JP2017156098A - 圧力センサ状態検出方法およびシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】圧力センサへの堆積をはじめとする異常状態が、早期に検出できるようにする。【解決手段】特性計測部125は、温度制御部の動作によりセンサチップ101の温度を変化させた状態で圧力センサ(圧力値出力部121)の出力変化を得ることで、出力変化を示すセンサ特性を得る。状態判断部126は、特性計測部125が得たセンサ特性と、基準値記憶部124に記憶されている基準となる基準特性との比較により、ダイアフラム112の異常状態を判断する。【選択図】 図1
Description
本発明は、受圧部となるダイアフラムなどの可動部を備えた静電容量式の圧力センサの受圧部の状態を検出する圧力センサ状態検出方法およびシステムに関する。
静電容量式の圧力センサは、例えば、半導体装置の製造における気相成長による様々な成膜装置やエッチング装置に用いられている。成膜装置としては、化学的気相成長(CVD)装置、原子層成長(ALD)装置、スパッタ成膜装置などがある。このような成膜装置では、nm単位の厚さの薄膜を形成するため、成膜室内の圧力(真空度)や原料ガスの分圧などを正確に制御しており、圧力を正確に検出することが重要となる。また、エッチング装置では、大気圧以下、主として0.01Pa〜数Paの腐食性ガスや腐食性ガスを含有するプラズマを用いて加工対象の基板をエッチングする。このような圧力の検出のために、静電容量式の圧力センサが用いられている。
この圧力センサは、図5に示すように、絶縁体からなる基台301と、基台301の上に支持部301aによって支持されて可動領域302aで基台301と離間して配置され、可動領域302aで基台301の方向に変位可能とされた絶縁体からなり、測定対象からの圧力を受けるダイアフラム302と、可動領域302aにおけるダイアフラム302と基台301との間に形成された気密室303とを備える。
また、気密室303の内部でダイアフラム302の可動領域302aに形成された可動電極304と、気密室303の内部で基台301の上に可動電極304に向かい合って形成された固定電極305とを備える。また、気密室303の内部でダイアフラム302の可動領域302aにおいて可動電極304の周囲に形成された可動参照電極306と、気密室303の内部で固定電極305の周囲の基台301の上に形成され、可動参照電極306に向かい合って形成された固定参照電極307とを備える。
上述したように構成されている圧力センサは、測定対象のガスが流れる配管や被測定流体が収容されているタンクに取り付けられてガスの圧力を測定する。静電容量式の圧力センサでは、ガス圧を受けたダイアフラムの変位を、静電容量値に変換している。この圧力センサは、ガス種類に対して依存性が少ないことから、前述したような半導体装置製造設備をはじめ、工業用途に広く使用されている。
上述した圧力センサでは、原料ガスなどの装置に用いられているガスに対する耐腐食性と共に、成膜などのプロセス中で発生する副生成物に対しても耐性が要求される。また、成膜プロセスでは、成膜室内壁、配管内壁、真空ポンプ内部、および圧力センサの受圧部であるダイアフラムなど、原料ガスが通過する箇所には堆積が発生し、様々な問題を起こす(特許文献1,特許文献2参照)。
例えば、従来一般的に用いられている化学的気相成長法(CVD)に比較し、段差被覆性や膜質において優れているとして近年開発され、ゲート絶縁膜などの形成に用いられている原子層堆積法(ALD)がある。このALDは、特性上、原料ガスが通過する様々な箇所に、原料ガスが付着しやすく、上述した無用な堆積が発生しやすい。圧力センサにおいては、図4に示すように、ダイアフラム302の受圧領域に堆積物321が堆積する。
静電容量式の圧力センサでは、受圧部となるダイアフラムへの堆積は、堆積物の応力により、計測している圧力に関係の無い撓みをダイアフラムに生じさせる。測定対象となる成膜装置の処理室内を真空に引き切った状態において、圧力センサが零点を示すように調整されているが、上述したような状態では、零点のシフトをもたらすことになる。
また、堆積物の堆積によりダイアフラムの厚さが増加すれば、同じ圧力であっても、堆積している状態ではダイアフラムの撓みが小さくなり、圧力測定感度の低下を引き起こす。また、堆積物に粘性がある場合、圧力変化に対するダイアフラムの動きに遅れを生じさせることになり、センサ応答の遅れを招くことになる。
今日では、膜厚や品質の均一化がより進められ、高精度なプロセスが要求されており、上述したような圧力検出精度の低下は問題となる。このため、堆積を防止するために、上述したような成膜装置では、例えば成膜動作時などにおいて、各部分を例えば100〜200℃程度に加熱している。しかしながら、このような加熱による回避策を行っても堆積は微量ずつ進行する。
