CN112091412A - 反射率测量装置和激光加工装置 - Google Patents
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Abstract
提供反射率测量装置和激光加工装置,抑制对被加工物造成的损伤并测量准确的反射率。反射率测量单元包含:振荡出激光束(21)的激光振荡器(22);将激光束(21)聚光并照射到被加工物(200)的第一聚光透镜(24);检测激光束(21)的反射光(25)的检测单元(26);将入射至检测单元(26)的反射光(25)聚光的第二聚光透镜(27),相位延迟透镜(28),其使激光束(21)的外周部的相位延迟,以便使其以聚光状态入射;以及球面像差赋予透镜(29),其对激光束(21)赋予球面像差,以便在激光束的聚光区域(25‑1)延伸的状态下入射至检测单元(26)。
Description
技术领域
本发明涉及反射率测量装置和激光加工装置。
背景技术
为了将半导体晶片等被加工物分割成芯片尺寸,公开了如下的加工方法(例如,参照专利文献1):将对于被加工物具有透过性的波长的激光束聚光照射而在被加工物的内部形成作为分割起点的改质层。
但是,有时在被加工物的背面覆盖有激光束难以透过的氧化膜或氮化膜等膜,在这样的晶片中,存在无法在希望的区域形成改质层的不良情况。
因此,提出了一种激光加工装置(例如,参照专利文献2),其对被加工物背面照射光,根据反射光量计算反射率,根据预先存储在控制器的存储器中的各个膜种类的反射率与脉冲能量的相关关系来决定适当的脉冲能量,从而对被加工物实施加工。
专利文献1:日本特许第3408805号公报
专利文献2:日本特开2013-230477号公报
然而,专利文献2所示的激光加工装置中,存在为了测量反射率而向被加工物照射的激光束会对被加工物造成损伤的问题。
另外,由于向检测反射光的检测单元入射的光按照成为与加工点相同的状态的方式被设计,因此在卡盘工作台因热而发生膨胀等情况下,激光以非聚光状态照射在卡盘工作台上所载置的被加工物上。其结果是,由于反射光也向检测单元以非聚光状态入射,所以与以聚光状态入射的情况相比,反射光的强度发生变化,还存在不能进行反射率的准确测量的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的,其目的在于提供反射率测量装置和激光加工装置,其能够抑制对被加工物造成的损伤并测量准确的反射率。
为了解决上述课题并达到目的,本发明的反射率测量装置具有:卡盘工作台,其对被加工物进行保持;反射率测量单元,其对该卡盘工作台所保持的被加工物的反射率进行测量;以及控制单元,其控制该反射率测量单元,其特征在于,该反射率测量单元具有:激光振荡器,其振荡出对于该被加工物具有透过性的波长的激光束;第一聚光透镜,其将从该激光振荡器振荡的激光束聚光并向被加工物照射;检测单元,其检测通过该第一聚光透镜照射到被加工物上的激光束的反射光;以及第二聚光透镜,其对入射至该检测单元的反射光进行聚光,该反射率测量装置还具有:相位延迟单元,其使该激光束的外周部的相位延迟,以便使该激光束以非聚光状态照射至该被加工物并使该激光束以聚光状态入射至所述检测单元;以及球面像差赋予单元,其对所述激光束赋予球面像差,以便在所述激光束的聚光区域延伸的状态下入射至所述检测单元。
在上述反射率测量装置中,该相位延迟单元可以包含衍射光学元件,该球面像差赋予单元可以包含凹透镜。
在上述反射率测量装置中,该相位延迟单元和该球面像差赋予单元的功能也可以通过空间光相位调制器(LCOS)来实现。
本发明的激光加工装置是具有所述反射率测量装置的激光加工装置,其特征在于,对于从该反射率测量单元的激光振荡器振荡出的激光束,不经由该相位延迟单元而是使用该第一聚光透镜进行聚光,将聚光点定位于该卡盘工作台所保持的被加工物的内部而进行照射,从而形成改质层。
本发明具有能够在抑制对被加工物造成的损伤的同时测量准确的反射率的效果。
附图说明
图1是示出实施方式1的激光加工装置的结构例的立体图。
图2是示意性地示出图1所示的激光加工装置的激光束照射单元的结构的图。
