JP2017157212A - 半導体装置及びセンサシステム - Google Patents
半導体装置及びセンサシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017157212A JP2017157212A JP2017029845A JP2017029845A JP2017157212A JP 2017157212 A JP2017157212 A JP 2017157212A JP 2017029845 A JP2017029845 A JP 2017029845A JP 2017029845 A JP2017029845 A JP 2017029845A JP 2017157212 A JP2017157212 A JP 2017157212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- layer
- power
- psw
- metal oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 147
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 44
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 238000010248 power generation Methods 0.000 claims description 12
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 2
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 377
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 123
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 123
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 46
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 46
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 27
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 25
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 23
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 102100030393 G-patch domain and KOW motifs-containing protein Human genes 0.000 description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- VWPOSFSPZNDTMJ-UCWKZMIHSA-N nadolol Chemical compound C1[C@@H](O)[C@@H](O)CC2=C1C=CC=C2OCC(O)CNC(C)(C)C VWPOSFSPZNDTMJ-UCWKZMIHSA-N 0.000 description 7
- 101000927793 Homo sapiens Neuroepithelial cell-transforming gene 1 protein Proteins 0.000 description 6
- 101001124937 Homo sapiens Pre-mRNA-splicing factor 38B Proteins 0.000 description 6
- 101000643391 Homo sapiens Serine/arginine-rich splicing factor 11 Proteins 0.000 description 6
- 101000631937 Homo sapiens Sodium- and chloride-dependent glycine transporter 2 Proteins 0.000 description 6
- 101000639975 Homo sapiens Sodium-dependent noradrenaline transporter Proteins 0.000 description 6
- 102100028886 Sodium- and chloride-dependent glycine transporter 2 Human genes 0.000 description 6
- 102100024991 Tetraspanin-12 Human genes 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 nickel metal hydride Chemical class 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007573 Zn-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007610 Zn—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F03—MACHINES OR ENGINES FOR LIQUIDS; WIND, SPRING, OR WEIGHT MOTORS; PRODUCING MECHANICAL POWER OR A REACTIVE PROPULSIVE THRUST, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F03G—SPRING, WEIGHT, INERTIA OR LIKE MOTORS; MECHANICAL-POWER PRODUCING DEVICES OR MECHANISMS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR OR USING ENERGY SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F03G7/00—Mechanical-power-producing mechanisms, not otherwise provided for or using energy sources not otherwise provided for
- F03G7/08—Mechanical-power-producing mechanisms, not otherwise provided for or using energy sources not otherwise provided for recovering energy derived from swinging, rolling, pitching or like movements, e.g. from the vibrations of a machine
