TW201740488A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

一種基板處理裝置，係包含：腔室、基板保持單元、升降構件及升降驅動單元。腔室係具備具有用以劃分收容空間的上表面的基座板。基板保持單元係收容於收容空間，且載置於基座板之上表面，用以保持基板。升降構件係在收容空間內進行升降。升降驅動單元係驅動升降構件之升降。升降驅動單元係包含：驅動源，其配置於比基座板之下表面更上方；以及升降頭，其連結於防護罩，且在整體位於比基座板之下表面更上方的可動範圍內藉由驅動源而上下移動。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種用液體來處理基板的基板處理裝置。成為處理對象的基板包含例如半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器(plasma display)用基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等的基板。
在逐片處理基板的單片式之基板處理裝置中，係在腔室(chamber)內進行藉由藥液或沖洗液(rinse liquid)等之處理液所為的基板之處理。在腔室內係設置有用以保持基板的旋轉夾盤(spin chuck)或使旋轉夾盤旋轉的馬達。在腔室內，除了旋轉夾盤或馬達以外，有時還設置有用以包圍旋轉夾盤的複數個防護罩(guard)、或與由旋轉夾盤所保持之基板對向的阻斷板(blocking plate)。
防護罩係將在用處理液來處理基板時從基板飛散掉的處理液依處理液之每一種類來分開接住。為了切換依處理 液之種類而接住的防護罩，有必要使複數個防護罩進行升降。又，在不需要防護罩時，有必要使防護罩下降至比基板更下方。
阻斷板係在從基板排除處理液時從周圍阻斷基板之上表面附近的氛圍。在對基板供給處理液時，係有必要藉由使阻斷板上升，來使阻斷板從基板之上表面附近退避。在使基板乾燥時，係有必要使阻斷板下降，來使阻斷板接近基板之上表面附近。
如此，在基板處理裝置係設置有用以使阻斷板或防護罩等之構件升降的單元(unit)。
例如，日本特開2013-51265號公報之基板處理裝置，係具備用以使包圍旋轉夾盤的杯體(cup)升降的升降單元。升降單元係包含：軸(shaft)，其連結於杯體之底部；滾珠螺桿螺帽(ball screw nut)，其螺合於軸；以及伺服馬達(servo motor)，用以使滾珠螺桿螺帽旋轉。藉由滾珠螺桿螺帽之旋轉來使軸朝向上下移動。藉此，杯體會升降。
在日本特開2013-51265號公報之基板處理裝置中，伺服馬達及軸之下端係位於比基座(base)更下方。為此，恐有基板處理裝置在上下方向變大之虞。特別是在積層配置複 數個基板處理裝置(單元)的情況下，上下方向的整體之尺寸會顯著變大。
於是，本發明之一目的係在於提供一種具備用以驅動升降構件之升降的升降驅動單元並且能抑制上下方向之尺寸的基板處理裝置。
本發明係提供一種基板處理裝置，其包含：腔室，其具備具有用以劃分收容空間之下方的上表面的基座板；基板保持單元，其收容於前述腔室之收容空間，且載置於前述基座板之上表面，用以保持基板；升降構件，其在前述腔室之收容空間內進行升降；以及升降驅動單元，用以驅動前述升降構件之升降。前述升降驅動單元係包含：驅動源，其配置於比前述基座板之下表面更上方；以及升降頭，其連結於前述升降構件，且在整體位於比前述基座板之下表面更上方的可動範圍內藉由前述驅動源而上下移動。
依據該構成，升降驅動單元係驅動升降構件之升降。在升降驅動單元中，即便是在升降頭位於可動範圍之最下方的情況下，驅動源及升降頭仍是配置於比基座板之下表面更上方。為此，與驅動源及升降頭被配置於比基座板之下表面更下方的情況相較，可以更進一步抑制上下方向的基板處理裝置之尺寸。
在本發明之一實施形態中，前述驅動源係收容於前述腔室之收容空間內。依據該構成，驅動源能收容於腔室之收容空間。為此，可以抑制上下方向及水平方向的基板處理裝置之尺寸。
在本發明之一實施形態中，前述驅動源係整體配置於前述升降頭之可動範圍的側方。依據該構成，驅動源之整體能配置於升降頭之可動範圍的側方。為此，可以抑制上下方向的升降驅動單元之尺寸。從而，可以更加抑制上下方向的基板處理裝置之尺寸。
在本發明之一實施形態中，前述驅動源係包含：旋轉驅動源，用以使水平延伸的旋轉軸旋轉；前述升降驅動單元係包含：旋轉傳遞單元，其藉由將前述旋轉軸之旋轉傳遞至前述升降頭來使前述升降頭上下移動。依據該構成，可以藉由將水平延伸的旋轉軸之旋轉傳遞至升降頭來使升降頭上下移動。為此，即便是在使用在旋轉軸之軸向較長的驅動源的情況下，仍可以抑制上下方向的升降驅動單元之尺寸。
在本發明之一實施形態中，前述旋轉傳遞單元係包含：複數個齒條齒(rack teeth)，其固定於前述升降頭且上下排列；以及小齒輪齒(pinion teeth)，其能傳遞前述旋轉軸之旋轉且嚙合於前述齒條齒。依據該構成，可以藉由包含 互為嚙合的齒條齒及小齒輪齒的簡單之構成，來將配置於升降頭之側方的旋轉軸之旋轉傳遞至升降頭。從而，容易將驅動源之整體配置於升降頭之可動範圍的側方。因而，可以更進一步抑制上下方向的升降驅動單元之尺寸。
在本發明之一實施形態中，前述驅動源係包含：旋轉驅動源，用以使上下延伸的旋轉軸旋轉。前述升降驅動單元係包含：旋轉傳遞單元，其藉由將前述旋轉軸之旋轉傳遞至前述升降頭來使前述升降頭上下移動。依據該構成，可以藉由將上下延伸的旋轉軸之旋轉傳遞至升降頭來使升降頭上下移動。為此，可以將旋轉軸之軸向朝向上下來配置驅動源，並且抑制上下方向的升降驅動單元之尺寸。
在本發明之一實施形態中，前述旋轉傳遞單元係包含：螺桿軸，其能傳遞前述旋轉軸之旋轉且上下延伸；以及螺帽，其固定於前述升降頭且與前述螺桿軸螺合。依據該構成，可以藉由包含螺桿軸及螺合於該螺桿軸的螺帽的簡單之構成，來將旋轉軸之旋轉傳遞至升降頭。為此，可以更進一步抑制上下方向的升降驅動單元之尺寸。
在本發明之一實施形態中，前述升降驅動單元係包含：導引單元，用以導引前述升降頭之上下移動。依據該構成，能藉由導引單元來導引升降頭之上下移動。為此， 可以使升降頭正確且穩定地上下移動。為此，可以縮短升降頭與其他構件之間的距離。
在本發明之一實施形態中，前述導引單元係包含：導引構件，其固定於前述腔室且成能夠滑動地凹凸卡合於前述升降頭。依據該構成，可以藉由使升降頭和導引構件凹凸卡合的簡單之構成來導引升降頭之上下移動。為此，可以更進一步抑制上下方向的升降驅動單元之尺寸。
在本發明之一實施形態中，前述升降構件係包含：用以包圍前述基板保持單元的防護罩。前述升降驅動單元係包含：用以使前述防護罩進行升降的防護罩升降驅動單元。依據該構成，即便是在基板處理裝置包含用以包圍基板保持單元的防護罩的情況下仍可以抑制上下方向的基板處理裝置之尺寸。
在本發明之一實施形態中，前述升降構件係包含：阻斷板，其與由前述基板保持單元所保持的基板之上表面對向。前述升降驅動單元係包含：用以使前述阻斷板進行升降的阻斷板升降驅動單元。依據該構成，即便是在基板處理裝置包含與基板之上表面對向的阻斷板的情況下，仍可以抑制上下方向的基板處理裝置之尺寸。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理裝置係更進一步包含：隔離構件，用以將前述升降驅動單元從前述腔室之收容空間內的氛圍中隔離。依據該構成，能藉由隔離構件來使升降驅動單元從腔室內之收容空間內的氛圍中隔離。為此，不論飛散至腔室之收容空間內之氛圍中的物質之量或種類，都可以將驅動源及升降頭配置於比基座板之下表面更上方。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理裝置係更進一步包含：螺旋狀之配線，其連結於前述阻斷板，且能夠上下伸縮；配線導件，其與前述阻斷板一起進行升降，且導引前述配線之伸縮；以及隔離構件，用以將前述阻斷板升降驅動單元從前述腔室之收容空間內的氛圍中隔離。前述隔離構件係包含：伸縮囊(bellows)，其能夠上下伸縮，且收容前述配線及前述配線導件。
