合は、ヒューズを切らすことなくエネルギーの小さい過電圧から被保護回路を保護することができる。また、エネルギーの大きい過電圧が印加された場合は、ヒューズが切れてエネルギーの大きい過電圧から被保護回路を保護することができるとともに、サージアブソーバの破損を防止することが可能となる。
本発明に係る入力過電圧保護回路について、好適な実施の形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。
図1は、実施の形態の入力過電圧保護回路10の回路構成を示す図である。入力過電圧保護回路10は、過電圧(サージ)から被保護回路20を保護するものである。入力過電圧保護回路10は、電圧線12(第1配線12a、第2配線12b)と、ヒューズ14と、シリコンサージアブソーバ16と、双方向性二端子サイリスタ(ブレークオーバー型半導体サージアブソーバ)18とを備える。
電圧線12は、被保護回路20に電圧を供給するために、被保護回路20に接続されている。電圧線12は、第1配線12aおよび第2配線12bを有する。電圧線12の第1配線12aの入力端子13aには、第2配線12bの入力端子13bに印加される電位より高い電位が印加されるものとする。本実施の形態では、第2配線12bは接地(アース、グラウンド)されている。したがって、第2配線12bの電位は基準電位(0V)となる。
ヒューズ14は、第1配線12aに挿入されており、第1配線12aに所定値(規格)以上の電流が流れると第1配線12aに流れる電流を遮断する。シリコンサージアブソーバ(第1のサージアブソーバ)16は、被保護回路20と並列に接続されている。シリコンサージアブソーバ16の一端は、第1配線12a中のヒューズ14と被保護回路20との間に接続され、他端は、第2配線12bに接続されている。つまり、シリコンサージアブソーバ16と第1配線12aとの接続点A1は、ヒューズ14と被保護回路20との間に位置する。なお、シリコンサージアブソーバ16と第2配線12bとの接続点をA2とする。
双方向性二端子サイリスタ(第2のサージアブソーバ)18は、被保護回路20およびシリコンサージアブソーバ16の各々と並列に接続されている。双方向性二端子サイリスタ18は、シリコンサージアブソーバ16と被保護回路20との間で、第1配線12aと第2配線12bとに接続されている。具体的には、双方向性二端子サイリスタ18の一端および他端は、第1配線12aおよび第2配線12b中のシリコンサージアブソーバ16と被保護回路20との間に接続されている。つまり、双方向性二端子サイリスタ18と第1配線12aとの接続点B1は、接続点A1と被保護回路20との間に位置し、双方向性二端子サイリスタ18と第2配線12bとの接続点B2は、接続点A2と被保護回路20との間に位置する。
本実施の形態では、入力過電圧保護回路10(入力端子13a、13b間)に印加される入力電圧をVinとし、シリコンサージアブソーバ16が双方向性二端子サイリスタ18に印加(出力)する出力電圧をV1とする。
上述したように、シリコンサージアブソーバ16は、クランプ電圧(クランピング電圧)CV以上の電圧が印加されると、それを吸収して、後段の回路にかかる電圧をクランプ電圧(第1電圧)CVに抑制する特性を有する。また、シリコンサージアブソーバ16が吸収したエネルギーは熱となって発生し、それによって、シリコンサージアブソーバ16の素子内の温度(以下、ジャンクション温度と呼ぶ。)が上昇する。つまり、シリコンサージアブソーバ16は、クランプ電圧CVより高い電圧が印加されると、出力電圧V1をクランプ電圧CVに抑制するため、シリコンサージアブソーバ16内に電流が流れて、ジャンクション温度が上昇する。ジャンクション温度が上昇するとシリコンサージアブソーバ16のクランプ電圧は高くなる。ジャンクション温度が上昇し、ジャンクション温度が最大ジャンクション温度(最大温度)に到達すると、シリコンサージアブソーバ16は破損し短絡状態となる。本実施の形態では、このジャンクション温度が最大ジャンクション温度になったときのクランプ電圧CVを最大クランプ電圧CVmと呼び、ジャンクション温度が上昇する前の温度(通常動作温度)のときのクランプ電圧CVを初期クランプ電圧CViと呼ぶ。また、双方向性二端子サイリスタ18は、ブレークオーバー電圧(第2電圧)BV以上の電圧が印加されると、導通する特性を有する。