堆積が発生したものと判断された場合、例えば零点シフトの調整を行うことになる。零点シフトの調整などにおいては、一度製造工程を停止し、装置内部を完全に真空状態であると見なせるまで真空排気する必要がある。このためには、長い時間が必要となる。また、この零点シフト調整では、調整できる範囲には限りがあり、この限界を超えた場合、装置から圧力センサを取り外し、再較正をすることになる。この較正には専用の装置が必要となり、非常に面倒なものとなる。
また、堆積量が許容値を超えてダイアフラムに堆積した圧力センサは、所定の精度を確保することが不可能となり故障に至る。現状では、装置の使用回数や積算総膜厚などの履歴情報を基に、圧力センサを交換する、あるいは可能な場合は、クリーニングで対応している。しかしながら、上述したような履歴情報を元にした対応では、要求される高い圧力検出精度が維持できない場合が発生する。
また、上述したような圧力センサの測定精度低下は、ダイアフラムへの堆積に限るものではなく、様々な原因が考えられる。例えば、エッチングプロセスやチャンバーのクリーニング時に発生し得るダイアフラム材料の腐食やエッチング変質などにより、圧力感度が変化することがあり、またダイアフラムに加えられている筐体からの応力が何等かの原因で変化し、これによっても印加圧力による感度が変化することもあり得る。
いずれにしても正確な圧力の計測の為には、前述したような較正作業を実施することが必要になり、どのタイミングで行うのか把握することは極めて重要なことである。特に必要もないのにセンサを較正に出してしまうとプロセス装置を停止しなければならず、大きなむだとなる。従って、圧力センサにおける異常状態を、早期に検出できることが求められている。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、圧力センサの異常状態が、早期に検出できるようにすることを目的とする。
本発明に係る圧力センサ状態検出方法は、変位可能とされて測定対象からの圧力を受ける受圧部を備えるセンサチップから構成されて受圧部の変位を静電容量の変化として検出する圧力センサの受圧部の状態を検出する圧力センサ状態検出方法であって、センサチップの温度を変化させた状態で圧力センサの出力変化を得る第1ステップと、第1ステップで得られた出力変化を示すセンサ特性と基準となる基準特性との比較により受圧部の異常状態を判断する第2ステップとを備える。
上記圧力センサ状態検出方法において、第2ステップで判断する異常状態は、受圧部への堆積物の堆積状態である。また、第2ステップで判断する異常状態は、受圧部の被測定媒体のガスとの化学反応による腐食または変質した状態であってもよい。また、第2ステップで判断する異常状態は、受圧部に加わる機械的な応力変化による圧力センサ出力が変化した状態であってもよい。
上記圧力センサ状態検出方法において、センサ特性および基準特性は、圧力センサの出力変化と温度変化との関係を示す特性である。また、センサ特性および基準特性は、圧力センサの出力変化の時系列的な変化を示す特性である。
本発明に係る圧力センサ状態検出システムは、変位可能とされて測定対象からの圧力を受ける受圧部を備えるセンサチップから構成されて受圧部の変位を静電容量の変化として検出する圧力センサと、センサチップの温度を変化させる温度制御部と、温度制御部の動作によりセンサチップの温度を変化させた状態で圧力センサの出力変化を得ることで出力変化を示すセンサ特性を得る特性計測部と、特性計測部が得たセンサ特性と基準となる基準特性との比較により受圧部の異常状態を判断する状態判断部とを備える。
上記圧力センサ状態検出システムにおいて、状態判断部が判断する異常状態は、受圧部への堆積物の堆積状態である。また、状態判断部が判断する異常状態は、受圧部の被測定媒体のガスとの化学反応による腐食または変質した状態であってもよい。また、状態判断部が判断する異常状態は、受圧部に加わる機械的な応力変化による圧力センサ出力が変化した状態であってもよい。
上記圧力センサ状態検出システムにおいて、センサ特性および基準特性は、圧力センサの出力変化と温度変化との関係を示す特性である。また、センサ特性および基準特性は、圧力センサの出力変化の時系列的な変化を示す特性である。
以上説明したことにより、本発明によれば、圧力センサへの堆積をはじめとする異常状態が、早期に検出できるという優れた効果が得られる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態における圧力センサ状態検出システムの構成を示す構成図である。このシステムは、センサチップ101、圧力値出力部121、加熱部122、温度調節部123、基準値記憶部124、特性計測部125、状態判断部126、警報出力部127を備える。