依據該構成，螺旋狀之配線係連結於阻斷板且能夠上下伸縮。為此，上下方向的螺旋狀之配線的尺寸，係能配合阻斷板之升降來調整。從而，與使用以在使阻斷板進行升降時不上下伸縮，而是使朝向下方垂吊的U字狀之部分上下移動來調整上下方向之尺寸的方式所構成的配線的情況相較，亦即與使用非為螺旋狀之配線的情況相較，可以更進一步藉由使用螺旋狀之配線而在上下方向減小必要的空間。
又，可以藉由配線導件來導引螺旋狀之配線的伸縮。為此，可以防止螺旋狀之配線倒臥或配線之一部分朝向水平方向露出。藉此，可以防止因配線接觸伸縮囊所引起的伸縮囊之損傷。換言之，沒有必要為了配線之伸縮而在伸縮囊內確保較大的空間。為此，可以減小伸縮囊。藉此，可以不壓迫腔室內之收容空間，而將阻斷板用的升降驅動單元及配線配置於腔室內。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理裝置係更進一步包含：流體供給噴嘴，用以將流體供給至由前述基板保持單元所保持的基板；以及噴嘴臂(nozzle arm)，用以使前述流體供給噴嘴水平移動。前述升降驅動單元係配置於前述噴嘴臂之水平移動範圍的正下方。
依據該構成，升降驅動單元係配置於噴嘴臂之水平移動範圍的正下方。為此，可以利用噴嘴臂之下方的空間，來抑制上下方向的基板處理裝置之尺寸。
本發明中之上述目的、或更進一步的其他目的、特徵及功效，係能藉由參照所附圖式並如下所述的實施形態之說明而獲得明白。
1‧‧‧基板處理系統
2、2A、2B‧‧‧處理單元
3‧‧‧腔室
4‧‧‧FFU
5‧‧‧旋轉夾盤
6‧‧‧阻斷板
20‧‧‧夾持銷
21‧‧‧旋轉基座
22‧‧‧中心軸
23‧‧‧基板旋轉驅動單元
30‧‧‧基座板
30A‧‧‧上表面
30B‧‧‧下表面
31‧‧‧腳部
33‧‧‧側板
34‧‧‧頂板
35‧‧‧擋門
41‧‧‧第一噴嘴
42‧‧‧第二噴嘴
43‧‧‧第三噴嘴
44‧‧‧第一噴嘴移動單元
45‧‧‧第二噴嘴移動單元
46‧‧‧第三噴嘴移動單元
47至49‧‧‧處理液供給管
50‧‧‧轉動軸
51‧‧‧噴嘴臂
52‧‧‧旋轉軸驅動單元
53‧‧‧阻斷板支承構件
54‧‧‧阻斷板升降驅動單元
55‧‧‧阻斷板旋轉驅動單元
56‧‧‧配線
60‧‧‧排氣桶
60A‧‧‧筒狀部
60B‧‧‧突出部
60C‧‧‧蓋部
61‧‧‧第一杯體
62‧‧‧第二杯體
64‧‧‧第一防護罩
65‧‧‧第二防護罩
66‧‧‧第三防護罩
67‧‧‧第一防護罩升降驅動單元
68‧‧‧第二防護罩升降驅動單元
69‧‧‧第三防護罩升降驅動單元
70‧‧‧第一隔離構件
71‧‧‧導引部
72‧‧‧傾斜部
73、76‧‧‧外殼
74、77‧‧‧伸縮囊
75‧‧‧第二隔離構件
78‧‧‧配線
78A‧‧‧空間
79‧‧‧配線導件
81‧‧‧第一驅動源
81A、91A‧‧‧旋轉軸
81B‧‧‧驅動馬達
82‧‧‧第一升降頭
82A、99A‧‧‧凹槽
83‧‧‧第一旋轉傳遞單元
83A‧‧‧齒條齒
83B‧‧‧小齒輪齒
83C‧‧‧殼體
84‧‧‧支架
84A‧‧‧底板
84B‧‧‧第一側板
84C‧‧‧第二側板
84D‧‧‧第一固定部
84E‧‧‧第二固定部
84F‧‧‧螺栓
85‧‧‧連結構件
86‧‧‧第一導引單元
87‧‧‧第一導引構件
87A、92A‧‧‧凹部
87B‧‧‧對向面
87C、97A‧‧‧凸肋條
88‧‧‧第一限制單元
91‧‧‧第二驅動源
91B‧‧‧驅動馬達
92‧‧‧第二升降頭
92B‧‧‧下板部
92C‧‧‧上板部
93‧‧‧第二旋轉傳遞單元
93A‧‧‧螺桿軸
93B‧‧‧傳遞皮帶
93C‧‧‧螺帽
93D‧‧‧軸承
93E‧‧‧滑輪
94‧‧‧第一支架
95‧‧‧第二支架
96‧‧‧第二導引單元
97‧‧‧第二導引構件
98‧‧‧第二限制單元
98A‧‧‧被抵接構件
98B‧‧‧第一抵接構件
98C‧‧‧第二抵接構件
99‧‧‧卡合構件
A‧‧‧收容空間
C1‧‧‧旋轉軸線
E、F‧‧‧可動範圍
W‧‧‧基板
Z‧‧‧上下方向
圖1係用以說明本發明之一實施形態的基板處理系統中所具備的處理單元之構成例的示意俯視圖。
圖2係相當於沿著圖1之II-II線的剖視圖，且為用以說明前述處理單元之構成例的示意圖。
圖3係防護罩升降驅動單元之周邊的放大剖視圖。
圖4係防護罩升降驅動單元之周邊的立體圖。
圖5係沿著圖4之V-V面的剖面之示意圖。
圖6係沿著圖1之VI-VI線的剖面之示意圖。
圖7係沿著圖1之VII-VII線的剖面之示意圖。
圖8係沿著圖7之VIII-VIII線的剖面之示意圖。
圖1係用以說明本發明之一實施形態的基板處理系統1中所具備的處理單元2之構成例的示意俯視圖。處理單元2係包含於本發明之基板處理裝置中。圖2係相當於沿著圖1之II-II線的剖視圖，且為用以說明處理單元2之構成例的示意圖。
基板處理系統1係指逐片處理矽晶圓(silicon wafer)等之基板W的單片式之裝置。基板處理系統1係包含：複數個處理單元2；以及用以相對於複數個處理單元2之各個搬入/搬出基板W的搬運機器人(robot)(未圖示)。各處理單元2係用液體來處理基板W。在本實施形態中，複數個處理單元2係積層配置於上下方向Z。將從下方與圖2之紙面中央的處理單元2鄰接的處理單元稱為處理單元2A，將從上方與圖2之紙面中央的處理單元2鄰接的處理單元稱為處理單元2B。
以下，針對構成一個處理單元2的構件之構成、或構成一個處理單元2的構件彼此之位置關係加以說明。亦即，以下之說明，只要沒有特別說明，就不是說明構成某一處理單元2的構件和構成與該處理單元2不同的處理單元2(處理單元2A、2B等之其他的處理單元)的構件之位置關係。
處理單元2係包含：大致長方體之腔室3，其具備具有用以劃分收容空間A之下方的上表面30A的基座板30；以及旋轉夾盤5，用以保持基板W。旋轉夾盤5係包含於用以保持基板W的基板保持單元中。基板保持單元亦可稱為基板保持具(holder)。旋轉夾盤5係收容於腔室3之收容空間A，且載置於基座板30之上表面30A。
基座板30例如是鋁(aluminum)製造的板件(plate)。腔室3係包含：複數個(在本實施形態中為四個)側板33，其從基座板30朝向上方延伸，且從水平方向來劃分收容空間A；頂板34，其連結於複數個側板33且從上方來劃分收容空間A；以及擋門(shutter)35，其在藉由搬運機器人而取出和放入基板W時進行開閉。在擋門35係設置有將與基座板30、鄰接的側板33及頂板34之間予以密封的墊圈(gasket)(未圖示)。
在基座板30之下表面30B係安裝有腳部31。腳部31係指在處理單元2中位於最下方的零件。處理單元2係使腳部31抵接於與處理單元2之下方鄰接的處理單元2A的腔室3之頂板34並配置於處理單元2A之上方。
旋轉夾盤5係包含：複數個夾持銷(chuck pin)20，用以夾持基板W；旋轉基座(spin base)21，用以支承複數個夾持銷20且形成為沿著水平方向的圓盤形狀；中心軸22，其連結於旋轉基座21且繞通過基板W之中心的鉛直之旋轉軸線C1而旋轉；以及基板旋轉驅動單元23，用以使中心軸22繞旋轉軸線C1而旋轉。複數個夾持銷20係沿著圓周方向隔出間隔地配置於旋轉基座21之上表面的周緣部。基板旋轉驅動單元23例如是包含電動馬達，該電動馬達係載置於基座板30之上表面30A，且對中心軸22提供旋轉力， 藉此使夾持銷20、旋轉基座21及中心軸22繞旋轉軸線C1一體旋轉。