図2Aは、瞬間的に発生したエネルギーの小さい過電圧を含む入力電圧Vinの波形を示す図であり、図2Bは、図2Aに示す入力電圧Vinが入力された場合のシリコンサージアブソーバ16の出力電圧V1の波形を示す図である。図2Aに示すように入力電圧Vinには、瞬間的に発生する過電圧(サージ)を含んでいる。図2Aおよび図2B中の破線は、シリコンサージアブソーバ16のクランプ電圧(クランピング電圧)CVを示し、図2B中の一点鎖線は、双方向性二端子サイリスタ18のブレークオーバー電圧BVを示している。なお、ブレークオーバー電圧BVは、初期クランプ電圧CViより高く、最大クランプ電圧CVmよりは低く設定されている。
図2Aおよび図2Bに示すように、入力電圧Vinに瞬間的に過電圧が発生しても、シリコンサージアブソーバ16によって、出力電圧V1はクランプ電圧CVに抑制される。つまり、シリコンサージアブソーバ16は、入力電圧Vinがクランプ電圧CV以下の電圧の場合は、入力電圧Vinを出力電圧V1として出力し、入力電圧Vinがクランプ電圧CVより高い場合は、出力電圧V1をクランプ電圧CVに制限して出力する。瞬間的に発生したエネルギーの小さい過電圧では、シリコンサージアブソーバ16のジャンクション温度はあまり上昇しないので、このときのクランプ電圧CVは、ブレークオーバー電圧BVより低い電圧となる。瞬間的に発生する過電圧の発生頻度にもよるが、瞬間的に発生したエネルギーの小さい過電圧の場合は、クランプ電圧CVは、初期クランプ電圧CViに等しいかまたは初期クランプ電圧CViに近い電圧となる。したがって、瞬時的に発生するエネルギーの小さい過電圧を有する入力電圧Vinが印加された場合は、シリコンサージアブソーバ16によって、それを吸収するので、双方向性二端子サイリスタ18が導通することはなく、ヒューズ14が切れることもない。
図3は、エネルギーの大きい過電圧が発生した場合のシリコンサージアブソーバ16の出力電圧V1の波形を示す図である。通常動作温度のときの初期クランプ電圧CViより高い入力電圧Vinが連続的または断続的に入力され続けると、つまり、エネルギーの大きい過電圧を含む入力電圧Vinが入力されると、抑制するエネルギーが大きくなり、ジャンクション温度が上昇する。シリコンサージアブソーバ16は、クランプ電圧CVより大きい入力電圧Vinをクランプ電圧CVに抑制して出力電圧V1を出力するが、クランプ電圧CV自体がジャンクション温度の上昇に伴って高くなる。そのため、抑制される出力電圧V1も上昇する。しかしながら、双方向性二端子サイリスタ18のブレークオーバー電圧BVは、初期クランプ電圧CViより高く、最大クランプ電圧CVmよりは低く設定されているため、出力電圧V1が最大クランプ電圧CVmに到達する前にブレークオーバー電圧BVに到達することになる。出力電圧V1がブレークオーバー電圧BVに到達すると、双方向性二端子サイリスタ18が導通するので、ヒューズ14に所定値以上の電流が流れてヒューズ14が切れてしまう。これにより、シリコンサージアブソーバ16の破損を防止することができる。つまり、エネルギーの大きい過電圧を有する入力電圧Vinが印加された場合は、双方向性二端子サイリスタ18によってシリコンサージアブソーバ16を保護することができる。なお、ヒューズ14が切れると出力電圧V1は、0になる。
このように、本実施の形態の入力過電圧保護回路10は、電圧を供給するために被保護回路20に接続された第1配線12aおよび第2配線12bと、第1配線12aに直列に挿入され、所定値以上の電流が流れると第1配線12aに流れる電流を遮断するヒューズ14と、一端が第1配線12a中のヒューズ14と被保護回路20との間に接続され、他端が第2配線12bに接続されたシリコンサージアブソーバ16と、シリコンサージアブソーバ16と並列に接続され、シリコンサージアブソーバ16と被保護回路20との間で、第1配線12aと第2配線12bとに接続された双方向性二端子サイリスタ18と、を備える。
これにより、コストを抑えつつ、簡易な構成で、過電圧から被保護回路20を保護することができる。詳しくは、瞬間的なエネルギーの小さい過電圧が発生した場合は、シリコンサージアブソーバ16によって、ヒューズ14を切らすことなくエネルギーの小さい過電圧から被保護回路20を保護することができる。また、エネルギーの大きい過電圧が印加された場合は、双方向性二端子サイリスタ18によって、ヒューズ14が切れてエネルギーの大きい過電圧から被保護回路20を保護することができるとともに、シリコンサージアブソーバ16の破損を防止することが可能となる。