图3是图2所示的激光束照射单元对被加工物的反射率进行测量时的被加工物上的激光束的俯视图。
图4是图2所示的反射率测量单元对被加工物的反射率进行测量时的检测单元的受光面上的激光束的俯视图。
图5是示意性地示出图2所示的激光束照射单元在被加工物上形成改质层的状态的图。
图6是示意性地示出实施方式2的激光加工装置的激光束照射单元的结构的图。
标号说明
1:激光加工装置;10:卡盘工作台;20:激光束照射单元(反射率测量单元);16:激光束;21-1:聚光点;22:激光振荡器;24:第一聚光透镜;25:反射光;26:检测单元;27:第二聚光透镜;28:相位延迟透镜(相位延迟单元);29:球面像差赋予透镜(球面像差赋予单元,凹透镜);30:移动单元;40:反射率测量装置;50:空间光相位调制器(LCOS);100:控制单元;200:被加工物;281:衍射光学元件(DOE)。
具体实施方式
对用于实施本发明的方式(实施方式)参照附图进行详细的说明。本发明并不限于以下实施方式中记载的内容。并且,在以下所记载的构成要素中包含有本技术领域人员所容易想到的、实际上相同的构成要素。而且,以下记载的结构可以适当组合。并且,能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
〔实施方式1〕
根据附图说明本发明的实施方式1的反射率测量单元和激光加工装置。图1是示出实施方式1涉及的激光加工装置的结构例的立体图。图2是示意性地示出图1所示的激光加工装置的激光束照射单元的结构的图。图3是图2所示的激光束照射单元对被加工物的反射率进行测量时的被加工物上的激光束的俯视图。图4是图2所示的反射率测量单元对被加工物的反射率进行测量时的检测单元的受光面上的激光束的俯视图。图5是示意性地示出图2所示的激光束照射单元在被加工物上形成改质层的状态的图。
实施方式1涉及的激光加工装置1是对图1所示的被加工物200照射激光束21来实施激光加工的装置。被加工物200作为图1所示的激光加工装置1的加工对象,该被加工物200是圆板状的半导体晶片或光器件晶片等晶片,具有硅、蓝宝石、砷化镓等的基板201。
被加工物200具有在基板201的正面上呈格子状设定的未图示的分割预定线和形成在由分割预定线划分的区域中的器件。器件例如是IC(Integrated Circuit:集成电路)或LSI(Large Scale Integration:大规模集成)等集成电路、CCD(Charge CoupledDevice:电荷耦合器)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:互补金属氧化物半导体)等图像传感器。
被加工物200中,在基板201的背面上覆盖有氧化膜或氮化膜等的膜202。在实施方式1中,在被加工物200的外缘部粘贴有环状框架210,并且在被加工物200的正面上粘贴有直径比被加工物200的外径大的带211,被加工物200按照使背面侧的膜202露出的状态被支承在环状框架210的开口内。
在实施方式1中,沿着分割预定线对被加工物200的基板201照射具有透过性的波长的激光束21,沿着分割预定线形成改质层,然后将被加工物200分割成一个个的器件。激光束21的膜202的反射率根据构成膜202的材质或膜202的厚度而变化。另外,改质层是指密度、折射率、机械强度以及其他物理特性成为与周围的各性质不同的状态的区域,可以例示熔融处理区域、裂纹区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域以及这些区域混在的区域等。另外,改质层的机械强度等比被加工物200的其他部分低。
如图1所示,激光加工装置1具有:卡盘工作台10;作为反射率测量单元的激光束照射单元20;移动单元30;拍摄单元90;以及控制单元100。
卡盘工作台10利用保持面11对被加工物200进行保持。保持面11是由多孔陶瓷等形成的圆盘形状,其经由未图示的真空吸引路径而与未图示的真空吸引源连接。卡盘工作台10对载置于保持面11上的被加工物200进行吸引保持。在实施方式1中,保持面11是与水平方向平行的平面。在卡盘工作台10的周围配置有多个夹持部12,该夹持部12对将被加工物200支承在开口内的环状框架210进行夹持。另外,卡盘工作台10通过移动单元30的旋转移动单元33而绕与Z轴方向平行的轴心旋转,所述Z轴方向与铅直方向平行。旋转移动单元33和卡盘工作台10通过移动单元30的X轴移动单元31在与水平方向平行的X轴方向上移动。