處理單元2係包含從腔室3之上方朝向其內部輸送潔淨空氣(clean air)(藉由過濾器所過濾的空氣)的FFU(Fan Filter unit；風扇過濾器單元)4。FFU4係安裝於頂板34。FFU4係包含：過濾器(未圖示)，用以過濾可供基板處理裝置1配置的無塵室(clean room)內之空氣；以及風扇(未圖示)，用以將過濾器所過濾後的空氣輸送至腔室3之收容空間A。FFU4亦可具備在其吹出口設置有複數個孔的衝孔板(punching plate)(未圖示)。藉此，可以防止收容空間A內產生空氣之渦流。
處理單元2係更進一步包含：複數個噴嘴41至43(第一噴嘴41、第二噴嘴42、第三噴嘴43)，用以對由旋轉夾盤5所保持的基板W之上表面供給處理液；以及複數個噴嘴移動單元44至46(第一噴嘴移動單元44、第二噴嘴移動單元45、第三噴嘴移動單元46)，用以使複數個噴嘴41至43分別移動。複數個噴嘴41至43及複數個噴嘴移動單元44至46係收容於腔室3之收容空間A。為了方便說明起見，雖然圖2有圖示第一噴嘴41，但是實際上第一噴嘴41並未出現在圖2所示之剖面中。第一噴嘴移動單元44係使第一噴嘴41移動。第二噴嘴移動單元45係使第二噴嘴42移動。第三噴嘴移動單元46係使第三噴嘴43移動。
供給至基板W的處理液係指用以處理基板W之表面的流體，例如包含氟酸等的藥液或去離子水(DIW；Deionized Water)等的沖洗液或異丙醇(Isopropyl Alcohol；IPA)等的有機溶劑。
藥液並不限於氟酸，亦可為含有硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如，檸檬酸(citric acid)、草酸鹽(oxalate)等)、有機鹼(alkali)(例如，TMAH：tetramethylammonium hydroxide；氫氧化四甲基銨)界面活性劑、防腐劑中之至少一個的液體。作為混合此等所得的藥液之例，係可列舉SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture；硫酸過氧化氫水混合液)、SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture；氨氣過氧化氫水混合液)等。
沖洗液並不被限於去離子水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水之其中任一種。
有機溶劑並不限於IPA，亦可為含有IPA、HFE(hydro fluoro ether；氫氟醚)、甲醇(methanole)、乙醇(ethanol)、丙酮(acetone)及反-1,2二氯乙烯(trans-1,2-dichloroethylene)中之至少一個的液體。又，有機溶劑並沒有必要僅由單體成分所組成，亦可為與其他的成分混合後的液體。例如，亦 可為IPA液與純水的混合液，或亦可為IPA液與HFE液的混合液。
各個第一噴嘴41、第二噴嘴42、第三噴嘴43係供給種類或濃度不同的處理液。在本實施形態中，第一噴嘴41係指對基板W之上表面供給氟酸的氟酸供給噴嘴。第二噴嘴42係指對基板W之上表面供給SPM的SPM供給噴嘴。第三噴嘴43係指對基板W之上表面供給DIW的DIW供給噴嘴。亦可以藉由DIW供給噴嘴來洗淨旋轉夾盤5之夾持銷20。藉此，可以防止基板W在連續處理時使夾持銷20受汙染。
從複數個噴嘴41至43供給至基板W的流體並不限於處理液，亦可為氮等的惰性氣體。
在各個第一噴嘴41、第二噴嘴42、第三噴嘴43係連結有從處理液之供給源延伸的各別之處理液供給管47至49。在複數個處理液供給管47至49之各個係夾設有用以開閉其流路的開閉閥(未圖示)。
各個第一噴嘴移動單元44、第二噴嘴移動單元45、第三噴嘴移動單元46，例如是包含：沿著鉛直方向的轉動軸50；連結於轉動軸50且水平延伸的噴嘴臂(nozzle arm)51；以及驅動轉動軸50之轉動的轉動軸驅動單元52。藉由轉 動軸驅動單元52使轉動軸50繞轉動軸50之中心軸線而轉動，噴嘴臂51就會與轉動軸50一起轉動。藉此，各個第一噴嘴41、第二噴嘴42、第三噴嘴43係在與基板W之上表面之中央對向的中央位置、和不與基板W之上表面及上下方向Z對向的退避位置之間移動。
處理單元2係更進一步包含：排氣桶60，其包圍旋轉夾盤5；複數個杯體(cup)61、62(第一杯體61及第二杯體62)，其配置於旋轉夾盤5與排氣桶60之間；以及複數個防護罩(guard)(第一防護罩64、第二防護罩65、第三防護罩66)，用以接住飛散至基板W之周圍的處理液。排氣桶60、複數個杯體61、62及複數個防護罩64至66係收容於收容空間A。
處理單元2係更進一步包含：用以分別驅動複數個防護罩64至66之升降的複數個防護罩升降驅動單元67至69(第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69)。在本實施形態中，各個第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69係在俯視觀察下以基板W之旋轉軸線C1為中心而成為點對稱的方式設置有一對。為此，複數個防護罩64至66係能分別穩定地升降。複數個升降驅動單元67至69係除了一部分以外其餘都收容於收容空間A。複數個升降驅動單元67至69係在收容空間 A內配置於複數個噴嘴41至43的噴嘴臂51之水平移動範圍的正下方。
複數個防護罩64至66係包含於能夠在收容空間A內升降的升降構件中。一對第一防護罩升降驅動單元67係包含於用以驅動作為升降構件的第一防護罩64之升降的升降驅動單元中。一對第二防護罩升降驅動單元68係包含於用以驅動作為升降構件的第二防護罩65之升降的升降驅動單元中。一對第三防護罩升降驅動單元69係包含於用以驅動作為升降構件的第三防護罩66之升降的升降驅動單元中。升降驅動單元亦稱為升降機(lifter)。
在本實施形態中，係分別各設置有一對第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69。但是，亦可與本實施形態不同，分別各設置有一個第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69。
排氣桶60係包含：圓筒狀之筒狀部60A；複數個(在本實施形態中為二個)突出部60B，其從筒狀部60A朝向筒狀部60A之徑向外方突出；以及複數個蓋部60C，其分別從上方覆蓋複數個突出部60B。複數個防護罩升降驅動單元67至69係在筒狀部60A之圓周方向位於與突出部60B相同的位置，且配置於比突出部60B更靠基板W之旋轉徑 向內側。詳言之，在圓周方向的與各突出部60B相同的位置係各配置有一組藉由第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68及第三防護罩升降驅動單元69所構成的群組。
各個第一杯體61、第二杯體62為圓筒狀。各個第一杯體61、第二杯體62係在比排氣桶60之筒狀部60A更靠基板W之旋轉徑向內側包圍旋轉夾盤5。第二杯體62係配置於比第一杯體61更靠基板W之旋轉徑向外側。第二杯體62例如是與第一防護罩64為一體，且與第一防護罩64一起升降。各個第一杯體61、第二杯體62係形成向上開設的環狀之溝槽。
在各個第一杯體61、第二杯體62之溝槽係連接有回收配管(未圖示)或廢液配管(未圖示)。被導入各個第一杯體61、第二杯體62之底部的處理液係通過回收配管或廢液配管而被回收或廢棄。
各個第一防護罩64、第二防護罩65、第三防護罩66為圓筒狀，且在比排氣桶60之筒狀部60A更靠基板W之旋轉徑向內側包圍旋轉夾盤5。各個第一防護罩64、第二防護罩65、第三防護罩66係包含：圓筒狀之導引部71，用以包圍旋轉夾盤5之周圍；以及筒狀之傾斜部72，其從導引部71之上端朝向中心側(接近基板W之旋轉軸線C1 的方向)往斜上方延伸。
