WO2018051387A1 - 情報処理システムおよびデータ格納方法 - Google Patents

Abstract

デバイスコントローラは、スナップショット取得要求を受信する前に、第１論理領域へ第１データを書き込むことを要求する第１ライト要求をプロセッサから受信した場合、複数の小容量ブロックの中の第１小容量ブロックへ第１データを書き込み、デバイスコントローラは、スナップショット取得要求を受信した後に、第１論理領域へ第２データを書きこむことを要求する第２ライト要求を受信した場合、複数の小容量ブロックの中の第２小容量ブロックへ第２データを書き込み、デバイスコントローラは、不揮発性半導体メモリの状態が、予め設定された移動条件を満たす場合、第１ブロック内の第１データを、複数の大容量ブロックの中の第１大容量ブロックへ移動させる。

Description

情報処理システムおよびデータ格納方法

　本発明は、情報処理システムに関する。

　不揮発性半導体メモリは、磁気記憶デバイスに比べて省電力・高性能であり、高価格である。このような不揮発性半導体メモリは、例えばＮＡＮＤ型のフラッシュメモリである。近年は半導体技術の進歩に伴って低価格化が進み、ＨＤＤに替わるメインストリームの記憶デバイスとして注目されてきている。

　フラッシュメモリは、データを記憶するための複数のメモリセル（以下、「セル」と略記する）を有する。セルには、１ビットの情報を記憶可能なセル（Single-Level Cell：ＳＬＣという）の他に、２ビットの情報を記憶可能なセル（Multi-Level Cell：ＭＬＣ、ＭＬＣ－２とも呼ばれる）や、３ビットの情報を記憶可能なセル（Triple-Level Cell：ＴＬＣ）や、４ビットの情報を記憶可能なセル（Quadruple-Level Cell：ＱＬＣ）等がある。フラッシュメモリにＭＬＣ型セルを用いると、ＳＬＣ型セルを用いる場合よりも、ビットコストを低減させることができる。さらにＴＬＣやＱＬＣを用いれば、２ビット情報を記憶可能なＭＬＣを用いるよりも、ビットコストを低減させることができる。

　また近年、セルに格納可能な情報量（ビット数）を変更可能にする技術も現れてきている。たとえば特許文献１には、ある領域は１つのメモリセルトランジスタに１ビットのデータを書き込むことができるモードで運用し、別の領域は多ビットのデータを書き込むことができるモードで運用するように設定することができるメモリが開示されている。

　特許文献２には、フラッシュモジュールドライブ内の旧データをスナップショットに利用する技術が記載されている。

米国特許出願公開第２００８／０２５０２２０号明細書 米国特許出願公開第２０１４／０１０１１０７号明細書

　しかしながら、セルの記憶容量が大きくなるほど、書き換え回数に対する耐久能力が低くなるため、不揮発性半導体メモリの寿命が短くなる。

　上記課題を解決するために、本発明の一態様である情報処理システムは、第１記憶デバイスと、前記第１記憶デバイスに接続されるプロセッサと、を備える。前記第１記憶デバイスは、不揮発性半導体メモリと、前記不揮発性半導体メモリに接続されるデバイスコントローラと、を含み、不揮発性半導体メモリは、複数のブロックを含み、各ブロックは、所定のセル数のセルを含み、前記複数のブロックは、複数の小容量ブロックと、複数の大容量ブロックとを含むように構成されており、各小容量ブロックは、ｎビットのデータを格納できるセルの集合であり、ｎは１以上の整数であり、各大容量ブロックは、ｍビットのデータを格納できるセルの集合であり、ｍはｎよりも大きい整数である。前記プロセッサは、スナップショットを取得することを要求するスナップショット取得要求を前記デバイスコントローラへ送信するように構成されており、前記デバイスコントローラは、前記スナップショット取得要求を受信する前に、第１論理領域へ第１データを書き込むことを要求する第１ライト要求を前記プロセッサから受信した場合、前記複数の小容量ブロックの中の第１小容量ブロックへ第１データを書き込み、前記デバイスコントローラは、前記スナップショット取得要求を受信した後に、前記第１論理領域へ第２データを書きこむことを要求する第２ライト要求を受信した場合、前記複数の小容量ブロックの中の第２小容量ブロックへ第２データを書き込み、前記デバイスコントローラは、前記不揮発性半導体メモリの状態が、予め設定された移動条件を満たす場合、前記第１ブロック内の前記第１データを、前記複数の大容量ブロックの中の第１大容量ブロックへ移動させる。

　記憶デバイスのビットコストを低減すると共に、記憶デバイスの劣化を抑える。

情報処理システムの構成を示す。 ＦＭドライブ２００の構成を示す。 スナップショットの概要を示す。 スナップショットのリード処理を示す。 論物変換テーブル４１０の変化を示す。 スナップショット世代管理テーブル４２０を示す。 スナップショット取得処理を示す。 更新ライト処理を示す。 第１移動処理を示す。 第２移動処理を示す。 バックアップ処理における旧ドライブの動作を示す。 バックアップ処理を示す。

　以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。

　以下の説明では、「×××テーブル」の表現にて情報を説明することがあるが、情報は、どのようなデータ構造で表現されていてもよい。すなわち、情報がデータ構造に依存しないことを示すために、「×××テーブル」を「×××情報」と呼ぶことができる。また、以下の説明において、各テーブルの構成は一例であり、１つのテーブルは、２以上のテーブルに分割されてもよいし、２以上のテーブルの全部又は一部が１つのテーブルであってもよい。

　また、以下の説明では、要素の識別情報として、ＩＤが使用されるが、それに代えて又は加えて他種の識別情報が使用されてもよい。

　また、以下の説明では、同種の要素を区別しないで説明する場合には、参照符号又は参照符号における共通番号を使用し、同種の要素を区別して説明する場合は、その要素の参照符号を使用又は参照符号に代えてその要素に割り振られたＩＤを使用することがある。