激光束照射单元20是对卡盘工作台10所保持的被加工物200照射脉冲状的激光束21的单元。另外,激光束照射单元20还对卡盘工作台10所保持的被加工物200的膜202的激光束21的反射率进行测量。
如图2所示,激光束照射单元20具有:激光振荡器22,其振荡出对于被加工物200具有透过性的波长的激光束21;分色镜23,其将从激光振荡器22射出的激光束21朝向卡盘工作台10的保持面11上所保持的被加工物200进行反射;第一聚光透镜24,其对分色镜23所反射的从激光振荡器22振荡的激光束21进行聚光而向被加工物200照射;未图示的聚光点位置调整单元;检测单元26,其对通过第一聚光透镜24向被加工物200照射的激光束21的反射光25进行检测;以及第二聚光透镜27,其将向检测单元26入射的反射光25聚光。
激光振荡器22朝向分色镜23照射激光束21。分色镜23将激光振荡器22所振荡的激光束21朝向第一聚光透镜24反射,并且使照射到被加工物200上的激光束21的反射光25透过。第一聚光透镜24使被分色镜23反射的激光束21透过,使激光束21向被加工物200聚光,并且使照射到被加工物200上的激光束21的反射光25透过。聚光点位置调整单元使激光束21的聚光点21-1的位置在与铅直方向平行的Z轴方向上位移。
检测单元26具备接受反射光25的受光面261。在实施方式1中,检测单元26是能够对聚光在受光面261上的反射光25的输出进行检测的CMOS(Complementary MOS:互补金属氧化物半导体)照相机,但本发明不限于CMOS照相机。检测单元26将表示聚光在受光面261上的激光束21的输出的信息输出到控制单元100。第二聚光透镜27使透过了分色镜23的反射光25透过,并且将反射光25聚光在受光面261上。
另外,如图2所示,激光束照射单元20还包含作为相位延迟单元的相位延迟透镜28和作为球面像差赋予单元的球面像差赋予透镜29。
相位延迟透镜28使激光束21的外周部的相位比中央部延迟,以便使激光振荡器22所射出的激光束21如图3所示那样以非聚光状态照射到卡盘工作台10所保持的被加工物200上,并使激光束21的反射光25如图4所示那样以聚光状态入射至检测单元26的受光面261。在实施方式1中,相位延迟透镜28配置在激光振荡器22与分色镜23之间,可以使激光振荡器22射出的激光束21透过。
相位延迟透镜28被设置成通过未图示的驱动机构在图2所示的反射率测量位置与未图示的退避位置之间自由移动,该反射率测量位置是使激光振荡器22所射出的激光束21朝向分色镜23而透过的位置,该退避位置是从激光振荡器22所射出的激光束21的光路退避而不使激光束21透过的位置。在实施方式1中,相位延迟透镜28具有使透过的激光束21的外周部的相位比中央部的相位延迟的DOE(Diffractive Optical Element:衍射光学元件)281。
球面像差赋予透镜29对激光束21的反射光25赋予球面像差,以便在透过了分色镜23的激光束21的反射光25的聚光区域25-1在激光束21的光轴方向上延伸的状态下入射至检测单元26的受光面261。在实施方式1中,球面像差赋予透镜29配置在第二聚光透镜27与检测单元26的受光面261之间,能够使透过了分色镜23的激光束21的反射光25透过,并且对反射光25赋予球面像差。在实施方式1中,球面像差赋予透镜29是凹透镜。即,本发明的球面像差赋予单元包含凹透镜。
在实施方式1中,激光束照射单元20所包含的光学系统的一部分安装在支承柱4的前端,该支承柱4的基端部安装在从激光加工装置1的装置主体2立设的立设板3上。
移动单元30使激光束照射单元20和卡盘工作台10相对地移动。移动单元30具有:X轴移动单元31,其使卡盘工作台10在X轴方向上移动;Y轴移动单元32,其使卡盘工作台10在与水平方向平行且与X轴方向垂直的Y轴方向上移动;以及旋转移动单元33,其使卡盘工作台10绕与Z轴方向平行的轴心旋转,所述Z轴方向与X轴方向和Y轴方向垂直。