三個導引部71係配置於同軸上。第二防護罩65之導引部71係配置於比第一防護罩64之導引部71更靠基板W之旋轉徑向外側。第三防護罩66之導引部71係配置於比第二防護罩65之導引部71更靠基板W之旋轉徑向外側。
各傾斜部72之上端部係構成防護罩64至66之內周緣，且具有比基板W及旋轉基座21更大的直徑。三個傾斜部72係上下重疊。
各個第一防護罩64、第二防護罩65、第三防護罩66，係能夠在各個第一防護罩64、第二防護罩65、第三防護罩66之傾斜部72的內周面對向於基板W之周端面的上位置、與整體位於比基板W更靠下側的下位置之間移動。對基板W的處理液之供給或基板W之乾燥係在第一防護罩64、第二防護罩65、第三防護罩66之其中任何一個位於上位置的狀態下進行。詳言之，藉由處理液所為的基板W之處理係在第一防護罩64及第二防護罩65之其中任何一個位於上位置的狀態下進行。在對基板W供給處理液時已飛散至基板W之周圍的處理液，係在第一防護罩64、第二防護罩65、第三防護罩66全部位於上位置時，藉由第一防護罩64來導引至第一杯體61，在第二防護罩65及第三防護罩66位於上位置且第一防護罩64位於下位置時，藉 由第二防護罩65來導引至第二杯體62。基板W之乾燥係在僅有最外側之第三防護罩66位於上位置的狀態下進行。
處理單元2係更進一步包含：阻斷板6，其隔出間隔地與由旋轉夾盤5所保持的基板W之上表面對向；以及阻斷板支承構件53，其連結於阻斷板6且水平延伸。處理單元2係更進一步包含：阻斷板升降驅動單元54，其透過阻斷板支承構件53而連結於阻斷板6，用以驅動阻斷板6之升降；以及阻斷板旋轉驅動單元55，用以使阻斷板6繞旋轉軸線C1而旋轉。阻斷板6、阻斷板支承構件53、阻斷板升降驅動單元54及阻斷板旋轉驅動單元55係收容於收容空間A。阻斷板6係包含於能夠在收容空間A進行升降的升降構件中。阻斷板升降驅動單元54係包含於用以驅動作為升降構件的阻斷板6之升降的升降驅動單元中。
阻斷板旋轉驅動單元55係包含已內建於阻斷板支承構件53之前端的電動馬達。在電動馬達係連結有已配設於阻斷板支承構件53內的複數個配線56。複數個配線56係包含：電源線(power line)，用以送電至該電動馬達；以及編碼器線(encoder line)，用以偵測阻斷板6之旋轉資訊。藉由偵測阻斷板6之旋轉資訊，就可以正確地控制阻斷板6之旋轉資訊。
其次，針對第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩 升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69之構成加以詳細說明。以下，除了做特別說明的情況以外，其餘因各個第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69之構成為相同，故而有關第一防護罩升降驅動單元67及第二防護罩升降驅動單元68之構成的詳細內容係省略其說明。
圖3係第三防護罩升降驅動單元69之周邊的放大剖視圖。圖3中係以虛線來圖示第一防護罩64及第一防護罩升降驅動單元67之一部分。圖3中係以一點鏈線來圖示第二防護罩65及第二防護罩升降驅動單元68之一部分。圖4係第三防護罩升降驅動單元69之周邊的立體圖。圖5係沿著圖4之V-V面的剖面之示意圖。圖6係沿著圖1之VI-VI線的剖面之示意圖。
第三防護罩升降驅動單元69係包含：第一驅動源81；以及第一升降頭82，其配置於第三防護罩66之側方，且在預定之可動範圍E與第三防護罩66一起藉由第一驅動源81而上下移動。第一驅動源81係包含水平延伸的旋轉軸81A。第三防護罩升降驅動單元69係更進一步包含：第一旋轉傳遞單元83，其藉由將旋轉軸81A之旋轉傳遞至第一升降頭82來使第一升降頭82上下移動。第三防護罩升降驅動單元69係更進一步包含：第一導引單元86，用以導引第一升降頭82之上下移動；支架(bracket)84，用以支承 第一驅動源81及第一升降頭82；以及連結構件85，用以連結第一升降頭82和第三防護罩66。第三防護罩升降驅動單元69係更進一步包含：第一限制單元88，用以將第一升降頭82之上下移動限制在預定之可動範圍E。
第一防護罩升降驅動單元67之第一升降頭82係配置於第一防護罩64之側方(參照圖1)，且透過連結構件85來與第一防護罩64連結。第一防護罩升降驅動單元67之第一升降頭82係能夠在預定之可動範圍E與第一防護罩64一起上下移動。
第二防護罩升降驅動單元68之第一升降頭82係配置於第二防護罩65之側方(參照圖1)，且透過連結構件85來與第二防護罩65連結。第二防護罩升降驅動單元68之第一升降頭82，係能夠在預定之可動範圍E與第二防護罩65一起上下移動。
支架84係包含：底板84A，其水平延伸；第一側板84B，其從底板84A之上表面朝向上方延伸；以及第二側板84C，其從底板84A之上表面朝向上方延伸，且連結於第一側板84B。
支架84係在已插通於基座板30上所形成的貫通孔之狀態下固定於基座板30。在第二側板84C係連結有朝向底 板84A側之相反側水平突出的第一固定部84D。在底板84A係透過段差而連結有已配置於比底板84A更上方的第二固定部84E。在第一固定部84D及第二固定部84E之各個係插通有螺栓(bolt)84F。藉此，支架84能固定於基座板30。
支架84係以其整體至少位於比腔室3的腳部31之下端更上方的方式所配置。底板84A係以其上表面位於比基座板30之下表面30B更上方的方式所配置。
第一驅動源81係收容於腔室3之收容空間A。第一驅動源81係配置於比基座板30之下表面30B更上方。
第一驅動源81係更進一步包含：作為旋轉驅動源的驅動馬達81B，用以使水平延伸的旋轉軸81A旋轉。驅動馬達81B係具有大致長方體的馬達外殼(motor housing)。第一驅動源81亦可包含用以使藉由驅動馬達81B所為的旋轉軸81A之旋轉減速的減速機(未圖示)或用以偵測驅動馬達81B之旋轉資訊的編碼器(未圖示)。
第一驅動源81之旋轉軸81A係藉由驅動馬達81B所支承。旋轉軸81A係插通於第一側板84B上所設置的插通孔。旋轉軸81A之前端係位於底板84A之上方。驅動馬達81B係以其長邊方向(亦為旋轉軸81A所延伸的方向)朝向水平的方式，例如藉由複數個螺釘來固定於第一側板 84B。藉此，驅動馬達81B係使其整體位於比基座板30之下表面30B更上方。
第一導引單元86係包含已固定於腔室3的第一導引構件87。詳言之，第一導引構件87係固定於在腔室3之基座板30上所固定的支架84之第二側板84C的上端部。如圖5所示，在第一導引構件87係從第二側板84C側之相反側形成有使第一導引構件87帶缺口的凹部87A。在以劃分凹部87A之方式相互地對向的對向面87B之各個係形成有沿著上下方向Z延伸的凸肋條87C。
在本實施形態中，第一升降頭82係沿著上下方向Z延伸的四角柱狀。第一升降頭82係能夠滑動地凹凸卡合於已固定在第二側板84C上的第一導引構件87，且透過第一導引構件87來支承於支架84。詳言之，第一升降頭82係嵌入凹部87A內。又，在第一升降頭82中與第一導引構件87之對向面87B對向的面之各個係形成有沿著上下方向Z延伸的凹槽82A。在一對凹槽82A係分別卡合一對凸肋條87C。因此，第一升降頭82之上下移動係能藉由第一導引構件87所導引。如此，第一導引構件87係具有作為線性滑塊(linear bloclk)的功能，第一升降頭82係具有作為線性導件(linear guide)的功能。亦可與本實施形態不同，在第一導引構件87形成有凹槽且在第一升降頭82形成有凸部。藉此，第一升降頭82就能夠滑動地凹凸卡合於第一導 引構件87。
連結構件85係藉由螺釘等而固定於第一升降頭82之上端。連結構件85係從下方來與排氣桶60之蓋部60C對向。
