JP2017143218A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】昇降部材の昇降を駆動する昇降駆動機構を備えながら、上下方向の寸法が抑えられた基板処理装置を提供する。【解決手段】処理ユニット２は、収容空間Ａを区画する上面３０Ａを有するベース板３０を備えるチャンバ３と、収容空間Ａに収容され、ベース板３０の上面３０Ａに載置され、基板を保持するスピンチャックと、収容空間Ａ内で昇降可能な昇降部材としてのガード６４〜６６と、ガード６４〜６６の昇降を駆動するガード昇降駆動機構６７〜６９とを含む。ガード昇降駆動機構６７〜６９は、ベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に配置された第１駆動源８１と、ガード６４〜６６に連結され、ベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に全体が位置する可動範囲Ｅで第１駆動源８１によって上下動される第１昇降ヘッド８２とを含む。【選択図】図３

Description

この発明は、液体で基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象になる基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等の基板が含まれる。
基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、薬液やリンス液等の処理液による基板の処理がチャンバ内で行われる。チャンバ内には、基板を保持するスピンチャックやスピンチャックを回転させるモータの他に、スピンチャックを取り囲む複数のガードや、スピンチャックに保持された基板に対向する遮断板が設けられることがある。
ガードは、基板を処理液で処理する際に基板から飛散した処理液を、処理液の種類毎に分けて受け止めるためのものである。処理液の種類によって受け止めるガードを切り換えるために、複数のガードを昇降させる必要がある。また、ガードが不要なときには、基板よりも下方にガードを下降させる必要がある。
遮断板は、基板から処理液を排除する際に基板の上面付近の雰囲気を周囲から遮断するためのものである。基板に処理液を供給する際には、遮断板を上昇させて基板の上面付近から遮断板を退避させる必要があり、基板を乾燥させる際には、遮断板を下降させて基板の上面付近に遮断板を接近させる必要がある。
このように、基板処理装置には、遮断板やガード等の部材を昇降させるための機構が設けられている。
例えば、下記特許文献１の基板処理装置は、スピンチャックを取り囲むカップを昇降させるための昇降ユニットを備えている。昇降ユニットは、カップの底部に連結されたシャフトと、シャフトに螺合されたボールねじナットと、ボールねじナットを回転させるサーボモータとを含む。ボールねじナットの回転によりシャフトが上下へ移動することで、カップが昇降する。
特開２０１３−５１２６５号公報
特許文献１の基板処理装置では、サーボモータおよびシャフトの下端が、ベースよりも下方に位置している。そのため、基板処理装置が上下方向に大きくなる虞があり、特に、複数の基板処理装置（ユニット）を積層して配置する場合には、上下方向における全体の寸法が著しく大きくなる。
そこで、この発明の１つの目的は、昇降部材の昇降を駆動する昇降駆動機構を備えながら、上下方向の寸法が抑えられた基板処理装置を提供することである。
この発明は、収容空間の下方を区画する上面を有するベース板を備えたチャンバと、前記チャンバの収容空間に収容され、前記ベース板の上面に載置され、基板を保持する基板保持機構と、前記チャンバの収容空間内で昇降可能な昇降部材と、前記昇降部材の昇降を駆動する昇降駆動機構と、を含み、前記昇降駆動機構は、前記ベース板の下面よりも上方に配置された駆動源と、前記昇降部材に連結され、前記ベース板の下面よりも上方に全体が位置する可動範囲で前記駆動源によって上下動される昇降ヘッドとを含む、基板処理装置を提供する。
この構成によれば、昇降部材の昇降を駆動する昇降駆動機構では、昇降ヘッドが可動範囲の最も下方に位置する場合であっても、駆動源および昇降ヘッドがベース板の下面よりも上方に配置される。そのため、駆動源および昇降ヘッドがベース板の下面よりも下方に配置されている構成と比較して、上下方向における基板処理装置の寸法を抑えることができる。
この発明の一実施形態では、前記駆動源が前記チャンバの収容空間内に収容されている。この構成によれば、駆動源がチャンバの収容空間に収容されているため、上下方向および水平方向に基板処理装置の寸法を抑えることができる。
この発明の一実施形態では、前記駆動源は、前記昇降ヘッドの可動範囲の側方に全体が配置されている。この構成によれば、駆動源の全体が昇降ヘッドの可動範囲の側方に配置されているので、上下方向における昇降駆動機構の寸法を抑えることができる。したがって、上下方向における基板処理装置の寸法を一層抑えることができる。
この発明の一実施形態では、前記駆動源は、水平に延びる回転軸を回転する回転駆動源を含み、前記昇降駆動機構は、前記回転軸の回転を前記昇降ヘッドに伝達することによって前記昇降ヘッドを上下動させる回転伝達機構を含む。この構成によれば、水平に延びる回転軸の回転を伝達することによって昇降ヘッドを上下動させることができるので、回転軸の軸方向に長手の駆動源を用いる場合であっても上下方向における昇降駆動機構の寸法を抑えることができる。
この発明の一実施形態では、前記回転伝達機構は、前記昇降ヘッドに固定され上下に並ぶ複数のラック歯と、前記回転軸の回転が伝達され前記ラック歯に噛合したピニオン歯とを含む。この構成によれば、互いに噛み合うラック歯およびピニオン歯を含む簡単な構成によって、昇降ヘッドの側方に配置された回転軸の回転を昇降ヘッドに伝達することができる。したがって、駆動源の全体を昇降ヘッドの可動範囲の側方に配置しやすいので、上下方向における昇降駆動機構の寸法をより一層抑えることができる。
この発明の一実施形態では、前記駆動源は、上下に延びる回転軸を回転する回転駆動源を含み、前記昇降駆動機構は、前記回転軸の回転を前記昇降ヘッドに伝達することによって前記昇降ヘッドを上下動させる回転伝達機構を含む。この構成によれば、上下に延びる回転軸の回転を伝達することによって昇降ヘッドを上下動させることができるので、回転軸の軸方向を上下に向けて駆動源を配置しつつ、上下方向における昇降駆動機構の寸法を抑えることができる。
この発明の一実施形態では、前記回転伝達機構は、前記回転軸の回転が伝達され上下に延びるねじ軸と、前記昇降ヘッドに固定され前記ねじ軸と螺合したナットとを含む。この構成によれば、ねじ軸およびこれに螺合したナットを含む簡単な構成によって回転軸の回転を昇降ヘッドに伝達することができるので、上下方向における昇降駆動機構の寸法をより一層抑えることができる。
この発明の一実施形態では、前記昇降駆動機構は、前記昇降ヘッドの上下動を案内する案内機構を含む。この構成によれば、案内機構によって昇降ヘッドの上下動が案内されるので、昇降ヘッドを正確にかつ安定して上下動させることができる。そのため、昇降ヘッドと他の部材との間の距離を縮めることができる。
この発明の一実施形態では、前記案内機構は、前記チャンバに固定され前記昇降ヘッドに対して摺動可能に凹凸係合するガイド部材を含む。この構成によれば、昇降ヘッドとガイド部材とを凹凸係合させた簡単な構成によって昇降ヘッドの上下動を案内することができるので、上下方向における昇降駆動機構の寸法をより一層抑えることができる。
この発明の一実施形態では、前記昇降部材は、前記基板保持機構を取り囲むガードを含み、前記昇降駆動機構は、前記ガードを昇降させるガード昇降駆動機構を含む。この構成によれば、基板処理装置が基板保持機構を取り囲むガードを含む場合であっても上下方向における基板処理装置の寸法を抑えることができる。
