JP2017163022A - 基板保持部材及び気相成長装置 - Google Patents
基板保持部材及び気相成長装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017163022A JP2017163022A JP2016046908A JP2016046908A JP2017163022A JP 2017163022 A JP2017163022 A JP 2017163022A JP 2016046908 A JP2016046908 A JP 2016046908A JP 2016046908 A JP2016046908 A JP 2016046908A JP 2017163022 A JP2017163022 A JP 2017163022A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holding member
- outer peripheral
- substrate holding
- plate portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
基板面に対して平行な方向に原料ガスを供給しながら前記基板上に化合物半導体薄膜を気相成長させる際に用いられる、基板保持部材であって、
前記基板の底面側から当該基板を加熱するプレート部と、
前記プレート部の上面に設けられ、前記基板の底面と前記プレート部の上面とが離間した状態で当該基板の底面を支持する基板支持凸部と、を備え、
前記プレート部は、前記基板の底面の外周部と前記プレート部の上面とを近づける2段以上の段差を有する、基板保持部材である。
前記基板支持凸部が、前記プレート部の上面であって、前記基板の中心を重心としてなる正三角形の各頂点に対応する位置に設けられている、請求項1に記載の基板保持部材である。
前記段差は、リング状の2段の段差であり、前記リングの中心側の段差を1段目の段差とし、前記リングの外周側の段差を2段目の段差とするとき、
前記プレート部の上面から前記1段目の段差の上面までの高さをa、
前記プレート部の上面から前記2段目の段差の上面までの高さをb、
前記プレート部の上面から前記基板の底面までの高さをc、
前記1段目の段差における、前記リングの中心側の端から外周側の端までの距離をd、
前記2段目の段差における、前記リングの中心側の端から外周側の端までの距離をe、
前記リングの中心から前記基板支持凸部までの距離をf、
前記基板の半径をg、とした際に、下記式(1)、(2)、(3)、(4)の関係を満たす、請求項2に記載の基板保持部材である。
c>b>a ・・・(1)
a≠b≠0 ・・・(2)
0.8×g≦f≦0.98×g ・・・(3)
(g−f)>(d+e) ・・・(4)
前記基板の中心からオリフラまでの距離をhとした際に、下記式(5)の関係を満たす、請求項3に記載の基板保持部材である。
f<h ・・・(5)
前記基板支持凸部が円柱状である、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板保持部材である。
前記プレート部の上面に設けられ、前記基板の外周を囲む外周包囲部をさらに備える、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の基板保持部材である。
請求項1に記載の基板保持部材を備える気相成長装置である。
先ず、本発明を適用した一実施形態である基板保持部材の構成について説明する。図1は、本発明を適用した一実施形態である基板保持部材1の断面模式図である。図1に示すように、本実施形態の基板保持部材1は、プレート部2と、基板支持凸部3と、ステップ部(段差)4と、外周包囲部5と、を備え概略構成されている。
c>b>a ・・・(1)
a≠b≠0 ・・・(2)
0.8×g≦f≦0.98×g ・・・(3)
(g−f)>(d+e) ・・・(4)
f<h ・・・(5)
次に、上述した基板保持部材1を備える本実施形態の気相成長装置11について説明する。図4は、本実施形態の気相成長装置11の断面模式図である。図4に示すように、本実施形態の気相成長装置11は、基板保持部材1と、チャンバー12と、回転軸13と、サセプタ14と、ガス導入部15と、ガス排出部16と、ヒーター17とを備えて概略構成されている。
本実施形態の気相成長装置11は、基板6上に化合物半導体薄膜を気相成長させるのに用いることができる。なお、上述した基板保持部材1については説明を省略する。
以下、本発明の効果を実施例及び比較例を用いて詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
気相成長装置を用いて、1.3mm厚の6インチサファイア基板上にLED構造の薄膜成長を実施した。実施例では、上述した図1に示す基板保持部材1を用いた。一方、比較例では、ステップ部が1段であること以外は実施例と同様の基板保持部材を用いた。
実施例及び比較例で成長させたLED構造の薄膜に対して、MQWからのPL発光波長とPL発光強度の面内分布を比較した。面内分布の測定は、それぞれの基板に対し、フォトルミネッセンス(PL)マッピング装置(ナノメトリクス社製)を使用して行った。
実施例では、図5及び図6に示すように、基板外周部において、波長が6nmの範囲以上シフトせず、強度の変動も10%内で安定していることがわかった。基板端から内側へ3mmの領域(4b)と、基板端内側3mmから6mmの領域(4a)では、波長の傾き(変化率)が違うため、aおよびbの値はそれに対応した値でなければならない。この例では、b=80μm,a=20μmの設計で、波長均一性は良好となった。またd=eの場合には、少なくともb>2aとしなければならないことを確認した。
2…プレート部
2a…上面
3…基板支持凸部
4…ステップ部(段差)
4a,21a,22a,23a…1段目の段差(第1ステップ部)
4aa,21aa,22aa,23aa…上面
4b,21b,22b,23b…2段目の段差(第2ステップ部)
4ba,21ba,22ba,23ba…上面
5…外周包囲部
6…基板
6a…上面
6b…底面
6c…オリフラ
6d…中心
11…気相成長装置
12…チャンバー
13…回転軸
14…サセプタ
15…ガス導入部
16…ガス排出部
17…ヒーター
18…対向部材
19…カバー部材
21ab,21bb,22bb…側面
Claims (7)
- 基板面に対して平行な方向に原料ガスを供給しながら前記基板上に化合物半導体薄膜を気相成長させる際に用いられる、基板保持部材であって、
前記基板の底面側から当該基板を加熱するプレート部と、
前記プレート部の上面に設けられ、前記基板の底面と前記プレート部の上面とが離間した状態で当該基板の底面を支持する基板支持凸部と、を備え、
前記プレート部は、前記基板の底面の外周部と前記プレート部の上面とを近づける2段以上の段差を有する、基板保持部材。 - 前記基板支持凸部が、前記プレート部の上面であって、前記基板の中心を重心としてなる正三角形の各頂点に対応する位置に設けられている、請求項1に記載の基板保持部材。
- 前記段差は、リング状の2段の段差であり、前記リングの中心側の段差を1段目の段差とし、前記リングの外周側の段差を2段目の段差とするとき、
前記プレート部の上面から前記1段目の段差の上面までの高さをa、
前記プレート部の上面から前記2段目の段差の上面までの高さをb、
前記プレート部の上面から前記基板の底面までの高さをc、
前記1段目の段差における、前記リングの中心側の端から外周側の端までの距離をd、
前記2段目の段差における、前記リングの中心側の端から外周側の端までの距離をe、
前記リングの中心から前記基板支持凸部までの距離をf、
前記基板の半径をg、とした際に、下記式(1)、(2)、(3)、(4)の関係を満たす、請求項2に記載の基板保持部材。
c>b>a ・・・(1)
a≠b≠0 ・・・(2)
0.8×g≦f≦0.98×g ・・・(3)
(g−f)>(d+e) ・・・(4) - 前記基板の中心からオリフラまでの距離をhとした際に、下記式(5)の関係を満たす、請求項3に記載の基板保持部材。
f<h ・・・(5) - 前記基板支持凸部が円柱状である、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の基板保持部材。
- 前記プレート部の上面に設けられ、前記基板の外周を囲む外周包囲部をさらに備える、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の基板保持部材。
