KR20170095133A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20170095133A
KR20170095133A KR1020170017354A KR20170017354A KR20170095133A KR 20170095133 A KR20170095133 A KR 20170095133A KR 1020170017354 A KR1020170017354 A KR 1020170017354A KR 20170017354 A KR20170017354 A KR 20170017354A KR 20170095133 A KR20170095133 A KR 20170095133A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
elevating
head
drive unit
rotation
substrate
Prior art date
Application number
KR1020170017354A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102007558B1 (ko
Inventor
고지 하시모토
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20170095133A publication Critical patent/KR20170095133A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102007558B1 publication Critical patent/KR102007558B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/04—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/041—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

기판 처리 장치는, 챔버와, 기판 유지 유닛과, 승강 부재와, 승강 구동 유닛을 포함한다. 챔버는, 수용 공간을 구획하는 상면을 갖는 베이스판을 구비한다. 기판 유지 유닛은, 수용 공간에 수용되고, 베이스판의 상면에 재치되어 기판을 유지한다. 승강 부재는, 수용 공간 내에서 승강한다. 승강 구동 유닛은, 승강 부재의 승강을 구동시킨다. 승강 구동 유닛은, 베이스판의 하면보다 상방에 배치된 구동원과, 가드에 연결되고, 베이스판의 하면보다 상방에 전체가 위치하는 가동 범위에서 구동원에 의해 상하동되는 승강 헤드를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 액체로 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등의 기판이 포함된다.
기판을 1 장씩 처리하는 매엽식 (枚葉式) 의 기판 처리 장치에서는, 약액이나 린스액 등의 처리액에 의한 기판의 처리가 챔버 내에서 실시된다. 챔버 내에는, 기판을 유지하는 스핀 척이나 스핀 척을 회전시키는 모터가 형성되어 있다. 챔버 내에는, 그 밖에, 스핀 척을 둘러싸는 복수의 가드나, 스핀 척에 유지된 기판에 대향하는 차단판이 형성되는 경우가 있다.
가드는, 기판을 처리액으로 처리할 때에 기판으로부터 비산된 처리액을 처리액의 종류별로 나누어 막는다. 처리액의 종류에 따라 막는 가드를 전환하기 위해, 복수의 가드를 승강시킬 필요가 있다. 또, 가드가 불필요할 때에는, 기판보다 하방에 가드를 하강시킬 필요가 있다.
차단판은, 기판으로부터 처리액을 배제할 때에 기판의 상면 부근의 분위기를 주위로부터 차단한다. 기판에 처리액을 공급할 때에는, 차단판을 상승시킴으로써, 기판의 상면 부근으로부터 차단판을 퇴피시킬 필요가 있다. 기판을 건조시킬 때에는, 차단판을 하강시킴으로써, 기판의 상면 부근에 차단판을 접근시킬 필요가 있다.
이와 같이, 기판 처리 장치에는, 차단판이나 가드 등의 부재를 승강시키기 위한 유닛이 형성되어 있다.
예를 들어, 일본 공개특허공보 2013-51265호의 기판 처리 장치는, 스핀 척을 둘러싸는 컵을 승강시키기 위한 승강 유닛을 구비하고 있다. 승강 유닛은, 컵의 저부에 연결된 샤프트와, 샤프트에 나사 결합된 볼 나사 너트와, 볼 나사 너트를 회전시키는 서보 모터를 포함한다. 볼 나사 너트의 회전에 의해 샤프트가 상하로 이동한다. 이로써, 컵이 승강한다.
일본 공개특허공보 2013-51265호의 기판 처리 장치에서는, 서보 모터 및 샤프트의 하단이 베이스보다 하방에 위치하고 있다. 그 때문에, 기판 처리 장치가 상하 방향으로 커질 우려가 있다. 특히, 복수의 기판 처리 장치 (유닛) 를 적층하여 배치하는 경우에는, 상하 방향에 있어서의 전체의 치수가 현저하게 커진다.
그래서, 본 발명의 하나의 목적은, 승강 부재의 승강을 구동시키는 승강 구동 유닛을 구비하면서, 상하 방향의 치수가 억제된 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 수용 공간의 하방을 구획하는 상면을 갖는 베이스판을 구비한 챔버와, 상기 챔버의 수용 공간에 수용되고, 상기 베이스판의 상면에 재치 (載置) 되어 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 챔버의 수용 공간 내에서 승강 가능한 승강 부재와, 상기 승강 부재의 승강을 구동시키는 승강 구동 유닛을 포함한다. 상기 승강 구동 유닛이, 상기 베이스판의 하면보다 상방에 배치된 구동원과, 상기 승강 부재에 연결되고, 상기 베이스판의 하면보다 상방에 전체가 위치하는 가동 범위에서 상기 구동원에 의해 상하동되는 승강 헤드를 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 승강 구동 유닛이 승강 부재의 승강을 구동시킨다. 승강 구동 유닛에 있어서, 승강 헤드가 가동 범위의 가장 하방에 위치하는 경우에도, 구동원 및 승강 헤드가 베이스판의 하면보다 상방에 배치된다. 그 때문에, 구동원 및 승강 헤드가 베이스판의 하면보다 하방에 배치되어 있는 구성과 비교하여, 상하 방향에 있어서의 기판 처리 장치의 치수를 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 구동원이 상기 챔버의 수용 공간 내에 수용되어 있다. 이 구성에 의하면, 구동원이 챔버의 수용 공간에 수용되어 있다. 그 때문에, 상하 방향 및 수평 방향으로 기판 처리 장치의 치수를 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 구동원은, 상기 승강 헤드의 가동 범위의 측방에 전체가 배치되어 있다. 이 구성에 의하면, 구동원의 전체가 승강 헤드의 가동 범위의 측방에 배치되어 있다. 그 때문에, 상하 방향에 있어서의 승강 구동 유닛의 치수를 억제할 수 있다. 따라서, 상하 방향에 있어서의 기판 처리 장치의 치수를 더욱 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 구동원은, 수평으로 연장되는 회전축을 회전하는 회전 구동원을 포함하고, 상기 승강 구동 유닛은, 상기 회전축의 회전을 상기 승강 헤드에 전달함으로써 상기 승강 헤드를 상하동시키는 회전 전달 유닛을 포함한다. 이 구성에 의하면, 수평으로 연장되는 회전축의 회전을 승강 헤드에 전달함으로써 승강 헤드를 상하동시킬 수 있다. 그 때문에, 회전축의 축 방향으로 긴 구동원을 사용하는 경우에도, 상하 방향에 있어서의 승강 구동 유닛의 치수를 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 회전 전달 유닛은, 상기 승강 헤드에 고정되어 상하로 나열되는 복수의 랙 톱니와, 상기 회전축의 회전이 전달되어 상기 랙 톱니에 맞물린 피니언 톱니를 포함한다. 이 구성에 의하면, 서로 맞물리는 랙 톱니 및 피니언 톱니를 포함하는 간단한 구성에 의해, 승강 헤드의 측방에 배치된 회전축의 회전을 승강 헤드에 전달할 수 있다. 따라서, 구동원의 전체를 승강 헤드의 가동 범위의 측방에 배치하기 쉽다. 따라서, 상하 방향에 있어서의 승강 구동 유닛의 치수를 보다 더 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 구동원은, 상하로 연장되는 회전축을 회전하는 회전 구동원을 포함한다. 상기 승강 구동 유닛은, 상기 회전축의 회전을 상기 승강 헤드에 전달함으로써 상기 승강 헤드를 상하동시키는 회전 전달 유닛을 포함한다. 이 구성에 의하면, 상하로 연장되는 회전축의 회전을 승강 헤드에 전달함으로써 승강 헤드를 상하동시킬 수 있다. 그 때문에, 회전축의 축 방향을 상하를 향해 구동원을 배치하면서, 상하 방향에 있어서의 승강 구동 유닛의 치수를 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 회전 전달 유닛은, 상기 회전축의 회전이 전달되어 상하로 연장되는 나사축과, 상기 승강 헤드에 고정되어 상기 나사축과 나사 결합한 너트를 포함한다. 이 구성에 의하면, 나사축 및 이것에 나사 결합한 너트를 포함하는 간단한 구성에 의해, 회전축의 회전을 승강 헤드에 전달할 수 있다. 그 때문에, 상하 방향에 있어서의 승강 구동 유닛의 치수를 보다 더 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 승강 구동 유닛은, 상기 승강 헤드의 상하동을 안내하는 안내 유닛을 포함한다. 이 구성에 의하면, 안내 유닛에 의해 승강 헤드의 상하동이 안내된다. 그 때문에, 승강 헤드를 정확하게 또한 안정적으로 상하동시킬 수 있다. 그 때문에, 승강 헤드와 다른 부재 사이의 거리를 줄일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 안내 유닛은, 상기 챔버에 고정되어 상기 승강 헤드에 대해 슬라이딩 가능하게 요철로 걸어맞추는 가이드 부재를 포함한다. 이 구성에 의하면, 승강 헤드와 가이드 부재를 요철로 걸어맞추게 한 간단한 구성에 의해 승강 헤드의 상하동을 안내할 수 있다. 그 때문에, 상하 방향에 있어서의 승강 구동 유닛의 치수를 보다 더 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 승강 부재는, 상기 기판 유지 유닛을 둘러싸는 가드를 포함한다. 상기 승강 구동 유닛은, 상기 가드를 승강시키는 가드 승강 구동 유닛을 포함한다. 이 구성에 의하면, 기판 처리 장치가 기판 유지 유닛을 둘러싸는 가드를 포함하는 경우에도 상하 방향에 있어서의 기판 처리 장치의 치수를 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 승강 부재는, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판의 상면에 대향하는 차단판을 포함한다. 상기 승강 구동 유닛은, 상기 차단판을 승강시키는 차단판 승강 구동 유닛을 포함한다. 이 구성에 의하면, 기판 처리 장치가 기판의 상면에 대향하는 차단판을 포함하는 경우에도 상하 방향에 있어서의 기판 처리 장치의 치수를 억제할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 승강 구동 유닛을 상기 챔버의 수용 공간 내의 분위기로부터 이격시키는 이격 부재를 추가로 포함한다. 이 구성에 의하면, 이격 부재에 의해, 승강 구동 유닛이 챔버 내의 수용 공간 내의 분위기로부터 이격되어 있다. 그 때문에, 챔버의 수용 공간 내의 분위기 중에 비산되는 물질의 양이나 종류에 관계없이, 구동원 및 승강 헤드를 베이스판의 하면보다 상방에 배치할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 차단판에 연결되어 상하로 신축 가능한 코일상의 배선과, 상기 차단판과 함께 승강하여, 상기 배선의 신축을 가이드하는 배선 가이드와, 상기 차단판 승강 구동 유닛을 상기 챔버의 수용 공간 내의 분위기로부터 이격시키는 이격 부재를 추가로 포함한다. 상기 이격 부재는, 상하로 신축 가능하고, 상기 배선 및 상기 배선 가이드를 수용하는 벨로스를 포함한다.