この発明の一実施形態では、前記昇降部材は、前記基板保持機構に保持された基板の上面に対向する遮断板を含み、前記昇降駆動機構は、前記遮断板を昇降させる遮断板昇降駆動機構を含む。この構成によれば、基板処理装置が基板の上面に対向する遮断板を含む場合であっても上下方向における基板処理装置の寸法を抑えることができる。
この発明の一実施形態では、前記昇降駆動機構を前記チャンバの収容空間内の雰囲気から離隔する離隔部材を含む。この構成によれば、離隔部材によって、昇降駆動機構がチャンバ内の収容空間内の雰囲気から離隔されているので、チャンバの収容空間内の雰囲気中に飛散する物質の量や種類にかかわらず、駆動源および昇降ヘッドをベース板の下面よりも上方に配置することができる。
この発明の一実施形態では、前記遮断板に連結され、上下に伸縮可能なコイル状の配線と、前記遮断板とともに昇降し、前記配線の伸縮をガイドする配線ガイドと、前記遮断板昇降駆動機構を前記チャンバの収容空間内の雰囲気から離隔する離隔部材とを含み、前記離隔部材は、上下に伸縮可能であり、前記配線および前記配線ガイドを収容するベローズを含む。
この構成によれば、コイル状の配線は、遮断板に連結され上下に伸縮可能である。そのため、上下方向におけるコイル状の配線の寸法は、遮断板の昇降に合わせて調整される。したがって、コイル状の配線を用いることによって、遮断板を昇降させる際に上下に伸縮せず、下方に垂らしたＵ字状の部分を上下動させて上下方向における寸法を調整するように構成された配線、すなわちコイル状でない配線を用いる場合と比較して、必要なスペースを上下方向に小さくすることができる。
また、配線ガイドによってコイル状の配線の伸縮を案内できるので、コイル状の配線が倒れたり配線の一部が水平方向にはみ出したりして配線がベローズに接触することに起因するベローズの損傷を防止することができる。換言すれば、配線の伸縮のためにベローズ内に大きな空間を確保する必要がないので、ベローズを小さくすることができ、それによって、チャンバ内の収容スペースを圧迫することなく、遮断板のための昇降機構および配線をチャンバ内に配置できる。
この発明の一実施形態では、前記基板保持機構に保持された基板に流体を供給する流体供給ノズルと、前記流体供給ノズルを水平に移動させるノズルアームとを含み、前記昇降駆動機構は、前記ノズルアームの水平移動範囲の直下に配置されている。
この構成によれば、昇降駆動機構がノズルアームの水平移動範囲の直下に配置されているので、ノズルアームの下方のスペースを利用して、上下方向における基板処理装置の寸法を抑えることができる。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理システムに備えられた処理ユニットの構成例を説明するための模式的な平面図である。 図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図に相当し、前記処理ユニットの構成例を説明するための模式図である。 図３は、ガード昇降駆動機構の周辺の拡大断面図である。 図４は、ガード昇降駆動機構の周辺の斜視図である。 図５は、図４のＶ−Ｖ線に沿った断面の模式図である。 図６は、図１のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面の模式図である。 図７は、図１のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面の模式図である。 図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面の模式図である。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理システム１に備えられた処理ユニット２の構成例を説明するための模式的な平面図である。処理ユニット２は、この発明の基板処理装置の一例である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図に相当し、処理ユニット２の構成例を説明するための模式図である。基板処理システム１は、シリコンウエハ等の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理システム１は、複数の処理ユニット２と、複数の処理ユニット２のそれぞれに対して基板Ｗを搬入／搬出するための搬送ロボット（図示せず）とを含む。各処理ユニット２は、液体で基板Ｗを処理する。複数の処理ユニット２は、本実施形態では、上下方向Ｚに積層配置されている。図２の紙面中央の処理ユニット２に下方から隣接する処理ユニットを処理ユニット２Ａといい、図２の紙面中央の処理ユニット２に上方から隣接する処理ユニットを処理ユニット２Ｂという。
以下では、１つの処理ユニット２を構成する部材の構成や、１つの処理ユニット２を構成する部材同士の位置関係について説明する。すなわち、以下の説明は、特に説明がない限り、異なる処理ユニット２（処理ユニット２Ａ，２Ｂ等の他の処理ユニット）を構成する部材との位置関係を説明するものではない。
処理ユニット２は、収容空間Ａの下方を区画する上面３０Ａを有するベース板３０を備えた略直方体のチャンバ３と、チャンバ３の収容空間Ａに収容され、ベース板３０の上面３０Ａに載置され、基板Ｗを保持するスピンチャック５とを含む。スピンチャック５は、基板Ｗを保持する基板保持機構の一例である。
ベース板３０は、例えばアルミ製のプレートである。チャンバ３は、ベース板３０から上方に延び、水平方向から収容空間Ａを区画する複数（この実施形態では４つ）の側板３３と、複数の側板３３に連結され収容空間Ａを上方から区画する天板３４と、搬送ロボットによって基板Ｗを出し入れするときに開閉されるシャッター３５とを含む。シャッター３５には、ベース板３０、隣接する側板３３および天板３４との間をシールするパッキン（図示せず）が設けられている。
ベース板３０の下面３０Ｂには、脚部３１が取り付けられている。脚部３１は、処理ユニット２において最も下方に位置する部品である。処理ユニット２は、処理ユニット２の下方に隣接する処理ユニット２Ａのチャンバ３の天板３４に脚部３１を当接させて処理ユニット２Ａの上方に配置されている。
スピンチャック５は、基板Ｗを把持する複数のチャックピン２０と、複数のチャックピン２０を支持し水平方向に沿う円盤形状に形成されたスピンベース２１と、スピンベース２１に連結され基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ｃ１まわりに回転する中心軸２２と、中心軸２２を回転軸線Ｃ１まわりに回転させる基板回転駆動機構２３とを含む。複数のチャックピン２０は、スピンベース２１の上面の周縁部に周方向に間隔を空けて配置されている。基板回転駆動機構２３は、例えば、ベース板３０の上面３０Ａに載置され、中心軸２２に回転力を与えることによって、チャックピン２０、スピンベース２１および中心軸２２を回転軸線Ｃ１まわりに一体回転させる電動モータを含む。
処理ユニット２は、チャンバ３の上方からその内部にクリーンエアー（フィルターによってろ過された空気）を送るＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）４を含む。ＦＦＵ４は、天板３４に取り付けられている。ＦＦＵ４は、基板処理システム１が配置されるクリーンルーム内の空気をろ過するフィルター（図示せず）と、フィルターでろ過された空気をチャンバ３の収容空間Ａに送るファン（図示せず）とを含む。ＦＦＵ４は、その吹き出し口に複数の孔が設けられたパンチングプレート（図示せず）を備えていてもよい。これにより、収容空間Ａ内における空気の渦の発生を防止することができる。
処理ユニット２は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に処理液を供給する複数のノズル４１〜４３（第１〜第３ノズル４１〜４３）と、複数のノズル４１〜４３をそれぞれ移動させる複数のノズル移動機構４４〜４６（第１〜第３ノズル移動機構４４〜４６）とをさらに含む。複数のノズル４１〜４３および複数のノズル移動機構４４〜４６は、チャンバ３の収容空間Ａに収容されている。説明の便宜上、図２に第１ノズル４１を図示してあるが、実際には図２に示す断面には、第１ノズル４１は現れない。第１ノズル移動機構４４は、第１ノズル４１を移動させ、第２ノズル移動機構４５は、第２ノズル４２を移動させ、第３ノズル移動機構４６は、第３ノズル４３を移動させる。