第一旋轉傳遞單元83係包含複數個齒條齒83A，其形成於第一升降頭82；以及複數個小齒輪齒83B，其能傳遞旋轉軸81A之旋轉且嚙合於齒條齒83A。複數個齒條齒83A係在第一升降頭82中上下排列於與第二側板84C側之面為相反側的面。各齒條齒83A係具有大致水平延伸的齒交線(tooth trace)。複數個小齒輪齒83B係形成於旋轉軸81A之前端。複數個小齒輪齒83B係排列於旋轉軸81A之圓周方向。小齒輪齒83B係從第二側板84C之相反側來與齒條齒83A對向。小齒輪齒83B係在上下方向Z的位置至少部分與第一導引構件87重疊。小齒輪齒83B亦可在能夠與齒條齒83A嚙合狀態下，藉由已固定於支架84上的殼體(case)83C所覆蓋(參照圖4)。
第一限制單元88係包含：作為下端位置限制構件的底板84A，用以限制第一升降頭82之可動範圍E的下端位置；以及作為上端位置限制構件的蓋部60C，用以限制第一升降頭82之可動範圍E的上端位置。第一升降頭82之可動範圍E的下端位置，係指第一升降頭82下降，且其下 端與底板84A抵接時的第一升降頭82之下端的位置(圖3之紙面下側的二點鏈線所示的位置)。第一升降頭82之可動範圍E的上端位置，係指第一升降頭82上升，且連結於其上端的連結構件85抵接於排氣桶60之蓋部60C時的第一升降頭82之上端的位置(圖3之紙面上側的二點鏈線所示的位置)。
作為下端位置限制部的底部84A之上表面係位於比基座板30之下表面30B更上方。藉此，第一升降頭82之可動範圍E的下端位置係位於比基座板30之下表面30B更上方。從而，第一升降頭82之可動範圍E整體係位於比基座板30之下表面30B更上方。第一驅動源81並非是與第一升降頭82於上下方向Z排列配置，而是整體配置於第一升降頭82之可動範圍E的側方。
其次，針對第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69之動作加以說明。
當第一驅動源81之驅動馬達81B使旋轉軸81A旋轉時，旋轉軸81A之前端的小齒輪齒83B就會旋轉。小齒輪齒83B之旋轉係透過齒條齒83A而傳遞至第一升降頭82，且轉換成第一升降頭82之上下方向Z的直線運動。藉此，第一升降頭82就能上下移動。如此，齒條齒83A及小齒 輪齒83B亦為將旋轉軸81A之旋轉轉換成第一升降頭82之上下移動的運動轉換單元。第一升降頭82之上下移動係藉由第一導引單元86之第一導引構件87所導引。
在第三防護罩升降驅動單元69中，係按照第一升降頭82之上下移動來使第三防護罩66進行升降。在第三防護罩升降驅動單元69中，係當第一驅動源81之驅動馬達81B使旋轉軸81A之旋轉停止時，與小齒輪齒83B嚙合的齒條齒83A之上下移動就會停止。藉此，第三防護罩66之升降會停止。
同樣地，在第一防護罩升降驅動單元67中，係按照第一升降頭82之上下移動來使第一防護罩64進行升降。在第一防護罩升降驅動單元67中，係當第一驅動源81之驅動馬達81B使旋轉軸81A之旋轉停止時，與小齒輪齒83B嚙合的齒條齒83A之上下移動就會停止。藉此，第一防護罩64之升降會停止。
同樣地，在第二防護罩升降驅動單元68中，係按照第一升降頭82之上下移動來使第二防護罩65進行升降。在第二防護罩升降驅動單元68中，係當第一驅動源81之驅動馬達81B使旋轉軸81A之旋轉停止時，與小齒輪齒83B嚙合的齒條齒83A之上下移動就會停止。藉此，第二防護罩65之升降會停止。
參照圖6，處理單元2係收容複數個防護罩升降驅動單元67至69，且包含第一隔離構件70，該第一隔離構件70係將複數個防護罩升降驅動單元67至69從腔室3內之收容空間A內的氛圍中隔離。第一隔離構件70係包含外殼73，其固定於基座板30之上表面30A；以及複數個伸縮囊(bellows)74，其設置於外殼73與各個第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69之連結構件85之間，且能夠上下伸縮。
外殼73係用以收容複數個防護罩升降驅動單元67至69之第一驅動源81和第一升降頭82之下側部分。
伸縮囊74例如是鐵氟龍(Teflon)(註冊商標)製造。複數個伸縮囊74係分別收容複數個第一升降頭82之上側部分。複數個伸縮囊74係配合複數個第一升降頭82之上下移動而在複數個連結構件85上下移動時分別沿著上下方向Z伸縮。
依據該構成，第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69係用以驅動第一防護罩64、第二防護罩65、第三防護罩66之升降。在第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69中，即便是在第一 升降頭82位於可動範圍E之最下方的情況下，第一驅動源81及第一升降頭82仍是配置於於比基座板30之下表面30B更上方。為此，與第一驅動源81及第一升降頭82被配置於比基座板30之下表面30B更下方的構成相較，可以更進一步抑制上下方向Z的處理單元2之尺寸。藉此，可以將複數個處理單元2於上下方向Z鄰近配置。從而，既可以抑制上下方向Z的基板處理系統1整體之尺寸，又可以增加可以搭載於基板處理系統1的處理單元2之數目。
又，第一驅動源81係收容於腔室3之收容空間A。為此，可以抑制上下方向Z及水平方向的處理單元2之尺寸。
又，第一驅動源81之整體係配置於第一升降頭82之可動範圍E的側方。為此，藉由將第一驅動源81和第一升降頭82排列配置於水平方向，就可以抑制上下方向Z的第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69之尺寸。從而，可以更加抑制上下方向Z的處理單元2之尺寸。
又，可以藉由將水平延伸的旋轉軸81A之旋轉傳遞至第一升降頭82來使第一升降頭82上下移動。為此，即便是在使用在旋轉軸81A之軸向較長的第一驅動源81的情況下，仍可以抑制上下方向Z的第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單 元69之尺寸。
又，藉由包含相互地嚙合的齒條齒83A及小齒輪齒83B的簡單之構成，就可以將配置於第一升降頭82之側方的旋轉軸81A之旋轉傳遞至第一升降頭82。從而，容易將第一驅動源81之整體配置於第一升降頭82之可動範圍E的側方。因而，可以更進一步抑制上下方向Z的第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69之尺寸。
又，能藉由第一導引單元86來導引第一升降頭82之上下移動。為此，可以使第一升降頭82正確且穩定地上下移動。為此，可以縮短第一升降頭82與其他構件(支架84或第一驅動源81等)之間的距離。
又，可以藉由使第一升降頭82和第一導引構件87凹凸卡合的簡單之構成來導引第一升降頭82之上下移動。為此，可以更進一步抑制上下方向Z的第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69之尺寸。
又，能藉由第一隔離構件70，使第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69從腔室3內之收容空間A內的氛圍中隔離。為 此，無論飛散至收容空間A內之氛圍中的物質之量或種類，都可以將第一驅動源81及第一升降頭82配置於比基座板30之下表面30B更上方。
又，第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69係配置於噴嘴臂51之水平移動範圍的正下方。為此，可以利用噴嘴臂51之下方的空間來抑制上下方向Z的處理單元2之尺寸。
其次，針對阻斷板升降驅動單元54之構成加以詳細說明。
圖7係沿著圖1之VII-VII線的剖面之示意圖。圖8係沿著圖7之VIII-VIII線的剖面之示意圖。