センサチップ101は、よく知られた静電容量式であり、基台111,ダイアフラム112,可動電極114,固定電極115を備える。基台111およびダイアフラム112は、例えば、サファイアやアルミナセラミックなどの耐熱耐食性を有する絶縁体から構成されている。また、受圧部となるダイアフラム112は、基台111の支持部111aによって支持され、支持部111aの内側の可動領域112aにおいて、基台111の方向に変位可能とされた可動部である。可動領域112aは、例えば、平面視円形とされている。
可動領域112aおけるダイアフラム112と基台111との間は、気密に封止された気密室113とされている。圧力センサを真空計として用いる場合、気密室113はいわゆる真空とされ、基準真空室となる。
また、可動電極114は、気密室113の内部でダイアフラム112の可動領域112aに形成されている。また、固定電極115は、可動電極114と、気密室113の内部で基台111の上に可動電極114に向かい合って形成されている。なお、実施の形態におけるセンサチップ101は、気密室113の内部でダイアフラム112の可動領域112aにおいて可動電極114の周囲に形成された可動参照電極116と、気密室113の内部で固定電極115の周囲の基台111の上に形成され、可動参照電極116に向かい合って形成された固定参照電極117とを備える。
圧力値出力部121は、設定されているセンサ感度を用いて容量変化を圧力値に変換して出力する。センサチップ101および圧力値出力部121により圧力センサが構成される。
加熱部122は、センサチップ101の近傍に配置され、温度調節部123の制御により、例えば抵抗加熱などによりセンサチップ101(ダイアフラム112)を加熱し、センサチップ101の温度を変化させる。加熱部122および温度調節部123により温度制御部が構成される。
特性計測部125は、温度制御部の動作によりセンサチップ101の温度を変化させた状態で圧力センサ(圧力値出力部121)の出力変化を得ることで、出力変化を示すセンサ特性を得る。状態判断部126は、特性計測部125が得たセンサ特性と、基準値記憶部124に記憶されている基準となる基準特性との比較により、ダイアフラム112の異常状態を判断する。
ダイアフラム112の異常状態は、例えば、ダイアフラム112への堆積物の堆積状態である。またダイアフラム112の異常状態は、ダイアフラム112の被測定媒体のガスとの化学反応による腐食または変質した状態である。またダイアフラム112の異常状態は、ダイアフラム112に加わる機械的な応力変化による圧力センサ出力が変化した状態である。
センサ特性および基準特性は、例えば、圧力センサの出力変化と温度変化との関係を示す特性である。また、センサ特性および基準特性は、圧力センサの出力変化の時系列的な変化を示す特性である。
警報出力部127は、状態判断部126が、ダイアフラム112に、規定値以上の堆積物が堆積したことなどの異常の有無の判断により警報を出力する。このように警報が出力されたことにより、圧力センサの較正が必要な状態になったことが判断できる。
次に、本発明の実施の形態における圧力センサ状態検出システムの動作(圧力センサ状態検出方法)について、図2のフローチャートを用いて説明する。
まず、ステップS201で、計測部125が、温度調節部123の制御により加熱部122を動作させることでセンサチップ101の温度を変化させ、この状態で圧力値出力部121からの出力変化を取得する。
次に、ステップS202で、状態判断部126が、計測部125が得た出力変化を示すセンサ特性と、基準値記憶部124に記憶されている基準特性とを比較する。この比較により、センサ特性と基準特性との間に閾値以上の差がある場合(ステップS203のy)、状態判断部126は、ダイアフラム112に堆積物が堆積しているなどの異常が発生しているものと判断し、ステップS204で、警報出力部127に警報を出力させる。
ここで、センサ特性および基準特性について説明する。以下では、受圧部であるダイアフラムに堆積物が堆積している場合を異常発生の例として説明する。ダイアフラムに何らかの物質が堆積している場合、堆積物はダイアフラムと材料特性が異なるので、堆積していない場合と比較すると、温度と零点の特性に変化が生じる。この変化は、ガスによりダイアフラムが腐食または変質した場合や、ダイアフラムに加わる機械的な応力が変化した場合においても発生する。圧力センサの温度変化に対する出力値の変化を示す温度特性は、センサチップ自体の熱膨張、可動電極とダイアフラムとの熱膨張係数の差、ダイアフラムと基台との溶接や接合状態、センサチップを収容するパッケージからの影響など、様々な原因で発生する。一般には、センサチップの製造直後(出荷時)に温度特性を計測し、この結果によりセンサチップの出力を補正している。
