JP2017178911A - 含窒素複素環アルケニル化合物、有機半導体材料及び有機半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
Ar2は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数1〜21の非共有電子対を持つ窒素を含有する不飽和複素環基、又は該不飽和複素環基を構成する環及び置換若しくは無置換の炭素数6〜22の芳香族炭化水素環から選ばれる環が任意に2〜7個連結して構成され、該不飽和複素環基を構成する環を少なくとも1つ有する置換若しくは無置換の連結環基を示す。
Bは、ビニレン基(-CH=CH-)又はエチニレン基(-C≡C-)を示す。
R1は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、ホルミル基、又は炭素数2〜30の炭化水素置換カルボニル基を示す。
aは繰り返し数を表し、0〜3の整数である。
なお、aが0、R1がシアノ基、Ar1が無置換のフェニレン、Ar2が無置換のピリジル基である場合、該ピリジル基はビニレン基とピリジル基の2位もしくは3位で結合することはない。
上記一般式(1)において、
Ar1が不飽和環式炭化水素基である場合、Ar1は置換若しくは無置換の5〜8員環の単環からなる不飽和環式炭化水素基又は該5〜8員環の単環が任意に2〜6つ縮合してなる不飽和環式炭化水素基であり、
Ar1が不飽和複素環基である場合、Ar1は置換若しくは無置換の5〜7員環の単環からなる不飽和複素環基又は該不飽和複素環を1つ以上含む2〜6環の縮合複素環基であり、
Ar2が不飽和複素環基である場合、Ar2は非共有電子対を持つ窒素を含有する下記式(C−1)〜(C〜3)のいずれかで表される複素環基、又は非共有電子対を持つ窒素を含有する下記式(A−1)〜(A−16)のいずれかで表される芳香族複素環基であることがよい。
また、デバイス作製を塗布プロセスで行うためには、有機半導体材料の高い溶解性が求められ、電荷移動特性を落とさないよう、薄膜形成する際の結晶性は崩さない位置(例えば分子長軸方向末端)に、可溶性官能基(アルキル基等)を有する必要がある。従来の、特に大気安定性を有するようなN型有機半導体は、結晶性を担保し、かつLUMOのエネルギー準位を深く保つために、分子長軸方向末端に電子求引性基であるフッ素やトリフルオロメチル基を有しており、溶解性を付与することは困難であった。本発明の化合物は、母骨格に電子求引性の高い含窒素複素環を有しているため、分子長軸方向末端に付いている電子求引基を可溶性官能基に置換しても、LUMOのエネルギー準位を深く保つことができる。そのため、本発明の化合物を含有する有機半導体材料は、高い電荷移動特性、大気安定性を有したまま、溶解性等の機能を付与することが可能である。
本明細書において、不飽和環式炭化水素基、不飽和複素環基は、芳香族基であることができる。電荷移動性を高めるため共役二重結合のような共役系の基、又は芳香族基、又はこれらを含有する基であることが好ましい。
R1は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、ホルミル基、又は炭素数2〜30の炭化水素置換カルボニル基を示す。
なお、aが0、R1がシアノ基、Ar1が2価の無置換のベンゼンで、Ar2が無置換のピリジンであるとき、このピリジンが隣接するビニル基と2位もしくは3位で結合することはない。
すなわち、シアノメチル基を官能基として有する含窒素芳香族複素環化合物と、2つのホルミル基を有する芳香族化合物の縮合反応により得ることができる。
室温、アルゴン雰囲気下にて水素化ナトリウム(580mg(60%オイル懸濁)、14.5mmol)のDMSO(10ml)懸濁液に対して、シアノ酢酸tert−ブチル(2.11mg、14.9mmol)のDMSO溶液(3ml)を30分かけて滴下した後、室温で30分撹拌した。反応液に5−(トリフルオロメチル)−2−クロロピリジン(1.00g、5.51mmol)のDMSO溶液(5ml)を加えた後、120℃で2時間撹拌した。反応液を冷却後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、析出した固体を濾過し水で洗浄を行ない乾燥させ、粗生成物を得た。次に、乾燥させた粗生成物のアセトニトリル溶液(13ml)に、p−トルエンスルホン酸一水和物(5.79g)を加えて一時間加熱還流した。反応液を酢酸エチルで希釈し、水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。無水硫酸ナトリウムを濾過後、減圧濃縮し、5−(トリフルオロメチル)−2−ピリジンアセトニトリルの粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=3:1)にて精製することで5−(トリフルオロメチル)−2−ピリジンアセトニトリルを得た。収量836mg、収率82%、白色固体。