基板Ｗに供給される処理液は、基板Ｗの表面を処理するための流体であり、例えば、フッ酸等の薬液や脱イオン水（ＤＩＷ）等のリンス液やイソプロピルアルコール（Isopropyl Alcohol: IPA）等の有機溶剤を含む。
薬液は、フッ酸に限られず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、蓚酸等）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、ＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）等が挙げられる。
リンス液は、脱イオン水に限られず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（例えば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
有機溶剤は、ＩＰＡに限られず、ＩＰＡ、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2ジクロロエチレンのうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。また、有機溶剤は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。例えば、ＩＰＡ液と純水との混合液であってもよいし、ＩＰＡ液とＨＦＥ液との混合液であってもよい。
各ノズル４１〜４３は、種類または濃度が異なる処理液を供給する。この実施形態では、第１ノズル４１は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面にフッ酸を供給するフッ酸供給ノズルであり、第２ノズル４２は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面にＳＰＭを供給するＳＰＭ供給ノズルであり、第３ノズル４３は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面にＤＩＷを供給するＤＩＷ供給ノズルである。ＤＩＷ供給ノズルによって、スピンチャック５のチャックピン２０を洗浄することもできる。これにより、基板Ｗの連続処理時にチャックピン２０が汚染されるのを防止することができる。
複数のノズル４１〜４３から基板Ｗに供給される流体は、処理液に限られず、窒素等の不活性ガスであってもよい。
各ノズル４１〜４３には、処理液の供給源から延びる個別の処理液供給管４７〜４９が連結されている。複数の処理液供給管４７〜４９のそれぞれには、その流路を開閉する開閉バルブ（図示せず）が介装されている。
各ノズル移動機構４４〜４６は、例えば、鉛直方向に沿う回動軸５０と、回動軸５０に連結された水平に延びるノズルアーム５１と、回動軸５０の回動を駆動する回動軸駆動機構５２とを含む。回動軸５０の中心軸線まわりに回動軸駆動機構５２が回動軸５０を回動させることによって、回動軸５０とともにノズルアーム５１が回動する。これにより、各ノズル４１〜４３は、基板Ｗの上面の中央と対向する中央位置と、基板Ｗの上面と上下方向Ｚに対向しない退避位置との間で移動する。
処理ユニット２は、スピンチャック５を取り囲む排気桶６０と、スピンチャック５と排気桶６０との間に配置された複数のカップ６１，６２（第１カップ６１および第２カップ６２）と、基板Ｗの周囲に飛散した処理液を受け止める複数のガード６４〜６６（第１〜第３ガード６４〜６６）とをさらに含む。排気桶６０、複数のカップ６１，６２および複数のガード６４〜６６は、収容空間Ａに収容されている。
処理ユニット２は、複数のガード６４〜６６の昇降をそれぞれ駆動する複数のガード昇降駆動機構６７〜６９（第１〜第３ガード昇降駆動機構６７〜６９）をさらに含む。各ガード昇降駆動機構６７〜６９は、本実施形態では、平面視で、基板Ｗの回転軸線Ｃ１を中心として点対称となるように一対設けられているため、複数のガード６４〜６６をそれぞれ安定して昇降させることができる。複数の昇降駆動機構６７〜６９は、一部を除いて収容空間Ａに収容されており、収容空間Ａ内において複数のノズル４１〜４３のノズルアーム５１の水平移動範囲の直下に配置されている。
複数のガード６４〜６６は、収容空間Ａ内で昇降可能な昇降部材の一例である。一対の第１ガード昇降駆動機構６７は、昇降部材としての第１ガード６４の昇降を駆動する昇降駆動機構の一例であり、一対の第２ガード昇降駆動機構６８は、昇降部材としての第２ガード６５の昇降を駆動する昇降駆動機構の一例であり、一対の第３ガード昇降駆動機構６９は、昇降部材としての第３ガード６６の昇降を駆動する昇降駆動機構の一例である。
第１〜第３ガード昇降駆動機構６７〜６９がそれぞれ一対ずつ設けられた本実施形態とは異なり、第１〜第３ガード昇降駆動機構６７〜６９がそれぞれ１つずつ設けられた形態であってもよい。
排気桶６０は、円筒状の筒状部６０Ａと、筒状部６０Ａの径方向外方に筒状部６０Ａから突出した複数（本実施形態では２つ）の突出部６０Ｂと、複数の突出部６０Ｂをそれぞれ上方から覆う複数の蓋部６０Ｃとを含む。複数のガード昇降駆動機構６７〜６９は、筒状部６０Ａの周方向において突出部６０Ｂと同じ位置で、突出部６０Ｂよりも基板Ｗの回転径方向内側に配置されている。詳しくは、周方向において各突出部６０Ｂと同じ位置には、第１ガード昇降駆動機構６７、第２ガード昇降駆動機構６８および第３ガード昇降駆動機構６９により構成される組が１組ずつ配置されている。
各カップ６１，６２は、円筒状であり、排気桶６０の筒状部６０Ａよりも基板Ｗの回転径方向内側でスピンチャック５を取り囲んでいる。第２カップ６２は、第１カップ６１よりも基板Ｗの回転径方向外側に配置されている。第２カップ６２は、例えば、第１ガード６４と一体であり、第１ガード６４と共に昇降する。各カップ６１，６２は、上向きに開いた環状の溝を形成している。各カップ６１，６２の溝には、回収配管（図示せず）または廃液配管（図示せず）が接続されている。各カップ６１，６２の底部に導かれた処理液は、回収配管または廃液配管を通じて、回収または廃棄される。
各ガード６４〜６６は、円筒状であり、排気桶６０の筒状部６０Ａよりも基板Ｗの回転径方向内側でスピンチャック５を取り囲んでいる。各ガード６４〜６６は、スピンチャック５の周囲を取り囲む円筒状の案内部７１と、案内部７１の上端から中心側（基板Ｗの回転軸線Ｃ１に近づく方向）に斜め上方に延びる筒状の傾斜部７２とを含む。
３つの案内部７１は、同軸上に配置されている。第２ガード６５の案内部７１は、第１ガード６４の案内部７１よりも基板Ｗの回転径方向外側に配置されており、第３ガード６６の案内部７１は、第２ガード６５の案内部７１よりも基板Ｗの回転径方向外側に配置されている。
各傾斜部７２の上端部は、ガード６４〜６６の内周縁を構成しており、基板Ｗおよびスピンベース２１よりも大きな直径を有している。３つの傾斜部７２は、上下に重ねられている。
各ガード６４〜６６は、各ガード６４〜６６の傾斜部７２の内周面が基板Ｗの周端面に対向する上位置と、全体が基板Ｗよりも下側に位置する下位置との間で移動可能である。基板Ｗへの処理液の供給や基板Ｗの乾燥は、いずれかのガード６４〜６６が上位置にある状態で行われる。詳しくは、処理液による基板Ｗの処理は、第１ガード６４および第２ガード６５のいずれかが上位置にある状態で行われる。基板Ｗに処理液が供給されているときに基板Ｗの周囲に飛散した処理液は、全てのガード６４〜６６が上位置にあるときには、第１ガード６４によって第１カップ６１に案内され、第２ガード６５および第３ガード６６が上位置にあり第１ガード６４が下位置にあるときには、第２ガード６５によって第２カップ６２に案内される。基板Ｗの乾燥は、最も外側の第３ガード６６のみが上位置にある状態で行われる。