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
- H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
本実施の形態では、センサシステムについて説明する。
図1に、センサシステムの一例を示す。センサシステム101は、センシングデバイス102と、振動発電器104と、バッテリコントローラ105と、バッテリ106と、信号処理部124と、アンテナ116と、を有している。バッテリコントローラ105は、振動発電器104の出力を整流、電圧調整し、センサシステム101に供給、およびバッテリ106を充電する。また、発電量が過多の場合は、発電を抑制し、過充電を防ぐ機能を有する。
次に、図2を参照して、センサシステム101の動作例について説明する。図2はセンサシステム101の動作例を示すフローチャートである。
使用方法の一例として、食品などの発送に便利な、低温輸送サービスに適用する例を示す。低温輸送サービスには、一般に冷蔵タイプと冷凍タイプがあるが、いずれも保冷車への積み込みや、荷物仕分けのタイミングなどで、荷物が外気にさらされるため、常に保冷されているわけではない。このような理由で、荷物の温度が一時的に上昇してしまうことを、サービスの事業者は利用者に対し説明をおこなっているが、実際にさらされる外気の温度や時間といった程度が、問題となるケースがあった。
図5は、センサシステムを、自動車内の環境センサに使用した例を示す。自動車451において、エア・コンディショナ452と、送風口453、454が、配置されている。センサシステム455a、455bは、天井に配置され、定期的に温度、湿度、光量などの環境情報を測定し、無線にてエア・コンディショナ452に、データを送信している。センサシステム455a、455bは、上掲のセンサシステム101が適用される。
センサシステムに、表示装置を付加してもよい。図7に示すセンサシステム151は、ディスプレイコントローラ152、反射型ディスプレイ153を、センサシステム101に付加した構成を有している。
本実施の形態では、メモリについて説明する。本実施の形態のメモリは、上掲のセンサシステムのメモリに適用することができる。
本実施の形態では、メモリセルについて、説明する。図9(A)乃至図9(E)、図10(A)、図10(B)は、メモリセルの構成例を示す回路図である。
上掲のセンサシステムにおいては、CPUをパワーゲーティングすることで、消費電力を削減している。CPUのレジスタは、フリップフロップを用いて構成されているが、一般的なフリップフロップは、電源を遮断すると保持しているデータが失われてしまうため、CPUをパワーゲーティングするためには、フリップフロップのデータをバックアップすることが必要になる。本実施の形態では、データをバックアップすることが可能なフリップフロップについて説明する。
図12(A)は、アクティブモードでのフリップフロップ821の動作例を示しており、フリップフロップ821は通常動作を行う。フリップフロップ821は、信号GCLKの立ち上がり(または立ち下り)に同期して、ノードDから入力されるデータを取り込み、保持しているデータをノードQから出力する。ノードDからデータを取り込むため、例えば、“L”(低レベル)の信号SIがノードSEに入力される。信号BKUP_LS、RES_LSは“L”であるので、トランジスタM71乃至M73はオフ状態である。
CPUへの電源供給を遮断する前に、スキャンフリップフロップ823のデータをバックアップ回路822にバックアップする。先ず、信号GCLKの入力を停止する。このクロックゲーティングによって、ノードQの論理が確定する。次に、“H”の信号BKUP_LSをノードBKに入力し、トランジスタM71、M73をオンにする(図12(B))。ノードFNとノードQ間が導通状態となり、ノードFNの論理はノードQと同じになる。ノードQの論理が“1”であれば、ノードFNの論理も“1”となり、ノードQの論理が“0”であれば、ノードFNの論理も“0”となる。
CPUへの電源供給が再開することで、スキャンフリップフロップ823のデータのリストアが開始される。パワースイッチの操作により、スキャンフリップフロップ823への電位Vdd_coreの供給を再開する。次に、“H”の信号SIをノードSEに入力し、スキャンフリップフロップ823を、ノードSDのデータが入力される状態にする。“H”の信号RES_LSをノードREに入力して、トランジスタM72をオン状態にする。ノードFNとノードSD間が導通状態となり、ノードFNのデータがノードSDに書き込まれる(図12(C))。次に、1サイクルの信号GCLKを入力して、ノードSDのデータをノードQに書き込む。
上掲のセンサシステムには、電源として振動発電器が用いられている。振動発電の発電方式には、電磁誘導型、圧電型、静電容量型などが知られているが、本実施の形態では、エレクトレットを用いた静電容量型について説明を行う。ここで、エレクトレットとは、誘電分極が電界をなくしても残留する物質で、半永久的に電界を形成する。
本実施の形態では、半導体装置の一例として、ICチップ、電子部品、電子機器等について説明する。
図14(A)は、電子部品の作製方法例を示すフローチャートである。電子部品は、半導体パッケージ、またはIC用パッケージともいう。この電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そこで、本実施の形態では、その一例について説明することにする。
本実施の形態では、酸化物半導体トランジスタ等について説明する。
図15(A)はOSトランジスタの構成例を示す上面図である。図15(B)は、図15(A)のX1−X2線断面図であり、図15(C)はY1−Y2線断面図である。ここでは、X1−X2線の方向をチャネル長方向と、Y1−Y2線方向をチャネル幅方向と呼称する場合がある。図15(B)は、OSトランジスタのチャネル長方向の断面構造を示す図であり、図15(C)は、OSトランジスタのチャネル幅方向の断面構造を示す図である。なお、デバイス構造を明確にするため、図15(A)では、一部の構成要素が省略されている。
導電層550―553に用いられる導電材料には、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイド等のシリサイド、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等の金属、または上述した金属を成分とする金属窒化物(窒化タンタル、窒化チタン、窒化モリブデン、窒化タングステン)等がある。また、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を用いることができる。
絶縁層521−529に用いられる絶縁材料には、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケートなどがある。絶縁層521−529はこれらの絶縁材料でなる単層、または積層して構成される。絶縁層521−529を構成する層は、複数の絶縁材料を含んでいてもよい。
金属酸化物層511―513の各厚さは3nm以上500nm以下であり、3nm以上100nm以下が好ましく、3nm以上60nm以下がさらに好ましい。