　また、以下の説明では、Ｉ／Ｏ（Input/Output）要求は、ライト要求又はリード要求であり、アクセス要求と呼ばれてもよい。

　また、以下の説明では、「プログラム」を主語として処理を説明する場合があるが、プログラムは、プロセッサ（例えばＣＰＵ（Central Processing Unit））によって実行されることで、定められた処理を、適宜に記憶資源（例えばメモリ）及び／又はインターフェースデバイス（例えば通信ポート）等を用いながら行うため、処理の主語がプロセッサとされてもよい。プログラムを主語として説明された処理は、プロセッサあるいはそのプロセッサを有する装置が行う処理又はシステムとしてもよい。また、プロセッサは、処理の一部または全部を行うハードウェア回路を含んでもよい。プログラムは、プログラムソースから計算機のような装置にインストールされてもよい。プログラムソースは、例えば、プログラム配布サーバまたは計算機が読み取り可能な記憶メディアであってもよい。プログラムソースがプログラム配布サーバの場合、プログラム配布サーバはプロセッサ（例えばＣＰＵ）と記憶資源を含み、記憶資源はさらに配布プログラムと配布対象であるプログラムとを記憶してよい。そして、プログラム配布サーバのプロセッサが配布プログラムを実行することで、プログラム配布サーバのプロセッサは配布対象のプログラムを他の計算機に配布してよい。また、以下の説明において、２以上のプログラムが１つのプログラムとして実現されてもよいし、１つのプログラムが２以上のプログラムとして実現されてもよい。

　図１は、情報処理システムの構成を示す。

　情報処理システムは、ストレージシステム１０と、少なくとも１つのホスト２０とを含む。ストレージシステム１０は、ＳＡＮ（Storage Area Network）を介して、ホスト２０に接続されている。

　ストレージシステム１０は、ストレージコントローラ１００（Disk Controller、ＤＫＣとも呼ばれる）と、複数のＦＭ（Flash Memory）ドライブ２００とを含む。ストレージシステム１０は、複数のストレージコントローラ１００を含んでいてもよい。ＦＭドライブ２００は、ＳＳＤ（Solid State Drive）と呼ばれることがある。

　ストレージコントローラ１００は、メモリ１１０と、ＣＰＵ１２０と、ホストＩ／Ｆ（Interface）１３０と、ドライブＩ／Ｆ１４０と、スイッチ１５０とを含む。

　メモリ１１０は、プログラムおよびデータを格納する。ＣＰＵ１２０は、メモリ１１０内のプログラムおよびデータに従って、処理を実行する。ホストＩ／Ｆ１３０は、ＳＡＮを介してホスト２０に接続され、ホスト２０との通信を制御する。ドライブＩ／Ｆ１４０は、ＦＭドライブ２００に接続され、ＦＭドライブ２００との通信を制御する。スイッチ１５０は、メモリ１１０と、ＣＰＵ１２０と、ホストＩ／Ｆ１３０と、ドライブＩ／Ｆ１４０に接続され、それらの間の通信を制御する。

　なお、情報処理システムは、ストレージシステム１０とホスト２０の機能を持つサーバ装置であってもよい。この場合、ストレージコントローラ１００の機能とホスト２０の機能の夫々は、プログラムにより実現されてもよい。

　図２は、ＦＭドライブ２００の構成を示す。

　ＦＭドライブ２００は、ドライブコントローラ３００と、複数のＦＭチップ２１０とを含む。ドライブコントローラ３００は、メモリ３１０と、ＣＰＵ３２０と、ストレージＩ／Ｆ３３０と、ＦＭ　Ｉ／Ｆ３４０と、スイッチ３５０とを含む。

　メモリ３１０は、プログラムおよびデータを格納する。ＣＰＵ３２０は、メモリ３１０内のプログラムおよびデータに従って、処理を実行する。ストレージＩ／Ｆ３３０は、ドライブＩ／Ｆ１４０に接続され、ストレージコントローラ１００との通信を制御する。ＦＭ　Ｉ／Ｆ１４０は、ＦＭチップ２１０に接続され、ＦＭチップ２１０との通信を制御する。スイッチ３５０は、メモリ３１０と、ＣＰＵ３２０と、ストレージＩ／Ｆ３３０と、ＦＭ　Ｉ／Ｆ３４０に接続され、それらの間の通信を制御する。

　ＦＭチップ２１０は、複数の物理領域で構成されている。例えば、ＦＭチップは、ＮＡＮＤフラッシュメモリであり、所定のブロック数の物理ブロックを含む。各物理ブロックは、所定のページ数の物理ページを含む。物理ページ単位でデータがアクセス（リード及びライト）され、物理ブロック単位でデータが消去される。各物理ページは、所定のセル数のセルを含む。各ページは、所定のＣＷ（code word）数のＣＷを含む。各ＣＷは、所定のデータ長のデータと、所定のＥＣＣ長のＥＣＣを含む。

　ＦＭは、追記型、具体的には、物理ページ（以下、ページ）が割り当てられている論理領域が、ライト要求によりライト先論理領域として指定された場合、ライト先論理領域に、割当て済のページに代えて新たに空きページが割り当てられ、新たに割り当てられたページにデータが書き込まれる。

　また、ＦＭに代えて、他の不揮発性半導体メモリ、例えばＰＲＡＭ（Phase　Change　Random　Access　Memory）、ＭＲＡＭ（Magnetoresistive　Random　Access　Memory）、ＲｅＲＡＭ（Resistance　Random Access　Memory）又はＦｅＲＡＭ（Ferroelectric　Random　Access　Memory）が採用されてもよい。

　物理ブロック内のセルは、ＭＬＣとＴＬＣの何れか一つに設定することができる。ＭＬＣで構成される物理ブロックをＭＬＣブロックと呼ぶ。ＴＬＣで構成される物理ブロックをＴＬＣブロックと呼ぶ。ＦＭドライブ２００は、ストレージコントローラ１００と協働して、ＭＬＣブロックをＴＬＣブロックへ変換するセル変換処理を行うことができる。ＦＭチップ２１０のうち、ＭＬＣブロックで構成される物理領域をＭＬＣ領域と呼び、ＴＬＣブロックで構成される物理領域をＴＬＣ領域と呼ぶ。また、ＭＬＣ領域のうち空き領域（有効データと無効データの何れも格納されていない）の容量を、ＭＬＣ領域空き容量と呼び、ＴＬＣ領域のうち空き領域の容量を、ＴＬＣ領域空き容量と呼ぶ。

　なお、ＭＬＣの代わりに小容量セルが用いられ、ＴＬＣの代わりに大容量セルが用いられてもよい。ここで、小容量セルは、ＳＬＣやＴＬＣ等、ｎビットを格納できるセルである（ｎは１以上の整数）。大容量セルは、ＭＬＣ、ＴＬＣ、ＱＬＣ等、ｍビットを格納できるセルである（ｍはｎより大きい整数）。各セルが小容量セルであるブロックを小容量ブロックと呼ぶ。各セルが大容量セルであるブロックを大容量ブロックと呼ぶ。