阻斷板升降驅動單元54係包含：第二驅動源91；以及第二升降頭92，其配置於阻斷板6之側方，且能在預定之可動範圍F與阻斷板6一起藉由第二驅動源91而上下移動。第二驅動源91係包含上下延伸的旋轉軸91A。阻斷板升降驅動單元54係更進一步包含：第二旋轉傳遞單元93，其藉由將旋轉軸91A之旋轉傳遞至第二升降頭92來使第二升降頭92上下移動。阻斷板升降驅動單元54係更進一步包含：第二導引單元96，用以導引第二升降頭92之上下移動；第一支架94，用以支承第二驅動源91；以及第二 支架95，用以支承第二升降頭92。阻斷板升降驅動單元54係更進一步包含：第二限制單元98，用以將第二升降頭92之上下移動限制於預定之可動範圍F。
第二驅動源91係配置於收容空間A內。第二驅動源91係配置於比基座板30之下表面30B更上方。第二驅動源91係更進一步包含：作為旋轉驅動源的驅動馬達91B，用以使上下延伸的旋轉軸91A旋轉。驅動馬達91B係包含大致長方體之馬達外殼。驅動馬達91B係以其長邊方向朝向上下的方式藉由從基座板30之上表面30A朝向上方延伸的第一支架94所固定。第二驅動源91亦可包含用以使藉由驅動馬達91B所為的旋轉軸91A之旋轉減速的減速機(未圖示)或用以偵測驅動馬達91B之旋轉數的編碼器(未圖示)。
第二驅動源91之旋轉軸91A係藉由驅動馬達91B所支承。旋轉軸91A係從驅動馬達91B之下端朝向下方延伸。旋轉軸91A之前端係位於基座板30之上方。
第二支架95係從基座板30之上表面30A朝向上方延伸的大致角筒狀。第二支架95係整體配置於比基座板30之下表面30B更上方。
第二導引單元96係包含固定於第二支架95的一對第 二導引構件97。一對第二導引構件97之各個係指從第二支架95之上端朝向上方延伸的板狀。一對第二導引構件97係相互地對向。在一對第二導引構件97係分別形成有以相互地接近之方式所突出的凸肋條97A。凸肋條97A係沿著上下方向Z延伸的條狀(stripe shape)。
第二升降頭92係沿著上下方向Z延伸的四角柱狀，且配置於第二驅動源91之側方。在第二升降頭92係從第二驅動源91之相反側朝向第二驅動源91側形成有使第二升降頭92帶缺口的凹部92A。第二升降頭92係具有：下板部92B，用以從下方劃分凹部92A；以及上板部92C，用以從上方劃分凹部92A。
第二升降頭92係藉由固定於第二支架95的一對第二導引構件97而能夠滑動地凹凸卡合，藉此，能夠透過一對第二導引構件97而支承於第二支架95。詳言之，第二升降頭92係包含：一對卡合構件99，其連結於第二升降頭92之第二驅動源91側的面之兩側方的面，且卡合於第二導引構件97。在各卡合構件99係形成有沿著上下方向Z延伸的凹槽99A。一對凹槽99A之各個係卡合凸肋條97A。亦可與本實施形態不同，在卡合構件99形成有凸部並在第二導引構件97形成有凹槽。藉此，第二升降頭92就能夠滑動地凹凸卡合於第二導引構件97。
第二旋轉傳遞單元93係包含：螺桿軸93A，其上下延伸；傳遞皮帶93B，用以將旋轉軸91A之旋轉傳遞至螺桿軸93A；以及螺帽93C，其固定於第二升降頭92且與螺桿軸93A螺合。
螺桿軸93A例如是透過軸承93D而能夠旋轉地支承於第二支架95。螺桿軸93A係插通於下板部92B上所設置的插通孔，且其前端係位於第二升降頭92之凹部92A內。傳遞皮帶93B係架設於旋轉軸91A之下端、和安裝於螺桿軸93A之下端的滑輪(pulley)93E上。螺帽93C係收容於凹部92A內，且藉由螺釘等固定於下板部92B。
第二限制單元98係包含：被抵接構件98A，其固定於腔室3；第一抵接構件98B，其固定於第二升降頭92且從上方來與被抵接構件98A對向；以及第二抵接構件98C，其固定於第二升降頭92且從下方來與被抵接構件98A對向。被抵接構件98A例如是固定於第二支架95之上端。
第二升降頭92之可動範圍F的下端位置係指被抵接構件98A和第一抵接構件98B抵接時的第二升降頭92之下端的位置(參照圖7之二點鏈線所示的第二升降頭92)。第二升降頭92之可動範圍F的上端位置係指被抵接構件98A和第二抵接構件98C抵接時的第二升降頭92之上端的位置(參照圖7之時線所示的第二升降頭92)。第二驅動源91並 非是與第二升降頭92於上下方向Z排列配置，而是整體配置於第二升降頭92之可動範圍F的側方。
其次，針對阻斷板升降驅動單元54之動作加以說明。
當第二驅動源91之驅動馬達91B使旋轉軸91A旋轉時，傳遞皮帶93B就會繞旋轉軸91A及滑輪93E之周圍旋轉，且透過滑輪93E使螺桿軸93A旋轉。旋轉軸91A之旋轉係轉換成第二升降頭92之上下方向Z的直線運動，在該第二升降頭92係固定有螺合於螺桿軸93A的螺帽93C。藉此，第二升降頭92能上下移動。因第二升降頭92係能夠滑動地凹凸卡合於一對第二導引構件97，故而第二升降頭92係不旋轉而是藉由一對第二導引構件97沿著上下方向Z導引。
由於當第二驅動源91之驅動馬達91B使旋轉軸91A之旋轉停止時，與螺桿軸93A螺合的螺帽93C之上下移動就會停止，所以能停止阻斷板6(參照圖2)之升降。
處理單元2係收容阻斷板升降驅動單元54，且更進一步包含：第二隔離構件75，用以將阻斷板升降驅動單元54從腔室3之收容空間A內的氛圍中隔離。第二隔離構件75係包含：外殼76，其固定於基座板30之上表面30A；以及伸縮囊77，其設置於外殼76與阻斷板支承構件53之間， 且能夠上下伸縮。
外殼76係收容第二驅動源91和第二升降頭92之下側部分。伸縮囊77例如是鐵氟龍(註冊商標)製造。伸縮囊77係收容第二升降頭92之上側部分。伸縮囊77係在配合第二升降頭92之上下移動使阻斷板支承構件53上下移動時沿著上下方向Z伸縮。
處理單元2係包含：螺旋狀之配線78，其透過複數個配線56而電性連接於阻斷板6，且能夠上下伸縮；以及配線導件79，其與阻斷板6一起進行升降，用以導引複數個配線78之伸縮。複數個配線78及配線導件79係收容於伸縮囊77內。複數個配線78係設置有與配線56相同的數量。在各配線78係每一條連接有配線56。複數個配線78係整體形成沿著上下方向Z延伸的筒狀。複數個配線78係劃分沿著上下方向Z延伸的圓筒狀之空間78A。配線導件79係從阻斷板支承構件53朝向下方延伸。配線導件79係插通於藉由螺旋狀之複數個配線78所劃分的圓筒狀之空間78A。
在阻斷板6與第二升降頭92一起下降時，螺旋狀之配線78係一邊藉由下降於空間78A的配線導件79所導引一邊沿著上下方向Z縮小間距(pitch)，藉此沿著上下方向Z收縮。反之，在阻斷板6與第二升降頭92一起上升時，螺 旋狀之配線78係一邊藉由上升於空間78A的配線導件79所導引一邊沿著上下方向Z擴大間距，藉此沿著上下方向Z伸長。
依據該構成，阻斷板升降驅動單元54係驅動阻斷板6之升降。在阻斷板升降驅動單元54中，即便是在第二升降頭92位於可動範圍F之最下方的情況下，第二驅動源91及第二升降頭92仍配置於比基座板30之下表面30B更上方。為此，與第二驅動源91及第二升降頭92被配置於比基座板30之下表面30B更下方的構成相較，可以更進一步抑制上下方向Z的處理單元2之尺寸。藉此，可以將複數個處理單元2鄰近配置於上下方向Z。從而，既可以抑制上下方向Z的基板處理系統1整體之尺寸，又可以增加可以搭載於基板處理系統1的處理單元2之數目。
又，第二驅動源91係收容於腔室3之收容空間A。為此，可以抑制上下方向Z及水平方向的處理單元2之尺寸。
又，第二驅動源91之整體係配置於第二升降頭92之可動範圍F的側方。為此，藉由將第二驅動源91和第二升降頭92排列配置於水平方向，就可以抑制上下方向Z的阻斷板升降驅動單元54之尺寸。從而，可以更加抑制上下方向Z的處理單元2之尺寸。
又，藉由將上下延伸的旋轉軸91A之旋轉傳遞至第二升降頭92，就可以使第二升降頭92上下移動。為此，可以將旋轉軸91A之軸向朝向上下來配置第二驅動源91，並且抑制上下方向Z的阻斷板升降驅動單元54之尺寸。
