JP2017143158A - 光電変換装置、および、撮像システム - Google Patents
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Abstract
Description
201 第1の電極
203 上部ブロッキング層
205 蓄積層
206 ブロッキング層
207 絶縁層
209 第2の電極
210 光電変換層
250 第1の電極層
260 第2の電極層
Claims (20)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された第1の電極層と、
前記第1の電極層および前記半導体基板の間に配された第2の電極層と、
前記第1の電極層および前記第2の電極層の間に配され、光電変換により生じた信号電荷を蓄積する蓄積層と、
前記蓄積層および前記第2の電極層の間に配された絶縁層と、
前記蓄積層および前記絶縁層の間に配され、前記蓄積層からの前記信号電荷の進入を防ぐブロッキング層と、
前記半導体基板に配され、前記信号電荷に基づく信号を受けるように前記第2の電極層に接続された回路部と、を備える、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された第1の電極層と、
前記第1の電極層および前記半導体基板の間に配された第2の電極層と、
前記第1の電極層および前記第2の電極層の間に配され、光電変換により生じた信号電荷を蓄積する蓄積層と、
前記蓄積層および前記第2の電極層の間に配された絶縁層と、
前記蓄積層および前記絶縁層の間に配され、前記蓄積層の前記信号電荷に対するポテンシャルバリアを形成するブロッキング層と、
前記半導体基板に配され、前記信号電荷に基づく信号を受けるように前記第2の電極層に接続された回路部と、を備える、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記蓄積層と前記ブロッキング層とが同じ半導体材料で形成される、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。 - 前記蓄積層の不純物濃度と前記ブロッキング層の不純物濃度とが異なる、
ことを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。 - 前記蓄積層は第1導電型を有し、
前記ブロッキング層は第1導電型とは異なる第2導電型を有する、
ことを特徴とする請求項3または請求項4に記載の光電変換装置。 - 前記蓄積層が第1の半導体材料で形成され、
前記ブロッキング層が、前記第1の半導体材料とは異なる第2の半導体材料で形成される、
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。 - 前記蓄積層のバンドギャップと、前記ブロッキング層のバンドギャップとが異なる、
ことを特徴とする請求項6に記載の光電変換装置。 - 前記蓄積層と前記ブロッキング層とがヘテロ接合を構成する、
ことを特徴とする請求項6または請求項7に記載の光電変換装置。 - 前記第1の電極層から前記第2の電極層に向かって前記信号電荷をドリフトさせる電圧が、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に印加される、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の電極層と前記蓄積層との間に配され、前記信号電荷と同じ極性を持つ電荷が前記第1の電極層から前記蓄積層へ注入されることを防ぐ第2のブロッキング層を備える、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上に配された第1の電極層と、
前記第1の電極層および前記半導体基板の間に配された第2の電極層と、
前記第1の電極層および前記第2の電極層の間に配された光電変換層と、
前記光電変換層および前記第2の電極層の間に配された絶縁層と、
前記半導体基板に配され、前記光電変換層で生じた信号電荷に基づく信号を受けるように前記第2の電極層に接続された回路部と、を備え、
前記光電変換層の中にあって、前記第1の電極層から前記絶縁層へ向かう方向に進む前記信号電荷に対してポテンシャルバリアが形成される、
ことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第1の電極層から前記第2の電極層に向かって前記信号電荷をドリフトさせる電圧が、前記第1の電極層と前記第2の電極層との間に印加されているときに、前記ポテンシャルバリアが形成される、
ことを特徴とする請求項11に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換層が前記信号電荷を蓄積しているときに、前記ポテンシャルバリアが形成される、
ことを特徴とする請求項11または請求項12に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換層が半導体材料で形成され、
前記光電変換層は、第1の不純物濃度を有する第1の部分と、前記第1の不純物濃度とは異なる第2の不純物濃度を有する第2の部分とを含み、
前記第2の部分が、前記第1の部分の前記信号電荷に対して、前記ポテンシャルバリアを形成する、
ことを特徴とする請求項11乃至請求項13のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換層が、第1の半導体材料で形成された第1の部分と、前記第1の半導体材料とは異なる第2の半導体材料で形成された第2の部分とを含み、
前記第2の部分が、前記第1の部分の前記信号電荷に対して、前記ポテンシャルバリアを形成する、
ことを特徴とする請求項11乃至請求項13のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の部分のバンドギャップと、前記第2の部分のバンドギャップとが異なる、
ことを特徴とする請求項15に記載の光電変換装置。 - 前記第1の電極層と前記光電変換層との間に配され、前記信号電荷と同じ極性を持つ電荷が前記第1の電極層から前記光電変換層へ注入されることを防ぐ第2のブロッキング層を備える、
ことを特徴とする請求項11乃至請求項16のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記第2の電極層は、電気的に分離された少なくとも2つの電極を含み、
前記少なくとも2つの電極の一方または両方の電圧を制御することにより、前記信号電荷を転送する、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項17のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記少なくとも2つの電極の1つを含む光電変換部と、
前記少なくとも2つの電極の他の1つを含む電荷保持部と、
前記電荷保持部を遮光する遮光層と、を備え、
前記光電変換部の前記信号電荷を前記電荷保持部に転送する、
ことを特徴とする請求項18に記載の光電変換装置。 - 請求項1乃至請求項19のいずれか一項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号を処理する信号処理装置と、を備えた撮像システム。
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