　ストレージコントローラ１００は、ＦＭドライブ２００から空き容量、ブロック数、ブロック毎のＰＥ（Program Erase、書き換え）回数、残消去可能回数等を取得する。また、ストレージコントローラ１００は、ＦＭドライブ２００の稼働時間を計測する。また、ストレージコントローラ１００は、セル変換処理において、ＦＭドライブ２００から取得された情報に基づいて、ＭＬＣブロック数およびＴＬＣブロック数を決定する。これにより、ストレージコントローラ１００は、各ＦＭドライブ２００に対し、総ブロック数、ＭＬＣブロック数とＴＬＣブロック数の割合、ＭＬＣ領域空き容量、ＴＬＣ領域空き容量、ＰＥ回数、残消去可能回数、稼働時間等を、ドライブ管理情報としてメモリ１１０に格納する。

　図３は、スナップショットの概要を示す。

　ＦＭドライブ２００は、ＭＬＣ領域に旧データを格納し、ストレージコントローラ１００からスナップショット取得要求を受け、旧データを新データで更新することを要求するライト要求（更新ライト要求）を受信すると（Ｓ１０）、ＭＬＣ領域のうち、旧データを格納している物理領域と異なる空き領域へ新データを書き込み、論物変換テーブルにおいて、旧データを格納している物理領域に関連付けられている論理領域に、新データを格納している物理領域を関連付ける（Ｓ２０）。以後、スナップショット取得要求を受けた後の状態を、スナップショット取得状態と呼ぶ。

　その後、ＦＭドライブ２００は、所定の移動条件下で、旧データをＴＬＣ領域へ移動する（Ｓ３０）。旧データは、スナップショットデータであるため、更新されない。これにより、ＴＬＣ領域の寿命を長くすることができると共に、スナップショットの容量を増大させることができる。これにより、ビットコストを低減することができる。

　移動条件は、リフレッシュ（以下、ＲＦと呼ぶことがある）処理や、リクラメーション（以下、ＲＣＭと呼ぶことがある）処理を含む。

　ＦＭチップ２１０は、データ記録後の時間の経過に伴って、データが反転する障害ビットが増加することにより、データを損失する性質がある。リフレッシュ処理は、ＭＬＣブロック内の有効データを別のＭＬＣブロックへコピーすることで、電荷を再注入し、その有効データの信頼性を高めることを目的とする。リフレッシュ処理は、ＥＣＣで訂正できる間にデータを移動する必要があるため、障害ビット数が閾値を超えると行われる。例えば、ＦＭドライブ２００は、２４時間周期でスケジューリングして各ブロックの検査リードを行い、ＲＦ閾値を超えた障害ビット数を検出したら、検出から１日以内にリフレッシュ処理を行う。なお、リフレッシュ処理は、ＴＬＣブロック内の有効データを別のＴＬＣブロックへコピーしてもよい。

　リクラメーション処理は、ＭＬＣ領域空き容量がなくなってＦＭドライブ２００のライトが停止しないように、ＭＬＣブロック内の有効データを別のＭＬＣブロックへコピーし、コピー元のＭＬＣブロックを消去することで、空き領域を確保する。ＦＭドライブ２００は、ストレージコントローラ１００からのコマンドとは非同期に、リクラメーション処理を行う。なお、リクラメーション処理は、ＴＬＣブロック内の有効データを別のＴＬＣブロックへコピーしてもよい。

　図４は、スナップショットのリード処理を示す。

　ＦＭドライブ２００は、ストレージコントローラ１００に対して論理ボリュームを提供する。ＦＭドライブ２００は、スナップショット取得状態でない場合に、論理ボリューム内の論理領域へデータを書き込むことを要求するライト要求をストレージコントローラ１００から受信すると、ライトデータをＭＬＣ領域である有効データ格納領域２２０へ書き込み、その有効データ格納領域２２０を当該論理領域に関連付ける。

　ＦＭドライブ２００は、スナップショット取得状態において、有効データ格納領域２２０と、ＭＬＣ領域およびＴＬＣ領域を含むスナップショットデータ格納領域２３０を用いて、スナップショットを示す仮想ボリュームを作成する。仮想ボリュームは、仮想デバイスや論理デバイスと呼ばれてもよい。その後、或る論理領域のデータを更新するライト要求（更新ライト要求）をストレージコントローラ１００から受信すると、更新前のデータをＭＬＣ領域のスナップショットデータ格納領域２３０へ書き込み、更新後のデータを有効データ格納領域２２０へ書き込む。その後、ＦＭドライブ２００は、ＭＬＣ領域のスナップショットデータ格納領域２３０のデータを、ＴＬＣ領域のスナップショットデータ格納領域２３０へ移動する。

　ＦＭドライブ２００は、ストレージコントローラ１００から仮想ボリューム２４０内の論理領域へのリード要求を受信した場合、当該論理領域がスナップショットデータ格納領域２３０に関連付けられていれば、当該論理領域に対応するスナップショットデータ格納領域２３０からデータを読み出し、当該論理領域がスナップショットデータ格納領域２３０に関連付けられていなければ、当該論理領域に対応する有効データ格納領域２２０からデータを読み出す。その後、ＦＭドライブ２００は、読み出されたデータをストレージコントローラ１００へ送信する。

　これにより、ＦＭドライブ２００は、更新前のデータを保持し、更新後のデータと更新前のデータを管理することで、スナップショットを取得することができる。

　この図の例は、論理領域Ｄ０、Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３のデータＤ００、Ｄ１０、Ｄ２０、Ｄ３０が有効データ格納領域に格納された後、ＦＭドライブ２００が、ストレージコントローラ１００からスナップショット取得要求を受信し、その後、データＤ３０をデータＤ３１に書き換える更新ライト要求を受信した場合を示す。この更新ライト要求に応じて、ＦＭドライブ２００は、有効データ格納領域に格納されているデータＤ３０をスナップショットデータ格納領域へ退避させ、データＤ３１を有効データ格納領域へ書き込み、データＤ３の論理領域にデータＤ３１の有効データ格納領域を関連付ける。