在实施方式1中,Y轴移动单元32设置在激光加工装置1的装置主体2上,使支承着X轴移动单元31的移动板34沿Y轴方向移动。X轴移动单元31设置在移动板34上,将卡盘工作台10和旋转移动单元33支承为在X轴方向上移动自如。
X轴移动单元31和Y轴移动单元32具有:绕轴心旋转自如地设置的公知的滚珠丝杠311、321;使滚珠丝杠311、321绕轴心旋转的公知的脉冲电动机312、322;移动板14;以及公知的导轨313、323,它们将卡盘工作台10和旋转移动单元33支承为在X轴方向或Y轴方向上移动自如。
并且,激光加工装置1具有:未图示的X轴方向位置检测单元,其用于检测卡盘工作台10的X轴方向的位置;以及未图示的Y轴方向位置检测单元,其用于检测卡盘工作台10的Y轴方向的位置。各位置检测单元将检测结果输出到控制单元100。
拍摄单元90对保持在卡盘工作台10上的被加工物200进行拍摄。拍摄单元90由红外线照相机构成,该红外线照相机从背面的膜202侧对保持在卡盘工作台10上的被加工物200进行拍摄而检测分割预定线。在实施方式1中,拍摄单元90安装在支承柱4的前端,并配置在与激光束照射单元20中所包含的光学系统的一部分在X轴方向上并列的位置上。拍摄单元90对被加工物200进行拍摄,得到用于执行对准的图像并将得到的图像输出到控制单元100,所述对准进行被加工物200与激光束照射单元20的对位。
控制单元60分别对激光加工装置1的上述结构要素进行控制,使激光加工装置1实施对被加工物200的加工动作。控制单元17具有:运算处理装置,其具有CPU(CentralProcessing Unit:中央处理器)那样的微处理器;存储装置,其具有ROM(Read OnlyMemory:只读存储器)或RAM(Random Access Memory:随机存取存储器)那样的存储器;以及输入输出接口装置。控制单元100的运算处理装置根据存储于存储装置的计算机程序而实施运算处理,借助输入输出接口装置将用于控制激光加工装置1的控制信号输出至激光加工装置1的上述结构要素,从而实现控制单元100的功能。
另外,控制单元100上连接有:显示单元101,其由显示加工动作的状态、图像等的液晶显示装置等构成;未图示的输入单元,其在操作者登记加工内容信息等时使用;以及未图示的通知单元。输入装置由设置于显示单元101的触摸面板和键盘等外部输入装置中的至少一个构成。通知单元发出声音和光中的至少一方,通知操作者。另外,卡盘工作台10、激光束照射单元20以及控制单元100构成实施方式1涉及的反射率测量装置40。即,激光加工装置1具有反射率测量装置40。
在上述结构的激光加工装置1中,控制单元100接受操作者经由输入单元102而输入的加工内容信息并存储到控制单元100的存储装置中,在卡盘工作台10上隔着带211而载置被加工物200。另外,加工内容信息包含示出激光振荡器22的激光束21的输出的信息、示出被加工物200的膜202的激光束21的反射率的上限值的信息以及示出下限值的信息。在实施方式1中,关于反射率的上限值和下限值,如果是上限值以上且下限值以下的反射率,则表示在加工对象的被加工物200上由适当的材料形成有适当厚度的膜202;如果是超过上限值或小于下限值的反射率,则表示在加工对象的被加工物200上形成有不适当的膜202。
当激光加工装置1经由输入单元102接受到操作者所输入的加工开始指示时,激光加工装置1将被加工物200吸引保持在卡盘工作台10上,并利用夹持部12夹持环状框架210。激光加工装置1的控制单元100控制未图示的驱动单元,将相位延迟透镜28定位于图2所示的反射率测量位置,按照与形成改质层时同样的方式控制聚光点位置调整单元并控制激光振荡器22,从激光振荡器22振荡出激光束21。
于是,从激光振荡器22射出的激光束21透过相位延迟透镜28而被分色镜23反射,并被第一聚光透镜24聚光。激光束21在透过相位延迟透镜28时,通过DOE281使外周部的相位比中央部的相位延迟,因此如图2所示,聚光点21-1未被定位于被加工物200的内部,而是如图3所示那样以非聚光状态照射至被加工物200的背面的膜202。另外,在实施方式1中,聚光点21-1形成在被加工物200的膜202的上方(远离卡盘工作台10的一侧)。