이 구성에 의하면, 코일상의 배선은, 차단판에 연결되어 상하로 신축 가능하다. 그 때문에, 상하 방향에 있어서의 코일상 배선의 치수는, 차단판의 승강에 맞춰 조정된다. 따라서, 차단판을 승강시킬 때에 상하로 신축되지 않고, 하방으로 늘어뜨린 U 자상의 부분을 상하동시켜 상하 방향에 있어서의 치수를 조정하도록 구성된 배선, 즉 코일상이 아닌 배선을 사용하는 경우와 비교하여, 코일상의 배선을 사용함으로써 필요한 스페이스를 상하 방향으로 작게 할 수 있다.
또, 배선 가이드에 의해 코일상의 배선의 신축을 안내할 수 있다. 그 때문에, 코일상의 배선이 넘어지거나 배선의 일부가 수평 방향으로 비어져 나오거나 하는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 배선이 벨로스에 접촉하는 것에서 기인하는 벨로스의 손상을 방지할 수 있다. 바꾸어 말하면, 배선의 신축을 위해서 벨로스 내에 큰 공간을 확보할 필요가 없다. 그 때문에, 벨로스를 작게 할 수 있다. 그에 따라, 챔버 내의 수용 스페이스를 압박하지 않고, 차단판을 위한 승강 구동 유닛 및 배선을 챔버 내에 배치할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서는, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 노즐과, 상기 유체 공급 노즐을 수평으로 이동시키는 노즐 아암을 포함한다. 상기 승강 구동 유닛은, 상기 노즐 아암의 수평 이동 범위의 바로 아래에 배치되어 있다.
이 구성에 의하면, 승강 구동 유닛이 노즐 아암의 수평 이동 범위의 바로 아래에 배치되어 있다. 그 때문에, 노즐 아암의 하방의 스페이스를 이용하여, 상하 방향에 있어서의 기판 처리 장치의 치수를 억제할 수 있다.
본 발명에 있어서의 상기 서술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부된 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 명백해진다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 시스템에 구비된 처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 2 는, 도 1 의 II-II 선을 따른 단면도에 상당하고, 상기 처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 모식도이다.
도 3 은, 가드 승강 구동 유닛 주변의 확대 단면도이다.
도 4 는, 가드 승강 구동 유닛 주변의 사시도이다.
도 5 는, 도 4 의 V-V 면을 따른 단면의 모식도이다.
도 6 은, 도 1 의 VI-VI 선을 따른 단면의 모식도이다.
도 7 은, 도 1 의 VII-VII 선을 따른 단면의 모식도이다.
도 8 은, 도 7 의 VIII-VIII 선을 따른 단면의 모식도이다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 시스템 (1) 에 구비된 처리 유닛 (2) 의 구성예를 설명하기 위한 모식적인 평면도이다. 처리 유닛 (2) 은, 본 발명의 기판 처리 장치에 포함된다. 도 2 는, 도 1 의 II-II 선을 따른 단면도에 상당하고, 처리 유닛 (2) 의 구성예를 설명하기 위한 모식도이다.
기판 처리 시스템 (1) 은, 실리콘 웨이퍼 등의 기판 (W) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 시스템 (1) 은, 복수의 처리 유닛 (2) 과, 복수의 처리 유닛 (2) 의 각각에 대해 기판 (W) 을 반입/반출하기 위한 반송 로봇 (도시 생략) 을 포함한다. 각 처리 유닛 (2) 은, 액체로 기판 (W) 을 처리한다. 복수의 처리 유닛 (2) 은, 본 실시형태에서는, 상하 방향 (Z) 에 적층 배치되어 있다. 도 2 의 지면 중앙의 처리 유닛 (2) 에 하방에서 인접하는 처리 유닛을 처리 유닛 (2A) 이라고 하고, 도 2 의 지면 중앙의 처리 유닛 (2) 에 상방에서 인접하는 처리 유닛을 처리 유닛 (2B) 이라고 한다.
이하에서는, 1 개의 처리 유닛 (2) 을 구성하는 부재의 구성이나, 1 개의 처리 유닛 (2) 을 구성하는 부재끼리의 위치 관계에 대해 설명한다. 즉, 이하의 설명은 특별히 설명이 없는 한, 어느 처리 유닛 (2) 을 구성하는 부재와, 당해 처리 유닛 (2) 과는 상이한 처리 유닛 (2) (처리 유닛 (2A, 2B) 등의 다른 처리 유닛) 을 구성하는 부재의 위치 관계를 설명하는 것은 아니다.
처리 유닛 (2) 은, 수용 공간 (A) 의 하방을 구획하는 상면 (30A) 을 갖는 베이스판 (30) 을 구비한 대략 직방체의 챔버 (3) 와, 기판 (W) 을 유지하는 스핀 척 (5) 을 포함한다. 스핀 척 (5) 은, 기판 (W) 을 유지하는 기판 유지 유닛에 포함된다. 기판 유지 유닛은, 기판 홀더라고도 일컬어진다. 스핀 척 (5) 은, 챔버 (3) 의 수용 공간 (A) 에 수용되어 있고, 베이스판 (30) 의 상면 (30A) 에 재치되어 있다.
베이스판 (30) 은, 예를 들어 알루미늄제의 플레이트이다. 챔버 (3) 는, 베이스판 (30) 으로부터 상방으로 연장되고, 수평 방향으로부터 수용 공간 (A) 을 구획하는 복수 (이 실시형태에서는 4 개) 의 측판 (33) 과, 복수의 측판 (33) 에 연결되고 수용 공간 (A) 을 상방에서 구획하는 천판 (天板) (34) 과, 반송 로봇에 의해 기판 (W) 을 출납할 때에 개폐되는 셔터 (35) 를 포함한다. 셔터 (35) 에는, 베이스판 (30), 인접하는 측판 (33) 및 천판 (34) 사이를 시일하는 패킹 (도시 생략) 이 형성되어 있다.
베이스판 (30) 의 하면 (30B) 에는, 각부 (脚部) (31) 가 장착되어 있다. 각부 (31) 는, 처리 유닛 (2) 에 있어서 가장 하방에 위치하는 부품이다. 처리 유닛 (2) 은, 처리 유닛 (2) 의 하방에 인접하는 처리 유닛 (2A) 의 챔버 (3) 의 천판 (34) 에 각부 (31) 를 맞닿게 하여 처리 유닛 (2A) 의 상방에 배치되어 있다.
스핀 척 (5) 은, 기판 (W) 을 파지하는 복수의 척 핀 (20) 과, 복수의 척 핀 (20) 을 지지하여 수평 방향을 따른 원반 형상으로 형성된 스핀 베이스 (21) 와, 스핀 베이스 (21) 에 연결되어 기판 (W) 의 중심을 통과하는 연직인 회전축선 (C1) 둘레로 회전하는 중심축 (22) 과, 중심축 (22) 을 회전축선 (C1) 둘레로 회전시키는 기판 회전 구동 유닛 (23) 을 포함한다. 복수의 척 핀 (20) 은, 스핀 베이스 (21) 의 상면의 둘레 가장자리부에 둘레 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 기판 회전 구동 유닛 (23) 은, 예를 들어, 베이스판 (30) 의 상면 (30A) 에 재치되고, 중심축 (22) 에 회전력을 부여함으로써, 척 핀 (20), 스핀 베이스 (21) 및 중심축 (22) 을 회전축선 (C1) 둘레로 일체 회전시키는 전동 모터를 포함한다.
처리 유닛 (2) 은, 챔버 (3) 의 상방으로부터 그 내부로 클린 에어 (필터에 의해 여과된 공기) 를 보내는 FFU (팬·필터·유닛) (4) 를 포함한다. FFU (4) 는, 천판 (34) 에 장착되어 있다. FFU (4) 는, 기판 처리 시스템 (1) 이 배치되는 클린 룸 내의 공기를 여과하는 필터 (도시 생략) 와, 필터로 여과된 공기를 챔버 (3) 의 수용 공간 (A) 에 보내는 팬 (도시 생략) 을 포함한다. FFU (4) 는, 그 분사구에 복수의 구멍이 형성된 펀칭 플레이트 (도시 생략) 를 구비하고 있어도 된다. 이로써, 수용 공간 (A) 내에 있어서의 공기의 소용돌이의 발생을 방지할 수 있다.
처리 유닛 (2) 은, 스핀 척 (5) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 처리액을 공급하는 복수의 노즐 (41 ∼ 43) (제 1 ∼ 제 3 노즐 (41 ∼ 43)) 과, 복수의 노즐 (41 ∼ 43) 을 각각 이동시키는 복수의 노즐 이동 유닛 (44 ∼ 46) (제 1 ∼ 제 3 노즐 이동 유닛 (44 ∼ 46)) 을 추가로 포함한다. 복수의 노즐 (41 ∼ 43) 및 복수의 노즐 이동 유닛 (44 ∼ 46) 은, 챔버 (3) 의 수용 공간 (A) 에 수용되어 있다. 설명의 편의상, 도 2 에 제 1 노즐 (41) 을 도시하고 있지만, 실제로는 도 2 에 나타내는 단면에는, 제 1 노즐 (41) 은 나타나지 않는다. 제 1 노즐 이동 유닛 (44) 은, 제 1 노즐 (41) 을 이동시킨다. 제 2 노즐 이동 유닛 (45) 은, 제 2 노즐 (42) 을 이동시킨다. 제 3 노즐 이동 유닛 (46) 은, 제 3 노즐 (43) 을 이동시킨다.
