JP2017162998A - 素子チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
基板10は、プラズマ処理の対象物であり、分割領域R1と、分割領域R1によって画定される複数の素子領域R2とに区画されている(図3参照)。基板10は、本体層11と、例えば、半導体回路、電子部品素子、MEMS等を具備する回路層12とを備える。基板10の分割領域R1をエッチングすることにより、上記回路層12を有する素子チップ110(図3参照)が得られる。
保持シート22の材質は特に限定されない。なかでも、基板10が貼着され易い点で、保持シート22は、粘着層22aと柔軟性のある樹脂フィルム22bとを含むことが好ましい。この場合、ハンドリング性の観点から、保持シート22はフレーム21に固定される。以下、フレーム21と、フレーム21に固定された保持シート22とを併せて、搬送キャリア20と称する。
フレーム21は、基板10の全体と同じかそれ以上の面積の開口を有した枠体であり、所定の幅および略一定の薄い厚みを有している。フレーム21は、保持シート22および基板10を保持した状態で搬送できる程度の剛性を有している。フレーム21の開口の形状は特に限定されないが、例えば、円形や、矩形、六角形など多角形であってもよい。フレーム21には、位置決めのためのノッチ21aやコーナーカット21bが設けられていてもよい。フレーム21の材質としては、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼等の金属や、樹脂等が挙げられる。
次に、図2を参照しながら、本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置200の構造を説明する。図2は、プラズマ処理装置200の構造の断面を概略的に示している。
以下、第1実施形態について、図3を参照しながら説明する。図3は、本実施形態におけるプラズマ処理方法の一部を示す断面図である。基板10は、図3(a)に示すように、半導体層である本体層11と、多層配線層121、電極パッド122および多層配線層121を部分的に被覆するレジスト層123を備える回路層12と、を備える。レジスト層123は、素子領域R2を被覆しており、プラズマから素子領域R2を保護している。言い換えれば、素子領域R2はレジスト層123を備える領域であり、その他の領域が分割領域R1である。なお、電極パッド122の一部は、レジスト層123から露出していてもよい。
まず、搬送キャリア20を準備する。搬送キャリア20は、保持シート22をフレーム21の一方の面に貼着し、固定することにより得られる。このとき、図1(b)に示すように、保持シート22の粘着層22aをフレームに対向させる。次いで、保持シート22の粘着層22aに基板10の本体層11を貼着することにより、基板10を搬送キャリア20に保持させる(図3(a))。すなわち、本実施形態において、基板10の保持シート22に貼着される面(第1主面10X)は、本体層11である。
次に、基板10が保持された搬送キャリア20を真空チャンバ203内に搬入する。
真空チャンバ203内では、昇降ロッド221の駆動により、カバー224が所定の位置まで上昇している。図示しないゲートバルブが開いて搬送キャリア20が搬入される。複数の支持部222は、上昇した状態で待機している。搬送キャリア20がステージ211上方の所定の位置に到達すると、支持部222に搬送キャリア20が受け渡される。搬送キャリア20は、保持シート22の粘着層22aが上方を向くように、支持部222の上端面に受け渡される。
搬送キャリア20が支持部222に受け渡されると、ゲートバルブが閉じられ、反応室103は密閉状態に置かれる。次に、支持部222が降下を開始する。支持部222の上端面が、ステージ211と同じレベル以下にまで降下することにより、搬送キャリア20は、ステージ211に載置される。続いて、昇降ロッド221が駆動する。昇降ロッド221は、カバー224を所定の位置にまで降下させる。このとき、カバー224が搬送キャリア20に接触することなくフレーム21を覆うことができるように、カバー224とステージ211との距離は調節されている。これにより、フレーム21および保持シート22の基板10を保持していない部分は、カバー224と接触することなくカバー224によって覆われ、基板10はカバー224の窓部224Wから露出する。
(4−1)第1のプラズマエッチング工程
第1のプラズマエッチング工程では、基板10の第2主面10Y側からエッチングが行われ、分割領域R1の厚みの一部(本実施形態では、回路層12(多層配線層121))のみが、発生したプラズマP1との物理化学的反応によって除去される(図3(b))。このとき、ステージ211と保持シート22との間に冷却用ガスGを供給する。これにより、第1のプラズマエッチング工程中の保持シート22の温度上昇は抑制される。冷却用ガスGとしては特に限定されず、例えば、Heなどの伝熱ガスが挙げられる。
第1のプラズマ工程の後、冷却用ガスGの供給を停止して、分割領域R1の残部をプラズマP2によりプラズマエッチングする(図3(c))。これにより、基板10は個片化されて、保持シート22には複数の素子チップ110が保持される。
プラズマダイシング工程によって基板10が個片化された後、アッシングが実行される。アッシング用のプロセスガス(例えば、酸素ガス(O2)や、O2とフッ素を含むガスとの混合ガス等)を、アッシングガス源213から真空チャンバ203内に導入する。一方、減圧機構214による排気を行い、真空チャンバ203内を所定の圧力に維持する。第1高周波電源210Aからの高周波電力の投入により、真空チャンバ203内には酸素プラズマが発生し、カバー224の窓部224Wから露出している個片化された基板10(素子チップ110)の表面のレジスト層123が除去される。