1H−NMR(400 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.87(s,1H)、8.00(dd,1H,J=2.1,8.0Hz)、 7.60(d,1H,J=8.1Hz)、4.04(s,2H)
1H−NMR(400MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.94(s,1H)、8.84(s,1H)、8.26(t,1H,J=8.3Hz)、8.10(d,1H,J=8.1Hz)、7.94(d,1H,J=8.3Hz)
MS(EI):m/z=506
室温、アルゴン雰囲気下、5,5’−ジメチル−2,2’−ビピリジル(300 mg、1.63 mmol)のDMF溶液(3.0 ml)に、Bredereck試薬(3.0 ml、14.6 mmol)を加え、120℃に昇温し、72時間撹拌した。その後撹拌しながら室温に戻し、沈殿をろ過後、ジエチルエーテルで洗浄することで5,5’−ビス(2−ジメチルアミノビニル)−2,2’−ビピリジンを得た。収量257 mg、収率54%、黄色固体。
1H−NMR(500 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.41(d,2H,J=2.4 Hz),8.10(d,2H,J=8.4 Hz)、7.54(dd,2H,J=2.4,8.4Hz)、6.86(d,2H,J=13.8 Hz)、5.11(d,2H,J=13.8 Hz)、2.85(s,12H)
1H NMR(500 MHz, CDCl3)
δ(ppm):10.21(s,2H)、9.175(dd,2H,J=0.9,2.2 Hz)、8.72(dd,2H,J=0.9,8.2 Hz)、8.34(dd,2H,J=2.2,8.2 Hz)
1H−NMR(400 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.67(s,1H)、7.91(d,1H,J=8.0 Hz)、7.68(d,1H,J=8.0 Hz)、4.83(s,2H)、2.85(bs,1H)
13C−NMR(125 MHz、CDCl3)
δ(ppm):61.2、120.4、121.4(q,272 Hz)、136.0、140.4、146.4(q,34 Hz)、147.9
MS(EI):m/z=177
IR(KBr):3357、1405、1337 cm−1
1H−NMR(400 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.75(s,1H)、7.95(d,1H,J=8.0 Hz)、7.72(d,1H,J=8.0 Hz)、4.67(s,2H)
MS(EI):m/z=195
IR(KBr):1399、1337、707 cm−1
1H−NMR(400 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.71(s,1H)、7.94(d,1H,J=8.0 Hz)、7.76(d,1H,J=8.1 Hz)、3.89(s,2H)
MS(EI):m/z=186
IR(KBr):2928、2260 cm−1
1H NMR(500 MHz、CDCl3)
δ(ppm):9.12(d,2H,J=1.80 Hz)、8.93(s,2H)、8.73(dd,2H,J=2.10、8.40 Hz)、8.71(s,2H)、8.68(d, 2H,J=8.55 Hz)、8.08(d,2H,J=8.15 Hz)、2.67(d,2H,J=8.15 Hz)
MS(ESI+):m/z=549
HRMS(ESI+):Calcd for C28H15F6N6;549.1262、Found;549.1283
IR(KBr):3069、2220 cm−1
室温、窒素雰囲気下、2−ブロモ−5−(ブロモメチル)ピリジン(630 mg、2.46 mmol) のCH3CN:リン酸緩衝液(pH 7)=3:1溶液(100 ml)に、シアン化ナトリウム(366 mg、7.38 mmol)、テトラブチルアンモニウムブロミド(90 mg、0.24 mmol)を加え、60℃で5時間撹拌した。その後、0 ℃に冷却してリン酸緩衝液(pH 7)を加え、ジクロロメタンで抽出し、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。無水硫酸ナトリウムを濾過後、減圧濃縮し、粗生成物を得た。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=2:1)より精製することで(6−ブロモピリジン−3−イル)アセトニトリルを得た。収量432 mg、収率87%、白色固体。