　これにより、ＦＭドライブ２００は、要求された時点のスナップショットを作成することができる。

　メモリ３１０は、論物変換テーブル４１０を格納する。ＣＰＵ３２０は、ストレージコントローラ１００からのスナップショット取得要求に応じてスナップショット世代管理テーブル４２０を作成する。

　図５は、論物変換テーブル４１０の変化を示す。

　論物変換テーブル４１０は、論理領域毎のエントリを有する。一つの論理領域のエントリは、当該論理領域を示す論理アドレス４１１と、当該論理領域に関連付けられた物理領域を示す物理アドレス４１２とを含む。ＦＭドライブ２００は、ある論理領域へのライト要求を受信する度に、新たな物理領域へデータを書き込み、その物理領域を当該論理領域に関連付ける。

　論理アドレス４１１は、ＬＢＡ（Logical　Block　Address）や論理領域ＩＤ（例えば論理ブロック番号又は論理ページ番号）であってもよい。物理アドレス４１２は、ＰＢＡ（Physical　Block　Address）や物理領域ＩＤ（例えば物理ブロック番号又は物理ページ番号）であってもよい。

　ＦＭドライブ２００は、特定の論理アドレスの更新ライト要求を受信した場合、空き領域の新物理アドレスへライトデータを書き込む。論物変換テーブル４１０において当該論理アドレスに対応する物理アドレス４１２を、新物理アドレスに書き換えることで、論物変換テーブル４１０を論物変換テーブル４１０ａに変化させる。更に、ＦＭドライブ２００は、当該論理アドレスの更新ライト要求を受信した場合、論物変換テーブル４１０ａを論物変換テーブル４１０ｂに変化させる。

　なお、ＣＰＵ２２０は、論物変換テーブル４１０の各エントリに、当該エントリに対応するスナップショットデータの有無を示すスナップショット情報を含んでもよい。

　メモリ３１０は更に、各物理領域が、有効データを格納している有効領域、無効データを格納している無効領域、データを格納していない空き領域との何れであるかを示す物理領域管理情報を格納する。ＣＰＵ３２０は、ライト処理、リフレッシュ処理、リクラメーション処理等によりページの状態が変化する場合に、物理領域管理情報を更新する。

　図６は、スナップショット世代管理テーブル４２０を示す。

　スナップショット世代管理テーブル４２０は、世代毎のエントリを有する。世代は、スナップショット取得要求の受信後の、更新ライト要求に対応する。一つの世代のエントリは、世代番号４２１と、論理アドレス４２２と、物理アドレス４２３と、データサイズ４２４と、ＴＬＣフラグ４２５とを含む。世代番号４２１は、当該世代の番号を示す。世代番号４２１が小さいほど、世代が新しいことを示す。論理アドレス４２２は、当該世代のデータの論理アドレスを示す。物理アドレス４２３は、当該世代のデータを格納している物理アドレスを示す。データサイズ４２４は、当該世代のデータのサイズを示す。ＴＬＣフラグ４２５は、当該世代のデータがＴＬＣ領域に格納されている（１）かＭＬＣ領域に格納されている（０）かを示す。

　図７は、スナップショット取得処理を示す。

　Ｓ１１０においてＣＰＵ３２０は、ストレージコントローラ１００からスナップショット取得要求を受信すると、スナップショット取得処理を開始する。

　Ｓ１２０においてＣＰＵ３２０は、スナップショット世代管理テーブル４２０を作成し、メモリ３１０へ格納する。

　Ｓ１３０においてＣＰＵ３２０は、ストレージコントローラ１００からＴＬＣ領域空き容量を取得し、ＴＬＣ領域空き容量をメモリ３１０へ格納し、このフローを終了する。

　図８は、更新ライト処理を示す。

　Ｓ２１０においてＣＰＵ３２０は、ストレージコントローラ１００から対象論理領域への更新ライト要求を受信すると、この更新ライト処理を開始する。

　Ｓ２２０においてＣＰＵ３２０は、空き物理領域の中からライト先物理領域を選択し、ライト先物理領域へ新データを書き込み、論物変換テーブル４１０において、ライト先物理領域を対象論理領域に関連付ける。

　Ｓ２３０においてＣＰＵ３２０は、スナップショット世代管理テーブル４２０がある（スナップショット取得要求を受信済であり、スナップショットを取得する状態である）か否かを判定する。

　Ｓ２３０の結果、スナップショット世代管理テーブル４２０がないと判定された場合（Ｎｏ）、ＣＰＵ３２０は、このフローを終了する。この場合、ＣＰＵ３２０は、対象論理領域の旧データを格納している物理領域を、無効領域として管理し、物理領域管理情報、ドライブ管理情報等を更新する。

　Ｓ２３０の結果、スナップショット世代管理テーブル４２０があると判定された場合（Ｙｅｓ）、Ｓ２４０においてＣＰＵ３２０は、スナップショット世代管理テーブル４２０を更新し、このフローを終了する。ＣＰＵ３２０は、対象論理領域の旧データを格納している物理領域を、有効領域として維持し、対象論理領域と当該物理領域を、最新の世代のエントリとしてスナップショット世代管理テーブル４２０へ追加する。また、ＣＰＵ３２０は、スナップショット世代管理テーブル４２０において、当該エントリの世代番号４２１を０ｘ００に設定し、当該エントリのＴＬＣフラグ４２５を０に設定し、当該エントリより古い各エントリの世代番号４２１をインクリメントする。これにより、世代番号４２１は、新しい世代からの順序を示す。

　ＣＰＵ３２０は、検査リードを契機に第１移動処理を行う。

　図９は、第１移動処理を示す。

　Ｓ３１０においてＣＰＵ３２０は、予め設定された検査周期で、自ＦＭドライブに搭載された全ＦＭチップ内の全ブロックから順に対象ブロックを選択し、対象ブロックをリードする検査リードを行う。ここでＣＰＵ３２０は、例えば、対象ブロック内でアンコレクタブルエラーが発生したビット数を障害ビット数として検出する。Ｓ３２０においてＣＰＵ３２０は、障害ビット数が、予め設定されたＲＦ閾値を超えるか否かを判定する。

　Ｓ３２０の結果、障害ビット数がＲＦ閾値を超えていない場合（Ｎｏ）、ＣＰＵ３２０は、このフローを終了する。この場合、リフレッシュ処理は行われない。

　Ｓ３２０の結果、障害ビット数がＲＦ閾値を超えている場合（Ｙｅｓ）、Ｓ３３０においてＣＰＵ３２０は、スナップショット世代管理テーブル４２０内の古い世代から順に（世代番号４２１の降順に）スナップショットデータを選択し、そのスナップショットデータのデータサイズ４２４をスナップショットデータ量として選択する。

