JP2017163079A - レーザー加工装置 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 49
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Abstract
Description
P´=P×[100÷(100−y)]
となるように該出力調整手段を制御することができる。
P´=P×[100/(100−y)]
=3.0×[100/(100−30)]≒4.29
となるから、出力調整手段44bのパルスモータ44b2を回転駆動して、P´の値に応じた所定の角度だけ1/2波長板44b1を回転させる。1/2波長板44b1をこのように回転させることにより、ビームスプリッター44b3においてダンパー44b4側に分割される割合が減少し、レーザー光線発振器44aで発振されたレーザー光線が4.29Wの出力を有するレーザー光線として照射されるのである。
12:デバイス
14:分割予定ライン
20:制御手段
40:レーザー加工装置
42:保持機構
43:移動手段
44:レーザー光線照射手段
44a:レーザー光線発振器
44b:出力調整手段
44d:集光器
45:反射光検出手段
45a:光源
45d:第1の検査光集光器
45e:第2の検査光集光器
45f:分光器
45g:ラインイメージセンサ
64:チャックテーブル
Claims (4)
- 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して被加工物の内部に改質層を形成するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的にX方向に移動させるX方向移動手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に該X方向と直交するY方向に移動させるY方向移動手段と、制御手段と、反射光検出手段と、から少なくとも構成されるレーザー加工装置であって、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振する発振器と、該発振器が発振したレーザー光線を集光し該保持手段に保持された被加工物に照射する集光器と、該発振器と該集光器との間に配設される出力調整手段と、を含み構成され、
該反射光検出手段は、該発振器が発振するレーザー光線を模擬するための所定の波長域を有する検査光を照射する光源と、該光源から照射される検査光を該波長域で光軸上の所定幅に亘って焦点を形成する色収差集光レンズと、該光源と該色収差集光レンズとの間で形成される光路から分岐して配設され、該保持手段に保持された被加工物の上面で反射した反射光の光量を検出する検出器と、を含み構成され、
該制御手段は、該検出器によって検出された光量から被加工物の所定位置における反射率を算出し、該反射率に基づいて、被加工物の該所定位置に対して照射されるレーザー光線の出力が該保持手段に保持された被加工物の加工に必要な出力となるように、該出力調整手段を制御するレーザー加工装置。 - 該検出器は、該反射光を該波長域で分光する分光器と、該分光器で分光された各々の光を電気信号に変換する複数の画素からなる受光素子と、から構成され、
該制御手段は、該受光素子を構成する各画素が検出した電気信号の最大値と、予め記録された被加工物が光源からの光を100%反射した場合の電気信号とを比較して反射率yを算出し、被加工物の加工に必要なパワーをP、該出力調整手段により調整された後の出力をP´とした場合、
P´=P×[100÷(100−y)]
となるように該出力調整手段を制御する請求項1に記載のレーザー加工装置。 - 該制御手段は、該保持手段に保持された被加工物が該X方向移動手段によってX方向に移動する際に、該反射光検出手段によって検出された該反射光の光量を該反射光が検出された被加工物のX方向の座標位置に対応させて記録する記録部を含み、
該集光器から照射されるレーザー光線の照射位置に対応した被加工物のX方向の座標位置が、該記録部に記録されたX方向の座標位置と一致したときに、該記録部に記録された反射率に基づいて該出力調整手段を逐次調整して被加工物の加工に必要な出力のレーザー光線を照射する請求項1、または2に記載のレーザー加工装置。 - 該反射光検出手段を構成する該色収差集光レンズは、該集光器を挟んでX方向に一対配置され、
該保持手段に保持された該被加工物のX方向の往路、復路で該反射率yを算出する請求項1ないし3のいずれかに記載のレーザー加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016048231A JP6633429B2 (ja) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | レーザー加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016048231A JP6633429B2 (ja) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | レーザー加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017163079A true JP2017163079A (ja) | 2017-09-14 |
JP6633429B2 JP6633429B2 (ja) | 2020-01-22 |
Family
ID=59858037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016048231A Active JP6633429B2 (ja) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | レーザー加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6633429B2 (ja) |
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JP6633429B2 (ja) | 2020-01-22 |
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