기판 (W) 에 공급되는 처리액은, 기판 (W) 의 표면을 처리하기 위한 유체이고, 예를 들어, 불산 등의 약액이나 탈이온수 (DIW) 등의 린스액이나 이소프로필알코올 (Isopropyl Alcohol : IPA) 등의 유기 용제를 함유한다.
약액은, 불산에 한정되지 않고, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불산, 암모니아수, 과산화수소수, 유기산 (예를 들어, 시트르산, 옥살산 등), 유기 알칼리 (예를 들어, TMAH : 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 계면 활성제, 부식 방지제 중 적어도 1 개를 함유하는 액이어도 된다. 이들을 혼합한 약액의 예로는, SPM (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture : 황산과산화수소수 혼합액), SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mixture : 암모니아과산화수소수 혼합액) 등을 들 수 있다.
린스액은, 탈이온수에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 어느 것이어도 된다.
유기 용제는, IPA 에 한정되지 않고, IPA, HFE (하이드로플루오로에테르), 메탄올, 에탄올, 아세톤 및 Trans-1,2디클로로에틸렌 중 적어도 1 개를 함유하는 액이어도 된다. 또, 유기 용제는, 단체 성분만으로 이루어질 필요는 없고, 다른 성분과 혼합한 액체이어도 된다. 예를 들어, IPA 액과 순수의 혼합액이어 되고, IPA 액과 HFE 액의 혼합액이어도 된다.
각 노즐 (41 ∼ 43) 은, 종류 또는 농도가 상이한 처리액을 공급한다. 이 실시형태에서는, 제 1 노즐 (41) 은, 기판 (W) 의 상면에 불산을 공급하는 불산 공급 노즐이다. 제 2 노즐 (42) 은, 기판 (W) 의 상면에 SPM 을 공급하는 SPM 공급 노즐이다. 제 3 노즐 (43) 은, 기판 (W) 의 상면에 DIW 를 공급하는 DIW 공급 노즐이다. DIW 공급 노즐에 의해, 스핀 척 (5) 의 척 핀 (20) 을 세정할 수도 있다. 이로써, 기판 (W) 의 연속 처리시에 척 핀 (20) 이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
복수의 노즐 (41 ∼ 43) 로부터 기판 (W) 으로 공급되는 유체는, 처리액에 한정되지 않고, 질소 등의 불활성 가스이어도 된다.
각 노즐 (41 ∼ 43) 에는, 처리액의 공급원으로부터 연장되는 개별 처리액 공급관 (47 ∼ 49) 이 연결되어 있다. 복수의 처리액 공급관 (47 ∼ 49) 의 각각에는, 그 유로를 개폐하는 개폐 밸브 (도시 생략) 가 개재되어 장착되어 있다.
각 노즐 이동 유닛 (44 ∼ 46) 은, 예를 들어, 연직 방향을 따른 회동축 (回動軸) (50) 과, 회동축 (50) 에 연결된 수평으로 연장되는 노즐 아암 (51) 과, 회동축 (50) 의 회동을 구동시키는 회동축 구동 유닛 (52) 을 포함한다. 회동축 (50) 의 중심축선 둘레로 회동축 구동 유닛 (52) 이 회동축 (50) 을 회동시킴으로써, 회동축 (50) 과 함께 노즐 아암 (51) 이 회동한다. 이로써, 각 노즐 (41 ∼ 43) 은, 기판 (W) 의 상면의 중앙과 대향하는 중앙 위치와, 기판 (W) 의 상면과 상하 방향 (Z) 에 대향하지 않는 퇴피 위치 사이에서 이동한다.
처리 유닛 (2) 은, 스핀 척 (5) 을 둘러싸는 배기통 (60) 과, 스핀 척 (5) 과 배기통 (60) 사이에 배치된 복수의 컵 (61, 62) (제 1 컵 (61) 및 제 2 컵 (62)) 과, 기판 (W) 의 주위에 비산된 처리액을 막는 복수의 가드 (64 ∼ 66) (제 1 ∼ 제 3 가드 (64 ∼ 66)) 를 추가로 포함한다. 배기통 (60), 복수의 컵 (61, 62) 및 복수의 가드 (64 ∼ 66) 는, 수용 공간 (A) 에 수용되어 있다.
처리 유닛 (2) 은, 복수의 가드 (64 ∼ 66) 의 승강을 각각 구동시키는 복수의 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) (제 1 ∼ 제 3 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69)) 을 추가로 포함한다. 각 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 은, 본 실시형태에서는, 평면에서 보았을 때, 기판 (W) 의 회전축선 (C1) 을 중심으로 하여 점대칭이 되도록 1 쌍 형성되어 있다. 그 때문에, 복수의 가드 (64 ∼ 66) 는, 각각 안정적으로 승강된다. 복수의 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 은, 일부를 제외하고 수용 공간 (A) 에 수용되어 있다. 복수의 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 은, 수용 공간 (A) 내에 있어서 복수의 노즐 (41 ∼ 43) 의 노즐 아암 (51) 의 수평 이동 범위의 바로 아래에 배치되어 있다.
복수의 가드 (64 ∼ 66) 는, 수용 공간 (A) 내에서 승강 가능한 승강 부재에 포함된다. 1 쌍의 제 1 가드 승강 구동 유닛 (67) 은, 승강 부재로서의 제 1 가드 (64) 의 승강을 구동시키는 승강 구동 유닛에 포함된다. 1 쌍의 제 2 가드 승강 구동 유닛 (68) 은, 승강 부재로서의 제 2 가드 (65) 의 승강을 구동시키는 승강 구동 유닛에 포함되고, 1 쌍의 제 3 가드 승강 구동 유닛 (69) 은, 승강 부재로서의 제 3 가드 (66) 의 승강을 구동시키는 승강 구동 유닛에 포함된다. 승강 구동 유닛은, 리프터라고도 불린다.
본 실시형태에서는, 제 1 ∼ 제 3 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 이 각각 1 쌍씩 형성되어 있었다. 그러나, 본 실시형태와는 달리, 제 1 ∼ 제 3 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 이 각각 1 개씩 형성되어 있어도 된다.
배기통 (60) 은, 원통상의 통상부 (60A) 와, 통상부 (60A) 의 직경 방향 외방에 통상부 (60A) 로부터 돌출된 복수 (본 실시형태에서는 2 개) 의 돌출부 (60B) 와, 복수의 돌출부 (60B) 를 각각 상방으로부터 덮는 복수의 덮개부 (60C) 를 포함한다. 복수의 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 은, 통상부 (60A) 의 둘레 방향에 있어서 돌출부 (60B) 와 동일한 위치에서, 또한 돌출부 (60B) 보다 기판 (W) 의 회전 직경 방향 내측에 배치되어 있다. 상세하게는, 둘레 방향에 있어서 각 돌출부 (60B) 와 동일한 위치에는, 제 1 가드 승강 구동 유닛 (67), 제 2 가드 승강 구동 유닛 (68) 및 제 3 가드 승강 구동 유닛 (69) 에 의해 구성되는 세트가 1 세트씩 배치되어 있다.
각 컵 (61, 62) 은 원통상이다. 각 컵 (61, 62) 은, 배기통 (60) 의 통상부 (60A) 보다 기판 (W) 의 회전 직경 방향 내측에서 스핀 척 (5) 을 둘러싸고 있다. 제 2 컵 (62) 은, 제 1 컵 (61) 보다 기판 (W) 의 회전 직경 방향 외측에 배치되어 있다. 제 2 컵 (62) 은, 예를 들어, 제 1 가드 (64) 와 일체이고, 제 1 가드 (64) 와 함께 승강한다. 각 컵 (61, 62) 은, 상향으로 개방된 환상 (環狀) 의 홈을 형성하고 있다.
각 컵 (61, 62) 의 홈에는, 회수 배관 (도시 생략) 또는 폐수 배관 (도시 생략) 이 접속되어 있다. 각 컵 (61, 62) 의 저부에 유도된 처리액은, 회수 배관 또는 폐수 배관을 통해서 회수 또는 폐기된다.
각 가드 (64 ∼ 66) 는, 원통상이고, 배기통 (60) 의 통상부 (60A) 보다 기판 (W) 의 회전 직경 방향 내측에서 스핀 척 (5) 을 둘러싸고 있다. 각 가드 (64 ∼ 66) 는, 스핀 척 (5) 의 주위를 둘러싸는 원통상의 안내부 (71) 와, 안내부 (71) 의 상단으로부터 중심측 (기판 (W) 의 회전축선 (C1) 에 가까워지는 방향) 으로 경사 상방으로 연장되는 통상의 경사부 (72) 를 포함한다.
3 개의 안내부 (71) 는, 동축 상에 배치되어 있다. 제 2 가드 (65) 의 안내부 (71) 는, 제 1 가드 (64) 의 안내부 (71) 보다 기판 (W) 의 회전 직경 방향 외측에 배치되어 있다. 제 3 가드 (66) 의 안내부 (71) 는, 제 2 가드 (65) 의 안내부 (71) 보다 기판 (W) 의 회전 직경 방향 외측에 배치되어 있다.
각 경사부 (72) 의 상단부는, 가드 (64 ∼ 66) 의 내주 가장자리를 구성하고 있고, 기판 (W) 및 스핀 베이스 (21) 보다 큰 직경을 가지고 있다. 3 개의 경사부 (72) 는, 상하로 중첩되어 있다.
각 가드 (64 ∼ 66) 는, 각 가드 (64 ∼ 66) 의 경사부 (72) 의 내주면이 기판 (W) 의 둘레 단면에 대향하는 상위치와, 전체가 기판 (W) 보다 하측에 위치하는 하위치 사이에서 이동 가능하다. 기판 (W) 으로의 처리액의 공급이나 기판 (W) 의 건조는, 어느 가드 (64 ∼ 66) 가 상위치에 있는 상태에서 실시된다. 상세하게는, 처리액에 의한 기판 (W) 의 처리는, 제 1 가드 (64) 및 제 2 가드 (65) 중 어느 것이 상위치에 있는 상태에서 실시된다. 기판 (W) 에 처리액이 공급되고 있을 때 기판 (W) 의 주위에 비산된 처리액은, 모든 가드 (64 ∼ 66) 가 상위치에 있을 때에는, 제 1 가드 (64) 에 의해 제 1 컵 (61) 으로 안내되고, 제 2 가드 (65) 및 제 3 가드 (66) 가 상위치에 있고 제 1 가드 (64) 가 하위치에 있을 때에는, 제 2 가드 (65) 에 의해 제 2 컵 (62) 으로 안내된다. 기판 (W) 의 건조는, 가장 외측의 제 3 가드 (66) 만이 상위치에 있는 상태에서 실시된다.