図22を参照して、金属酸化物層511―513の積層によって得られる効果を説明する。図22は、OSトランジスタ501のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造の模式図である。ここでは、OSトランジスタ501を例に説明するが、金属酸化物層511―513の積層による効果は、後述するOSトランジスタ502、503でも同様である。
図16(A)−図16(C)に示すOSトランジスタ502は、OSトランジスタ501の変形例である。OSトランジスタ502の導電層550は、導電層550a、導電層550b、導電層550cを有する。
図17(A)−図17(C)に示すOSトランジスタ503は、OSトランジスタ501の変形例である。OSトランジスタ503では、導電層550をエッチングマスクに用いて、金属酸化物層513および絶縁層527がエッチングされている。
図18(A)−図18(C)に示すOSトランジスタ504は、OSトランジスタ501の変形例である。
図19(A)−図19(C)に示すOSトランジスタ505は、OSトランジスタ501の変形例である。
図20(A)−図20(C)に示すOSトランジスタ506は、OSトランジスタ501の変形例であり、主に、ゲート電極の構造が異なる。
図21(A)−図21(C)に示すOSトランジスタ507は、OSトランジスタ506の変形例である。
図23を参照して、OSトランジスタとSiトランジスタとで構成されている半導体装置の構成例を説明する。
本実施の形態では、酸化物半導体について説明する。酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、CAAC−OS(c−axis−aligned crystalline oxide semiconductor)、多結晶酸化物半導体、nc−OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)および非晶質酸化物半導体などがある。
CAAC−OSは、c軸配向した複数の結晶部(ペレットともいう)を有する酸化物半導体の一種である。
nc−OSは、微小な領域(例えば、1nm以上10nm以下の領域、特に1nm以上3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。nc−OSは、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。結晶部(ナノ結晶)間で結晶方位が規則性を有さないことから、nc−OSを、RANC(Random Aligned nanocrystals)を有する酸化物半導体、またはNANC(Non−Aligned nanocrystals)を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
次に、酸化物半導体のキャリア密度について説明する。酸化物半導体のキャリア密度に影響を与える因子としては、酸化物半導体中の酸素欠損(VO)、または酸化物半導体中の不純物などが挙げられる。
102 センシングデバイス
103 センシングデバイスコントローラ
104 振動発電器
105 バッテリコントローラ
106 バッテリ
107 メモリ
108 CPU
109 クロックジェネレータ
110 バス
111 タイマ
112 ベースバンド処理回路
113 PSWコントローラ
114 RF受信回路
115 RF送信回路
116 アンテナ
117 PSW
118 PSW
119 PSW
120 PSW
121 PSW
122 PSW
123 PSW
124 信号処理部
151 センサシステム
152 ディスプレイコントローラ
153 反射型ディスプレイ
401 作業員
402 荷物
403 伝票
404 センサシステム
405 保冷車
451 自動車
452 エア・コンディショナ
453 送風口
454 送風口
455a センサシステム
455b センサシステム
501 OSトランジスタ
502 OSトランジスタ
503 OSトランジスタ
504 OSトランジスタ
505 OSトランジスタ
506 OSトランジスタ
507 OSトランジスタ
510 酸化物層
511 金属酸化物層
512 金属酸化物層
513 金属酸化物層
514 金属酸化物層
521 絶縁層
522 絶縁層
523 絶縁層
524 絶縁層
525 絶縁層
526 絶縁層
527 絶縁層
528 絶縁層
529 絶縁層
530 絶縁層
550 導電層
550a 導電層
550b 導電層
550c 導電層
551 導電層
551a 導電層
551b 導電層
552 導電層
552a 導電層
552b 導電層
553 導電層
553a 導電層
553b 導電層
560 単結晶シリコンウエハ
570 CMOS層
571 OSFET層
600 メモリセル
603 メモリセル
604 メモリセル
605 メモリセル
606 メモリセル
610 メモリセル
611 メモリセル
700 メモリ
701 周辺回路
710 メモリセルアレイ
721 ローデコーダ
722 ワード線ドライバ回路
730 ビット線ドライバ回路
731 カラムデコーダ
732 プリチャージ回路
733 センスアンプ
734 書き込み回路
740 出力回路
760 コントロールロジック回路
821 フリップフロップ
822 バックアップ回路
823 スキャンフリップフロップ
825 セレクタ
826 フリップフロップ
900 振動発電器
901 固定基板
902 可動基板
903 固定電極
904 対向電極
905 エレクトレット
906 スプリング
7000 電子部品
7001 リード
7002 プリント基板
7004 回路基板
7100 半導体ウエハ
7102 回路領域
7104 分離領域
7106 分離線
7110 チップ
Claims (13)
- 発電装置と、
蓄電装置と、
無線装置と、
センシングデバイスと、
センシングデバイスコントローラと、
パワースイッチと、
パワースイッチコントローラと、
タイマと、を有し、
前記パワースイッチと前記パワースイッチコントローラは、センシング以外の時間に、前記センシングデバイスコントローラの電源を遮断する機能を有し、
前記センシングデバイスで取得したデータの送信は、前記無線装置を介して行い、
前記発電装置が発電した電力を使用することを特徴とする、半導体装置。 - 請求項1において、
前記発電装置は振動発電器であることを特徴とする、半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
センシングの時間に前記タイマの電源を遮断することを特徴とする、半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、
アナログデジタル変換回路を有することを特徴とする、半導体装置。 - 請求項4において、
不揮発性メモリを有し、
前記パワースイッチと前記パワースイッチコントローラは、センシング以外の時間に、前記不揮発性メモリの電源を遮断することを特徴とする、半導体装置。 - 請求項5において、
前記不揮発性メモリは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを、有することを特徴とする、半導体装置。 - 請求項4乃至請求項6のいずれか1項において、
CPUを有し、
前記パワースイッチと前記パワースイッチコントローラは、センシング以外の時間に、前記CPUの電源を遮断することを特徴とする、半導体装置。 - 請求項7において、