　Ｓ３４０においてＣＰＵ３２０は、スナップショットデータ量がＴＬＣ領域空き容量より小さいか否かを判定する。

　Ｓ３４０の結果、スナップショットデータ量がＴＬＣ領域空き容量より以上であると判定された場合（Ｎｏ）、Ｓ３５０においてＣＰＵ３２０は、セル変換処理の可否の判定を要求するセル変換可否確認要求をストレージコントローラ１００へ送信する。セル変換可否確認要求を受信したストレージコントローラ１００は、送信元のＦＭドライブ２００のドライブ管理情報に基づいてセル変換処理の可否を判定するセル変換可否確認処理を行う。セル変換可否確認処理によりセル変換可能と判定された場合、ストレージコントローラ１００は、セル変換情報を含む応答をＦＭドライブ２００へ送信する。セル変換情報は例えば、セル変換処理後のＭＬＣブロック数に対するＴＬＣブロック数の割合である。なお、セル変換情報は、セル変換処理後のＴＬＣブロック数またはＭＬＣブロック数を示していてもよいし、セル変換処理によって増加するＴＬＣブロック数を示していてもよい。

　Ｓ３６０においてＣＰＵ３２０は、ストレージコントローラ１００からの応答がセル変換可能を示すか否かを判定する。

　Ｓ３６０の結果、応答がセル変換不可能を示す場合（Ｎｏ）、Ｓ３７０においてＣＰＵ３２０は、リフレッシュ処理を行い、Ｓ３８０においてＣＰＵ３２０は、このリフレッシュ処理による物理アドレスの変更に従って、論物変換テーブル４１０の物理アドレス４１２を更新し、このフローを終了する。

　Ｓ３６０の結果、応答がセル変換可能を示す場合（Ｙｅｓ）、Ｓ３９０においてＣＰＵ３２０は、応答に含まれるセル変換情報に従ってセル変換処理を行う。セル変換処理においてＣＰＵ３２０は、セル変換情報に示された数のＭＬＣブロックをＴＬＣブロックに変換する。Ｓ４００においてＣＰＵ３２０は、セル変換可否確認処理により更新されたＴＬＣ領域空き容量を、ストレージコントローラ１００から取得し、処理をＳ３３０へ移行させる。

　Ｓ３４０の結果、スナップショットデータ量がＴＬＣ領域空き容量より小さいと判定された場合（Ｙｅｓ）、Ｓ４１０においてＣＰＵ３２０は、リフレッシュ処理を行う。

　Ｓ４２０においてＣＰＵ３２０は、スナップショットデータ量がＴＬＣ領域空き容量より小さい間、スナップショット世代管理テーブル４２０内の古い世代から順にスナップショットデータを選択し、選択されたスナップショットデータを同一のＦＭドライブ２００内のＴＬＣ領域へ移動する。

　Ｓ４３０においてＣＰＵ３２０は、リフレッシュ処理による物理アドレスの変更に従って、論物変換テーブル４１０内の物理アドレス４１２を、リフレッシュ処理による移動先の物理アドレスに変更する。Ｓ４４０においてＣＰＵ３２０は、スナップショットデータの移動に従って、スナップショット世代管理テーブル４２０内の物理アドレス４２３を、スナップショットデータの移動先の物理アドレスに変更し、スナップショット世代管理テーブル４２０内のＴＬＣフラグ４２５を１に変更し、このフローを終了する。

　以上の第１移動処理によれば、リフレッシュ処理を契機としてスナップショットデータをＭＬＣ領域からＴＬＣ領域へ移動させることができる。

　前述のセル変換可否確認処理の一例について説明する。

　ストレージコントローラ１００は、ＦＭドライブ２００からセル変換可否確認要求を受信すると、当該ＦＭドライブを対象ＦＭドライブとし、対象ＦＭドライブのＭＬＣブロックをＴＬＣブロックへ変換したと仮定して残消去可能回数の予測値を算出し、残消去可能回数の予測値に基づいてセル変換処理の可否を判定する。例えば、ストレージコントローラ１００は、対象ＦＭドライブの予め設定された目標寿命と稼働時間に基づいて、対象ＦＭドライブ内の全ブロックの残消去可能回数の合計の目標値である合計目標値を算出する。その後、ストレージコントローラ１００は、残消去可能回数の降順に対象ＦＭドライブ内のＭＬＣブロックを選択ブロックとして選択し、選択ブロックがＴＬＣブロックに変換された場合の全ブロックの残消去可能回数の合計の予測値である合計予測値を算出する。例えば、ストレージコントローラ１００は、選択ブロックの残消去可能回数に、予め設定された係数を乗ずることで、選択の残消去可能回数の予測値を算出し、選択ブロックの残消去可能回数を予測値に置き換えることで合計予測値を算出する。係数は例えば、１／１０である。その後、ストレージコントローラ１００は、合計予測値が合計目標値以下であるか否かを判定する。合計予測値が合計目標値以下である場合、選択ブロックの残消去可能回数に係数を乗ずることで、新たな残消去可能回数を算出し、選択ブロックを変換ブロックとして選択する。その後、ストレージコントローラ１００は、次の選択ブロックの選択と、合計予測値の算出と、合計予測値の判定とを繰り返す。

　合計予測値が合計目標値を超えた場合、ストレージコントローラ１００は、全ての変換ブロックの容量を１．５倍にすることで、対象ＦＭドライブの容量を変更する。

　変換ブロックが１つも選択されていない場合、ストレージコントローラ１００は、セル変換不可を示す応答を対象ＦＭドライブへ送信する。少なくとも１つの変換ブロックが選択された場合、ストレージコントローラ１００は、変換ブロック数に基づいてＭＬＣブロック数とＴＬＣブロック数の割合を更新し、その割合をセル変換情報に含め、変換ブロック数に基づいて、ドライブ管理情報におけるＴＬＣ領域空き容量を更新する。その後、ストレージコントローラ１００は、セル変換情報を含む応答を、対象ＦＭドライブへ送信する。

　なお、ストレージコントローラ１００は、予め設定された残消去可能回数閾値以上の残消去可能回数を持つＭＬＣブロックを、変換ブロックとして選択してもよい。この場合、スナップショットデータを書き込まれたＴＬＣブロックに対する書き換えが発生しないことから、残消去可能回数閾値を十分小さくすることができる。

　また、前述のＳ３５０において、対象ＦＭドライブのＣＰＵ３２０は、セル変換可否確認要求を送信する代わりに、ストレージコントローラ１００から合計目標値を取得し、セル変換可否確認処理を行ってもよい。

　また、ＣＰＵ３２０は、ストレージコントローラ１００からのリード要求に応じて、読み出されたデータに対して、Ｓ３２０の判定を行ってもよい。

　以上のセル変換可否確認処理によれば、ＴＬＣ領域空き容量が不足する場合に、予め設定された変換条件を満たすＭＬＣブロックをＴＬＣブロックに変換することができる。

　ＣＰＵ３２０は、空き容量の判定を契機に第２移動処理を行う。

　図１０は、第２移動処理を示す。

　Ｓ５１０においてＣＰＵ３２０は、自ＦＭドライブのＭＬＣ領域空き容量が、予め設定されたＭＬＣ領域空き容量閾値以下であるか否かを判定する。

　Ｓ５１０の結果、ＭＬＣ領域空き容量がＭＬＣ領域空き容量閾値以下でないと判定された場合（Ｎｏ）、ＣＰＵ３２０は、このフローを終了する。

　Ｓ５１０の結果、ＭＬＣ領域空き容量がＭＬＣ領域空き容量閾値以下であると判定された場合（Ｙｅｓ）、Ｓ５２０においてＣＰＵ３２０は、前述のＳ３４０と同様にして、スナップショットデータ量を算出する。

　Ｓ５３０においてＣＰＵ３２０は、スナップショットデータ量がＴＬＣ領域空き容量よりも小さいか否かを判定する。

　Ｓ５３０の結果、スナップショットデータ量がＴＬＣ領域空き容量以上であると判定された場合（Ｎｏ）、Ｓ５４０においてＣＰＵ３２０は、リクラメーション処理を行う。リクラメーション処理は、有効データをＭＬＣブロックからＭＬＣブロックへ移動させる。Ｓ５５０においてＣＰＵ３２０は、リクラメーション処理により変更された物理アドレスに従って、論物変換テーブル４１０の物理アドレス４１２を更新し、このフローを終了する。

　Ｓ５３０の結果、スナップショットデータ量がＴＬＣ領域空き容量よりも小さいと判定された場合（Ｙｅｓ）、Ｓ５６０においてＣＰＵ３２０は、リクラメーション処理を行う。Ｓ５７０においてＣＰＵ３２０は、スナップショットデータ量がＴＬＣ領域空き容量より小さい間、スナップショット世代管理テーブル４２０内の古い世代から順にスナップショットデータを選択し、選択されたスナップショットデータを同一のＦＭドライブ２００内のＴＬＣ領域へ移動する。

　Ｓ５８０においてＣＰＵ３２０は、リクラメーション処理による物理アドレスの変更に従って、論物変換テーブル４１０の物理アドレス４１２を、リクラメーション処理による移動先の物理アドレスに変更する。Ｓ５８０においてＣＰＵ３２０は、スナップショットデータの移動に従って、スナップショット世代管理テーブル４２０内の物理アドレス４２３を、スナップショットデータの移動先の物理アドレスに変更し、スナップショット世代管理テーブル４２０内のＴＬＣフラグ４２５を１に変更し、このフローを終了する。

　以上の第２移動処理によれば、リクラメーション処理を契機としてスナップショットデータをＭＬＣ領域からＴＬＣ領域へ移動させることができる。

　ストレージシステム１０は、ＦＭドライブ２００のバックアップを別のＦＭドライブ２００に作成するバックアップ処理を行ってもよい。バックアップ処理の開始時、ＦＭドライブ２００である旧ドライブと、別のＦＭドライブ２００であるアーカイブドライブとが、ストレージコントローラ１００に接続されている。旧ドライブのバックアップがアーカイブドライブに作成されると、ＦＭドライブ２００である新ドライブが、旧ドライブの代わりにストレージコントローラ１００に接続され、アーカイブドライブのバックアップが新ドライブに作成される。

　図１１は、バックアップ処理における旧ドライブの動作を示す。

　Ｓ６１０においてＣＰＵ３２０は、旧ドライブの劣化を示す劣化度が予め設定された劣化度閾値以上であるか否かを判定する。劣化度は例えば、旧ドライブ内の全ブロックのＰＥ回数の平均値（平均ＰＥ回数）である。

　Ｓ６１０の結果、劣化度が劣化度閾値以上でないと判定された場合（Ｎｏ）、ＣＰＵ３２０は、このフローを終了する。

　Ｓ６１０の結果、劣化度が劣化度閾値以上であると判定された場合（Ｙｅｓ）、Ｓ６２０においてＣＰＵ３２０は、ストレージコントローラ１００へバックアップ要求を送信し、Ｓ６３０において旧ドライブは、メモリ３１０内のスナップショット世代管理テーブル４２０をスナップショット情報として、ストレージコントローラ１００へ送信する。

　Ｓ７５０においてＣＰＵ３２０は、ストレージコントローラ１００からリード要求を受信すると、ＦＭチップ２１０内の全データを読み出し、読み出されたデータをストレージコントローラ１００へ送信する。

　以上の旧ドライブの動作によれば、旧ドライブは、寿命に到達したことを検出し、交換を要求することができる。

　図１２は、バックアップ処理を示す。

　この図において、図１１と共通の符号が付された処理は、同様の処理である。

　Ｓ７１０においてストレージコントローラ１００は、旧ドライブのＭＬＣブロック数とＴＬＣブロック数の関係を示すセル変換情報をアーカイブドライブへ送信する。Ｓ７２０においてセル変換情報を受信したアーカイブドライブは、セル変換処理を行うことでＭＬＣブロック数とＴＬＣブロック数を調整する。Ｓ７３０においてアーカイブドライブは、セル変換処理の完了通知をストレージコントローラ１００へ送信する。

