JP2017139460A5 - 半導体装置、マイクロコントローラシステム、電子機器 - Google Patents

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  1. CPUと、
    第1メモリセルと、
    第2メモリセルと、を有し、
    前記第1メモリセルは第1トランジスタ及び第1容量素子を有し、
    前記第2メモリセルは第2トランジスタ及び第2容量素子を有し、
    前記第1メモリセルはデータメモリとしての機能を有し、
    前記第2メモリセルはプログラムメモリとしての機能を有し、
    前記第1トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
    前記第2トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
    前記第2容量素子は前記第1容量素子よりも容量が大きいことを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項1において、
    前記第1容量素子はトレンチを有し、
    前記第2容量素子はトレンチを有し、
    前記第2容量素子の容量は、前記第1容量素子の容量のi倍(iは2以上の整数)であることを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記第1容量素子の容量は5fF以下であることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置から成るマイクロコントローラシステム。
  5. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、
    バッテリと、を有する電子機器。
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