처리 유닛 (2) 은, 스핀 척 (5) 에 유지된 기판 (W) 의 상면에 간격을 두고 대향하는 차단판 (6) 과, 차단판 (6) 에 연결되고, 수평으로 연장되는 차단판 지지 부재 (53) 를 추가로 포함한다. 처리 유닛 (2) 은, 차단판 지지 부재 (53) 를 개재하여 차단판 (6) 에 연결되고, 차단판 (6) 의 승강을 구동시키는 차단판 승강 구동 유닛 (54) 과, 차단판 (6) 을 회전축선 (C1) 둘레로 회전시키는 차단판 회전 구동 유닛 (55) 을 추가로 포함한다. 차단판 (6), 차단판 지지 부재 (53), 차단판 승강 구동 유닛 (54) 및 차단판 회전 구동 유닛 (55) 은, 수용 공간 (A) 에 수용되어 있다. 차단판 (6) 은, 수용 공간 (A) 내에서 승강 가능한 승강 부재에 포함된다. 차단판 승강 구동 유닛 (54) 은, 승강 부재로서의 차단판 (6) 의 승강을 구동시키는 승강 구동 유닛에 포함된다.
차단판 회전 구동 유닛 (55) 은, 차단판 지지 부재 (53) 의 선단에 내장된 전동 모터를 포함한다. 전동 모터에는, 차단판 지지 부재 (53) 내에 배치된 복수의 배선 (56) 이 연결되어 있다. 복수의 배선 (56) 은, 당해 전동 모터에 송전하기 위한 파워 라인과, 차단판 (6) 의 회전 정보를 검지하기 위한 인코더 라인을 포함한다. 차단판 (6) 의 회전 정보를 검지함으로써, 차단판 (6) 의 회전 정보를 정확하게 제어할 수 있다.
다음으로, 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 구성에 대해 상세하게 설명한다. 이하에서는, 특별히 설명을 하는 경우를 제외하고 각 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 구성은 동일하기 때문에, 제 1 가드 승강 구동 유닛 (67) 및 제 2 가드 승강 구동 유닛 (68) 의 구성의 상세에 대해서는 그 설명을 생략한다.
도 3 은, 제 3 가드 승강 구동 유닛 (69) 주변의 확대 단면도이다. 도 3 에는, 제 1 가드 (64) 및 제 1 가드 승강 구동 유닛 (67) 의 일부를 파선으로 도시하고 있다. 도 3 에는, 제 2 가드 (65) 및 제 2 가드 승강 구동 유닛 (68) 의 일부를 1 점 쇄선으로 도시하고 있다. 도 4 는, 제 3 가드 승강 구동 유닛 (69) 주변의 사시도이다. 도 5 는, 도 4 의 V-V 면을 따른 단면의 모식도이다. 도 6 은, 도 1 의 VI-VI 선을 따른 단면의 모식도이다.
제 3 가드 승강 구동 유닛 (69) 은, 제 1 구동원 (81) 과, 제 3 가드 (66) 의 측방에 배치되고, 소정의 가동 범위 (E) 에서 제 3 가드 (66) 와 함께 제 1 구동원 (81) 에 의해 상하동되는 제 1 승강 헤드 (82) 를 포함한다. 제 1 구동원 (81) 은, 수평으로 연장되는 회전축 (81A) 을 포함한다. 제 3 가드 승강 구동 유닛 (69) 은, 회전축 (81A) 의 회전을 제 1 승강 헤드 (82) 에 전달함으로써 제 1 승강 헤드 (82) 를 상하동시키는 제 1 회전 전달 유닛 (83) 을 추가로 포함한다. 제 3 가드 승강 구동 유닛 (69) 은, 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동을 안내하는 제 1 안내 유닛 (86) 과, 제 1 구동원 (81) 및 제 1 승강 헤드 (82) 를 지지하는 브래킷 (84) 과, 제 1 승강 헤드 (82) 와 제 3 가드 (66) 를 연결하는 연결 부재 (85) 를 추가로 포함한다. 제 3 가드 승강 구동 유닛 (69) 은, 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동을 소정의 가동 범위 (E) 에서 규제하는 제 1 규제 유닛 (88) 을 추가로 포함한다.
제 1 가드 승강 구동 유닛 (67) 의 제 1 승강 헤드 (82) 는, 제 1 가드 (64) 의 측방에 배치되어 있고 (도 1 참조), 연결 부재 (85) 를 개재하여 제 1 가드 (64) 와 연결되어 있다. 제 1 가드 승강 구동 유닛 (67) 의 제 1 승강 헤드 (82) 는, 소정의 가동 범위 (E) 에서 제 1 가드 (64) 와 함께 상하동 가능하다.
제 2 가드 승강 구동 유닛 (68) 의 제 1 승강 헤드 (82) 는, 제 2 가드 (65) 의 측방에 배치되어 있고 (도 1 참조), 연결 부재 (85) 를 개재하여 제 2 가드 (65) 와 연결되어 있다. 제 2 가드 승강 구동 유닛 (68) 의 제 1 승강 헤드 (82) 는, 소정의 가동 범위 (E) 에서 제 2 가드 (65) 와 함께 상하동 가능하다.
브래킷 (84) 은, 수평으로 연장되는 저판 (84A) 과, 저판 (84A) 의 상면으로부터 상방으로 연장되는 제 1 측판 (84B) 과, 저판 (84A) 의 상면으로부터 상방으로 연장되고, 제 1 측판 (84B) 에 연결된 제 2 측판 (84C) 을 포함한다.
브래킷 (84) 은, 베이스판 (30) 에 형성된 관통공에 삽입 통과된 상태로 베이스판 (30) 에 고정되어 있다. 제 2 측판 (84C) 에는, 저판 (84A) 측과는 반대측에 수평으로 돌출된 제 1 고정부 (84D) 가 연결되어 있다. 저판 (84A) 에는, 저판 (84A) 보다 상방에 배치된 제 2 고정부 (84E) 가 단차를 두고 연결되어 있다. 제 1 고정부 (84D) 및 제 2 고정부 (84E) 의 각각에는, 볼트 (84F) 가 삽입 통과되어 있다. 이로써, 브래킷 (84) 이 베이스판 (30) 에 고정되어 있다.
브래킷 (84) 은, 그 전체가 적어도 챔버 (3) 의 각부 (31) 의 하단보다 상방에 위치하도록 배치되어 있다. 저판 (84A) 은, 그 상면이 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 위치하도록 배치되어 있다.
제 1 구동원 (81) 은, 챔버 (3) 의 수용 공간 (A) 에 수용되어 있다. 제 1 구동원 (81) 은, 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 배치되어 있다.
제 1 구동원 (81) 은, 수평으로 연장되는 회전축 (81A) 을 회전하는 회전 구동원으로서의 구동 모터 (81B) 를 추가로 포함한다. 구동 모터 (81B) 는, 대략 직방체의 모터 하우징을 가지고 있다. 제 1 구동원 (81) 은, 구동 모터 (81B) 에 의한 회전축 (81A) 의 회전을 감속시키기 위한 감속기 (도시 생략) 나 구동 모터 (81B) 의 회전 정보를 검지하기 위한 인코더 (도시 생략) 를 포함하고 있어도 된다.
제 1 구동원 (81) 의 회전축 (81A) 은, 구동 모터 (81B) 에 의해 지지되어 있다. 회전축 (81A) 은, 제 1 측판 (84B) 에 형성된 삽통공에 삽입 통과되어 있다. 회전축 (81A) 의 선단은, 저판 (84A) 의 상방에 위치하고 있다. 구동 모터 (81B) 는, 그 길이 방향 (회전축 (81A) 이 연장되는 방향이기도 하다) 이 수평을 향하도록, 예를 들어 복수의 나사에 의해 제 1 측판 (84B) 에 고정되어 있다. 그에 의해, 구동 모터 (81B) 는, 그 전체가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 위치하고 있다.
제 1 안내 유닛 (86) 은, 챔버 (3) 에 고정된 제 1 가이드 부재 (87) 를 포함한다. 상세하게는, 제 1 가이드 부재 (87) 는, 챔버 (3) 의 베이스판 (30) 에 고정된 브래킷 (84) 의 제 2 측판 (84C) 의 상단부에 고정되어 있다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 제 1 가이드 부재 (87) 에는, 제 2 측판 (84C) 측과는 반대측에서 제 1 가이드 부재 (87) 를 절결하는 오목부 (87A) 가 형성되어 있다. 오목부 (87A) 를 구획하도록 서로 대향하는 대향면 (87B) 의 각각에는, 상하 방향 (Z) 으로 연장되는 볼록 리브 (87C) 가 형성되어 있다.
제 1 승강 헤드 (82) 는, 이 실시형태에서는, 상하 방향 (Z) 으로 연장되는 사각주상 (四角柱狀) 이다. 제 1 승강 헤드 (82) 는, 제 2 측판 (84C) 에 고정된 제 1 가이드 부재 (87) 에 슬라이딩 가능하게 요철로 걸어맞추고 있고, 제 1 가이드 부재 (87) 를 개재하여 브래킷 (84) 에 지지되어 있다. 상세하게는, 제 1 승강 헤드 (82) 는, 오목부 (87A) 에 끼워넣어져 있다. 또, 제 1 승강 헤드 (82) 에 있어서 제 1 가이드 부재 (87) 의 대향면 (87B) 과 대향하는 면의 각각에는, 상하 방향 (Z) 으로 연장되는 오목홈 (82A) 이 형성되어 있다. 1 쌍의 오목홈 (82A) 에는, 1 쌍의 볼록 리브 (87C) 가 각각 걸어맞춰져 있다. 그 때문에, 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동은, 제 1 가이드 부재 (87) 에 의해 안내된다. 이와 같이 제 1 가이드 부재 (87) 는, 리니어 블록으로서 기능하고, 제 1 승강 헤드 (82) 는, 리니어 가이드로서 기능한다. 본 실시형태와는 달리, 제 1 가이드 부재 (87) 에 오목홈이 형성되어 있고, 제 1 승강 헤드 (82) 에 볼록부가 형성되어 있어도 된다. 이로써, 제 1 승강 헤드 (82) 가, 제 1 가이드 부재 (87) 에 슬라이딩 가능하게 요철로 걸어맞춘다.