ダイアフラムが変形していない(撓んでいない)状態となる基準温度を原点としたときに、温度の変化によりダイアフラムが変形することで形成される容量変化が、温度特性として現れる。なお、圧力センサは、実使用状態において所定温度(例えば150℃)に加熱して動作させている。このため、一般には、動作時の温度において、ダイアフラムが撓んでいない状態となるように、センサチップは設計製造されている。従って、動作時の温度を基準温度とすればよいことになる。
例えば、温度変化をx軸として基準温度を0とし、容量変化によるセンサ出力変化をy軸として基準温度におけるセンサ出力を0に設定すれば、ダイアフラムに堆積(異常)が発生していない状態における温度特性がxy座標において原点を通る直線として近似される。この状態を、図3(a)の直線に示す。
ダイアフラムに堆積物が堆積していれば、この温度特性が変化する。例えば、堆積物の熱膨張係数がダイアフラムの熱膨張係数よりも小さい場合、温度変化によるダイアフラム本来の変化を妨げる力が働くので、温度特性を示す直線の傾きは小さくなる。この状態を、図3(a)の一点鎖線に示す。
一方、堆積物の熱膨張係数がダイアフラムの熱膨張係数よりも大きい場合、温度変化によるダイアフラム本来の変化をより大きくする方向に力が働くので、温度特性を示す直線の傾きは大きくなる。この状態を、図3(a)の点線に示す。
ここで、零点が+方向にシフトすると、図3(b)に示すような温度特性となり、零点が−方向にシフトすると、図3(c)に示すような温度特性となる。いずれも、堆積していない場合を直線で示し、堆積物の熱膨張係数がダイアフラムの熱膨張係数よりも小さい場合を一点鎖線で示し、堆積物の熱膨張係数がダイアフラムの熱膨張係数よりも大きい場合を点線で示している。
零点のシフト分をオフセットさせれば、各々の傾きは同様であるので、図3(b)および図3(c)は、図3(a)に示す温度特性と同じになる。これらのことより明らかなように、ダイアフラムへの堆積物の状態は、温度特性の傾きによって判断することが可能である。センサチップの製造直後などにおけるダイアフラムに堆積が発生していない状態における温度特性を測定しておき、この温度特性を基準特性とすればよい。
この基準特性と、実使用状態における圧力センサより得られた温度特性であるセンサ特定との間で、上述した傾きを比較することで、ダイアフラムへの堆積物の堆積状態が判断できる。例えば、実質的に問題となる程度に堆積物を堆積させた状態で、センサ特性を測定し、測定したセンサ特性の傾きと基準特性の傾きとの差を求め、この傾きの差を閾値として設定する。実使用状態で測定されたセンサ特性の傾きと基準特性の傾きとの差が、閾値を超えた場合、ダイアフラムに堆積物が発生しているものと判断する。
ところで、上述した温度特性の変化は、堆積物が比較的硬く、また、温度によりあまり硬さ(粘弾性)が変化しない場合に顕著である。一方、堆積物が粘性を持ち、また、温度によって粘弾性が変化する場合、ダイアフラムに堆積が発生していると、ダイアフラムの変位動作の時間遅れが発生する。
例えば、図4(a)に示すように、センサチップの温度を時系列的に変化させる。この温度変化に対し、ダイアフラムに堆積が発生していない場合、図4(b)に実線で示すように、センサ出力に時間遅れが発生することがない。これに対し、粘性のある物質がダイアフラムに堆積すると、図4(b)に一点鎖線で示すように、開示時刻t0より後の時刻t1,t2,t3において、センサ出力に時間遅れが発生する。また、粘性が大きい物質がダイアフラムに堆積すると、図4(b)に点線で示すように、センサ出力に時間遅れが発生するばかりではなく、温度を基準温度としても、センサ出力が0に戻らなくなる場合が発生する。
従って、上述した温度の時系列的な変化を基準特性およびセンサ特性として用いることもできる。図4(b)の実線で示すセンサ出力の時系列的な変化を基準特性とする。また、実質的に問題となる程度に堆積物を堆積させた状態で、センサ特性としてセンサ出力の時系列的な変化を測定し、基準特性を基準とした設定したある時刻(t2)における時間遅れを閾値として設定する。実使用状態で測定されたセンサ特性の、時刻t2における基準特性からの時間遅れが閾値を超えた場合、ダイアフラムに堆積(異常)が発生しているものと判断することができる。
また、上述した温度特性および温度変化に対するセンサ出力の時系列的な変化の両方を用いて、ダイアフラムの異常状態を判断してもよい。このようにすることで、より多様な堆積状態が判断できるようになる。また、いずれか一方においてダイアフラムに異常が発生しているものと判断された場合、警報を出力させるようにすればよい。