又，可以藉由包含螺桿軸93A及與該螺桿軸93A螺合的螺帽93C的簡單之構成的第二旋轉傳遞單元93，來將旋轉軸91A之旋轉傳遞至第二升降頭92。為此，可以更進一步抑制上下方向Z的阻斷板升降驅動單元54之尺寸。
又，能藉由第二導引單元96來導引第二升降頭92之上下移動。為此，可以使第二升降頭92正確且穩定地上下移動。為此，可以縮短第二升降頭92與其他構件(第二驅動源91或第二支架95等)之間的距離。
又，可以藉由使第二升降頭92和第二導引構件97凹凸卡合的簡單之構成來導引第二升降頭92之上下移動。為此，可以更進一步抑制上下方向Z的阻斷板升降驅動單元54之尺寸。
又，能藉由第二隔離構件75，使阻斷板升降驅動單元54從腔室3內之收容空間A內的氛圍中隔離。為此，無論飛散至腔室3之收容空間A內之氛圍中的物質之量或種類，都可以將第二驅動源91及第二升降頭92配置於比基 座板30之下表面30B更上方。
又，螺旋狀之配線78係連結於阻斷板6且能夠上下伸縮。因此，上下方向Z的螺旋狀之配線78之尺寸係能配合阻斷板6之升降而調整。從而，與以在使阻斷板6進行升降時不會上下伸縮而是使朝向下方懸吊的U字狀之部分上下移動來調整上下方向Z之尺寸的方式所構成的配線(非為螺旋狀的配線)相較，可以更進一步藉由使用配線78而在上下方向Z減小必要的空間。
由於可以藉由配線導件79來導引螺旋狀之配線78的伸縮，所以可以防止螺旋狀之配線78倒臥或配線78之一部分露出於水平方向。藉此，可以防止因配線78接觸伸縮囊77所引起的伸縮囊77之損傷。換言之，沒有必要為了配線78之伸縮而在伸縮囊77內確保較大的空間。因此，可以減小伸縮囊77，藉此，不用壓迫腔室3內之收容空間就可以將阻斷板升降驅動單元54及配線78配置於腔室3內。
又，阻斷板升降驅動單元54係配置於噴嘴臂51之水平移動範圍的正下方。因此，可以利用噴嘴臂51之下方的空間來抑制上下方向Z的基板處理系統1之尺寸。
本發明並非被限定於以上所說明的實施形態，而可以 更進一步以其他的形態來實施。
例如，阻斷板升降驅動單元54，亦可具有與第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69同樣的構成。亦即，亦可為以下的構成：阻斷板升降驅動單元54之第二驅動源91係包含使水平延伸的旋轉軸91A旋轉的驅動馬達91B；阻斷板升降驅動單元54之第二旋轉傳遞單元93係包含形成於第二升降頭92且上下排列的複數個齒條齒、以及設置於旋轉軸91A之前端且與該齒條齒嚙合的小齒輪齒。
反之，亦可為以下的構成：第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69之第一驅動源81係包含使上下延伸的旋轉軸81A旋轉的驅動馬達81B；第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69之第一旋轉傳遞單元83係包含能傳遞旋轉軸81A之旋轉且上下延伸的螺桿軸、以及固定於第一升降頭82且與該螺桿軸螺合的螺帽。
又，有關本實施形態之第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69，係已針對支架84之底板84A的一部分位於基座板30之下表面30B的下方的形態加以說明。但是，第一防護罩 升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69既可使其整體位於基座板30之下表面30B的上方，或亦可使其整體收容於收容空間A。更且，有關第一防護罩升降驅動單元67、第二防護罩升降驅動單元68、第三防護罩升降驅動單元69亦能夠為以下的形態：只要至少第一驅動源81和第一升降頭82之可動範圍E配置於比基座板30之下表面30B更上方即可，且第一驅動源81未被收容於收容空間A而是配置於腔室3之側方。
又，本實施形態之阻斷板升降驅動單元54係已針對使其整體收容於收容空間A的形態加以說明。但是，亦可能為阻斷板升降驅動單元54之整體並未收容於收容空間A的形態。亦即，只要第二驅動源91和第二升降頭92之可動範圍F位於基座板30之下表面30B的上方，則亦能夠為第二驅動源91未被收容於收容空間A而是配置於腔室3之側方的形態。又，第一支架94或第二支架95之一部分亦可位於比基座板30之下表面30B更下方。
又，升降驅動單元並未被限於用以驅動第一防護罩64、第二防護罩65、第三防護罩66或阻斷板6之升降，而是可以應用於在第一杯體61、第二杯體62或第一噴嘴41、第二噴嘴42、第三噴嘴43等之腔室3的收容空間A內進行升降的所有構件。
雖然已針對本發明之實施形態加以詳細說明，但是此等只不過是為了使本發明之技術內容清楚而所用的具體例，本發明不應被解釋限定於此等的具體例，本發明之範圍係僅藉由後述的申請專利範圍所限定。
本申請案係對應於2016年2月12日在日本特許廳所提出的特願2016-024955號，且本申請案之全部揭示係藉由引用而編入於此。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧腔室
30‧‧‧基座板
30A‧‧‧上表面
30B‧‧‧下表面
31‧‧‧腳部
60‧‧‧排氣桶
60B‧‧‧突出部
60C‧‧‧蓋部
64‧‧‧第一防護罩
65‧‧‧第二防護罩
66‧‧‧第三防護罩
67‧‧‧第一防護罩升降驅動單元
68‧‧‧第二防護罩升降驅動單元
69‧‧‧第三防護罩升降驅動單元
70‧‧‧第一隔離構件
73‧‧‧外殼
74‧‧‧伸縮囊
81‧‧‧第一驅動源
81A‧‧‧旋轉軸
81B‧‧‧驅動馬達
82‧‧‧第一升降頭
83‧‧‧第一旋轉傳遞單元
83A‧‧‧齒條齒
83B‧‧‧小齒輪齒
84‧‧‧支架
84A‧‧‧底板
84B‧‧‧第一側板
84C‧‧‧第二側板
85‧‧‧連結構件
86‧‧‧第一導引單元
87‧‧‧第一導引構件
88‧‧‧第一限制單元
A‧‧‧收容空間
E‧‧‧可動範圍

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置，係包含：腔室，其具備具有用以劃分收容空間之下方的上表面的基座板；基板保持單元，其收容於前述腔室之收容空間，且載置於前述基座板之上表面，用以保持基板；升降構件，其在前述腔室之收容空間內進行升降；以及升降驅動單元，用以驅動前述升降構件之升降；前述升降驅動單元係包含：驅動源，其配置於比前述基座板之下表面更上方；以及升降頭，其連結於前述升降構件，且在整體位於比前述基座板之下表面更上方的可動範圍內藉由前述驅動源而上下移動。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述驅動源係收容於前述腔室之收容空間內。
  3. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述驅動源係整體配置於前述升降頭之可動範圍的側方。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述驅動源係包含：旋轉驅動源，用以使水平延伸的旋轉軸旋轉；前述升降驅動單元係包含：旋轉傳遞單元，其藉由將前述旋轉軸之旋轉傳遞至前述升降頭來使前述升降頭上下移動。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中前述旋轉傳遞單元係包含：複數個齒條齒，其固定於前述升降頭且上下排列；以及小齒輪齒，其能傳遞前述旋轉軸之旋轉且嚙合於前述齒條齒。
  6. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中前述驅動源係包含：旋轉驅動源，用以使上下延伸的旋轉軸旋轉；前述升降驅動單元係包含：旋轉傳遞單元，其藉由將前述旋轉軸之旋轉傳遞至前述升降頭來使前述升降頭上下移動。