処理ユニット２は、スピンチャック５に保持された基板Ｗの上面に間隔を空けて対向する遮断板６と、遮断板６に連結され、水平に延びる遮断板支持部材５３と、遮断板支持部材５３を介して遮断板６に連結され、遮断板６の昇降を駆動する遮断板昇降駆動機構５４と、遮断板６を回転軸線Ｃ１まわりに回転させる遮断板回転駆動機構５５とをさらに含む。遮断板６、遮断板支持部材５３、遮断板昇降駆動機構５４および遮断板回転駆動機構５５は、収容空間Ａに収容されている。遮断板６は、収容空間Ａ内で昇降可能な昇降部材の一例であり、遮断板昇降駆動機構５４は、昇降部材としての遮断板６の昇降を駆動する昇降駆動機構の一例である。
遮断板回転駆動機構５５は、遮断板支持部材５３の先端に内蔵された電動モータを含む。電動モータには、遮断板支持部材５３内に配された複数の配線５６が連結されている。複数の配線５６は、当該電動モータに送電するためのパワーラインと、遮断板６の回転情報を検知するためのエンコーダラインとを含む。遮断板６の回転情報を検知することによって、遮断板６の回転情報を正確に制御できる。
次に、ガード昇降駆動機構６７〜６９の構成について詳細に説明する。以下では、特に説明をする場合を除き各ガード昇降駆動機構６７〜６９の構成は同じであるため、第１ガード昇降駆動機構６７および第２ガード昇降駆動機構６８の構成の詳細についてはその説明を省略する。
図３は、第３ガード昇降駆動機構６９の周辺の拡大断面図である。図３には、第１ガード６４および第１ガード昇降駆動機構６７の一部を破線で図示しており、第２ガード６５および第２ガード昇降駆動機構６８の一部を一点鎖線で図示している。図４は、第３ガード昇降駆動機構６９の周辺の斜視図である。図５は、図４のＶ−Ｖ線に沿った断面の模式図である。図６は、図１のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面の模式図である。
第３ガード昇降駆動機構６９は、水平に延びる回転軸８１Ａを含む第１駆動源８１と、第３ガード６６の側方に配置され、所定の可動範囲Ｅで第３ガード６６とともに第１駆動源８１によって上下動される第１昇降ヘッド８２と、回転軸８１Ａの回転を第１昇降ヘッド８２に伝達することによって第１昇降ヘッド８２を上下動させる第１回転伝達機構８３とを含む。第３ガード昇降駆動機構６９は、第１昇降ヘッド８２の上下動を案内する第１案内機構８６と、第１駆動源８１および第１昇降ヘッド８２を支持するブラケット８４と、第１昇降ヘッド８２と第３ガード６６とを連結する連結部材８５とをさらに含む。第３ガード昇降駆動機構６９は、第１昇降ヘッド８２の上下動を所定の可動範囲Ｅに規制する第１規制機構８８をさらに含む。
第１ガード昇降駆動機構６７の第１昇降ヘッド８２は、第１ガード６４の側方に配置されており（図１参照）、連結部材８５を介して第１ガード６４と連結している。第１ガード昇降駆動機構６７の第１昇降ヘッド８２は、所定の可動範囲Ｅで第１ガード６４とともに上下動可能である。
第２ガード昇降駆動機構６８の第１昇降ヘッド８２は、第２ガード６５の側方に配置されており（図１参照）、連結部材８５を介して第２ガード６５と連結している。第２ガード昇降駆動機構６８の第１昇降ヘッド８２は、所定の可動範囲Ｅで第２ガード６５とともに上下動可能である。
ブラケット８４は、水平に延びる底板８４Ａと、底板８４Ａの上面から上方に延びる第１側板８４Ｂと、底板８４Ａの上面から上方に延び、第１側板８４Ｂに連結された第２側板８４Ｃとを含む。
ブラケット８４は、ベース板３０に形成された貫通孔に挿通された状態でベース板３０に固定されている。底板８４Ａには、底板８４Ａから水平方向に突出した第１固定部８４Ｄが連結されており、底板８４Ａよりも上方に配置された第２固定部８４Ｅが段差を介して連結されている。第１固定部８４Ｄおよび第２固定部８４Ｅのそれぞれには、ボルト８４Ｆが挿通されており、これにより、ブラケット８４がベース板３０に固定されている。
ブラケット８４は、その全体が少なくともチャンバ３の脚部３１の下端よりも上方に位置するように配置されている。底板８４Ａは、その上面がベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に位置するように配置されている。
第１駆動源８１は、チャンバ３の収容空間Ａに収容されている。第１駆動源８１は、ベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に配置されている。
第１駆動源８１は、水平に延びる回転軸８１Ａを回転する回転駆動源としての駆動モータ８１Ｂをさらに含む。駆動モータ８１Ｂは、略直方体のモータハウジングを有している。第１駆動源８１は、駆動モータ８１Ｂによる回転軸８１Ａの回転を減速するための減速機（図示せず）や駆動モータ８１Ｂの回転情報を検知するためのエンコーダ（図示せず）を含んでいてもよい。
第１駆動源８１の回転軸８１Ａは、駆動モータ８１Ｂによって支持されている。回転軸８１Ａは、第１側板８４Ｂに設けられた挿通孔に挿通されており、回転軸８１Ａの先端は、底板８４Ａの上方に位置している。駆動モータ８１Ｂは、その長手方向（回転軸８１Ａが延びる方向でもある）が水平に向くように、例えば複数のねじによって第１側板８４Ｂに固定されている。それにより、駆動モータ８１Ｂは、その全体がベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に位置している。
第１案内機構８６は、チャンバ３に固定された第１ガイド部材８７を含む。詳しくは、第１ガイド部材８７は、チャンバ３のベース板３０に固定されたブラケット８４の第２側板８４Ｃの上端部に固定されている。図５に示すように、第１ガイド部材８７には、第２側板８４Ｃ側とは反対側から第１ガイド部材８７を切り欠く凹部８７Ａが形成されている。凹部８７Ａを区画するように互いに対向する対向面８７Ｂのそれぞれには、上下方向Ｚに延びる凸リブ８７Ｃが形成されている。
第１昇降ヘッド８２は、この実施形態では、上下方向Ｚに延びる四角柱状である。第１昇降ヘッド８２は、第２側板８４Ｃに固定された第１ガイド部材８７に摺動可能に凹凸係合しており、第１ガイド部材８７を介してブラケット８４に支持されている。詳しくは、第１昇降ヘッド８２は、凹部８７Ａに嵌め込まれており、第１昇降ヘッド８２において第１ガイド部材８７の対向面８７Ｂと対向する面のそれぞれには、上下方向Ｚに延びる凹溝８２Ａが形成されている。一対の凹溝８２Ａには、一対の凸リブ８７Ｃがそれぞれ係合している。そのため、第１昇降ヘッド８２の上下動は、第１ガイド部材８７によって案内される。このように第１ガイド部材８７は、リニアブロックとして機能し、第１昇降ヘッド８２は、リニアガイドとして機能する。本実施形態とは異なり、第１ガイド部材８７に凹溝が形成されていて第１昇降ヘッド８２に凸部が形成されていて、これにより、第１昇降ヘッド８２が、第１ガイド部材８７に摺動可能に凹凸係合していてもよい。
連結部材８５は、第１昇降ヘッド８２の上端にねじ等により固定されている。連結部材８５は、排気桶６０の蓋部６０Ｃに下方から対向している。
第１回転伝達機構８３は、第１昇降ヘッド８２に形成された複数のラック歯８３Ａと、回転軸８１Ａの回転が伝達されラック歯８３Ａに噛合した複数のピニオン歯８３Ｂとを含む。複数のラック歯８３Ａは、第１昇降ヘッド８２において第２側板８４Ｃ側の面とは反対側の面に上下に並んでいる。各ラック歯８３Ａは、略水平に延びる歯筋を有する。複数のピニオン歯８３Ｂは、回転軸８１Ａの周方向に並んで回転軸８１Ａの先端に形成されている。ピニオン歯８３Ｂは、第２側板８４Ｃとは反対側からラック歯８３Ａと対向している。ピニオン歯８３Ｂは、上下方向Ｚにおける位置が少なくとも部分的に第１ガイド部材８７と重なっている。ピニオン歯８３Ｂは、ラック歯８３Ａと噛合可能な状態で、ブラケット８４に固定されたケース８３Ｃによって覆われていてもよい（図４参照）。