연결 부재 (85) 는, 제 1 승강 헤드 (82) 의 상단에 나사 등에 의해 고정되어 있다. 연결 부재 (85) 는, 배기통 (60) 의 덮개부 (60C) 에 하방에서 대향하고 있다.
제 1 회전 전달 유닛 (83) 은, 제 1 승강 헤드 (82) 에 형성된 복수의 랙 톱니 (83A) 와, 회전축 (81A) 의 회전이 전달되어 랙 톱니 (83A) 에 맞물린 복수의 피니언 톱니 (83B) 를 포함한다. 복수의 랙 톱니 (83A) 는, 제 1 승강 헤드 (82) 에 있어서 제 2 측판 (84C) 측의 면과는 반대측의 면에 상하로 나열되어 있다. 각 랙 톱니 (83A) 는, 대략 수평으로 연장되는 잇줄을 갖는다. 복수의 피니언 톱니 (83B) 는, 회전축 (81A) 의 선단에 형성되어 있다. 복수의 피니언 톱니 (83B) 는, 회전축 (81A) 의 둘레 방향으로 나열되어 있다. 피니언 톱니 (83B) 는, 제 2 측판 (84C) 과는 반대측에서 랙 톱니 (83A) 와 대향하고 있다. 피니언 톱니 (83B) 는, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 위치가 적어도 부분적으로 제 1 가이드 부재 (87) 와 중첩되어 있다. 피니언 톱니 (83B) 는, 랙 톱니 (83A) 와 맞물림 가능한 상태로, 브래킷 (84) 에 고정된 케이스 (83C) 에 의해 덮여 있어도 된다 (도 4 참조).
제 1 규제 유닛 (88) 은, 제 1 승강 헤드 (82) 의 가동 범위 (E) 의 하단 위치를 규제하는 하단 위치 규제 부재로서의 저판 (84A) 과, 제 1 승강 헤드 (82) 의 가동 범위 (E) 의 상단 위치를 규제하는 상단 위치 규제 부재로서의 덮개부 (60C) 를 포함한다. 제 1 승강 헤드 (82) 의 가동 범위 (E) 의 하단 위치는, 제 1 승강 헤드 (82) 가 하강하고, 그 하단이 저판 (84A) 과 맞닿을 때의 제 1 승강 헤드 (82) 의 하단의 위치 (도 3 의 지면 하측에 2 점 쇄선으로 나타내는 위치) 이다. 제 1 승강 헤드 (82) 의 가동 범위 (E) 의 상단 위치는, 제 1 승강 헤드 (82) 가 상승하여, 그 상단에 연결된 연결 부재 (85) 가 배기통 (60) 의 덮개부 (60C) 에 맞닿을 때의 제 1 승강 헤드 (82) 의 상단의 위치 (도 3 의 지면 상측에 2 점 쇄선으로 나타내는 위치) 이다.
하단 위치 규제부인 저판 (84A) 의 상면은, 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 위치하고 있다. 그에 의해, 제 1 승강 헤드 (82) 의 가동 범위 (E) 의 하단 위치는, 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 위치하고 있다. 따라서, 제 1 승강 헤드 (82) 의 가동 범위 (E) 전체는, 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 위치하고 있다. 제 1 구동원 (81) 은, 상하 방향 (Z) 으로 제 1 승강 헤드 (82) 와 나열되어 배치되어 있는 것은 아니며, 제 1 승강 헤드 (82) 의 가동 범위 (E) 의 측방에 전체가 배치되어 있다.
다음으로, 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 동작에 대해 설명한다.
제 1 구동원 (81) 의 구동 모터 (81B) 가 회전축 (81A) 을 회전시키면, 회전축 (81A) 의 선단의 피니언 톱니 (83B) 가 회전한다. 피니언 톱니 (83B) 의 회전은, 랙 톱니 (83A) 를 개재하여 제 1 승강 헤드 (82) 에 전달되고, 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하 방향 (Z) 의 직선 운동으로 변환된다. 이로써, 제 1 승강 헤드 (82) 가 상하동된다. 이와 같이, 랙 톱니 (83A) 및 피니언 톱니 (83B) 는, 회전축 (81A) 의 회전을 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동으로 변환하는 운동 변환 유닛이기도 하다. 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동은, 제 1 안내 유닛 (86) 의 제 1 가이드 부재 (87) 에 의해 안내된다.
제 3 가드 승강 구동 유닛 (69) 에서는, 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동에 따라 제 3 가드 (66) 가 승강된다. 제 3 가드 승강 구동 유닛 (69) 에서는, 제 1 구동원 (81) 의 구동 모터 (81B) 가 회전축 (81A) 의 회전을 정지시키면, 피니언 톱니 (83B) 와 맞물리는 랙 톱니 (83A) 의 상하동이 정지된다. 이로써, 제 3 가드 (66) 의 승강이 정지된다.
동일하게, 제 1 가드 승강 구동 유닛 (67) 에서는, 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동에 따라 제 1 가드 (64) 가 승강된다. 제 1 가드 승강 구동 유닛 (67) 에서는, 제 1 구동원 (81) 의 구동 모터 (81B) 가 회전축 (81A) 의 회전을 정지시키면, 피니언 톱니 (83B) 와 맞물리는 랙 톱니 (83A) 의 상하동이 정지된다. 이로써, 제 1 가드 (64) 의 승강이 정지된다.
동일하게, 제 2 가드 승강 구동 유닛 (68) 에서는, 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동에 따라 제 2 가드 (65) 가 승강된다. 제 2 가드 승강 구동 유닛 (68) 에서는, 제 1 구동원 (81) 의 구동 모터 (81B) 가 회전축 (81A) 의 회전을 정지시키면, 피니언 톱니 (83B) 와 맞물리는 랙 톱니 (83A) 의 상하동이 정지된다. 이로써, 제 2 가드 (65) 의 승강이 정지된다.
도 6 을 참조하면, 처리 유닛 (2) 은, 복수의 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 을 수용하고, 또한 복수의 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 을 챔버 (3) 내의 수용 공간 (A) 내의 분위기로부터 이격시키는 제 1 이격 부재 (70) 를 포함한다. 제 1 이격 부재 (70) 는, 베이스판 (30) 의 상면 (30A) 에 고정된 하우징 (73) 과, 하우징 (73) 과 각 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 연결 부재 (85) 사이에 형성되고, 상하로 신축 가능한 복수의 벨로스 (74) 를 포함한다.
하우징 (73) 은, 복수의 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 제 1 구동원 (81) 과 제 1 승강 헤드 (82) 의 하측 부분을 수용한다.
벨로스 (74) 는, 예를 들어 테플론 (등록상표) 제이다. 복수의 벨로스 (74) 는, 복수의 제 1 승강 헤드 (82) 의 상측 부분을 각각 수용한다. 복수의 벨로스 (74) 는, 복수의 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동에 맞춰 복수의 연결 부재 (85) 가 상하동할 때에 상하 방향 (Z) 으로 각각 신축된다.
이 구성에 의하면, 제 1 ∼ 제 3 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 은, 제 1 ∼ 제 3 가드 (64 ∼ 66) 의 승강을 구동시킨다. 제 1 ∼ 제 3 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 에 있어서, 제 1 승강 헤드 (82) 가 가동 범위 (E) 의 가장 하방에 위치하는 경우에도, 제 1 구동원 (81) 및 제 1 승강 헤드 (82) 가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 배치된다. 그 때문에, 제 1 구동원 (81) 및 제 1 승강 헤드 (82) 가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 하방에 배치되어 있는 구성과 비교하여, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 처리 유닛 (2) 의 치수를 억제할 수 있다. 이로써, 복수의 처리 유닛 (2) 을 상하 방향 (Z) 에 근접시켜 배치할 수 있다. 따라서, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 기판 처리 시스템 (1) 전체의 치수를 억제할 수도 있고, 기판 처리 시스템 (1) 에 탑재할 수 있는 처리 유닛 (2) 의 수를 늘릴 수도 있다.
또, 제 1 구동원 (81) 이 챔버 (3) 의 수용 공간 (A) 에 수용되어 있다. 그 때문에, 상하 방향 (Z) 및 수평 방향으로 처리 유닛 (2) 의 치수를 억제할 수 있다.
또, 제 1 구동원 (81) 의 전체가 제 1 승강 헤드 (82) 의 가동 범위 (E) 의 측방에 배치되어 있다. 그 때문에, 제 1 구동원 (81) 과 제 1 승강 헤드 (82) 를 수평 방향으로 나열하여 배치함으로써 상하 방향 (Z) 에 있어서의 제 1 ∼ 제 3 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 치수를 억제할 수 있다. 따라서, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 처리 유닛 (2) 의 치수를 더욱 억제할 수 있다.
또, 수평으로 연장되는 회전축 (81A) 의 회전을 제 1 승강 헤드 (82) 에 전달함으로써 제 1 승강 헤드 (82) 를 상하동시킬 수 있다. 그 때문에, 회전축 (81A) 의 축 방향으로 긴 제 1 구동원 (81) 을 사용하는 경우에도 상하 방향 (Z) 에 있어서의 제 1 ∼ 제 3 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 치수를 억제할 수 있다.
또, 서로 맞물리는 랙 톱니 (83A) 및 피니언 톱니 (83B) 를 포함하는 간단한 구성에 의해, 제 1 승강 헤드 (82) 의 측방에 배치된 회전축 (81A) 의 회전을 제 1 승강 헤드 (82) 에 전달할 수 있다. 따라서, 제 1 구동원 (81) 의 전체를 제 1 승강 헤드 (82) 의 가동 범위 (E) 의 측방에 배치하기 쉽다. 따라서, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 제 1 ∼ 제 3 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 치수를 보다 더 억제할 수 있다.