- 請求項1に記載の基板保持部材を備える気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016046908A JP6732483B2 (ja) | 2016-03-10 | 2016-03-10 | 基板保持部材及び気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016046908A JP6732483B2 (ja) | 2016-03-10 | 2016-03-10 | 基板保持部材及び気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017163022A true JP2017163022A (ja) | 2017-09-14 |
JP6732483B2 JP6732483B2 (ja) | 2020-07-29 |
Family
ID=59858012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016046908A Active JP6732483B2 (ja) | 2016-03-10 | 2016-03-10 | 基板保持部材及び気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6732483B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019206751A (ja) * | 2018-05-23 | 2019-12-05 | 信越化学工業株式会社 | 化学気相成長装置および被膜形成方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007067394A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台 |
JP2010129764A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Nuflare Technology Inc | サセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2015122443A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造装置およびSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2015159248A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2015195259A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 豊田合成株式会社 | サセプターおよび気相成長装置 |
-
2016
- 2016-03-10 JP JP2016046908A patent/JP6732483B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007067394A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台 |
JP2010129764A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Nuflare Technology Inc | サセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2015122443A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハの製造装置およびSiCエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2015159248A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2015195259A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 豊田合成株式会社 | サセプターおよび気相成長装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019206751A (ja) * | 2018-05-23 | 2019-12-05 | 信越化学工業株式会社 | 化学気相成長装置および被膜形成方法 |
US11885022B2 (en) | 2018-05-23 | 2024-01-30 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of forming a film on a substrate by chemical vapor deposition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6732483B2 (ja) | 2020-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6169809B2 (ja) | エピタキシャルウェハ成長装置 | |
JP5933202B2 (ja) | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 | |
US20160068996A1 (en) | Susceptor and pre-heat ring for thermal processing of substrates | |
JP4661982B2 (ja) | エピタキシャル成長用サセプタ | |
TWM531052U (zh) | 具有31個容置區的排列組態之晶圓載具 | |
JP5865625B2 (ja) | エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法 | |
TWM531053U (zh) | 具有14個容置區的排列組態之晶圓載具 | |
WO2020215790A1 (zh) | 一种用于金属有机物化学气相沉积的承载盘 | |
TWM531054U (zh) | 具有36個容置區的排列組態之晶圓載具 | |
JP6602145B2 (ja) | 基板載置台及び気相成長装置 | |
JP2005260095A (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
JP2003218039A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
JP2017163022A (ja) | 基板保持部材及び気相成長装置 | |
JP2000103696A (ja) | シリコンエピタキシャルウェ―ハおよびその製造方法 | |
JP6986872B2 (ja) | ウェハ支持台、化学気相成長装置、及び、SiCエピタキシャルウェハの製造方法 | |
WO2012172920A1 (ja) | 基板支持装置及び気相成長装置 | |
JP2005311290A (ja) | サセプタ | |
JP2009176959A (ja) | サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法 | |
JP2010034185A (ja) | 気相成長装置用のサセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
TW201725620A (zh) | 單晶碳化矽基板之加熱處理容器及蝕刻方法 | |
JP2010034337A (ja) | 気相成長装置用のサセプタ | |
JP4517370B2 (ja) | プラズマエッチング装置用シリコンリング | |
TW202044354A (zh) | 在晶圓的正面上沉積磊晶層的方法和實施該方法的裝置 | |
JP4758385B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法 | |
JP2010028013A (ja) | 気相成長装置用のサセプタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20181102 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190917 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200609 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200708 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6732483 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |