JP2017130958A - 電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波の電気信号を扱う電子機器である。中心導体11を有する同軸コネクタ10と、表面にストリップ線路22が形成されている回路基板20と、中心導体11とストリップ線路22とを電気的に接続する金属リボン1とを備える。金属リボン1は、中心導体11上に形成された金属スタッドバンプ2を介して中心導体11と接続している。中心導体11と金属リボン1とを接続している状態での金属スタッドバンプの高さは、20μm以上40μm以下である。
【選択図】図1
Description
はじめに、図1を参照して、実施の形態1に係る同軸コネクタの接続構造について説明する。本実施の形態に係る電子機器は、同軸コネクタ10と、回路基板20と、同軸コネクタ10と回路基板20とが固定された筐体30とを備える。
次に、図10〜図12を参照して、本発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態に係る電子機器および電子機器の製造方法は、基本的には、実施の形態1に係る電子機器および電子機器の製造方法と同様の構成を備えるが、金属リボン1の他方端1bが、金属スタッドバンプ2を介して中心導体11と接合されている状態で、高い平坦性を有している点で異なる。なお、図10〜図12において、中心導体11および絶縁体12は側面図として図示しているが、金属リボン1およびこれを把持する平坦化ツール60、ならびに金属スタッドバンプ2は断面図として図示している。
次に、図13および図14を参照して、本発明の実施の形態3について説明する。本実施の形態に係る電子機器および電子機器の製造方法は、基本的には、実施の形態1に係る電子機器および電子機器の製造方法と同様の構成を備えるが、工程(S40)において金属リボン1と中心導体11とを接続する前に、金属スタッドバンプ2と中心導体11との接合を破壊試験により評価する点で異なる。
まず、同軸コネクタとして、絶縁体がPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)樹脂からなり、中心導体がベリリウム銅上にNi(5μm)/Au(2.5μm)のめっき層が形成されたものを10個準備した。Auめっきは純度98.5%〜99.5%の硬質Auめっきである。金属スタッドバンプの材料として、線径25μmのAuワイヤを準備した。なお、線径25μmのAuワイヤ(スタッドバンプ形成用Auワイヤ)の引張り強さの平均値は、およそ0.15Nである。
まず、上記の2つのグループに対し、中心導体上に金属スタッドバンプを形成できるかどうかを確認した。
表面汚損を付着させた後、何の処理も施さず、そのまま金属スタッドバンプを形成する工程を実施した一方のグループでは、金属スタッドバンプを形成する際の引きちぎり工程で金属スタッドバンプが形成されることなく、いずれも同軸コネクタの中心導体からAuワイヤが剥がれてしまった。つまり、本実施例では、金属スタッドバンプを形成する工程において、Auワイヤの引張り強さ0.15Nの力で金属スタッドバンプの引張り試験を実施していることに相当するが、このようにすれば表面汚損による接合不良のスクリーニングが行えることが確認できた。
洗浄工程を実施したグループは、中心導体上に金属スタッドバンプを形成することができたが、これに対しては、さらに引っ張り試験を行って、金属スタッドバンプの破断強度を測定した。試験には、引っ張り試験機(Dage Precision Industries社製、DAGE4000)と、金属スタッドバンプ2の側面の両端から挟持できるように作製された専用のツイーザー(ピンセット状つかみ冶具)を用いた。該ツイーザーで金属スタッドバンプを垂直方向上方に、50μm/秒の一定速度で引っ張り上げたときの金属スタッドバンプ2が破断もしくは中心導体11から剥離したときの引っ張り強度を測定した。
洗浄工程を実施した中心導体に対して形成した金属スタッドバンプの引っ張り強度は、0.4N以上0.52N以下であった。つまり、金属スタッドバンプが中心導体上に正常に形成されたときの引張り強度の平均値はおよそ0.48Nであり、これを応力に換算すると平均値で304MPaであった。なお、本実施例において、直径25μmのAuワイヤを用いてボールボンドによって形成された接合部(中心導体11と金属スタッドバンプ2との接合部)の直径(接合径)の平均値は、およそ45μmであった。一方、直径25μmの金属スタッドバンプ形成用Auワイヤの引張り強度の平均値は0.15N、破断応力の平均値は300MPaであった。応力の観点からみると、ボールボンドによって作製される中心導体11と金属スタッドバンプ2との正常接合部の接合強度は、金属スタッドバンプ形成用Auワイヤの引張り破断強度とほぼ同一の値であった。言い換えると、中心導体11と金属スタッドバンプ2との接合部の接合強度はおよそ0.48N、Auワイヤの引きちぎり時の強度はおよそ0.15Nであるが、応力で表すと両者はほぼ同じ300MPaであった。つまり工程(S30)において、Auワイヤを引きちぎることにより金属スタッドバンプを形成することは、中心導体と金属スタッドバンプとが正常に接合しているときの接合強度のおよそ1/3の力で金属スタッドバンプ(Auワイヤ)と中心導体との接合強度評価試験を実施したことに相当すると言える。よって、本実施例のように、中心導体上に表面汚損が存在する場合には、工程(S30)において中心導体上に金属スタッドバンプを形成することができないという異常として検出されることが確認できた。なお、本実施例では油脂や有機高分子などによる表面汚損の異常についての評価結果を示したが他にも、中心導体の異常(たとえば、Auめっき層にピンホールが形成されているときの下地Niめっき層の表面拡散や、それに伴うめっき腐食等)が存在する場合についても、同様に異常として検出可能である。また、同軸コネクタの仕上がり精度のばらつき等に起因する金属スタッドバンプと中心導体との接合強度低下も異常として検出可能である。
Claims (5)
- 高周波の電気信号を扱う電子機器であって、
中心導体を有する同軸コネクタと、
表面にストリップ線路が形成されている回路基板と、
前記中心導体と前記ストリップ線路とを電気的に接続する金属リボンとを備え、
前記金属リボンは、前記中心導体上に形成された金属スタッドバンプを介して前記中心導体と接続しており、
前記中心導体と前記金属リボンとを接続している状態での前記金属スタッドバンプの高さは、20μm以上40μm以下である、電子機器。 - 前記金属リボンと前記金属スタッドバンプとの接合部の平面形状は、長方形状である、請求項1に記載の電子機器。
- 前記接合部の長手方向は、前記中心導体の延びる方向に対して垂直な方向を向くように形成されている、請求項2に記載の電子機器。
- 前記ストリップ線路、前記金属リボン、および前記金属スタッドバンプを構成する材料は、金を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子機器。
- 前記金属スタッドバンプは、前記中心導体上に、前記中心導体が延びる方向に間隔を空けて複数形成されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子機器。
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