1H−NMR(400 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.36(s,1H)、7.59(dd,1H,J=2.4,8.2 Hz)、 7.55(d,1H,J=8.1 Hz)、3.75(s,2H)
1H−NMR(500 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.49(m,1H)、7.64(dd,1H,J=2.5,8.1 Hz)、7.40(d,1H,J=8.1 Hz)、3.76(s,2H)、2.44(t,2H,J=7.2 Hz)、3.89(quin,2H,J=5.0 Hz)、1.45(m,2H)、1.32(m,4H)、0.90(t,3H,J=7.0 Hz)
1H−NMR(500 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.89(d,2H,J=2.15 Hz)、8.18(t,2H,J=8.30 Hz)、7.94(dd,2H,J=2.50,8.25 Hz)、7.77(s,2H)、7.48(d,2H,J=8.25 Hz)、2.48(t,4H,J=7.15 Hz)、1.66(quin,4H,J=7.25 Hz)、1.47(quin,4H,J= 7.35 Hz)、1.29−1.38(m,8H)、0.90(t,6H,J=6.95 Hz)
13C−NMR(126 MHz、CDCl3)
δ(ppm):157.9、155.9、155.8、147.4、145.4、133.5, 131.9, 131.9, 127.84, 126.81, 125.10, 125.01、124.9、112.5、94.6、80.1、31.3、28.7、28.2、22.5、19.5、14.1
MS(EI):m/z=586
HRMS(EI):Calcd for C38H36F2N4;586.2908、Found; 586.2897
IR(KBr):2918、2224 cm−1
室温にて2,5−ジメチルピラジン(500 mg、5.36 mmol)の酢酸エチル溶液(7 ml)に、m−クロロ過安息香酸(1.27 g、7.36 mmol)を加え24時間撹拌した。その後反応系をろ過し、固体を酢酸エチルで洗浄し、2,5−ジメチルピラジン−N,N’−ジオキシドを得た。収量517 mg、収率80%、白色固体。
1H−NMR(200 MHz、D2O)
δ(ppm):8.48(s,2H)、2.42(s,6H)
1H−NMR(300 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.59(s,2H)、5.23(s,4H)、2.13(s,6H)
1H−NMR(300 MHz, acetone−d6)
δ(ppm):8.63(s,2H)、4.89(s,br,2H),4.75(s,4H)
1H−NMR(300 MHz、CDCl3)
δ(ppm):10.23(s,2H)、9.30(s,2H)
1H−NMR(500 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.47(d,1H,J=2.2)、7.61(dd,1H,J=2.4,8.0 Hz)、7.19(d,1H,J=8.1 Hz)、3.73(s,2H)、2.79(t, 2H,J=7.7 Hz)、1.71(quin,2H,J=7.0 Hz)、1.28(m, 10H)、0.87(t,3H,J=6.8 Hz)
1H−NMR(500 MHz、CDCl3)
δ(ppm):9.05(s,2H)、8.94(d,2H,J=2.45 Hz)、7.99(dd,2H,J=2.45,8.20 Hz)、7.62(s,2H)、7.29(d, 2H,J=8.05 Hz)、2.87(t,4H,J=7.80 Hz)、1.76(quin,4H,J=6.30 Hz)、1.32(m,10H)、0.88(t,6H,J=6.85 Hz)
MS(ESI+):m/z=561
HRMS( ESI+ ): Calcd for C36H45N6;561.37057、 Found;561.37000
IR(KBr):3019、3071、2954、2919、2850、2222 cm−1