アッシングが終了すると、真空チャンバ203内のガスが排出され、ゲートバルブが開く。複数の素子チップ110を保持する搬送キャリア20は、ゲートバルブから進入した搬送機構によって、プラズマ処理装置200から搬出される。搬送キャリア20が搬出されると、ゲートバルブは速やかに閉じられる。搬送キャリア20の搬出プロセスは、上記のような搬送キャリア20をステージ211に搭載する手順とは逆の手順で行われても良い。すなわち、カバー224を所定の位置にまで上昇させた後、ESC電極229への印加電圧をゼロにして、搬送キャリア20のステージ211への吸着を解除し、支持部222を上昇させる。支持部222が所定の位置まで上昇した後、搬送キャリア20は搬出される。
本実施形態は、図5(a)に示すように、第1のプラズマエッチング工程に供される基板10の分割領域R1における多層配線層121の少なくとも一部がすでに除去されていること以外、第1実施形態と同様である。多層配線層121は、例えば、第1のプラズマエッチング工程の前に、レーザスクライビング加工あるいはプラズマエッチング加工によって、その少なくとも一部が除去される。この場合も、第1のプラズマエッチング工程(図5(b))では、多層配線層121の残部のみを除去してもよいし、多層配線層121の残部とともに本体層11の一部を除去してもよい。
本実施形態は、図6(a)に示すように、第1のプラズマエッチング工程に供される基板10にレジスト層123が含まれていないこと以外、第1実施形態と同様である。レジスト層123は、例えば、第1のプラズマエッチング工程の前に除去される場合もあるし、元々レジスト層123が形成されていない場合(マスクレス加工)もあり得る。この場合も、第1のプラズマエッチング工程(図6(b))において、多層配線層121のみを除去してもよいし、多層配線層121とともに本体層11の一部を除去してもよい。なお、この場合、第2実施形態のように、第1のプラズマエッチング工程の前に多層配線層121の少なくとも一部が除去されていてもよい。第1のプラズマエッチング工程の後、第1実施形態と同様に第2のプラズマエッチング工程(図6(c))が行われる。
本実施形態は、図7(a)に示すように、第1のプラズマエッチング工程に供される基板10が本体層11の多層配線層121とは反対側にバックメタル層13を備えること、および、基板10の保持シート22に貼着される面(第1主面10X)が、多層配線層121の電極パッド122を備える面であること以外、第1実施形態と同様である。なお、本実施形態において、レジスト層123は、バックメタル層13の本体層11とは反対側の表面に配置される。
本実施形態は、図8(a)に示すように、第1のプラズマエッチング工程に供される基板10の分割領域R1に、多層配線層121が含まれていないこと以外、第4実施形態と同様である。多層配線層121は、第1のプラズマエッチング工程の前にレーザスクライビング加工あるいはプラズマエッチング加工によって除去されている場合もあるし、レイアウトの工夫により、分割領域R1に元々形成されていない場合もあり得る。なお、図8(b)に示すように、基板10を保持シート22に保持させた状態において、隣接する素子領域R2の多層配線層121同士の間には、保持シート22の粘着層22aが介在することが好ましい。ステージ211に対する基板10の吸着力がより高まるためである。
110:素子チップ
20:搬送キャリア、21:フレーム、21a:ノッチ、21b:コーナーカット、22:保持シート、22a:粘着層、22b:樹脂フィルム
200:プラズマ処理装置、203:真空チャンバ、203a:ガス導入口、103b:排気口、208:誘電体部材、209:アンテナ、210A:第1高周波電源、210B:第2高周波電源、211:ステージ、211a:第1の領域、211b:第2の領域、211c:第3の領域、212:プロセスガス源、213:アッシングガス源、214:減圧機構、215:電極層、216:金属層、217:基台、218:外周部、219:ESC電極、220:高周波電極部、221:昇降ロッド、222:支持部、223A、223B:昇降機構、224:カバー、224W:窓部、225:冷媒循環装置、226:直流電源、227:冷媒流路、228:制御装置、229:外周リング、230:冷却用ガス孔、231:ガス導入経路、232:冷却用ガス源
Claims (3)
- 第1主面およびその反対側の第2主面を備え、分割領域で画定される複数の素子領域を備える基板を、前記分割領域で分割して複数の素子チップを形成する素子チップの製造方法であって、
前記第1主面を保持シートに貼着させて、前記保持シートに保持された基板を準備する準備工程と、
前記基板を保持した前記保持シートを、プラズマ処理装置内に設けられたステージに載置する載置工程と、
前記基板の前記分割領域を、前記第2主面から前記第1主面までプラズマエッチングし、前記基板を複数の素子チップに個片化するプラズマダイシング工程と、を備え、
前記プラズマダイシング工程が、
前記ステージと前記保持シートとの間に冷却用ガスを供給しながら、前記分割領域の厚みの一部をプラズマエッチングする、第1のプラズマエッチング工程と、
前記第1のプラズマエッチング工程の後、前記冷却用ガスの供給を停止して、前記分割領域の残部をプラズマエッチングする、第2のプラズマエッチング工程と、を備える、素子チップの製造方法。 - 前記プラズマダイシング工程が、前記ステージに高周波電力を印加した状態で行われ、
前記第1のプラズマエッチング工程において前記ステージに印加される前記高周波電力が、前記第2のプラズマエッチング工程において前記ステージに印加される前記高周波電力よりも大きい、請求項1に記載の素子チップの製造方法。 - 前記分割領域の残厚が20μmよりも大きい時点で、前記第1のプラズマエッチング工程を終了し、前記第2のプラズマエッチング工程を開始する、請求項1または2に記載の素子チップの製造方法。
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