또, 제 1 안내 유닛 (86) 에 의해 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동이 안내된다. 그 때문에, 제 1 승강 헤드 (82) 를 정확하게 또한 안정적으로 상하동시킬 수 있다. 그 때문에, 제 1 승강 헤드 (82) 와 다른 부재 (브래킷 (84) 이나 제 1 구동원 (81) 등) 사이의 거리를 줄일 수 있다.
또, 제 1 승강 헤드 (82) 와 제 1 가이드 부재 (87) 를 요철로 걸어맞추게 한 간단한 구성에 의해 제 1 승강 헤드 (82) 의 상하동을 안내할 수 있다. 그 때문에, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 제 1 ∼ 제 3 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 치수를 보다 더 억제할 수 있다.
또, 제 1 이격 부재 (70) 에 의해, 제 1 ∼ 제 3 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 이 챔버 (3) 내의 수용 공간 (A) 내의 분위기로부터 이격되어 있다. 그 때문에, 수용 공간 (A) 내의 분위기 중에 비산되는 물질의 양이나 종류에 관계없이, 제 1 구동원 (81) 및 제 1 승강 헤드 (82) 를 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 배치할 수 있다.
또, 제 1 ∼ 제 3 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 이 노즐 아암 (51) 의 수평 이동 범위의 바로 아래에 배치되어 있다. 그 때문에, 노즐 아암 (51) 의 하방의 스페이스를 이용하여, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 처리 유닛 (2) 의 치수를 억제할 수 있다.
다음으로, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 의 구성에 대해 상세하게 설명한다.
도 7 은, 도 1 의 VII-VII 선을 따른 단면의 모식도이다. 도 8 은, 도 7 의 VIII-VIII 선을 따른 단면의 모식도이다.
차단판 승강 구동 유닛 (54) 은, 제 2 구동원 (91) 과, 차단판 (6) 의 측방에 배치되고, 소정의 가동 범위 (F) 에서 차단판 (6) 과 함께 제 2 구동원 (91) 에 의해 상하동되는 제 2 승강 헤드 (92) 를 포함한다. 제 2 구동원 (91) 은, 상하로 연장되는 회전축 (91A) 을 포함한다. 차단판 승강 구동 유닛 (54) 은, 회전축 (91A) 의 회전을 제 2 승강 헤드 (92) 에 전달함으로써 제 2 승강 헤드 (92) 를 상하동시키는 제 2 회전 전달 유닛 (93) 을 추가로 포함한다. 차단판 승강 구동 유닛 (54) 은, 제 2 승강 헤드 (92) 의 상하동을 안내하는 제 2 안내 유닛 (96) 과, 제 2 구동원 (91) 을 지지하는 제 1 브래킷 (94) 과, 제 2 승강 헤드 (92) 를 지지하는 제 2 브래킷 (95) 을 추가로 포함한다. 차단판 승강 구동 유닛 (54) 은, 제 2 승강 헤드 (92) 의 상하동을 소정의 가동 범위 (F) 에서 규제하는 제 2 규제 유닛 (98) 을 추가로 포함한다.
제 2 구동원 (91) 은, 수용 공간 (A) 내에 배치되어 있다. 제 2 구동원 (91) 은, 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 배치되어 있다. 제 2 구동원 (91) 은, 상하로 연장되는 회전축 (91A) 을 회전하는 회전 구동원으로서의 구동 모터 (91B) 를 추가로 포함한다. 구동 모터 (91B) 는, 대략 직방체의 모터 하우징을 포함한다. 구동 모터 (91B) 는, 그 길이 방향이 상하를 향하도록, 베이스판 (30) 의 상면 (30A) 으로부터 상방으로 연장되는 제 1 브래킷 (94) 에 의해 고정되어 있다. 제 2 구동원 (91) 은, 구동 모터 (91B) 에 의한 회전축 (91A) 의 회전을 감속시키기 위한 감속기 (도시 생략) 나 구동 모터 (91B) 의 회전수를 검지하기 위한 인코더 (도시 생략) 를 포함하고 있어도 된다.
제 2 구동원 (91) 의 회전축 (91A) 은, 구동 모터 (91B) 에 의해 지지되어 있다. 회전축 (91A) 은, 구동 모터 (91B) 의 하단으로부터 하방으로 연장되어 있다. 회전축 (91A) 의 선단은, 베이스판 (30) 의 상방에 위치하고 있다.
제 2 브래킷 (95) 은, 베이스판 (30) 의 상면 (30A) 으로부터 상방으로 연장되는 대략 각통상이다. 제 2 브래킷 (95) 은, 전체가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 배치되어 있다.
제 2 안내 유닛 (96) 은, 제 2 브래킷 (95) 에 고정된 1 쌍의 제 2 가이드 부재 (97) 를 포함한다. 1 쌍의 제 2 가이드 부재 (97) 의 각각은, 제 2 브래킷 (95) 의 상단으로부터 상방으로 연장되는 판상이다. 1 쌍의 제 2 가이드 부재 (97) 는 서로 대향하고 있다. 1 쌍의 제 2 가이드 부재 (97) 에는, 서로 가까워지도록 돌출된 볼록 리브 (97A) 가 각각 형성되어 있다. 볼록 리브 (97A) 는, 상하 방향 (Z) 으로 연장되는 줄무늬상이다.
제 2 승강 헤드 (92) 는, 상하 방향 (Z) 으로 연장되는 사각주상이고, 제 2 구동원 (91) 의 측방에 배치되어 있다. 제 2 승강 헤드 (92) 에는, 제 2 구동원 (91) 측과는 반대측으로부터 제 2 구동원 (91) 측으로 제 2 승강 헤드 (92) 를 절결하는 오목부 (92A) 가 형성되어 있다. 제 2 승강 헤드 (92) 는, 오목부 (92A) 를 하방에서 구획하는 하판부 (92B) 와, 오목부 (92A) 를 상방에서 구획하는 상판부 (92C) 를 갖는다.
제 2 승강 헤드 (92) 는, 제 2 브래킷 (95) 에 고정된 1 쌍의 제 2 가이드 부재 (97) 에 의해 슬라이딩 가능하게 요철로 걸어맞추고 있고, 이로써, 1 쌍의 제 2 가이드 부재 (97) 를 개재하여 제 2 브래킷 (95) 에 지지되어 있다. 상세하게는, 제 2 승강 헤드 (92) 는, 제 2 승강 헤드 (92) 의 제 2 구동원 (91) 측의 면의 양 측방의 면에 연결되고, 제 2 가이드 부재 (97) 에 걸어맞춰지는 1 쌍의 걸어맞춤 부재 (99) 를 포함한다. 각 걸어맞춤 부재 (99) 에는, 상하 방향 (Z) 으로 연장되는 오목홈 (99A) 이 형성되어 있다. 1 쌍의 오목홈 (99A) 의 각각에는, 볼록 리브 (97A) 가 걸어맞추어져 있다. 본 실시형태와는 달리, 걸어맞춤 부재 (99) 에 볼록부가 형성되어 있고, 제 2 가이드 부재 (97) 에 오목홈이 형성되어 있어도 된다. 이로써, 제 2 승강 헤드 (92) 가 제 2 가이드 부재 (97) 에 슬라이딩 가능하게 요철로 걸어맞춘다.
제 2 회전 전달 유닛 (93) 은, 상하로 연장되는 나사축 (93A) 과, 회전축 (91A) 의 회전을 나사축 (93A) 에 전달하는 전달 벨트 (93B) 와, 제 2 승강 헤드 (92) 에 고정되고 나사축 (93A) 과 나사 결합한 너트 (93C) 를 포함한다.
나사축 (93A) 은, 예를 들어, 베어링 (93D) 을 개재하여 제 2 브래킷 (95) 에 회전 가능하게 지지되어 있다. 나사축 (93A) 은, 하판부 (92B) 에 형성된 삽통공에 삽입 통과되어 있고, 그 선단은, 제 2 승강 헤드 (92) 의 오목부 (92A) 내에 위치하고 있다. 전달 벨트 (93B) 는, 회전축 (91A) 의 하단과, 나사축 (93A) 의 하단에 장착된 풀리 (93E) 에 걸어 걸쳐져 있다. 너트 (93C) 는, 오목부 (92A) 내에 수용되어 있고, 하판부 (92B) 에 나사 등에 의해 고정되어 있다.
제 2 규제 유닛 (98) 은, 챔버 (3) 에 고정된 피맞닿음 부재 (98A) 와, 제 2 승강 헤드 (92) 에 고정되고 피맞닿음 부재 (98A) 에 상방에서 대향하는 제 1 맞닿음 부재 (98B) 와, 제 2 승강 헤드 (92) 에 고정되고 피맞닿음 부재 (98A) 에 하방에서 대향하는 제 2 맞닿음 부재 (98C) 를 포함한다. 피맞닿음 부재 (98A) 는, 예를 들어, 제 2 브래킷 (95) 의 상단에 고정되어 있다.
제 2 승강 헤드 (92) 의 가동 범위 (F) 의 하단 위치는, 피맞닿음 부재 (98A) 와 제 1 맞닿음 부재 (98B) 가 맞닿을 때의 제 2 승강 헤드 (92) 의 하단의 위치이다 (도 7 에 2 점 쇄선으로 나타내는 제 2 승강 헤드 (92) 를 참조). 제 2 승강 헤드 (92) 의 가동 범위 (F) 의 상단 위치는, 피맞닿음 부재 (98A) 와 제 2 맞닿음 부재 (98C) 가 맞닿을 때의 제 2 승강 헤드 (92) 의 상단의 위치이다 (도 7 에 실선으로 나타내는 제 2 승강 헤드 (92) 를 참조). 제 2 구동원 (91) 은, 상하 방향 (Z) 에 제 2 승강 헤드 (92) 와 나열되어 배치되어 있는 것은 아니며, 제 2 승강 헤드 (92) 의 가동 범위 (F) 의 측방에 전체가 배치되어 있다.
다음으로, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 의 동작에 대해 설명한다.