前記CPUは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを、有することを特徴とする、半導体装置。 - 請求項4乃至請求項8のいずれか1項において、
映像表示装置を有することを特徴とする、半導体装置。 - 請求項9において、
前記映像表示装置は、反射型ディスプレイであることを特徴とする、半導体装置。 - 請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の半導体装置を有する、車両。
- 請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載の半導体装置を用いて、
温度、湿度、気圧、光の波長、光量、加速度、またはガス濃度、の少なくともいずれか一つを、前記センシングデバイスで取得することを特徴とする、センサシステム。 - 請求項12において、
前記データ取得と、取得したデータの保管を、繰り返し行い、
前記保管した複数のデータを一度に送信することを特徴とする、センサシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022046279A JP7223188B2 (ja) | 2016-02-26 | 2022-03-23 | 半導体装置、車両及びセンサシステム |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016035307 | 2016-02-26 | ||
JP2016035307 | 2016-02-26 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022046279A Division JP7223188B2 (ja) | 2016-02-26 | 2022-03-23 | 半導体装置、車両及びセンサシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017157212A true JP2017157212A (ja) | 2017-09-07 |
Family
ID=59679424
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017029845A Withdrawn JP2017157212A (ja) | 2016-02-26 | 2017-02-21 | 半導体装置及びセンサシステム |
JP2022046279A Active JP7223188B2 (ja) | 2016-02-26 | 2022-03-23 | 半導体装置、車両及びセンサシステム |
JP2023015038A Withdrawn JP2023052877A (ja) | 2016-02-26 | 2023-02-03 | 半導体装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022046279A Active JP7223188B2 (ja) | 2016-02-26 | 2022-03-23 | 半導体装置、車両及びセンサシステム |
JP2023015038A Withdrawn JP2023052877A (ja) | 2016-02-26 | 2023-02-03 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10371129B2 (ja) |
JP (3) | JP2017157212A (ja) |
KR (1) | KR102658280B1 (ja) |
TW (1) | TWI775741B (ja) |
WO (1) | WO2017145000A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021065925A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | ||
WO2021065926A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | ナブテスコ株式会社 | センサ装置、減速機、クローラ用走行ユニット、流体バルブ、流体シリンダ、流体ポンプ、流体コンプレッサ、電動モータ、電動アクチュエータ、構造物、センサ装置が実行する方法、センサシステムおよび銘板 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018015833A1 (en) | 2016-07-19 | 2018-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10120470B2 (en) | 2016-07-22 | 2018-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device and electronic device |
WO2018043425A1 (ja) * | 2016-09-05 | 2018-03-08 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
WO2018122658A1 (en) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10276578B2 (en) * | 2017-06-25 | 2019-04-30 | United Microelectronics Corp. | Dynamic oxide semiconductor random access memory(DOSRAM) having a capacitor electrically connected to the random access memory (SRAM) |
JP2019067938A (ja) * | 2017-10-02 | 2019-04-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ |
TWI719809B (zh) * | 2020-01-20 | 2021-02-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 溫度感測電路 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004024551A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp | センサシステム用半導体装置 |
JP2009042928A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Toshiba Corp | 無線センサ装置及び無線センサ装置の起動制御方法 |
JP2009177298A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Ricoh Elemex Corp | ガスメータシステム |
JP2012206630A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Asahi Glass Co Ltd | 移動体 |