室温、窒素雰囲気下、2,5−ジフルオロベンゼン−1,4−ジカルボアルデヒド(25 mg、0.15 mmol)、1−[5−(シアノメチル)ピリジン−2−イル]オクタン(68 mg、0.29 mmol)のエタノール(5 ml)、DMF(3 ml)の混合溶液に、ナトリウムエトキシド(0.15 ml、0.029 mmol)を加え、遮光し、4時間撹拌した。その後、0℃に冷却してメタノールを加え、濾過、乾燥し、粗生成物を得た。得られた粗生成物を再結晶(ヘキサン:クロロホルム)により精製することで目的物である化合物(61)を得た。収量64 mg、収率74%、黄色固体。
1H−NMR(500 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.87(d,2H,J=2.25 Hz)、8.16(t,2H,J=8.35 Hz)、7.90(dd,2H,J=2.45、8.20 Hz)、7.73(s,2H)、7.27(d,2H,J=9.90 Hz)、2.86(t,4H,J=7.70 Hz)、1.75(quin,4H,J=6.90 Hz)、1.32(m,10H)、0.88(t,6H,J=6.60 Hz)
13C−NMR(126MHz、CDCl3)
δ(ppm):164.8、146.9、133.8、127.0、122.9、113.0、38.3、31.9、29.7、29.4、29.4、29.2、22.7、14.1
MS(EI):m/z=594
HRMS(EI):Calcd for C38H44F2N4;594.3534、Found; 594.3512
IR(KBr):2953、2920、2850、2221 cm−1
室温、窒素雰囲気下にて水素化ナトリウム(53 mg(60%オイル懸濁)、1.34 mmol)のDMSO(2 ml)懸濁液に対して、シアノ酢酸tert−ブチル(197 mg、1.39 mmol)のDMSO溶液(1 ml)を15分かけて滴下した後、室温で1時間撹拌した。反応液に5−ブロモ−2−クロロピリミジン(100 mg、0.52 mmol)を加えた後、室温で8時間撹拌した。次に反応系へ飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルにて抽出し、水で洗浄を行い、その後減圧濃縮することで粗生成物を得た。続いて、乾燥させた粗生成物のジクロロメタン(2.3 ml)溶液に、0℃でトリフルオロ酢酸(1.8 ml)を加えて1時間撹拌後、室温まで昇温させてから15時間撹拌した。反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液にて中和後、酢酸エチルで抽出し、水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。無水硫酸ナトリウムを濾過後、減圧濃縮し、(5−ブロモピリミジン−2−イル)アセトニトリルの粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン:酢酸エチル=3:1)にて精製することで(5−ブロモピリミジン−2−イル)アセトニトリルを得た。収量46 mg、収率45%、白色固体。
1H−NMR(500 MH、CDCl3)
δ(ppm):8.81(s,2H)、4.08(s,2H)
1H−NMR(500 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.70(s,2H)、4.10(s,2H)、2.45(t,2H,J=7.7 Hz)、1.63(quin,2H,J=7.3 Hz)、1.45(m,2H)、1.33(m,4H)、0.91(t,3H,J=6.8 Hz)
1H−NMR(500 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.56(s,2H)、4.08(s,2H)、2.61(t,2H,J=7.6 Hz)、1.63(quin,2H,J=7.0 Hz)、1.29(m,10H)、0.88(t,3H,J=6.9 Hz)
1H−NMR(500 MHz、CDCl3)
δ(ppm):8.87(s,2H)、8.66(s,4H)、8.37(t,2H,J=8.25 Hz)、2.67(t,4H,J=7.60 Hz)、1.67(quin,4H,J=6.75 Hz)、1.29(m,10H)、0.89(t,6H,J=6.80 Hz)
13C NMR(126MHz、CDCl3)
δ(ppm):158.3、157.3、136.7、135.1、125.3、116.4、115.4、115.2、115.0、31.8、30.9、30.7、30.3、29.3、29.2、29.0、22.6、14.1