　Ｓ７４０においてストレージコントローラ１００は、完了通知を受信すると、全データのリード要求を旧ドライブへ送信する。Ｓ７５０において旧ドライブは、リード要求を受信すると、ＦＭチップ２１０内の全データを読み出し、読み出されたデータをストレージコントローラ１００へ送信する。Ｓ７６０においてストレージコントローラ１００は、受信した全データのライト要求と、スナップショット情報のライト要求とを、アーカイブドライブへ送信する。これにより、アーカイブドライブは、受信したデータをＦＭチップ２１０へ書き込み、受信したスナップショット情報をメモリ３１０へ書き込む。Ｓ７７０においてストレージコントローラ１００は、アーカイブドライブの状態に従って、ドライブ管理情報、物理領域管理情報等を更新する。

　Ｓ８００においてストレージシステム１０の管理者により、旧ドライブが新ドライブに交換される。

　Ｓ８１０においてストレージコントローラ１００は、旧ドライブのＭＬＣブロック数とＴＬＣブロック数を示すセル変換情報を、新ドライブへ送信する。Ｓ８２０においてセル変換情報を受信した新ドライブは、セル変換処理を行うことで、ＭＬＣブロック数とＴＬＣブロック数を調整する。Ｓ８３０において新ドライブは、セル変換処理の完了通知をストレージコントローラ１００へ送信する。

　Ｓ８４０においてストレージコントローラ１００は、完了通知を受信すると、アーカイブドライブへ全データのリード要求を送信する。Ｓ８５０においてアーカイブドライブは、ＦＭチップ２１０内の全データをストレージコントローラ１００へ送信する。Ｓ８６０においてストレージコントローラ１００は、受信した全データのライト要求と、スナップショット情報のライト要求とを、新ドライブへ送信する。これにより、新ドライブは、受信したデータをＦＭチップ２１０へ書き込み、受信したスナップショット情報をメモリ３１０へ書き込む。これにより、新ドライブのＦＭチップ２１０とメモリ３１０内の情報は、旧ドライブのＦＭチップ２１０とメモリ３１０内の情報に一致する。Ｓ８７０においてストレージコントローラ１００は、新ドライブの状態に合わせて、ドライブ管理情報、物理領域管理情報等を更新する。

　以上のバックアップ処理によれば、ＦＭドライブに障害がある場合、そのＦＭドライブを交換し、交換前のＦＭドライブのデータとスナップショットを交換後のＦＭドライブに再現することができる。

　プロセッサは、ＣＰＵ１２０等に対応する。記憶デバイスは、ＦＭドライブ２００等に対応する。不揮発性半導体メモリは、ＦＭチップ２１０等に対応する。デバイスコントローラは、ドライブコントローラ３００等に対応する。不揮発性半導体メモリの状態は、ドライブ管理情報、物理領域管理情報等に対応する。論物変換情報は、論物変換テーブル４１０等に対応する。スナップショット情報は、スナップショット世代管理テーブル４２０等に対応する。リフレッシュ条件は、検査リードによる障害ビット数が、予め設定された閾値を超えること、等に対応する。リクラメーション条件は、ＭＬＣ領域空き容量が、予め設定された閾値以下になること、等に対応する。劣化条件は、平均ＰＥ回数が、予め設定された閾値を超えること、等に対応する。関係情報は、セル変換情報等に対応する。

　以上、本発明の実施形態を説明したが、これは本発明の説明のための例示であって、本発明の範囲を上記構成に限定する趣旨ではない。本発明は、他の種々の形態でも実施する事が可能である。

　１０…ストレージシステム、　２０…ホスト、　１００…ストレージコントローラ、　１１０…メモリ、　１２０…ＣＰＵ、　１３０…ホストＩ／Ｆ、　１４０…ドライブＩ／Ｆ、　１５０…スイッチ、　２００…ＦＭドライブ、　２１０…ＦＭチップ、　２２０…有効データ格納領域、　２３０…スナップショットデータ格納領域、　２４０…仮想ボリューム、　３００…ドライブコントローラ、　３１０…メモリ、　３２０…ＣＰＵ、　３３０…ストレージＩ／Ｆ、　３４０…ＦＭ　Ｉ／Ｆ、　３５０…スイッチ

Claims (11)