激光束21的来自被加工物200的膜202的反射光25依次透过第一聚光透镜24、分色镜23、第二聚光透镜27以及球面像差赋予透镜29而入射至检测单元26的受光面261。反射光25被球面像差赋予透镜29赋予球面像差,所以如图2所示,聚光点25-2在反射光25的光轴方向上偏移,在光轴方向上形成由反射光25所汇聚的多个聚光点25-2构成的聚光区域25-1。因此,如图4所示,反射光25以聚光状态入射至检测单元26的受光面261。
检测单元26对以聚光状态入射至受光面261的反射光25的输出进行检测,并将检测结果输出到控制单元100。控制单元100根据检测单元26的检测结果和表示激光振荡器22的激光束21的输出的信息等来计算膜202的反射率,并判定计算出的反射率是否在加工内容信息的上限值以上且下限值以下。这样,反射率测量装置40的作为反射率测量单元的激光束照射单元20与控制单元100等共同地对保持在卡盘工作台10上的被加工物200的膜202的反射率进行测量。
控制单元100在判定为膜202的反射率不在上限值以上且下限值以下时,使通知单元进行动作,通过声音和光的至少一方通知操作者。如果控制单元100判定为膜202的反射率在上限值以上且在下限值以下,则开始加工动作。在加工动作中,激光加工装置1的控制单元100使X轴移动单元31移动卡盘工作台10,并使拍摄单元90对卡盘工作台10上的被加工物200进行拍摄。激光加工装置1根据拍摄被加工物200而得的图像来检测分割预定线并执行对准,该对准进行被加工物200与激光束照射单元20的对位。
激光加工装置1一边使卡盘工作台10和激光束照射单元20沿着分割预定线相对移动,一边对被加工物200照射激光束21。如图5所示,激光加工装置1不经由相位延迟透镜28而使用第一聚光透镜24对从激光束照射单元20的激光振荡器22振荡的激光束21进行聚光,将聚光点21-1定位于保持在卡盘工作台10上的被加工物200的内部并照射激光束21,由此形成改质层。
这样,激光加工装置1在被加工物200的内部形成沿着分割预定线的改质层。激光加工装置1在沿着所有分割预定线在被加工物200的内部形成改质层后,结束加工动作。另外,在实施方式1中,使测量被加工物200的膜202的反射率时的激光束21的输出比形成改质层时的激光束21的输出弱,但在本发明中并不限于此。
如上所述,实施方式1涉及的反射率测量装置40和激光加工装置1在测量膜202的反射率时,利用相位延迟透镜28的DOE 281使激光束21以非聚光状态照射至被加工物200,并且利用球面像差赋予透镜29使反射光25以聚光状态入射至检测单元26的受光面261,因此可以抑制被加工物200的损伤。
另外,反射率测量装置40以及激光加工装置1构成为:通过球面像差赋予透镜29形成聚光区域25-1,从而使入射至检测单元26的受光面261的反射光25的聚光点25-2在光轴方向上延伸,因此,即使卡盘工作台10发生膨胀、被加工物200与保持面11之间夹入异物等因而保持面11的高度发生少量变化,导致聚光点25-2相对于检测单元26的受光面261在光轴方向上的相对位置发生变化,也能够使反射光25以聚光状态入射至检测单元26的受光面261。因此,反射率测量装置40和激光加工装置1能够准确测量被加工物200的膜202的反射率。
其结果是,反射率测量装置40和激光加工装置1能够提高反射率测量的稳定性,起到防止加工出偏离规格的被加工物200并设定与反射率相应的适当的加工条件等的效果,并且起到抑制对被加工物200造成的损伤并能够进行准确的反射率测量的效果。
〔实施方式2〕
根据附图说明本发明的实施方式2的反射率测量单元和激光加工装置。图6是示意性地示出实施方式2涉及的激光加工装置的激光束照射单元的结构的图。另外,在图6中对与实施方式1相同的部分赋予相同的标号而省略说明。