MS(EI):m/z=596
HRMS(EI):Calcd for C36H42F2N6;596.3439、Found; 596.3452
IR(KBr):2927、2857、2227 cm−1
300nmの熱酸化膜付きシリコンウェハ(nドープ)をゲート電極およびゲート絶縁膜とし、その酸化膜表面に真空蒸着法(蒸着条件:減圧下(4.0×10−6torr程度)において、蒸着速度0.5nm/min、基板温度:室温(約25℃))により、化合物(45)を膜厚が約50nmとなる条件で成膜して、有機半導体層を形成した。
この有機半導体層の表面上に、シャドウマスクを用いて、真空蒸着法によりAuからなる、膜厚が約50nmのソース電極およびドレイン電極を形成することで、上述した図1の形状の実施例となる有機薄膜トランジスタ1を得た。なお、形成したソース電極およびドレイン電極のチャネル長(L)が20μm、チャネル幅(W)が2mmである。
実施例7と同様の熱酸化膜付きシリコンウェハをゲート電極およびゲート絶縁膜とした。このシリコンウェハを酸化膜が上になるようにしてホットプレート上で80℃に加熱し、その上から、酸化膜表面に、化合物(45)のクロロベンゼン溶液(0.5wt%)を滴下し、溶媒を乾燥させることで、有機半導体層を形成した。ソース電極およびドレイン電極の形成は、実施例7と同様の操作を行い、有機薄膜トランジスタ2を作製した。
実施例7において、化合物(45)の代わりに、化合物(61)を使用した他は同様の操作を行い、有機電界効果トランジスタ3を作製した。
実施例8において、化合物(45)の代わりに、化合物(61)を使用した他は同様の操作を行い、有機電界効果トランジスタ4を作製した。
実施例7において、(45)の代わりに、下記化合物(H1)を使用した他は同様の操作を行い、有機電界効果トランジスタ5を作製した。
実施例7において、化合物(45)の代わりに、下記化合物(H2)を使用した他は同様の操作を行い、有機電界効果トランジスタ6を作製した。
Keithley社製2612A型2chシステムソースメータを使用して、真空下(10−5torr以下)にて、有機薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極間に100Vの電圧を印加し、ゲート電圧を−20Vから100Vの範囲で変化させ、それぞれの有機薄膜トランジスタの伝達特性を評価した。伝達特性の飽和領域から、それぞれの有機薄膜トランジスタのキャリア(電子)移動度を算出した。それぞれの有機薄膜トランジスタのキャリア(電子)移動度を表1に示す。なお、有機トランジスタ6は、伝達特性が得られなかった。
有機薄膜トランジスタ4における有機半導体層の、面外(out−of−plane)X線回折を測定することにより、結晶性を評価した。結果を図7に示す。図7の結果、回折プロファイルが5次ピーク以上を示しており、有機薄膜トランジスタ4における有機半導体層は、非常に結晶性が高い薄膜であることが確認された。
有機薄膜トランジスタ1に対して、大気中動作試験を行った。有機薄膜トランジスタ1を大気暴露し、直後に特性評価を行った後に、そのまま大気中にて数時間ごとに特性評価を行った。大気中での保管は、暗所にて行った。なお、特性評価は、大気中で評価を行った以外は、上記評価と同様の方法で実施した。大気暴露時間に対する移動度の結果を。図8に示す。図8より明らかなように、大気暴露直後の特性からの移動度劣化は、約300時間で10%程度であり、大気中でも非常に安定なn型特性を示すことが確認された。
実施例12において、有機薄膜トランジスタ1の代わりに、有機薄膜トランジスタ5を使用した他は同様の操作を行い、大気暴露での特性評価を行った。大気暴露直後の特性からの移動度劣化は、約24時間で10%程度であった。
6 ドレイン電極、7 基板、8 正極、9 有機半導体層
9−a 電子供与性有機半導体層、9−b 電子受容性有機半導体層、10 負極
Claims (13)
- 下記一般式(1)で示される含窒素複素環アルケニル化合物。
Ar2は、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数1〜21の非共有電子対を持つ窒素を含有する不飽和複素環基、又は該不飽和複素環基を構成する環及び置換若しくは無置換の炭素数6〜22の芳香族炭化水素環から選ばれる環が任意に2〜7個連結して構成され、該不飽和複素環基を構成する環を少なくとも1つ有する置換若しくは無置換の連結環基を示し、該連結環基は直鎖状であっても分岐状であってもよく、1つの結合手は何れの環に存在していても良い。