  7. 如請求項6所記載之基板處理裝置，其中前述旋轉傳遞單元係包含：螺桿軸，其能傳遞前述旋轉軸之旋轉且上下延伸；以及螺帽，其固定於前述升降頭且與前述螺桿軸螺合。
  8. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述升降驅動單元係包含：導引單元，用以導引前述升降頭之上下移動。
  9. 如請求項8所記載之基板處理裝置，其中前述導引單元係包含：導引構件，其固定於前述腔室且成為能夠滑動地凹凸卡合於前述升降頭。
  10. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述升降構件係包含：用以包圍前述基板保持單元的防護罩；前述升降驅動單元係包含：用以使前述防護罩進行升降的防護罩升降驅動單元。
  11. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中前述升降構件係包含：阻斷板，其與由前述基板保持單元所保持的基板之上表面對向；前述升降驅動單元係包含：用以使前述阻斷板進行升降的阻斷板升降驅動單元。
  12. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中更進一步包含：隔離構件，用以將前述升降驅動單元從前述腔室之收容空間內的氛圍中隔離。
  13. 如請求項11所記載之基板處理裝置，其中更進一步包含：螺旋狀之配線，其連結於前述阻斷板，且能夠上下伸縮；配線導件，其與前述阻斷板一起進行升降，且導引前述配線之伸縮；以及隔離構件，用以將前述阻斷板升降驅動單元從前述腔室之收容空間內的氛圍中隔離；前述隔離構件係包含：伸縮囊，其能夠上下伸縮，且收容前述配線及前述配線導件。
  14. 如請求項1或2所記載之基板處理裝置，其中更進一步包含：流體供給噴嘴，用以將流體供給至由前述基板保持單元所保持的基板；以及噴嘴臂，用以使前述流體供給噴嘴水平移動； 前述升降驅動單元係配置於前述噴嘴臂之水平移動範圍的正下方。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
CN110164797A (zh) * 2019-05-27 2019-08-23 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 晶圆脱水装置及设备
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2522008B2 (ja) 1988-03-31 1996-08-07 三菱マテリアル株式会社 トランスファ―成形用タブレット供給装置
CZ299030B6 (cs) * 2000-08-17 2008-04-09 Knorr-Bremse Systeme für Nutzfahrzeuge GmbH Kotoucová brzda s dopínacím systémem s otocnou pákou
JP2002177856A (ja) 2000-12-15 2002-06-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4074814B2 (ja) * 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US7018555B2 (en) * 2002-07-26 2006-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP4494840B2 (ja) 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
US7614222B2 (en) * 2005-07-29 2009-11-10 Delphi Technologies, Inc. System and method for directing fluid flow
JP4890067B2 (ja) * 2006-03-28 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板搬送方法
JP2009124041A (ja) 2007-11-16 2009-06-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO2009091189A2 (en) * 2008-01-16 2009-07-23 Sosul Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
JP2009188168A (ja) 2008-02-06 2009-08-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および該装置の制御方法
JP5312856B2 (ja) 2008-06-27 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20100011165A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Cache management systems and methods
US8317450B2 (en) * 2008-10-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Tactile wafer lifter and methods for operating the same
US8099752B2 (en) * 2008-12-03 2012-01-17 Sony Corporation Non-real time services
JP5641556B2 (ja) * 2009-09-30 2014-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2011135009A (ja) 2009-12-25 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
TWI480937B (zh) 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5701068B2 (ja) 2011-01-06 2015-04-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2013051265A (ja) 2011-08-30 2013-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 昇降ユニットおよび基板処理装置
JP6307527B2 (ja) * 2013-03-13 2018-04-04 ホーデン トマセン コンプレッサーズ ビーブイ 水平ピストン圧縮機
KR101579507B1 (ko) * 2013-05-08 2015-12-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102270779B1 (ko) * 2013-12-31 2021-06-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102389613B1 (ko) * 2015-05-06 2022-04-22 삼성전자주식회사 기판 세정 장치

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