JP2014063480A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 警報システム |
JP2014215631A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-17 | 日本電信電話株式会社 | センサデータ送信装置およびセンサデータ送信方法 |
JP2015222440A (ja) * | 2009-12-28 | 2015-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69635107D1 (de) * | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
US5847410A (en) * | 1995-11-24 | 1998-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Semiconductor electro-optical device |
JP2001237760A (ja) | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Nec Aerospace Syst Ltd | 観測装置および観測システム |
US7991582B2 (en) * | 2004-09-30 | 2011-08-02 | Rosemount Inc. | Process device with diagnostic annunciation |
US7280729B2 (en) * | 2006-01-17 | 2007-10-09 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor constructions and light-directing conduits |
EP2002383B1 (en) * | 2006-03-15 | 2012-04-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
DE102006057747B4 (de) * | 2006-09-27 | 2015-10-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterkörper und Halbleiterchip mit einem Halbleiterkörper |
EP2019425A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2009205669A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
TWI501319B (zh) * | 2008-12-26 | 2015-09-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
WO2011043196A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101745747B1 (ko) * | 2009-10-16 | 2017-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리 회로 및 반도체 장치 |
KR101750982B1 (ko) * | 2009-11-06 | 2017-06-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2011093151A1 (en) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device including the same |
JP2013047657A (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Shimano Inc | 自転車用センサの制御装置、自転車用センサの制御方法 |
US8698137B2 (en) * | 2011-09-14 | 2014-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5816545B2 (ja) | 2011-12-28 | 2015-11-18 | 株式会社フジクラ | 無線センサシステム |
US9577446B2 (en) * | 2012-12-13 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage system and power storage device storing data for the identifying power storage device |
US9614258B2 (en) * | 2012-12-28 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device and power storage system |
JP6310700B2 (ja) | 2014-01-15 | 2018-04-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラム、情報処理装置 |
JP2016073196A (ja) | 2014-09-26 | 2016-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 二次電池モジュールおよび給電システム |
TWI688211B (zh) | 2015-01-29 | 2020-03-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、電子組件及電子裝置 |
-
2017
- 2017-02-13 US US15/431,015 patent/US10371129B2/en active Active
- 2017-02-14 WO PCT/IB2017/050802 patent/WO2017145000A1/en active Application Filing
- 2017-02-14 KR KR1020187026475A patent/KR102658280B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-17 TW TW106105375A patent/TWI775741B/zh active
- 2017-02-21 JP JP2017029845A patent/JP2017157212A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-03-23 JP JP2022046279A patent/JP7223188B2/ja active Active
-
2023
- 2023-02-03 JP JP2023015038A patent/JP2023052877A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004024551A (ja) * | 2002-06-26 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp | センサシステム用半導体装置 |