第１規制機構８８は、第１昇降ヘッド８２の可動範囲Ｅの下端位置を規制する下端位置規制部材としての底板８４Ａと、第１昇降ヘッド８２の可動範囲Ｅの上端位置を規制する上端位置規制部材としての蓋部６０Ｃとを含む。第１昇降ヘッド８２の可動範囲Ｅの下端位置は、第１昇降ヘッド８２が下降し、その下端が底板８４Ａと当接するときの第１昇降ヘッド８２の下端の位置（図３の紙面下側に二点鎖線で示す位置）である。第１昇降ヘッド８２の可動範囲Ｅの上端位置は、第１昇降ヘッド８２が上昇し、その上端に連結された連結部材８５が排気桶６０の蓋部６０Ｃに当接するときの第１昇降ヘッド８２の上端の位置（図３の紙面上側に二点鎖線で示す位置）である。
下端位置規制部である底板８４Ａの上面は、ベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に位置している。それにより、第１昇降ヘッド８２の可動範囲Ｅの下端位置は、ベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に位置している。したがって、第１昇降ヘッド８２の可動範囲Ｅ全体は、ベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に位置している。第１駆動源８１は、上下方向Ｚに第１昇降ヘッド８２と並んで配置されているのではなく、第１昇降ヘッド８２の可動範囲Ｅの側方に全体が配置されている。
次に、ガード昇降駆動機構６７〜６９の動作について説明する。
第１駆動源８１の駆動モータ８１Ｂが回転軸８１Ａを回転させると、回転軸８１Ａの先端のピニオン歯８３Ｂが回転する。ピニオン歯８３Ｂの回転は、ラック歯８３Ａを介して第１昇降ヘッド８２に伝達され、第１昇降ヘッド８２の上下方向Ｚの直線運動に変換される。これにより、第１昇降ヘッド８２が上下動される。このように、ラック歯８３Ａおよびピニオン歯８３Ｂは、回転軸８１Ａの回転を第１昇降ヘッド８２の上下動に変換する運動変換機構でもある。第１昇降ヘッド８２の上下動は、第１案内機構８６の第１ガイド部材８７によって案内される。
第３ガード昇降駆動機構６９では、第１昇降ヘッド８２の上下動に応じて第３ガード６６が昇降される。第３ガード昇降駆動機構６９では、第１駆動源８１の駆動モータ８１Ｂが回転軸８１Ａの回転を停止させると、ピニオン歯８３Ｂと噛み合うラック歯８３Ａの上下動が停止されるので、第３ガード６６の昇降が停止される。
同様に、第１ガード昇降駆動機構６７では、第１昇降ヘッド８２の上下動に応じて第１ガード６４が昇降される。第１ガード昇降駆動機構６７では、第１駆動源８１の駆動モータ８１Ｂが回転軸８１Ａの回転を停止させると、ピニオン歯８３Ｂと噛み合うラック歯８３Ａの上下動が停止されるので、第１ガード６４の昇降が停止される。
同様に、第２ガード昇降駆動機構６８では、第１昇降ヘッド８２の上下動に応じて第２ガード６５が昇降される。第２ガード昇降駆動機構６８では、第１駆動源８１の駆動モータ８１Ｂが回転軸８１Ａの回転を停止させると、ピニオン歯８３Ｂと噛み合うラック歯８３Ａの上下動が停止されるので、第２ガード６５の昇降が停止される。
図６を参照して、処理ユニット２は、複数のガード昇降駆動機構６７〜６９を収容し、複数のガード昇降駆動機構６７〜６９をチャンバ３内の収容空間Ａ内の雰囲気から離隔する第１離隔部材７０を含む。第１離隔部材７０は、ベース板３０の上面３０Ａに固定されたハウジング７３と、ハウジング７３と各ガード昇降駆動機構６７〜６９の連結部材８５との間に設けられ、上下に伸縮可能な複数のベローズ７４とを含む。
ハウジング７３は、複数のガード昇降駆動機構６７〜６９の第１駆動源８１と第１昇降ヘッド８２の下側部分とを収容する。
ベローズ７４は、例えばテフロン（登録商標）製である。複数のベローズ７４は、複数の第１昇降ヘッド８２の上側部分をそれぞれ収容する。複数のベローズ７４は、複数の第１昇降ヘッド８２の上下動に合わせて複数の連結部材８５が上下動する際に上下方向Ｚにそれぞれ伸縮する。
この構成によれば、第１〜第３ガード６４〜６６の昇降を駆動する第１〜第３ガード昇降駆動機構６７〜６９では、第１昇降ヘッド８２が可動範囲Ｅの最も下方に位置する場合であっても、第１駆動源８１および第１昇降ヘッド８２がベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に配置される。そのため、第１駆動源８１および第１昇降ヘッド８２がベース板３０の下面３０Ｂよりも下方に配置されている構成と比較して、上下方向Ｚにおける処理ユニット２の寸法を抑えることができる。これにより、複数の処理ユニット２を上下方向Ｚに近接して配置することができる。したがって、上下方向Ｚにおける基板処理システム１全体の寸法を抑えることもできるし、基板処理システム１に搭載できる処理ユニット２の数を増やすこともできる。
また、第１駆動源８１がチャンバ３の収容空間Ａに収容されているため、上下方向Ｚおよび水平方向に処理ユニット２の寸法を抑えることができる。
また、第１駆動源８１の全体が第１昇降ヘッド８２の可動範囲Ｅの側方に配置されているので、第１駆動源８１と第１昇降ヘッド８２とを水平方向に並べて配置することで上下方向Ｚにおける第１〜第３昇降駆動機構６７〜６９の寸法を抑えることができる。したがって、上下方向Ｚにおける処理ユニット２の寸法を一層抑えることができる。
また、水平に延びる回転軸８１Ａの回転を伝達することによって第１昇降ヘッド８２を上下動させることができるので、回転軸８１Ａの軸方向に長手の第１駆動源８１を用いる場合であっても上下方向Ｚにおける第１〜第３昇降駆動機構６７〜６９の寸法を抑えることができる。
また、互いに噛み合うラック歯８３Ａおよびピニオン歯８３Ｂを含む簡単な構成によって、第１昇降ヘッド８２の側方に配置された回転軸８１Ａの回転を第１昇降ヘッド８２に伝達することができる。したがって、第１駆動源８１の全体を第１昇降ヘッド８２の可動範囲Ｅの側方に配置しやすいので、上下方向Ｚにおける第１〜第３昇降駆動機構６７〜６９の寸法をより一層抑えることができる。
また、第１案内機構８６によって第１昇降ヘッド８２の上下動が案内されるので、第１昇降ヘッド８２を正確にかつ安定して上下動させることができる。そのため、第１昇降ヘッド８２と他の部材（ブラケット８４や第１駆動源８１等）との間の距離を縮めることができる。
また、第１昇降ヘッド８２と第１ガイド部材８７とを凹凸係合させた簡単な構成によって第１昇降ヘッド８２の上下動を案内することができるので、上下方向Ｚにおける第１〜第３昇降駆動機構６７〜６９の寸法をより一層抑えることができる。
また、第１離隔部材７０によって、第１〜第３昇降駆動機構６７〜６９がチャンバ３内の収容空間Ａ内の雰囲気から離隔されているので、収容空間Ａ内の雰囲気中に飛散する物質の量や種類にかかわらず、第１駆動源８１および第１昇降ヘッド８２をベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に配置することができる。
また、第１〜第３昇降駆動機構６７〜６９がノズルアーム５１の水平移動範囲の直下に配置されているので、ノズルアーム５１の下方のスペースを利用して、上下方向Ｚにおける処理ユニット２の寸法を抑えることができる。
次に、遮断板昇降駆動機構５４の構成について詳細に説明する。
図７は、図１のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った断面の模式図である。図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った断面の模式図である。
遮断板昇降駆動機構５４は、上下に延びる回転軸９１Ａを含む第２駆動源９１と、遮断板６の側方に配置され、所定の可動範囲Ｆで遮断板６とともに第２駆動源９１によって上下動される第２昇降ヘッド９２と、回転軸９１Ａの回転を第２昇降ヘッド９２に伝達することによって第２昇降ヘッド９２を上下動させる第２回転伝達機構９３とを含む。遮断板昇降駆動機構５４は、第２昇降ヘッド９２の上下動を案内する第２案内機構９６と、第２駆動源９１を支持する第１ブラケット９４と、第２昇降ヘッド９２を支持する第２ブラケット９５とをさらに含む。遮断板昇降駆動機構５４は、第２昇降ヘッド９２の上下動を所定の可動範囲Ｆに規制する第２規制機構９８をさらに含む。