以上に説明したように、本発明によれば、センサチップの温度を変化させた状態で得られた圧力センサの出力変化と基準特性との比較により受圧部の異常状態を判断するようにしたので、圧力センサの異常状態が、早期に検出できるようになる。本発明によれば、用いられている装置より圧力センサを取り外すことなく、装置が稼働している状態で圧力センサの異常状態が検出(判断)できるので、装置内部を大気状態とし、また、装置内部を完全に真空状態であると見なせるまで真空排気するなどの作業を必要とせず、迅速に異常状態が把握できる。
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
101…センサチップ、111…基台、111a…支持部、112…ダイアフラム、112a…可動領域、113…気密室、114…可動電極、115…固定電極、116…可動参照電極、117…固定参照電極、121…圧力値出力部、122…加熱部、123…温度調節部、124…基準値記憶部、125…特性計測部、126…状態判断部、127…警報出力部。
Claims (12)
- 変位可能とされて測定対象からの圧力を受ける受圧部を備えるセンサチップから構成されて前記受圧部の変位を静電容量の変化として検出する圧力センサの前記受圧部の状態を検出する圧力センサ状態検出方法であって、
前記センサチップの温度を変化させた状態で前記圧力センサの出力変化を得る第1ステップと、
前記第1ステップで得られた出力変化を示すセンサ特性と基準となる基準特性との比較により前記受圧部の異常状態を判断する第2ステップと
を備えることを特徴とする圧力センサ状態検出方法。 - 請求項1記載の圧力センサ状態検出方法において、
前記第2ステップで判断する前記異常状態は、前記受圧部への堆積物の堆積状態であることを特徴とする圧力センサ状態検出方法。 - 請求項1記載の圧力センサ状態検出方法において、
前記第2ステップで判断する前記異常状態は、前記受圧部の被測定媒体のガスとの化学反応による腐食または変質した状態であることを特徴とする圧力センサ状態検出方法。 - 請求項1記載の圧力センサ状態検出方法において、
前記第2ステップで判断する前記異常状態は、前記受圧部に加わる機械的な応力変化による圧力センサ出力が変化した状態であることを特徴とする圧力センサ状態検出方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の圧力センサ状態検出方法において、
前記センサ特性および前記基準特性は、前記圧力センサの出力変化と温度変化との関係を示す特性であることを特徴とする圧力センサ状態検出方法。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の圧力センサ状態検出方法において、
前記センサ特性および前記基準特性は、前記圧力センサの出力変化の時系列的な変化を示す特性であることを特徴とする圧力センサ状態検出方法。 - 変位可能とされて測定対象からの圧力を受ける受圧部を備えるセンサチップから構成されて前記受圧部の変位を静電容量の変化として検出する圧力センサと、
前記センサチップの温度を変化させる温度制御部と、
前記温度制御部の動作により前記センサチップの温度を変化させた状態で前記圧力センサの出力変化を得ることで出力変化を示すセンサ特性を得る特性計測部と、
前記特性計測部が得たセンサ特性と基準となる基準特性との比較により前記受圧部の異常状態を判断する状態判断部と
を備えることを特徴とする圧力センサ状態検出システム。 - 請求項7記載の圧力センサ状態検出システムにおいて、
前記状態判断部が判断する前記異常状態は、前記受圧部への堆積物の堆積状態であることを特徴とする圧力センサ状態検システム。 - 請求項7記載の圧力センサ状態検出システムにおいて、
前記状態判断部が判断する前記異常状態は、前記受圧部の被測定媒体のガスとの化学反応による腐食または変質した状態であることを特徴とする圧力センサ状態検出システム。 - 請求項7記載の圧力センサ状態検出システムにおいて、
前記状態判断部が判断する前記異常状態は、前記受圧部に加わる機械的な応力変化による圧力センサ出力が変化した状態であることを特徴とする圧力センサ状態検出システム。 - 請求項7〜10のいずれか1項に記載の圧力センサ状態検出システムにおいて、
前記センサ特性および前記基準特性は、前記圧力センサの出力変化と温度変化との関係を示す特性であることを特徴とする圧力センサ状態検出システム。 - 請求項7〜10のいずれか1項に記載の圧力センサ状態検出システムにおいて、
前記センサ特性および前記基準特性は、前記圧力センサの出力変化の時系列的な変化を示す特性であることを特徴とする圧力センサ状態検出システム。
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