1. 　第１記憶デバイスと、
   　前記第１記憶デバイスに接続されるプロセッサと、
   を備え、
   　前記第１記憶デバイスは、
   　　不揮発性半導体メモリと、
   　　前記不揮発性半導体メモリに接続されるデバイスコントローラと、
   を含み、
   　不揮発性半導体メモリは、複数のブロックを含み、
   　各ブロックは、所定のセル数のセルを含み、
   　前記複数のブロックは、複数の小容量ブロックと、複数の大容量ブロックとを含むように構成されており、
   　各小容量ブロックは、ｎビットのデータを格納できるセルの集合であり、ｎは１以上の整数であり、
   　各大容量ブロックは、ｍビットのデータを格納できるセルの集合であり、ｍはｎよりも大きい整数であり、
   　前記プロセッサは、スナップショットを取得することを要求するスナップショット取得要求を前記デバイスコントローラへ送信するように構成されており、
   　前記デバイスコントローラは、前記スナップショット取得要求を受信する前に、第１論理領域へ第１データを書き込むことを要求する第１ライト要求を前記プロセッサから受信した場合、前記複数の小容量ブロックの中の第１小容量ブロックへ第１データを書き込み、
   　前記デバイスコントローラは、前記スナップショット取得要求を受信した後に、前記第１論理領域へ第２データを書きこむことを要求する第２ライト要求を受信した場合、前記複数の小容量ブロックの中の第２小容量ブロックへ第２データを書き込み、
   　前記デバイスコントローラは、前記不揮発性半導体メモリの状態が、予め設定された移動条件を満たす場合、前記第１小容量ブロック内の前記第１データを、前記複数の大容量ブロックの中の第１大容量ブロックへ移動させる、
   情報処理システム。
2. 　前記デバイスコントローラは、前記第２データの書き込みに応じて、前記第１論理領域と前記第１小容量ブロックの関連付けを示すスナップショット情報を格納し、前記第１論理領域と前記第２小容量ブロックの関連付けを示す論物変換情報を格納する、
   請求項１に記載の情報処理システム。
3. 　前記デバイスコントローラは、前記不揮発性半導体メモリの状態が、予め設定されたリフレッシュ条件を満たす場合、リフレッシュ処理を行い、
   　前記デバイスコントローラは、前記不揮発性半導体メモリの状態が前記リフレッシュ条件を満たし、且つ前記複数の大容量ブロックの空き容量が前記第１データのサイズ以上である場合、前記不揮発性半導体メモリの状態が前記移動条件を満たすと判定する、
   請求項１２に記載の情報処理システム。
4. 　前記デバイスコントローラは、前記不揮発性半導体メモリの状態が、予め設定されたリクラメーション条件を満たす場合、リクラメーション処理を行い、
   　前記デバイスコントローラは、前記不揮発性半導体メモリの状態が前記リクラメーション条件を満たし、且つ前記複数の大容量ブロックの空き容量が前記第１データのサイズ以上である場合、前記不揮発性半導体メモリの状態が前記移動条件を満たすと判定する、
   請求項１３に記載の情報処理システム。
5. 　前記スナップショット情報は、前記スナップショット情報に示されたデータの更新の世代を示すように構成されており、
   　前記デバイスコントローラは、前記不揮発性半導体メモリの状態が前記移動条件を満たすと判定された場合、前記スナップショット情報から世代が古い順に、前記複数の大容量ブロックの空き容量以下のデータを選択し、前記選択されたデータを、前記複数の大容量ブロックへ移動させる、
   請求項２４に記載の情報処理システム。
6. 　前記デバイスコントローラは、各ブロックを、小容量ブロックと大容量ブロックの何れか一つに設定することができ、
   　前記プロセッサは、小容量ブロックの数と大容量ブロックの数の関係を示す関係情報を、前記第１記憶デバイスへ送信するように構成されており、
   　前記デバイスコントローラは、前記関係情報に基づいて、前記不揮発性半導体メモリ内の特定ブロックの設定を変更することで、小容量ブロックの数と大容量ブロックの数を変更する、
   請求項１５に記載の情報処理システム。
7. 　前記デバイスコントローラは、前記不揮発性半導体メモリの状態が前記リフレッシュ条件を満たし、且つ前記複数の大容量ブロックの空き容量が前記第１データのサイズよりも小さく、且つ大容量ブロックの数の増加が可能であると判定された場合、前記不揮発性半導体メモリにおける大容量ブロックの数を増加させる、
   請求項３６に記載の情報処理システム。
8. 　前記デバイスコントローラは、前記不揮発性半導体メモリの状態が前記リフレッシュ条件を満たし、且つ前記複数の大容量ブロックの空き容量が前記第１データのサイズよりも小さい場合、大容量ブロックの数の増加が可能であるか否かの問い合わせを前記プロセッサへ送信し、
   　前記プロセッサは、前記関係情報に基づいて、大容量ブロックの数の増加が可能であるか否かを判定し、大容量ブロックの数の増加が可能であると判定された場合、大容量ブロックの数を増加させることで関係情報を変更し、前記変更された関係情報を前記記憶デバイスへ送信し、
   　前記デバイスコントローラは、前記変更された関係情報に基づいて、前記不揮発性半導体メモリにおける大容量ブロックの数を増加させる、
   請求項３７に記載の情報処理システム。
9. 　第２記憶デバイスを更に備え、
   　前記第１記憶デバイスのデバイスコントローラは、前記第１記憶デバイスの不揮発性半導体メモリの劣化が、予め設定された劣化条件を満たす場合、前記プロセッサへ通知を送信し、
   　前記プロセッサは、前記通知に応じて、前記関係情報を前記第２記憶デバイスへ送信し、
   　前記第２記憶デバイスのデバイスコントローラは、前記関係情報に基づいて、前記第２記憶デバイスの不揮発性半導体メモリにおける小容量ブロックの数と大容量ブロックの数を、前記第１記憶デバイスの不揮発性半導体メモリにおける小容量ブロックの数と大容量ブロックの数に夫々一致させ、
   　前記プロセッサは、前記通知の後、前記第１記憶デバイス内のスナップショット情報を、前記第１記憶デバイスから取得し、
   　前記プロセッサは、前記一致の後、前記第１記憶デバイス内のデータを、前記第１記憶デバイスから取得し、
   　前記プロセッサは、前記取得されたスナップショット情報を、前記第２記憶デバイスへ送信し、
   　前記プロセッサは、前記取得されたデータを、前記第２記憶デバイスへ送信し、
   　前記第２記憶デバイスのデバイスコントローラは、前記送信されたスナップショット情報を格納し、
   　前記第２記憶デバイスのデバイスコントローラは、前記送信されたデータを前記第２記憶デバイスの不揮発性半導体メモリへ書き込む、
   請求項２８に記載の情報処理システム。
10. 　前記デバイスコントローラは、
    　　前記スナップショット取得要求の後、前記スナップショットを示す仮想ボリュームを作成し、
    　　前記仮想ボリュームから第２論理領域を読み出すリード要求を受信した場合、前記第２論理領域がスナップショット情報に示されているか否かを判定し、前記第２論理領域がスナップショット情報に示されている場合、前記スナップショット情報により前記第２論理領域に関連付けられた物理領域からデータを読み出し、前記第２論理領域がスナップショット情報に示されていない場合、前記論物変換情報により前記第２論理領域に関連付けられた物理領域からデータを読み出す、
    請求項２９に記載の情報処理システム。
11. 　不揮発性半導体メモリを含む第１記憶デバイスへデータを格納するためのデータ格納方法であって、不揮発性半導体メモリは、複数のブロックを含み、各ブロックは、所定のセル数のセルを含み、
    　前記第１記憶デバイスを用いて、スナップショットを取得することを要求するスナップショット取得要求を受信する前に、第１論理領域へ第１データを書き込むことを要求する第１ライト要求を受信した場合、複数の小容量ブロックの中の第１小容量ブロックへ第１データを書き込み、前記複数のブロックは、前記複数の小容量ブロックと、複数の大容量ブロックとを含むように構成されており、各小容量ブロックは、ｎビットのデータを格納できるセルの集合であり、ｎは１以上の整数であり、各大容量ブロックは、ｍビットのデータを格納できるセルの集合であり、ｍはｎよりも大きい整数であり、
    　　前記第１記憶デバイスを用いて、前記スナップショット取得要求を受信した後に、前記第１論理領域へ第２データを書きこむことを要求する第２ライト要求を受信した場合、前記複数の小容量ブロックの中の第２小容量ブロックへ第２データを書き込み、
    　　前記第１記憶デバイスを用いて、前記不揮発性半導体メモリの状態が、予め設定された移動条件を満たす場合、前記第１小容量ブロック内の前記第１データを、前記複数の大容量ブロックの中の第１大容量ブロックへ移動させる、
    ことを備える、
    データ格納方法。

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