제 2 구동원 (91) 의 구동 모터 (91B) 가 회전축 (91A) 을 회전시키면, 전달 벨트 (93B) 가 회전축 (91A) 및 풀리 (93E) 의 둘레를 회전하고, 풀리 (93E) 를 통해 나사축 (93A) 을 회전시킨다. 회전축 (91A) 의 회전은, 나사축 (93A) 에 나사 결합하는 너트 (93C) 가 고정된 제 2 승강 헤드 (92) 의 상하 방향 (Z) 의 직선 운동으로 변환된다. 이로써, 제 2 승강 헤드 (92) 가 상하동된다. 제 2 승강 헤드 (92) 는, 1 쌍의 제 2 가이드 부재 (97) 에 슬라이딩 가능하게 요철로 걸어맞추고 있기 때문에, 제 2 승강 헤드 (92) 는, 회전하지 않고, 1 쌍의 제 2 가이드 부재 (97) 에 의해 상하 방향 (Z) 으로 안내된다.
제 2 구동원 (91) 의 구동 모터 (91B) 가 회전축 (91A) 의 회전을 정지시키면, 나사축 (93A) 과 나사 결합하는 너트 (93C) 의 상하동은 정지되므로, 차단판 (6) (도 2 참조) 의 승강이 정지된다.
처리 유닛 (2) 은, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 을 수용하고, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 을 챔버 (3) 의 수용 공간 (A) 내의 분위기로부터 이격시키는 제 2 이격 부재 (75) 를 추가로 포함한다. 제 2 이격 부재 (75) 는, 베이스판 (30) 의 상면 (30A) 에 고정된 하우징 (76) 과, 하우징 (76) 과 차단판 지지 부재 (53) 사이에 형성되고, 상하로 신축 가능한 벨로스 (77) 를 포함한다.
하우징 (76) 은, 제 2 구동원 (91) 과 제 2 승강 헤드 (92) 의 하측 부분을 수용한다. 벨로스 (77) 는, 예를 들어 테플론 (등록상표) 제이다. 벨로스 (77) 는, 제 2 승강 헤드 (92) 의 상측 부분을 수용한다. 벨로스 (77) 는, 제 2 승강 헤드 (92) 의 상하동에 맞춰 차단판 지지 부재 (53) 가 상하동될 때에 상하 방향 (Z) 으로 신축된다.
처리 유닛 (2) 은, 복수의 배선 (56) 을 개재하여 차단판 (6) 에 전기적으로 연결되고, 상하로 신축 가능한 코일상의 복수의 배선 (78) 과, 차단판 (6) 과 함께 승강하여, 복수의 배선 (78) 의 신축을 가이드하는 배선 가이드 (79) 를 포함한다. 복수의 배선 (78) 및 배선 가이드 (79) 는, 벨로스 (77) 내에 수용되어 있다. 복수의 배선 (78) 은, 배선 (56) 과 동수 형성되어 있다. 각 배선 (78) 에는, 배선 (56) 이 1 개씩 접속되어 있다. 복수의 배선 (78) 은, 전체적으로 상하 방향 (Z) 으로 연장되는 통상을 형성하고 있다. 복수의 배선 (78) 은, 상하 방향 (Z) 으로 연장되는 원통상의 공간 (78A) 을 구획하고 있다. 배선 가이드 (79) 는, 차단판 지지 부재 (53) 로부터 하방으로 연장되는 축상이다. 배선 가이드 (79) 는, 코일상의 복수의 배선 (78) 에 의해 구획되는 원통상의 공간 (78A) 에 삽입 통과되어 있다.
제 2 승강 헤드 (92) 와 함께 차단판 (6) 이 하강할 때, 코일상의 배선 (78) 은, 공간 (78A) 을 하강하는 배선 가이드 (79) 에 의해 가이드되면서 상하 방향 (Z) 으로 피치를 줄임으로써, 상하 방향 (Z) 으로 수축된다. 반대로, 제 2 승강 헤드 (92) 와 함께 차단판 (6) 이 상승할 때, 코일상의 배선 (78) 은, 공간 (78A) 을 상승하는 배선 가이드 (79) 에 의해 가이드되면서 상하 방향 (Z) 으로 피치를 넓힘으로써, 상하 방향 (Z) 으로 신장된다.
이 구성에 의하면, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 은, 차단판 (6) 의 승강을 구동시킨다. 차단판 승강 구동 유닛 (54) 에 있어서, 제 2 승강 헤드 (92) 가 가동 범위 (F) 의 가장 하방에 위치하는 경우에도, 제 2 구동원 (91) 및 제 2 승강 헤드 (92) 가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 배치된다. 그 때문에, 제 2 구동원 (91) 및 제 2 승강 헤드 (92) 가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 하방에 배치되어 있는 구성과 비교하여, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 처리 유닛 (2) 의 치수를 억제할 수 있다. 이로써, 복수의 처리 유닛 (2) 을 상하 방향 (Z) 에 근접시켜 배치할 수 있다. 따라서, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 기판 처리 시스템 (1) 전체의 치수를 억제할 수도 있고, 기판 처리 시스템 (1) 에 탑재할 수 있는 처리 유닛 (2) 의 수를 늘릴 수도 있다.
또, 제 2 구동원 (91) 이 챔버 (3) 의 수용 공간 (A) 에 수용되어 있다. 그 때문에, 상하 방향 (Z) 및 수평 방향으로 처리 유닛 (2) 의 치수를 억제할 수 있다.
또, 제 2 구동원 (91) 전체가 제 2 승강 헤드 (92) 의 가동 범위 (F) 의 측방에 배치되어 있다. 그 때문에, 제 2 구동원 (91) 과 제 2 승강 헤드 (92) 를 수평 방향으로 나열하여 배치함으로써 상하 방향 (Z) 에 있어서의 차단판 승강 구동 유닛 (54) 의 치수를 억제할 수 있다. 따라서, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 처리 유닛 (2) 의 치수를 더욱 억제할 수 있다.
또, 상하로 연장되는 회전축 (91A) 의 회전을 제 2 승강 헤드 (92) 에 전달함으로써 제 2 승강 헤드 (92) 를 상하동시킬 수 있다. 그 때문에, 회전축 (91A) 의 축 방향을 상하를 향하여 제 2 구동원 (91) 을 배치하면서, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 차단판 승강 구동 유닛 (54) 의 치수를 억제할 수 있다.
또, 나사축 (93A) 및 이것에 나사 결합한 너트 (93C) 를 포함하는 간단한 구성의 제 2 회전 전달 유닛 (93) 에 의해 회전축 (91A) 의 회전을 제 2 승강 헤드 (92) 에 전달할 수 있다. 그 때문에, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 차단판 승강 구동 유닛 (54) 의 치수를 보다 더 억제할 수 있다.
또, 제 2 안내 유닛 (96) 에 의해 제 2 승강 헤드 (92) 의 상하동이 안내된다. 그 때문에, 제 2 승강 헤드 (92) 를 정확하게 또한 안정적으로 상하동시킬 수 있다. 그 때문에, 제 2 승강 헤드 (92) 와 다른 부재 (제 2 구동원 (91) 이나 제 2 브래킷 (95) 등) 사이의 거리를 줄일 수 있다.
또, 제 2 승강 헤드 (92) 와 제 2 가이드 부재 (97) 를 요철로 걸어맞추게 한 간단한 구성에 의해 제 2 승강 헤드 (92) 의 상하동을 안내할 수 있다. 그 때문에, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 차단판 승강 구동 유닛 (54) 의 치수를 보다 더 억제할 수 있다.
또, 제 2 이격 부재 (75) 에 의해, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 이 챔버 (3) 내의 수용 공간 (A) 내의 분위기로부터 이격되어 있다. 그 때문에, 챔버 (3) 의 수용 공간 (A) 내의 분위기 중에 비산되는 물질의 양이나 종류에 관계없이, 제 2 구동원 (91) 및 제 2 승강 헤드 (92) 를 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 배치할 수 있다.
또, 코일상의 배선 (78) 은, 차단판 (6) 에 연결되어 상하로 신축 가능하다. 그 때문에, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 코일상의 배선 (78) 의 치수는, 차단판 (6) 의 승강에 맞춰 조정된다. 따라서, 차단판 (6) 을 승강시킬 때에 상하로 신축되지 않고 하방으로 늘어뜨린 U 자상의 부분을 상하동시켜 상하 방향 (Z) 에 있어서의 치수를 조정하도록 구성된 배선 (코일상이 아닌 배선) 과 비교하여, 배선 (78) 을 사용함으로써, 필요한 스페이스를 상하 방향 (Z) 으로 작게 할 수 있다.
배선 가이드 (79) 에 의해 코일상의 배선 (78) 의 신축을 안내할 수 있으므로, 코일상의 배선 (78) 이 넘어지거나 배선 (78) 의 일부가 수평 방향으로 비어져 나오거나 하는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 배선 (78) 이 벨로스 (77) 에 접촉하는 것에서 기인하는 벨로스 (77) 의 손상을 방지할 수 있다. 바꾸어 말하면, 배선 (78) 의 신축을 위해서 벨로스 (77) 내에 큰 공간을 확보할 필요가 없다. 그 때문에, 벨로스 (77) 를 작게 할 수 있고, 그에 따라, 챔버 (3) 내의 수용 스페이스를 압박하지 않고, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 및 배선 (78) 을 챔버 (3) 내에 배치할 수 있다.
또, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 은, 노즐 아암 (51) 의 수평 이동 범위의 바로 아래에 배치되어 있다. 그 때문에, 노즐 아암 (51) 의 하방의 스페이스를 이용하여, 상하 방향 (Z) 에 있어서의 기판 처리 시스템 (1) 의 치수를 억제할 수 있다.
본 발명은, 이상에 설명한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 또 다른 형태로 실시할 수 있다.
예를 들어, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 은, 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 과 동일한 구성을 가지고 있어도 된다. 즉, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 의 제 2 구동원 (91) 이, 수평으로 연장되는 회전축 (91A) 을 회전하는 구동 모터 (91B) 를 포함하고 있고, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 의 제 2 회전 전달 유닛 (93) 이, 제 2 승강 헤드 (92) 에 형성되고 상하로 나열되는 복수의 랙 톱니와 회전축 (91A) 의 선단에 형성되고 당해 랙 톱니와 맞물리는 피니언 톱니를 포함하는 구성이어도 된다.
반대로, 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 제 1 구동원 (81) 이, 상하로 연장되는 회전축 (81A) 을 회전하는 구동 모터 (81B) 를 포함하고 있고, 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 의 제 1 회전 전달 유닛 (83) 이, 회전축 (81A) 의 회전이 전달되어 상하로 연장되는 나사축과, 제 1 승강 헤드 (82) 에 고정되고 당해 나사축과 나사 결합한 너트를 포함하는 구성이어도 된다.