JP2009042928A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Toshiba Corp | 無線センサ装置及び無線センサ装置の起動制御方法 |
JP2009177298A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Ricoh Elemex Corp | ガスメータシステム |
JP2015222440A (ja) * | 2009-12-28 | 2015-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2012206630A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Asahi Glass Co Ltd | 移動体 |
JP2014063480A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 警報システム |
JP2014215631A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-17 | 日本電信電話株式会社 | センサデータ送信装置およびセンサデータ送信方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021065925A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | ||
WO2021065926A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | ナブテスコ株式会社 | センサ装置、減速機、クローラ用走行ユニット、流体バルブ、流体シリンダ、流体ポンプ、流体コンプレッサ、電動モータ、電動アクチュエータ、構造物、センサ装置が実行する方法、センサシステムおよび銘板 |
WO2021065925A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | ナブテスコ株式会社 | センサ装置、管理システム、管理サーバ、受入検査装置、センサ装置が実行する方法および銘板 |
JPWO2021065926A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | ||
JP7202478B2 (ja) | 2019-10-02 | 2023-01-11 | ナブテスコ株式会社 | センサ装置、管理システム、管理サーバ、受入検査装置、センサ装置が実行する方法および銘板 |
JP7320798B2 (ja) | 2019-10-02 | 2023-08-04 | ナブテスコ株式会社 | センサ装置、減速機、構造物、センサ装置が実行する方法、センサシステムおよび銘板 |
TWI819242B (zh) * | 2019-10-02 | 2023-10-21 | 日商納博特斯克股份有限公司 | 感測裝置、構造物、感測裝置所執行之方法、感測系統及銘牌 |
TWI819241B (zh) * | 2019-10-02 | 2023-10-21 | 日商納博特斯克股份有限公司 | 感測裝置、管理系統、管理伺服器、驗收檢查裝置、感測裝置所執行之感測方法及銘牌 |
US11852504B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-12-26 | Nabtesco Corporation | Sensor device, speed reducer, traveling unit for crawler, fluid valve, fluid cylinder, fluid pump, fluid compressor, electric motor, electric actuator, construction, method executed by sensor device, sensor system, and nomenclature plate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7223188B2 (ja) | 2023-02-15 |
JP2022095703A (ja) | 2022-06-28 |
KR20180121538A (ko) | 2018-11-07 |
TW201801050A (zh) | 2018-01-01 |
US20170248128A1 (en) | 2017-08-31 |
TWI775741B (zh) | 2022-09-01 |
JP2023052877A (ja) | 2023-04-12 |
US10371129B2 (en) | 2019-08-06 |
WO2017145000A1 (en) | 2017-08-31 |
KR102658280B1 (ko) | 2024-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7223188B2 (ja) | 半導体装置、車両及びセンサシステム | |
US11776645B2 (en) | Stacked electronic device capable of retaining an analog potential | |
US10693448B2 (en) | Semiconductor device, electronic component, and electronic device | |
JP6773851B2 (ja) | 環境センサ | |
US10777687B2 (en) | Semiconductor device | |
WO2020084398A1 (ja) | 蓄電装置及び蓄電装置の動作方法 | |
JP2015195076A (ja) | 半導体メモリ装置、並びにそれを有する半導体装置および電子機器 | |
WO2020012296A1 (ja) | 半導体装置 | |
US11799430B2 (en) | Semiconductor device and method for operating semiconductor device | |
JP6796461B2 (ja) | 半導体装置、コンピュータ及び電子機器 | |
US20220255511A1 (en) | Communication device | |
KR20230041967A (ko) | 반도체 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210209 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210622 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210831 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220105 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20220324 |