关于实施方式2涉及的激光加工装置的反射率测量单元即激光束照射单元20,如图6所示,除了取代相位延迟透镜28和球面像差赋予透镜29而具备空间光相位调制器(Liquid Crystal on Silicon-Spatial Light Modulator:LCOS-SLM)50以外,结构与实施方式1相同。
空间光相位调制器50实现相位延迟单元和球面像差赋予单元的功能,该相位延迟单元在测量被加工物200的膜202的反射率时,使激光束21的外周部的相位比中央部延迟,以便使激光振荡器22所射出的激光束21的反射光25以非聚光状态照射至卡盘工作台10所保持的被加工物200,并使激光束21以聚光状态入射至检测单元26的受光面261,该球面像差赋予单元对激光振荡器22射出的激光束21赋予球面像差,以便在透过了分色镜23的激光束21的反射光25的聚光区域25-1沿激光束21的光轴方向延伸的状态下入射至检测单元26的受光面261。
在实施方式2中,空间光相位调制器50配置在激光振荡器22与分光镜23之间。空间光相位调制器50按照如下驱动条件设定:在测量被加工物200的膜202的反射率时,通过控制单元100使激光振荡器22射出的激光束21的外周部的相位比中央部的相位延迟,并且对激光振荡器22射出的激光束21赋予球面像差。另外,空间光相位调制器50按照如下驱动条件设定:在形成改质层时,在被加工物200的厚度方向的规定位置上形成改质层。这些驱动条件包含在激光加工装置1的加工内容信息中。
实施方式2涉及的反射率测量装置40和激光加工装置1在测量膜202的反射率时,通过空间光相位调制器50使激光振荡器22射出的激光束21的外周部的相位比中央部的相位延迟,并且对激光振荡器22射出的激光束21赋予球面像差,因此激光束21以非聚光状态照射至被加工物200,并且反射光25以聚光状态入射至检测单元26的受光面261。其结果是,实施方式2涉及的反射率测量装置40及激光加工装置1起到能够在抑制对被加工物200造成的损伤的同时测量准确的反射率的效果。另外,在实施方式2中,由于空间光相位调制器50配置在激光振荡器22与分色镜23之间,所以在测量被加工物200的膜202的反射率时,向被加工物200照射赋予了球面像差的激光束21。
接着,本发明的发明人确认了本发明的反射率测量装置40的效果。将其结果表示在如下的表1中。
【表1】
本发明产品 | ±1.5μm |
比较例 | ±0.2μm |
表1中,测量了本发明产品及比较例的检测单元26能够不受反射光25的光量强度变化的影响而对反射光25的输出进行测量的反射光25的光轴方向的范围。比较例中,除了不具有实施方式1所示的相位延迟透镜28和球面像差赋予透镜29以外,结构与实施方式1涉及的反射率测量装置40相同。本发明产品是实施方式1的反射率测量装置40。
根据表1,比较例的检测单元26能够对反射光25的输出进行测量的范围为±0.2μm,本发明产品的检测单元26能够测量反射光25的输出的范围为±1.5μm。因此,根据表1可知,通过具有相位延迟单元和球面像差赋予单元,反射率测量的稳定性提高,能够在抑制对被加工物200造成的损伤的同时测量准确的反射率。
另外,本发明并不限定于上述实施方式。即,可以在不脱离本发明的主旨的范围中进行各种变形而实施。
Claims (4)
1.一种反射率测量装置,其具有:
卡盘工作台,其对被加工物进行保持;
反射率测量单元,其对该卡盘工作台所保持的被加工物的反射率进行测量;以及
控制单元,其控制该反射率测量单元,
其特征在于,
该反射率测量单元具有:
激光振荡器,其振荡出对于该被加工物具有透过性的波长的激光束;
第一聚光透镜,其将从该激光振荡器振荡的激光束聚光并向被加工物照射;
检测单元,其检测通过该第一聚光透镜照射到被加工物上的激光束的反射光;以及
第二聚光透镜,其对入射至该检测单元的反射光进行聚光,
该反射率测量装置还具有:
相位延迟单元,其使该激光束的外周部的相位延迟,以便使该激光束以非聚光状态照射至该被加工物并使该激光束以聚光状态入射至所述检测单元;以及
球面像差赋予单元,其对所述激光束赋予球面像差,以便在所述激光束的聚光区域延伸的状态下入射至所述检测单元。
2.根据权利要求1所述的反射率测量装置,其特征在于,
该相位延迟单元包含衍射光学元件,