双方向性二端子サイリスタ18のブレークオーバー電圧BVは、ジャンクション温度が上昇する前の初期クランプ電圧CViよりも高く、ジャンクション温度の最大温度(シリコンサージアブソーバ16が破損して短絡状態になる温度)に対応する最大クランプ電圧CVmよりも低く設定されている。したがって、エネルギーの大きい過電圧が印加された場合であっても、シリコンサージアブソーバ16が破損する前に、双方向性二端子サイリスタ18が導通してヒューズ14が切れるので、シリコンサージアブソーバ16の破損を防止することができ、コストを抑えることができる。
なお、上記実施の形態では、第1配線12aにヒューズ14を挿入させるようにしたが、第2配線12bにヒューズ14を挿入してもよい。また、第1配線12aの入力端子13aに印加される電位より高い電位を第2配線12bの入力端子13bに印加してもよい。この場合は、第1配線12aを接地してもよい。さらに、接地される側の第2配線12b(または第1配線12a)は、大地であってもよい。この場合は、接地される第2配線12b(または第1配線12a)に接続される側のシリコンサージアブソーバ16、双方向性二端子サイリスタ18、および、被保護回路20の端部を各々接地させればよい。
10…入力過電圧保護回路 12…電圧線
12a…第1配線 12b…第2配線
14…ヒューズ 16…シリコンサージアブソーバ
18…双方向性二端子サイリスタ 20…被保護回路
A1、A2、B1、B2…接続点 BV…ブレークオーバー電圧
CV…クランプ電圧 CVi…初期クランプ電圧
CVm…最大クランプ電圧 V1…出力電圧
Vin…入力電圧
12a…第1配線 12b…第2配線
14…ヒューズ 16…シリコンサージアブソーバ
18…双方向性二端子サイリスタ 20…被保護回路
A1、A2、B1、B2…接続点 BV…ブレークオーバー電圧
CV…クランプ電圧 CVi…初期クランプ電圧
CVm…最大クランプ電圧 V1…出力電圧
Vin…入力電圧
Claims (5)
- 電圧を供給するために被保護回路に接続された第1配線および第2配線と、
前記第1配線に直列に挿入され、所定値以上の電流が流れると前記第1配線に流れる電流を遮断するヒューズと、
一端が前記第1配線中の前記ヒューズと前記被保護回路との間に接続され、他端が前記第2配線に接続され、第1電圧より高い電圧が印加された場合は前記第1電圧に抑制して出力する第1のサージアブソーバと、
前記第1のサージアブソーバと並列に接続され、前記第1のサージアブソーバと前記被保護回路との間で、前記第1配線と前記第2配線とに接続され、第2電圧より高い電圧が印加されると導通する第2のサージアブソーバと、
を備えることを特徴とする入力過電圧保護回路。 - 請求項1に記載の入力過電圧保護回路であって、
前記第1電圧は、前記第1のサージアブソーバの素子の温度の上昇に伴って高くなり、
前記第2電圧は、前記素子の温度が上昇する前の前記第1電圧よりも高く、前記第1のサージアブソーバが破損して導通する前記素子の最大温度に対応する前記第1電圧よりも低く設定されている
ことを特徴とする入力過電圧保護回路。 - 請求項1または2に記載の入力過電圧保護回路であって、
前記第1配線には、前記第2配線に印加される電位より高い電位が印加される
ことを特徴とする入力過電圧保護回路。 - 電圧を供給するために被保護回路に接続された第1配線および第2配線と、
前記第1配線に直列に挿入され、所定値以上の電流が流れると前記第1配線に流れる電流を遮断するヒューズと、
一端が前記第1配線中の前記ヒューズと前記被保護回路との間に接続され、他端が前記第2配線に接続されたシリコンサージアブソーバと、
前記シリコンサージアブソーバと並列に接続され、前記シリコンサージアブソーバと前記被保護回路との間で、前記第1配線と前記第2配線とに接続された双方向性二端子サイリスタと、
を備えることを特徴とする入力過電圧保護回路。 - 請求項4に記載の入力過電圧保護回路であって、
前記シリコンサージアブソーバのクランプ電圧は、前記シリコンサージアブソーバのジャンクション温度の上昇に伴って高くなり、
前記双方向性二端子サイリスタのブレークオーバー電圧は、前記ジャンクション温度が上昇する前の前記クランプ電圧よりも高く、前記ジャンクション温度の最大温度に対応する前記クランプ電圧よりも低く設定されている
ことを特徴とする入力過電圧保護回路。
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