第２駆動源９１は、収容空間Ａ内に配置されている。第２駆動源９１は、ベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に配置されている。第２駆動源９１は、上下に延びる回転軸９１Ａを回転する回転駆動源としての駆動モータ９１Ｂをさらに含む。駆動モータ９１Ｂは、略直方体のモータハウジングを含む。駆動モータ９１Ｂは、その長手方向が上下に向くように、ベース板３０の上面３０Ａから上方に延びる第１ブラケット９４によって固定されている。第２駆動源９１は、駆動モータ９１Ｂによる回転軸９１Ａの回転を減速するための減速機（図示せず）や駆動モータ９１Ｂの回転数を検知するためのエンコーダ（図示せず）を含んでいてもよい。
第２駆動源９１の回転軸９１Ａは、駆動モータ９１Ｂによって支持されている。回転軸９１Ａは、駆動モータ９１Ｂの下端から下方に延びている。回転軸９１Ａの先端は、ベース板３０の上方に位置している。
第２ブラケット９５は、ベース板３０の上面３０Ａから上方に延びる略角筒状である。第２ブラケット９５は、全体がベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に配置されている。
第２案内機構９６は、第２ブラケット９５に固定された一対の第２ガイド部材９７を含む。一対の第２ガイド部材９７のそれぞれは、第２ブラケット９５の上端から上方に延びる板状であり、一対の第２ガイド部材９７は互いに対向している。一対の第２ガイド部材９７には、互いに近づくように突出した凸リブ９７Ａがそれぞれ形成されている。凸リブ９７Ａは、上下方向Ｚに延びる筋状である。
第２昇降ヘッド９２は、上下方向Ｚに延びる四角柱状であり、第２駆動源９１の側方に配置されている。第２昇降ヘッド９２には、第２駆動源９１側とは反対側から第２駆動源９１側に第２昇降ヘッド９２を切り欠く凹部９２Ａが形成されている。第２昇降ヘッド９２は、凹部９２Ａを下方から区画する下板部９２Ｂと、凹部９２Ａを上方から区画する上板部９２Ｃとを有する。
第２昇降ヘッド９２は、第２ブラケット９５に固定された一対の第２ガイド部材９７によって摺動可能に凹凸係合しており、一対の第２ガイド部材９７を介して第２ブラケット９５に支持されている。詳しくは、第２昇降ヘッド９２は、第２ブラケット９５の第２駆動源９１側の面の両側方の面に連結され、第２ガイド部材９７に係合される一対の係合部材９９を含む。各係合部材９９には、上下方向Ｚに延びる凹溝９９Ａが形成されている。一対の凹溝９９Ａのそれぞれには、凸リブ９７Ａが係合している。本実施形態とは異なり、係合部材９９に凸部が形成されていて第２ガイド部材９７に凹溝が形成されていて、これにより、第２昇降ヘッド９２が、第２ガイド部材９７に摺動可能に凹凸係合していてもよい。
第２回転伝達機構９３は、上下に延びるねじ軸９３Ａと、回転軸９１Ａの回転をねじ軸９３Ａに伝達する伝達ベルト９３Ｂと、第２昇降ヘッド９２に固定されねじ軸９３Ａと螺合したナット９３Ｃとを含む。
ねじ軸９３Ａは、例えば、軸受９３Ｄを介して第２ブラケット９５に回転可能に支持されている。ねじ軸９３Ａは、下板部９２Ｂに設けられた挿通孔に挿通されており、その先端は、第２昇降ヘッド９２の凹部９２Ａ内に位置している。伝達ベルト９３Ｂは、回転軸９１Ａの下端とねじ軸９３Ａの下端に取り付けられたプーリー９３Ｅとに掛け渡されている。ナット９３Ｃは、凹部９２Ａ内に収容されており、下板部９２Ｂにねじ等により固定されている。
第２規制機構９８は、チャンバ３に固定された被当接部材９８Ａと、第２昇降ヘッド９２に固定され、被当接部材９８Ａに上方から対向する第１当接部材９８Ｂと、第２昇降ヘッド９２に固定され被当接部材９８Ａに下方から対向する第２当接部材９８Ｃとを含む。被当接部材９８Ａは、例えば、第２ブラケット９５の上端に固定されている。
第２昇降ヘッド９２の可動範囲Ｆの下端位置は、被当接部材９８Ａと第１当接部材９８Ｂとが当接するときの第２昇降ヘッド９２の下端の位置である（図７に二点鎖線で示す第２昇降ヘッド９２を参照）。第２昇降ヘッド９２の可動範囲Ｆの上端位置は、被当接部材９８Ａと第２当接部材９８Ｃとが当接するときの第２昇降ヘッド９２の上端の位置である（図７に実線で示す第２昇降ヘッド９２を参照）。第２駆動源９１は、上下方向Ｚに第２昇降ヘッド９２と並んで配置されているのではなく、第２昇降ヘッド９２の可動範囲Ｆの側方に全体が配置されている。
次に、遮断板昇降駆動機構５４の動作について説明する。
第２駆動源９１の駆動モータ９１Ｂが回転軸９１Ａを回転させると、伝達ベルト９３Ｂが回転軸９１Ａおよびプーリー９３Ｅの周りを回転し、プーリー９３Ｅを介してねじ軸９３Ａを回転させる。回転軸９１Ａの回転は、ねじ軸９３Ａに螺合するナット９３Ｃが固定された第２昇降ヘッド９２の上下方向Ｚの直線運動に変換される。これにより、第２昇降ヘッド９２が上下動される。第２昇降ヘッド９２は、一対の第２ガイド部材９７に摺動可能に凹凸係合しているため、第２昇降ヘッド９２は、回転することなく、一対の第２ガイド部材９７によって上下方向Ｚに案内される。
第２駆動源９１の駆動モータ９１Ｂが回転軸９１Ａの回転を停止させると、ねじ軸９３Ａと螺合するナット９３Ｃの上下動は停止されるので、遮断板６（図２参照）の昇降が停止される。
処理ユニット２は、遮断板昇降駆動機構５４を収容し、遮断板昇降駆動機構５４をチャンバ３の収容空間Ａ内の雰囲気から離隔する第２離隔部材７５をさらに含む。第２離隔部材７５は、ベース板３０の上面３０Ａに固定されたハウジング７６と、ハウジング７６と遮断板支持部材５３との間に設けられ、上下に伸縮可能なベローズ７７とを含む。
ハウジング７６は、第２駆動源９１と第２昇降ヘッド９２の下側部分とを収容する。ベローズ７７は、例えばテフロン製である。ベローズ７７は、第２昇降ヘッド９２の上側部分を収容する。ベローズ７７は、第２昇降ヘッド９２の上下動に合わせて遮断板支持部材５３が上下動する際に上下方向Ｚに伸縮する。
処理ユニット２は、複数の配線５６を介して遮断板６に電気的に連結され、上下に伸縮可能なコイル状の複数の配線７８と、遮断板６とともに昇降し、複数の配線７８の伸縮をガイドする配線ガイド７９とを含む。複数の配線７８および配線ガイド７９は、ベローズ７７内に収容されている。複数の配線７８は、配線５６と同数設けられており、各配線７８には、配線５６が一本ずつ接続されている。複数の配線７８は、全体として上下方向Ｚに延びる筒状を形成しており、上下方向Ｚに延びる円筒状の空間７８Ａを区画している。配線ガイド７９は、遮断板支持部材５３から下方に延びる軸状である。配線ガイド７９は、コイル状の複数の配線７８によって区画される円筒状の空間７８Ａに挿通されている。
第２昇降ヘッド９２とともに遮断板６が下降する際、コイル状の配線７８は、空間７８Ａを下降する配線ガイド７９によってガイドされながら上下方向Ｚにピッチを縮めることで上下方向Ｚに収縮する。逆に、第２昇降ヘッド９２とともに遮断板６が上昇する際、コイル状の配線７８は、空間７８Ａを上昇する配線ガイド７９によってガイドされながら上下方向Ｚにピッチを広げることで上下方向Ｚに伸長する。
この構成によれば、遮断板６の昇降を駆動する遮断板昇降駆動機構５４では、第２昇降ヘッド９２が可動範囲Ｆの最も下方に位置する場合であっても、第２駆動源９１および第２昇降ヘッド９２がベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に配置される。そのため、第２駆動源９１および第２昇降ヘッド９２がベース板３０の下面３０Ｂよりも下方に配置されている構成と比較して、上下方向Ｚにおける処理ユニット２の寸法を抑えることができる。これにより、複数の処理ユニット２を上下方向Ｚに近接して配置することができる。したがって、上下方向Ｚにおける基板処理システム１全体の寸法を抑えることもできるし、基板処理システム１に搭載できる処理ユニット２の数を増やすこともできる。
また、第２駆動源９１がチャンバ３の収容空間Ａに収容されているため、上下方向Ｚおよび水平方向に処理ユニット２の寸法を抑えることができる。
