JP2017134440A - メモリ制御回路、メモリ制御システム、メモリ制御方法、及び、メモリ制御プログラム - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本願発明の第1の実施の形態に係るメモリ制御システム1を概念的に示すブロック図である。メモリ制御システム1は、大別して、メモリ制御回路10、及び、FROM20を備える。メモリ制御システム1は、CPU(Central Processing Unit)2と通信可能に接続されている。メモリ制御システム1と通信可能に接続されるCPU2は、複数であってもよい。メモリ制御回路10は、CPU2からFROM20に対する、データの読み出し要求及びデータの書き込み要求について処理する回路である。メモリ制御システム1は、例えば1つの半導体チップの中に構築されてもよい。
図4は、第2の実施形態に係るメモリ制御回路30の構成を概念的に示すブロック図である。
上述した各実施形態において図1、及び、図4に示した各部は、専用のHW(HardWare)(電子回路)によって実現することができる。また、図1及び図4において、少なくとも、下記構成は、ソフトウェアプログラムの機能(処理)単位(ソフトウェアモジュール)と捉えることができる。
・回数測定部11及び31、
・判定部14及び34、
・書き込み部15及び35。
・CPU(Central_Processing_Unit)901、
・ROM(Read_Only_Memory)902、
・RAM(Random_Access_Memory)903、
・バス904(通信線)。
10 メモリ制御回路
11 回数測定部
12 時間測定部
13 温度測定部
14 判定部
15 書き込み部
20 FROM
21 通常時アクセス用ブロック
21−1乃至21−511 サブブロック
22 非常時アクセス用ブロック
2 CPU
30 メモリ制御回路
31 回数測定部
34 判定部
35 書き込み部
40 不揮発性メモリ
41 第1の記憶ブロック
42 第2の記憶ブロック
50 FROM
50−1乃至50−512 記憶ブロック
900 情報処理回路
901 CPU
902 ROM
903 RAM
904 バス
Claims (10)
- 現在までのデータの書き込み回数に依存した不揮発性能を個々に有する第一及び第二の記憶ブロックを有する、書き換え可能な不揮発性メモリにおける前記第一の記憶ブロックに対してデータが書き込まれたときに、前記第一の記憶ブロックに対する、それまでの前記書き込み回数を測定する回数測定手段と、
前記回数測定手段により測定された前記書き込み回数が、所定の回数条件を満たすか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により、前記書き込み回数が前記回数条件を満たすと判定されたときに、前記第一の記憶ブロックに書き込まれた前記データを、前記第二の記憶ブロックに対して書き込む書き込み手段と、
を備えるメモリ制御回路。 - 前記第二の記憶ブロックに対する書き込みが最後に行われてからの経過時間を測定する時間測定手段をさらに備え、
前記判定手段は、前記経過時間が所定の時間閾値に達したか否かを判定し、
前記書き込み手段は、前記判定手段により、前記経過時間が前記時間閾値に達したと判定されたときに、前記第一のブロックに書き込まれている前記データを、前記第二の記憶ブロックに対して書き込む、
請求項1に記載のメモリ制御回路。 - 前記回数測定手段は、前記書き込み回数が所定の回数閾値に達するのに応じて、前記書き込み回数を初期値にリセットし、
前記判定手段は、前記回数条件として、前記書き込み回数が前記回数閾値に達したか否かを判定する、
請求項2に記載のメモリ制御回路。 - 前記判定手段は、前記書き込み回数が前記回数閾値に達するのに応じて、前記回数閾値を小さくする、
請求項3に記載のメモリ制御回路。 - 前記判定手段は、前記書き込み回数が前記回数閾値に達するのに応じて、前記時間閾値を小さくする、
請求項3または4に記載のメモリ制御回路。 - 前記不揮発性メモリの温度を測定する温度測定手段をさらに備え、
前記判定手段は、前記温度測定手段により測定された前記不揮発性メモリの温度に応じて、前記回数条件の内容、及び、前記時間閾値の少なくとも何れかを変更する、
請求項2乃至5のいずれか一項に記載のメモリ制御回路。 - 前記回数測定手段は、複数のサブブロックを含む前記第一の記憶ブロックに対して前記データが書き込まれるのに応じて、前記データの書き込み先である前記サブブロックがラウンドロビン方式によって移動する場合に、前記複数のサブブロックへの書き込み回数の合計値を測定する、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載のメモリ制御回路。 - 請求項1乃至7のいずれか一項に記載のメモリ制御回路と、
前記不揮発性メモリと、
を有するメモリ制御システム。 - 情報処理装置によって、
現在までのデータの書き込み回数に依存した不揮発性能を個々に有する第一及び第二の記憶ブロックを有する、書き換え可能な不揮発性メモリにおける前記第一の記憶ブロックに対してデータが書き込まれたときに、前記第一の記憶ブロックに対する、それまでの前記書き込み回数を測定し、
測定された前記書き込み回数が、所定の回数条件を満たすか否かを判定し、
前記書き込み回数が前記回数条件を満たすと判定されたときに、前記第一の記憶ブロックに書き込まれた前記データを、前記第二の記憶ブロックに対して書き込む、
メモリ制御方法。 - 現在までのデータの書き込み回数に依存した不揮発性能を個々に有する第一及び第二の記憶ブロックを有する、書き換え可能な不揮発性メモリにおける前記第一の記憶ブロックに対してデータが書き込まれたときに、前記第一の記憶ブロックに対する、それまでの前記書き込み回数を測定する回数測定処理と、
前記回数測定処理により測定された前記書き込み回数が、所定の回数条件を満たすか否かを判定する判定処理と、
前記判定処理により、前記書き込み回数が前記回数条件を満たすと判定されたときに、前記第一の記憶ブロックに書き込まれた前記データを、前記第二の記憶ブロックに対して書き込む書き込み処理と、
をコンピュータに実行させるためのメモリ制御プログラム。
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CN114138206B (zh) * | 2021-12-09 | 2024-03-19 | 北京紫光芯能科技有限公司 | 一种数据处理方法、装置、设备及存储介质 |
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