JP2017139460A5 - 半導体装置、マイクロコントローラシステム、電子機器 - Google Patents
半導体装置、マイクロコントローラシステム、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017139460A5 JP2017139460A5 JP2017013055A JP2017013055A JP2017139460A5 JP 2017139460 A5 JP2017139460 A5 JP 2017139460A5 JP 2017013055 A JP2017013055 A JP 2017013055A JP 2017013055 A JP2017013055 A JP 2017013055A JP 2017139460 A5 JP2017139460 A5 JP 2017139460A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- capacitance
- capacitor
- electronic equipment
- semiconductor devices
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 230000006870 function Effects 0.000 claims 2
Claims (5)
- CPUと、
第1メモリセルと、
第2メモリセルと、を有し、
前記第1メモリセルは第1トランジスタ及び第1容量素子を有し、
前記第2メモリセルは第2トランジスタ及び第2容量素子を有し、
前記第1メモリセルはデータメモリとしての機能を有し、
前記第2メモリセルはプログラムメモリとしての機能を有し、
前記第1トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第2トランジスタはチャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第2容量素子は前記第1容量素子よりも容量が大きいことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1容量素子はトレンチを有し、
前記第2容量素子はトレンチを有し、
前記第2容量素子の容量は、前記第1容量素子の容量のi倍(iは2以上の整数)であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1容量素子の容量は5fF以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置から成るマイクロコントローラシステム。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置と、
バッテリと、を有する電子機器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016015353 | 2016-01-29 | ||
JP2016015353 | 2016-01-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017139460A JP2017139460A (ja) | 2017-08-10 |
JP2017139460A5 true JP2017139460A5 (ja) | 2020-03-05 |
Family
ID=59387076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017013055A Withdrawn JP2017139460A (ja) | 2016-01-29 | 2017-01-27 | マイクロコントローラシステム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170221899A1 (ja) |
JP (1) | JP2017139460A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7462712B2 (ja) | 2018-04-27 | 2024-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017130082A1 (en) | 2016-01-29 | 2017-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
TWI734781B (zh) | 2016-05-20 | 2021-08-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置、電子構件及電子裝置 |
KR102637403B1 (ko) | 2017-07-26 | 2024-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US10984840B2 (en) | 2017-09-06 | 2021-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP7028679B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2022-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
JP7142081B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 積層体、及び半導体装置 |
KR20200138305A (ko) * | 2018-03-29 | 2020-12-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치 및 전자 기기 |
JP7302008B2 (ja) | 2019-05-17 | 2023-07-03 | 長江存儲科技有限責任公司 | スタティックランダムアクセスメモリを有する3次元メモリデバイスのデータバッファリング動作 |
US10978549B2 (en) | 2019-09-05 | 2021-04-13 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor device and method for fabricating the same |
CN112650087B (zh) * | 2020-08-27 | 2022-05-27 | 恒烁半导体(合肥)股份有限公司 | 一种mcu芯片的电源控制电路 |
US11856751B2 (en) * | 2021-03-12 | 2023-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Drain sharing for memory cell thin film access transistors and methods for forming the same |
WO2024100467A1 (ja) * | 2022-11-11 | 2024-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10015278B4 (de) * | 2000-03-28 | 2004-09-23 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterspeicher mit einem Speicherzellenfeld |
KR101924231B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2018-11-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
US8743590B2 (en) * | 2011-04-08 | 2014-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device and semiconductor device using the same |
US9208849B2 (en) * | 2012-04-12 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device, and electronic device |
JP6376788B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2018-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
US9647125B2 (en) * | 2013-05-20 | 2017-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP6851814B2 (ja) * | 2015-12-29 | 2021-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トランジスタ |
-
2017
- 2017-01-26 US US15/416,262 patent/US20170221899A1/en not_active Abandoned
- 2017-01-27 JP JP2017013055A patent/JP2017139460A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7462712B2 (ja) | 2018-04-27 | 2024-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017139460A5 (ja) | 半導体装置、マイクロコントローラシステム、電子機器 | |
JP2015222807A5 (ja) | ||
JP2013009300A5 (ja) | 記憶装置 | |
JP2013153169A5 (ja) | ||
JP2012256816A5 (ja) | ||
JP2013085238A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015195365A5 (ja) | ||
JP2016212944A5 (ja) | 半導体装置、及び電子部品 | |
JP2012257236A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012064930A5 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JP2017121046A5 (ja) | ||
JP2017041635A5 (ja) | ||
JP2011171723A5 (ja) | 信号処理回路 | |
JP2015018594A5 (ja) | 記憶装置 | |
JP2014038603A5 (ja) | ||
JP2013149970A5 (ja) | ||
JP2016096545A5 (ja) | ||
JP2014199428A5 (ja) | ||
JP2013251894A5 (ja) | ||
JP2011142621A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014006516A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016039375A5 (ja) | 半導体装置、デバイス | |
JP2012227525A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013149982A5 (ja) | ||
JP2013101360A5 (ja) |