また、第２駆動源９１の全体が第２昇降ヘッド９２の可動範囲Ｆの側方に配置されているので、第２駆動源９１と第２昇降ヘッド９２とを水平方向に並べて配置することで上下方向Ｚにおける遮断板昇降駆動機構５４の寸法を抑えることができる。したがって、上下方向Ｚにおける処理ユニット２の寸法を一層抑えることができる
また、上下に延びる回転軸９１Ａの回転を伝達することによって第２昇降ヘッド９２を上下動させることができるので、回転軸９１Ａの軸方向を上下に向けて第２駆動源９１を配置しつつ、上下方向Ｚにおける遮断板昇降駆動機構５４の寸法を抑えることができる。
また、ねじ軸９３Ａおよびこれに螺合したナット９３Ｃを含む簡単な構成の第２回転伝達機構９３によって回転軸９１Ａの回転を第２昇降ヘッド９２に伝達することができるので、上下方向Ｚにおける遮断板昇降駆動機構５４の寸法をより一層抑えることができる。
また、第２案内機構９６によって第２昇降ヘッド９２の上下動が案内されるので、第２昇降ヘッド９２を正確にかつ安定して上下動させることができる。そのため、第２昇降ヘッド９２と他の部材（第２駆動源９１や第２ブラケット９５等）との間の距離を縮めることができる。
また、第２昇降ヘッド９２と第２ガイド部材９７とを凹凸係合させた簡単な構成によって第２昇降ヘッド９２の上下動を案内することができるので、上下方向Ｚにおける遮断板昇降駆動機構５４の寸法をより一層抑えることができる。
また、第２離隔部材７５によって、遮断板昇降駆動機構５４がチャンバ３内の収容空間Ａ内の雰囲気から離隔されているので、チャンバ３の収容空間Ａ内の雰囲気中に飛散する物質の量や種類にかかわらず、第２駆動源９１および第２昇降ヘッド９２をベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に配置することができる。
また、コイル状の配線７８は、遮断板６に連結され上下に伸縮可能である。そのため、上下方向Ｚにおけるコイル状の配線７８の寸法は、遮断板６の昇降に合わせて調整される。したがって、配線７８を用いることによって、遮断板６を昇降させる際に上下に伸縮せずに下方に垂らしたＵ字状の部分を上下動させて上下方向Ｚにおける寸法を調整するように構成された配線（コイル状でない配線）と比較して、必要なスペースを上下方向Ｚに小さくすることができる。
配線ガイド７９によってコイル状の配線７８の伸縮を案内できるので、コイル状の配線７８が倒れたり配線７８の一部が水平方向にはみ出したりして配線７８がベローズ７７に接触することに起因するベローズ７７の損傷を防止することができる。換言すれば、配線７９の伸縮のためにベローズ７７内に大きな空間を確保する必要がないので、ベローズ７７を小さくすることができ、それによって、チャンバ３内の収容スペースを圧迫することなく、遮断板昇降駆動機構５４および配線７９をチャンバ３内に配置できる。
また、遮断板昇降駆動機構５４は、ノズルアーム５１の水平移動範囲の直下に配置されているので、ノズルアーム５１の下方のスペースを利用して、上下方向Ｚにおける基板処理システム１の寸法を抑えることができる。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
例えば、遮断板昇降駆動機構５４は、ガード昇降駆動機構６７〜６９と同様の構成を有していてもよい。すなわち、遮断板昇降駆動機構５４の第２駆動源９１が、水平に延びる回転軸９１Ａを回転する駆動モータ９１Ｂを含んでおり、遮断板昇降駆動機構５４の第２回転伝達機構９３が、第２昇降ヘッド９２に形成され上下に並ぶ複数のラック歯と回転軸９１Ａの先端に設けられ当該ラック歯と噛み合うピニオン歯とを含む構成であってもよい。
逆に、ガード昇降駆動機構６７〜６９の第１駆動源８１が、上下に延びる回転軸８１Ａを回転する駆動モータ８１Ｂを含んでおり、ガード昇降駆動機構６７〜６９の第１回転伝達機構８３が、回転軸８１Ａの回転が伝達され上下に延びるねじ軸と、第１昇降ヘッド８２に固定され当該ねじ軸と螺合したナットとを含む構成であってもよい。
また、本実施形態のガード昇降駆動機構６７〜６９について、ブラケット８４の底板８４Ａの一部がベース板３０の下面３０Ｂの下方に位置している形態について説明した。しかし、ガード昇降駆動機構６７〜６９は、その全体がベース板３０の下面３０Ｂの上方に位置していてもよいし、その全体が収容空間Ａに収容されていてもよい。さらに、ガード昇降駆動機構６７〜６９について、少なくとも第１駆動源８１と第１昇降ヘッド８２の可動範囲Ｅとがベース板３０の下面３０Ｂよりも上方に配置されていればよく、第１駆動源８１が収容空間Ａに収容されておらずチャンバ３の側方に配置されている形態も可能である。
また、本実施形態の遮断板昇降駆動機構５４は、その全体が収容空間Ａに収容されている形態について説明した。しかし、遮断板昇降駆動機構５４の全体が収容空間Ａに収容されていない形態も有り得る。すなわち、第２駆動源９１と第２昇降ヘッド９２の可動範囲Ｆとがベース板３０の下面３０Ｂの上方に位置していれば、第２駆動源９１が収容空間Ａに収容されておらずチャンバ３の側方に配置されている形態も可能である。また、第１ブラケット９４や第２ブラケット９５の一部がベース板３０の下面３０Ｂよりも下方に位置していてもよい。
また、昇降駆動機構は、ガード６４〜６６や遮断板６の昇降を駆動するものに限られず、カップ６１，６２や、ノズル４１，４２，４３等のチャンバ３の収容空間Ａ内で昇降するあらゆる部材に適用できる。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
２ 処理ユニット（基板処理装置）
３ チャンバ
５ スピンチャック（基板保持機構）
６ 遮断板（昇降部材）
３０ ベース板
３０Ａ （ベース板の）上面
３０Ｂ （ベース板の）下面
４１ 第１ノズル（流体供給ノズル）
４２ 第２ノズル（流体供給ノズル）
４３ 第３ノズル（流体供給ノズル）
５１ ノズルアーム
５４ 遮断板昇降駆動機構（昇降駆動機構）
６４ 第１ガード（昇降部材）
６５ 第２ガード（昇降部材）
６６ 第３ガード（昇降部材）
６７ 第１ガード昇降駆動機構（昇降駆動機構）
６８ 第２ガード昇降駆動機構（昇降駆動機構）
６９ 第３ガード昇降駆動機構（昇降駆動機構）
７０ 第１離隔部材
７５ 第２離隔部材
７６ ベローズ
７８ 配線
７９ 配線ガイド
８１ 第１駆動源
８１Ａ 回転軸
８１Ｂ 駆動モータ（回転駆動源）
８２ 第１昇降ヘッド
８３ 第１回転伝達機構
８３Ａ ラック歯
８３Ｂ ピニオン歯
８６ 第１案内機構
８７ 第１ガイド部材
９１ 第２駆動源
９１Ａ 回転軸
９１Ｂ 駆動モータ（回転駆動源）
９２ 第２昇降ヘッド
９３ 第２回転伝達機構
９３Ａ ねじ軸
９３Ｃ ナット
９６ 第２案内機構
９７ 第２ガイド部材
Ａ 収容空間
Ｅ 可動範囲
Ｆ 可動範囲
Ｗ 基板

Claims (14)

  1. 収容空間の下方を区画する上面を有するベース板を備えたチャンバと、
    前記チャンバの収容空間に収容され、前記ベース板の上面に載置され、基板を保持する基板保持機構と、
    前記チャンバの収容空間内で昇降可能な昇降部材と、
    前記昇降部材の昇降を駆動する昇降駆動機構と、を含み、
    前記昇降駆動機構は、前記ベース板の下面よりも上方に配置された駆動源と、前記昇降部材に連結され、前記ベース板の下面よりも上方に全体が位置する可動範囲で前記駆動源によって上下動される昇降ヘッドとを含む、基板処理装置。
  2. 前記駆動源が前記チャンバの収容空間内に収容されている、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記駆動源は、前記昇降ヘッドの可動範囲の側方に全体が配置されている、請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 前記駆動源は、水平に延びる回転軸を回転する回転駆動源を含み、