该球面像差赋予单元包含凹透镜。
3.根据权利要求1所述的反射率测量装置,其特征在于,
该相位延迟单元和该球面像差赋予单元的功能通过空间光相位调制器实现。
4.一种激光加工装置,其具有权利要求1至3中的任意一项所述的反射率测量装置,其特征在于,
对于从该反射率测量单元的激光振荡器振荡出的激光束,不经由该相位延迟单元而是使用该第一聚光透镜进行聚光,
将聚光点定位于该卡盘工作台所保持的被加工物的内部而进行照射,从而形成改质层。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113732511A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-03 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 光纤表面包层微纳结构飞秒激光加工方法及装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278624A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN103372720A (zh) * | 2012-04-27 | 2013-10-30 | 株式会社迪思科 | 激光加工装置和激光加工方法 |
JP2016015310A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-28 | 日産自動車株式会社 | レーザー溶接装置、およびレーザー溶接方法 |
JP2016032832A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 株式会社キーエンス | レーザ加工装置 |
JP2017163079A (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2019027974A (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-21 | 株式会社東京精密 | レーザー加工装置及び亀裂検出方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006278624A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
CN103372720A (zh) * | 2012-04-27 | 2013-10-30 | 株式会社迪思科 | 激光加工装置和激光加工方法 |
JP2016015310A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-28 | 日産自動車株式会社 | レーザー溶接装置、およびレーザー溶接方法 |
JP2016032832A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | 株式会社キーエンス | レーザ加工装置 |
JP2017163079A (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2019027974A (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-21 | 株式会社東京精密 | レーザー加工装置及び亀裂検出方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113732511A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-12-03 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 光纤表面包层微纳结构飞秒激光加工方法及装置 |
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