Bは、ビニレン基(-CH=CH-)又はエチニレン基(-C≡C-)を示す。
R1は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、ホルミル基、又は炭素数2〜30の炭化水素置換カルボニル基を示す。
aは繰り返し数を表し、0〜3の整数である。
なお、aが0、R1がシアノ基、Ar1が無置換のフェニレン、Ar2が無置換のピリジル基である場合、該ピリジル基はビニレン基とピリジル基の2位もしくは3位で結合することはない。 - 密度汎関数計算B3LYP/6−31G(d)による構造最適化計算で得られる最低空軌道(LUMO)のエネルギー準位が、−3.0eV以下である請求項1記載の含窒素複素環アルケニル化合物。
- 一般式(1)において、
Ar1が不飽和環式炭化水素基である場合、Ar1は置換若しくは無置換の5〜8員環の単環からなる不飽和環式炭化水素基又は該5〜8員環の単環が任意に2〜6つ縮合してなる不飽和環式炭化水素基であり、
Ar1が不飽和複素環基である場合、Ar1は置換若しくは無置換の5〜7員環の単環からなる不飽和複素環基又は該不飽和複素環を1つ以上含む2〜6環の縮合複素環基であり、
Ar2が不飽和複素環基である場合、Ar2は非共有電子対を持つ窒素を含有する下記式(C−1)〜(C〜3)のいずれかで表される複素環基、又は非共有電子対を持つ窒素を含有する下記式(A−1)〜(A−16)のいずれかで表される芳香族複素環基である請求項1又は2に記載の含窒素複素環アルケニル化合物。
ここで、式(C−1)〜(C−3)中のX1はそれぞれ独立に、CH又はNを示し、少なくとも1つはNを示す。X2はNH、O又はSを示す。X1のCH、X2のNHのうち1つはHがとれて結合手となる。
式(A−1)〜(A−16)中のX3は、それぞれ独立に、CH又はNを示し、少なくとも1つはNを示す。X4は、それぞれ独立に、NH、O又はSを示す。X3のCH、X4のNHのうち1つはHがとれて結合手となる。 - 一般式(1)において、aが0又は1の整数、R1がシアノ基であり、Ar1が、置換若しくは無置換の、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、5又は6員環の単環からなる不飽和複素環基、該不飽和複素環を1つ以上含む2又は3環の縮合複素環基、又は該フェニレン基、該不飽和複素環基若しくは該縮合複素環基が任意に2又は3個連結して構成される2価の連結環基であり、
Ar2が、式(C−1)〜(C−3)のいずれかで表される複素環又は式(A−1)〜(A−4)、(A−13)、(A−14)で表される芳香族複素環からなる不飽和複素環基、又は該不飽和複素環基及びフェニレン基が任意に2又は3個連結して構成される連結環基である請求項3に記載の含窒素複素環アルケニル化合物。 - 下記一般式(2)で示される請求項1又は2に記載の含窒素複素環アルケニル化合物。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の含窒素複素環アルケニル化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
- 請求項6に記載の有機半導体材料を含有することを特徴とする有機半導体膜。
- 請求項6に記載の有機半導体材料を有機溶媒に溶解し、調製された溶液を塗布・乾燥する工程を経て、形成することを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
- 請求項6に記載の有機半導体材料を、沸点が50℃以上の有機溶剤に溶解し、濃度0.01〜10wt%の溶液とし、これを30℃〜溶剤の沸点よりも20℃以下の温度範囲に加熱した基板に塗布して、溶媒を乾燥することを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
- 請求項7に記載の有機半導体膜を用いることを特徴とする有機半導体デバイス。
- 請求項7に記載の有機半導体膜を半導体層に用いることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
- N型有機薄膜トランジスタ、又は該N型有機薄膜トランジスタを用いた有機相補型トランジスタである請求項11に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 請求項7に記載の有機半導体膜を半導体層に用いることを特徴とする有機光起電力素子。
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