    前記昇降駆動機構は、前記回転軸の回転を前記昇降ヘッドに伝達することによって前記昇降ヘッドを上下動させる回転伝達機構を含む、請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記回転伝達機構は、前記昇降ヘッドに固定され上下に並ぶ複数のラック歯と、前記回転軸の回転が伝達され前記ラック歯に噛合したピニオン歯とを含む、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記駆動源は、上下に延びる回転軸を回転する回転駆動源を含み、
    前記昇降駆動機構は、前記回転軸の回転を前記昇降ヘッドに伝達することによって前記昇降ヘッドを上下動させる回転伝達機構を含む、請求項３に記載の基板処理装置。
  7. 前記回転伝達機構は、前記回転軸の回転が伝達され上下に延びるねじ軸と、前記昇降ヘッドに固定され前記ねじ軸と螺合したナットとを含む、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記昇降駆動機構は、前記昇降ヘッドの上下動を案内する案内機構を含む、請求項１〜７の何れか一項に記載の基板処理装置。
  9. 前記案内機構は、前記チャンバに固定され前記昇降ヘッドに対して摺動可能に凹凸係合するガイド部材を含む、請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記昇降部材は、前記基板保持機構を取り囲むガードを含み、
    前記昇降駆動機構は、前記ガードを昇降させるガード昇降駆動機構を含む、請求項１〜９の何れか一項に記載の基板処理装置。
  11. 前記昇降部材は、前記基板保持機構に保持された基板の上面に対向する遮断板を含み、
    前記昇降駆動機構は、前記遮断板を昇降させる遮断板昇降駆動機構を含む、請求項１〜１０の何れか一項に記載の基板処理装置。
  12. 前記昇降駆動機構を前記チャンバの収容空間内の雰囲気から離隔する離隔部材を含む、請求項１〜１１の何れか一項に記載の基板処理装置。
  13. 前記遮断板に連結され、上下に伸縮可能なコイル状の配線と、
    前記遮断板とともに昇降し、前記配線の伸縮をガイドする配線ガイドと、
    前記遮断板昇降駆動機構を前記チャンバの収容空間内の雰囲気から離隔する離隔部材とを含み、
    前記離隔部材は、上下に伸縮可能であり、前記配線および前記配線ガイドを収容するベローズを含む、請求項１１に記載の基板処理装置。
  14. 前記基板保持機構に保持された基板に流体を供給する流体供給ノズルと、
    前記流体供給ノズルを水平に移動させるノズルアームとを含み、
    前記昇降駆動機構は、前記ノズルアームの水平移動範囲の直下に配置されている、請求項１〜１３の何れか一項に記載の基板処理装置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
CN110164797A (zh) * 2019-05-27 2019-08-23 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 晶圆脱水装置及设备
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2522008B2 (ja) 1988-03-31 1996-08-07 三菱マテリアル株式会社 トランスファ―成形用タブレット供給装置
WO2002014708A2 (de) * 2000-08-17 2002-02-21 Knorr-Bremse Systeme für Nutzfahrzeuge GmbH Scheibenbremse mit einer nachstell-einrichtung auf jeder seite der bremsscheibe
JP2002177856A (ja) 2000-12-15 2002-06-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4074814B2 (ja) * 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US7018555B2 (en) * 2002-07-26 2006-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP4494840B2 (ja) 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
US7614222B2 (en) * 2005-07-29 2009-11-10 Delphi Technologies, Inc. System and method for directing fluid flow
JP4890067B2 (ja) * 2006-03-28 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板搬送方法
JP2009124041A (ja) 2007-11-16 2009-06-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20110049100A1 (en) * 2008-01-16 2011-03-03 Charm Engineering Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
JP2009188168A (ja) 2008-02-06 2009-08-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および該装置の制御方法
JP5312856B2 (ja) 2008-06-27 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20100011165A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Cache management systems and methods
US8317450B2 (en) * 2008-10-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Tactile wafer lifter and methods for operating the same
US8099752B2 (en) * 2008-12-03 2012-01-17 Sony Corporation Non-real time services
JP5641556B2 (ja) * 2009-09-30 2014-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2011135009A (ja) 2009-12-25 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
JP5701068B2 (ja) 2011-01-06 2015-04-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
TWI480937B (zh) 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP2013051265A (ja) 2011-08-30 2013-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 昇降ユニットおよび基板処理装置
CA2904104C (en) * 2013-03-13 2017-11-28 Howden Thomassen Compressors Bv Horizontal piston compressor
KR101579507B1 (ko) 2013-05-08 2015-12-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
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