JP2017167103A - 粒子成分分析装置 - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims abstract description 109
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 119
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 77
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 27
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 175
- 238000000034 method Methods 0.000 description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 description 40
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003738 black carbon Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 国際公開第2011/114587号
Claims (19)
- 測定対象となるエアロゾルの粒子を捕捉するメッシュ構造体と、
前記メッシュ構造体に捕捉された粒子にエネルギー線を照射して、該粒子を脱離させて脱離成分を生じさせるエネルギー線照射部と、
前記脱離成分に基づいて粒子の成分および量の少なくともいずれかを分析する分析部と、
前記メッシュ構造体に配置されたセンサ用導電膜と、を備える粒子成分分析装置。 - 前記粒子成分分析装置は、予め定められた方向に積層された複数の前記メッシュ構造体を含み、
前記センサ用導電膜は、最表層のメッシュ構造体のおもて面以外の、複数のメッシュ構造体のいずれかの面に設けられた温度測定用導電膜を含み、
前記粒子成分分析装置は、前記温度測定用導電膜の電気抵抗値に基づいてメッシュ構造体の温度を検出する温度検出部を更に備える
請求項1に記載の粒子成分分析装置。 - 複数の前記温度測定用導電膜が、同一のメッシュ構造体の同一面における異なる位置に配置され、
前記粒子成分分析装置は、複数の前記温度測定用導電膜のそれぞれの電気抵抗値に基づいて、前記エネルギー線の照射位置を検出する照射位置検出部を更に備える
請求項2に記載の粒子成分分析装置。 - 前記複数のメッシュ構造体の各々は、
メッシュ部と、
前記メッシュ部の周囲に位置し、かつ、前記メッシュ部を支持する支持枠部と
を有し、
複数の前記温度測定用導電膜が、同一メッシュ構造体の同一面において前記メッシュ部を挟んで設けられ、
前記粒子成分分析装置は、複数の前記温度測定用導電膜間の電気抵抗値の変化から前記メッシュ部の破損を検出する破損検出部を更に備える
請求項2に記載の粒子成分分析装置。 - 前記複数のメッシュ構造体のうち、2以上のメッシュ構造体のそれぞれに、前記メッシュ部を挟んで設けられた複数の温度測定用導電膜を有し、
前記破損検出部は、前記2以上のメッシュ構造体のそれぞれにおいて、前記メッシュ部の破損を検出する
請求項4に記載の粒子成分分析装置。 - 前記複数のメッシュ構造体のうち、2以上のメッシュ構造体のそれぞれに設けられた温度測定用導電膜は、各メッシュ構造体間で設けられる位置が異なる
請求項2に記載の粒子成分分析装置。 - 前記複数のメッシュ構造体は、第1のメッシュ部が形成された第1メッシュ構造体と、空隙率が前記第1のメッシュ部より小さい第2のメッシュ部が形成された第2メッシュ構造体とを含み、
前記第1メッシュ構造体に設けられたセンサ用導電膜は、前記温度測定用導電膜を含み、
前記第2メッシュ構造体に設けられたセンサ用導電膜は、前記第2メッシュ構造体の同一面において離間して配置された複数の汚損検出用導電膜を含み、
前記粒子成分分析装置は、離間して配置された複数の汚損検出用導電膜間での電気抵抗値に基づいてメッシュ構造体の汚損状態を判断する汚損判断部を更に備える、
請求項2に記載の粒子成分分析装置。 - 前記温度測定用導電膜は、温度変化に対する電気抵抗値の変化が前記複数の汚損検出用導電膜のそれぞれより大きい
請求項7に記載の粒子成分分析装置。 - 前記センサ用導電膜は、前記メッシュ構造体のおもて面に設けられた汚損検出用導電膜を含む
請求項1に記載の粒子成分分析装置。 - 前記粒子成分分析装置は、予め定められた方向に積層された複数の前記メッシュ構造体を含み、
前記汚損検出用導電膜は、最表層のメッシュ構造体のおもて面に離間して配置された複数の導電膜を含み、
前記粒子成分分析装置は、複数の導電膜間での電気抵抗値に基づいて汚損状態を判断する汚損判断部を更に備える
請求項9に記載の粒子成分分析装置。 - 前記複数の導電膜は、離間する距離が異なる複数組の導電膜を含む
請求項10に記載の粒子成分分析装置。 - 前記センサ用導電膜は、最表層のメッシュ構造体のおもて面以外の、複数のメッシュ構造体のいずれかの面に設けられた温度測定用導電膜を更に含み、
前記粒子成分分析装置は、前記温度測定用導電膜の電気抵抗値に基づいてメッシュ構造体の温度を検出する温度検出部を更に備えており、
前記汚損検出用導電膜は、前記温度測定用導電膜よりも小さい
請求項10に記載の粒子成分分析装置。 - 測定対象となるエアロゾルの粒子を捕捉するメッシュ構造体と、
前記メッシュ構造体に捕捉された粒子にエネルギー線を照射して、該粒子を脱離させて脱離成分を生じさせるエネルギー線照射部と、
前記脱離成分に基づいて粒子の成分および量の少なくともいずれかを分析する分析部と、
前記メッシュ構造体の汚損を検出する汚損検出部と、を備える粒子成分分析装置。 - 前記汚損検出部は、
前記メッシュ構造体に光を当てる照明部と、
前記メッシュ構造体による反射光を検出する反射光検出部と、を含み、
前記粒子成分分析装置は、前記反射光検出部による検出結果に基づいて前記メッシュ構造体の汚損状態を判断する汚損判断部を更に備える
請求項13に記載の粒子成分分析装置。 - 前記汚損検出部は、
前記メッシュ構造体に高周波信号を印加して前記メッシュ構造体の静電容量を測定する静電容量測定部を含み、
前記粒子成分分析装置は、前記静電容量測定部による測定結果に基づいて前記メッシュ構造体の汚損状態を判断する汚損判断部を更に備える
請求項13に記載の粒子成分分析装置。 - 汚損が予め定められた値以上であると判断された場合に、前記エネルギー線照射部は、エネルギー線を前記メッシュ構造体に更に照射して、前記メッシュ構造体上に残着した成分を加熱する
請求項7から15の何れか1項に記載の粒子成分分析装置。 - 前記エネルギー線照射部は、前記メッシュ構造体上に残着した成分を加熱する場合は、照射強度を高める
請求項16に記載の粒子成分分析装置。 - 前記エネルギー線照射部が前記メッシュ構造体上に残着した成分を加熱する場合に、前記エネルギー線を前記メッシュ構造体上で走査する走査部を更に備える
請求項16または17に記載の粒子成分分析装置。 - 前記エネルギー線照射部が前記メッシュ構造体上に残着した成分を加熱する場合は、前記エネルギー線の照射範囲を広げる照射範囲調整部を更に備える
請求項16または17に記載の粒子成分分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016055240A JP6648578B2 (ja) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 粒子成分分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016055240A JP6648578B2 (ja) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 粒子成分分析装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017167103A true JP2017167103A (ja) | 2017-09-21 |
JP6648578B2 JP6648578B2 (ja) | 2020-02-14 |
Family
ID=59913170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016055240A Active JP6648578B2 (ja) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 粒子成分分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6648578B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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