또, 본 실시형태의 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 에 대해, 브래킷 (84) 의 저판 (84A) 의 일부가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 의 하방에 위치하고 있는 형태에 대해 설명하였다. 그러나, 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 은, 그 전체가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 의 상방에 위치하고 있어도 되고, 그 전체가 수용 공간 (A) 에 수용되어 있어도 된다. 또한 가드 승강 구동 유닛 (67 ∼ 69) 에 대해, 적어도 제 1 구동원 (81) 과 제 1 승강 헤드 (82) 의 가동 범위 (E) 가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 상방에 배치되어 있으면 되고, 제 1 구동원 (81) 이 수용 공간 (A) 에 수용되어 있지 않고 챔버 (3) 의 측방에 배치되어 있는 형태도 가능하다.
또, 본 실시형태의 차단판 승강 구동 유닛 (54) 은, 그 전체가 수용 공간 (A) 에 수용되어 있는 형태에 대해 설명하였다. 그러나, 차단판 승강 구동 유닛 (54) 전체가 수용 공간 (A) 에 수용되어 있지 않은 형태도 있을 수 있다. 즉, 제 2 구동원 (91) 과 제 2 승강 헤드 (92) 의 가동 범위 (F) 가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 의 상방에 위치하고 있으면, 제 2 구동원 (91) 이 수용 공간 (A) 에 수용되어 있지 않고 챔버 (3) 의 측방에 배치되어 있는 형태도 가능하다. 또, 제 1 브래킷 (94) 이나 제 2 브래킷 (95) 의 일부가 베이스판 (30) 의 하면 (30B) 보다 하방에 위치하고 있어도 된다.
또, 승강 구동 유닛은, 가드 (64 ∼ 66) 나 차단판 (6) 의 승강을 구동시키는 것에 한정되지 않고, 컵 (61, 62) 이나, 노즐 (41, 42, 43) 등의 챔버 (3) 의 수용 공간 (A) 내에서 승강하는 모든 부재에 적용할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 사용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들의 구체예에 한정되어 해석되어야 하는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
본 출원은, 2016년 2월 12일에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 2016-024955호에 대응하고 있고, 본 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 받아들여지는 것으로 한다.

Claims (14)

  1. 수용 공간의 하방을 구획하는 상면을 갖는 베이스판을 구비한 챔버와,
    상기 챔버의 수용 공간에 수용되고, 상기 베이스판의 상면에 재치되어 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과,
    상기 챔버의 수용 공간 내에서 승강하는 승강 부재와,
    상기 승강 부재의 승강을 구동시키는 승강 구동 유닛을 포함하고,
    상기 승강 구동 유닛은, 상기 베이스판의 하면보다 상방에 배치된 구동원과, 상기 승강 부재에 연결되고, 상기 베이스판의 하면보다 상방에 전체가 위치하는 가동 범위에서 상기 구동원에 의해 상하동되는 승강 헤드를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동원이 상기 챔버의 수용 공간 내에 수용되어 있는, 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 구동원은, 상기 승강 헤드의 가동 범위의 측방에 전체가 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 구동원은, 수평으로 연장되는 회전축을 회전하는 회전 구동원을 포함하고,
    상기 승강 구동 유닛은, 상기 회전축의 회전을 상기 승강 헤드에 전달함으로써 상기 승강 헤드를 상하동시키는 회전 전달 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 회전 전달 유닛은, 상기 승강 헤드에 고정되어 상하로 나열되는 복수의 랙 톱니와, 상기 회전축의 회전이 전달되어 상기 랙 톱니에 맞물린 피니언 톱니를 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 구동원은, 상하로 연장되는 회전축을 회전하는 회전 구동원을 포함하고,
    상기 승강 구동 유닛은, 상기 회전축의 회전을 상기 승강 헤드에 전달함으로써 상기 승강 헤드를 상하동시키는 회전 전달 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 회전 전달 유닛은, 상기 회전축의 회전이 전달되어 상하로 연장되는 나사축과, 상기 승강 헤드에 고정되어 상기 나사축과 나사 결합한 너트를 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 승강 구동 유닛은, 상기 승강 헤드의 상하동을 안내하는 안내 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 안내 유닛은, 상기 챔버에 고정되어 상기 승강 헤드에 대해 슬라이딩 가능하게 요철로 걸어맞추는 가이드 부재를 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 승강 부재는, 상기 기판 유지 유닛을 둘러싸는 가드를 포함하고,
    상기 승강 구동 유닛은, 상기 가드를 승강시키는 가드 승강 구동 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 승강 부재는, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판의 상면에 대향하는 차단판을 포함하고,
    상기 승강 구동 유닛은, 상기 차단판을 승강시키는 차단판 승강 구동 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 승강 구동 유닛을 상기 챔버의 수용 공간 내의 분위기로부터 이격시키는 이격 부재를 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 차단판에 연결되어 상하로 신축 가능한 코일상의 배선과,
    상기 차단판과 함께 승강하여, 상기 배선의 신축을 가이드하는 배선 가이드와,
    상기 차단판 승강 구동 유닛을 상기 챔버의 수용 공간 내의 분위기로부터 이격시키는 이격 부재를 추가로 포함하고,
    상기 이격 부재는, 상하로 신축 가능하고, 상기 배선 및 상기 배선 가이드를 수용하는 벨로스를 포함하는, 기판 처리 장치.
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 유체를 공급하는 유체 공급 노즐과,
    상기 유체 공급 노즐을 수평으로 이동시키는 노즐 아암을 추가로 포함하고,
    상기 승강 구동 유닛은, 상기 노즐 아암의 수평 이동 범위의 바로 아래에 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
KR1020170017354A 2016-02-12 2017-02-08 기판 처리 장치 KR102007558B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-024955 2016-02-12
JP2016024955A JP6614610B2 (ja) 2016-02-12 2016-02-12 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170095133A true KR20170095133A (ko) 2017-08-22
KR102007558B1 KR102007558B1 (ko) 2019-08-05

Family

ID=59560060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170017354A KR102007558B1 (ko) 2016-02-12 2017-02-08 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10449577B2 (ko)
JP (1) JP6614610B2 (ko)
KR (1) KR102007558B1 (ko)
CN (1) CN107086201B (ko)
TW (1) TWI684228B (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
US9958782B2 (en) * 2016-06-29 2018-05-01 Applied Materials, Inc. Apparatus for post exposure bake
CN110164797A (zh) * 2019-05-27 2019-08-23 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 晶圆脱水装置及设备
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140132601A (ko) * 2013-05-08 2014-11-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20150078631A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2522008B2 (ja) 1988-03-31 1996-08-07 三菱マテリアル株式会社 トランスファ―成形用タブレット供給装置
EP1311773B1 (de) * 2000-08-17 2006-11-22 KNORR-BREMSE SYSTEME FÜR NUTZFAHRZEUGE GmbH Scheibenbremse mit einer nachstell-einrichtung auf jeder seite der bremsscheibe
JP2002177856A (ja) 2000-12-15 2002-06-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4074814B2 (ja) * 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US7018555B2 (en) * 2002-07-26 2006-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
JP4494840B2 (ja) 2003-06-27 2010-06-30 大日本スクリーン製造株式会社 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法
US7614222B2 (en) * 2005-07-29 2009-11-10 Delphi Technologies, Inc. System and method for directing fluid flow
JP4890067B2 (ja) * 2006-03-28 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板搬送方法
JP2009124041A (ja) 2007-11-16 2009-06-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5548841B2 (ja) * 2008-01-16 2014-07-16 チャーム エンジニアリング シーオー エルティーディー 基板処理装置
JP2009188168A (ja) 2008-02-06 2009-08-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および該装置の制御方法
JP5312856B2 (ja) 2008-06-27 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20100011165A1 (en) * 2008-07-11 2010-01-14 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Cache management systems and methods
US8317450B2 (en) * 2008-10-30 2012-11-27 Lam Research Corporation Tactile wafer lifter and methods for operating the same
US8099752B2 (en) * 2008-12-03 2012-01-17 Sony Corporation Non-real time services
JP5641556B2 (ja) * 2009-09-30 2014-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2011135009A (ja) 2009-12-25 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 基板乾燥装置及び基板乾燥方法
TWI480937B (zh) 2011-01-06 2015-04-11 Screen Holdings Co Ltd 基板處理方法及基板處理裝置
JP5701068B2 (ja) 2011-01-06 2015-04-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2013051265A (ja) 2011-08-30 2013-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 昇降ユニットおよび基板処理装置
RU2622453C2 (ru) * 2013-03-13 2017-06-15 Хауден Томассен Компрессорс Бв Горизонтальный поршневой компрессор
KR102389613B1 (ko) * 2015-05-06 2022-04-22 삼성전자주식회사 기판 세정 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140132601A (ko) * 2013-05-08 2014-11-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20150078631A (ko) * 2013-12-31 2015-07-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW201740488A (zh) 2017-11-16
JP2017143218A (ja) 2017-08-17
TWI684228B (zh) 2020-02-01
JP6614610B2 (ja) 2019-12-04
CN107086201A (zh) 2017-08-22
US10449577B2 (en) 2019-10-22
KR102007558B1 (ko) 2019-08-05
CN107086201B (zh) 2021-03-12
US20170232485A1 (en) 2017-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101982391B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102400424B1 (ko) 로드 포트 및 로드 포트의 분위기 치환 방법
JP6057334B2 (ja) 基板処理装置
KR20170095133A (ko) 기판 처리 장치
KR101678231B1 (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
US20070110895A1 (en) Single side workpiece processing
JP2014165182A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8082932B2 (en) Single side workpiece processing
JP2011077244A (ja) 基板処理装置
KR102099105B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20190086356A (ko) 산업용 로봇
EP3796368A1 (en) Transport device having local purge function
US11569085B2 (en) Substrate processing method and substrate processing device
KR102265121B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102279765B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101591960B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6016096B2 (ja) 基板処理装置
KR101979602B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP7379141B2 (ja) 基板保持装置、基板処理方法
CN114242613A (zh) 衬底处理装置及衬底处理方法
KR101403327B1 (ko) 기판 처리장치 및 방법
KR20170136770A (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant