JP2017130610A - イメージセンサ、製造方法、及び、電子機器 - Google Patents

イメージセンサ、製造方法、及び、電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】ゴーストを防止する。【解決手段】イメージセンサにおいて、光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップの、画素アレイ部側には、センサチップよりもサイズが大きい板状の透明部材が貼り付けられている。本技術は、可視光であるかどうかを問わず、光を受光して、画像を撮像する場合に適用することができる。【選択図】図７

Description

本技術は、イメージセンサ、製造方法、及び、電子機器に関し、特に、例えば、ゴーストを防止することができるようにするイメージセンサ、製造方法、及び、電子機器に関する。
例えば、特許文献１には、受光面上にガラス等の板状の透明部材が配置され、光が透明部材を介して入射されるイメージセンサについて、透明部材の断面を台形状とすることが記載されている。
特許文献１に記載のように、受光面上に配置される透明部材の断面を台形状とすることにより、透明部材の端面で反射された光が、受光面に入射してゴーストが生じることを防止することができる。
特開2006-041183号公報
イメージセンサとしてのパッケージであるCSP(Chip Size Package)等では、半導体の微細化プロセスの進展により、各種回路が縮小され、これにより、光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップの端面から画素アレイ部までの距離が短くなっている。
センサチップの端面から画素アレイ部までの距離が、それほど短くない場合には、透明部材の端面で反射した反射光が、センサチップの端面から画素アレイ部までの間（画素アレイ部の外側）に入射するが、センサチップの端面から画素アレイ部までの距離が短い場合には、透明部材の端面で反射した反射光が、画素アレイ部（の内側）に入射し、ゴーストが生じるおそれがある。
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、ゴーストが生じることを防止することができるようにするものである。
本技術のイメージセンサは、光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップと、前記センサチップの、前記画素アレイ部側に貼り付けられた、前記センサチップよりもサイズが大きい板状の透明部材とを備えるイメージセンサである。
本技術のイメージセンサにおいては、前記センサチップよりもサイズが大きい板状の透明部材が、光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップに貼り付けられている。
本技術の製造方法は、光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップの、前記画素アレイ部側に、板状の透明部材を貼り付けるステップを含み、前記センサチップと、前記センサチップよりもサイズが大きい前記透明部材とが貼り付けられたイメージセンサを製造する製造方法である。
本技術の製造方法においては、光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップの、前記画素アレイ部側に、板状の透明部材が貼り付けられ、前記センサチップと、前記センサチップよりもサイズが大きい前記透明部材とが貼り付けられたイメージセンサが製造される。
本技術の電子機器は、光を集光する光学系と、光を受光し、画像を撮像するイメージセンサとを備え、前記イメージセンサは、光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップと、前記センサチップの、前記画素アレイ部側に貼り付けられた、前記センサチップよりもサイズが大きい板状の透明部材とを有する電子機器である。
本技術の電子機器においては、イメージセンサにおいて、前記センサチップよりもサイズが大きい板状の透明部材が、光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップに貼り付けられている。
なお、イメージセンサは、独立した装置であっても良いし、１つの装置を構成している内部ブロックであっても良い。
本技術によれば、ゴーストを防止することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
本技術を適用したカメラユニットの一実施の形態の構成例を示すブロック図である。 イメージセンサ２の構成例の概略を示す斜視図である。 2層の積層構造を有するイメージセンサの構成例の概略を示す断面図である。 センサチップ４０の構成例を示す断面図である。 イメージセンサ２の第１の構成例を示す断面図である。 撮像画像にゴーストが発生することを防止する方法の例を説明する図である。 イメージセンサ２の第２の構成例を示す断面図である。 イメージセンサ２の第２の構成例を上側から見た平面図である。 イメージセンサ２の第２の構成例に入射する入射光の例を説明する図である。 イメージセンサ２の第２の構成例に入射する入射光の例を、さらに説明する図である。 イメージセンサ２の第３の構成例を示す断面図である。 イメージセンサ２の第４の構成例を示す断面図である。 イメージセンサ２の第５の構成例を示す断面図である。 イメージセンサ２の第６の構成例を示す断面図である。 イメージセンサ２の第７の構成例を示す断面図である。 イメージセンサ２の第８の構成例を示す断面図である。 イメージセンサ２の第９の構成例を示す断面図である。 イメージセンサ２の第１０の構成例を示す断面図である。 イメージセンサ２の製造方法の例を説明する図である。 イメージセンサ２の製造方法の他の例を説明する図である。 イメージセンサ２を使用する使用例を示す図である。
＜本技術を適用したカメラユニットの一実施の形態＞
図１は、本技術を適用したカメラユニットの一実施の形態の構成例を示すブロック図である。
なお、カメラユニットは、静止画、及び、動画のいずれも撮像することができる。
図１において、カメラユニットは、光学系１、イメージセンサ２、メモリ３、信号処理部４、出力部５、及び、制御部６を有する。
光学系１は、例えば、図示せぬズームレンズや、フォーカスレンズ、絞り等を有し、外部からの光を、イメージセンサ２に入射させる。
イメージセンサ２は、例えば、裏面配線構造のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサであり、光学系１からの入射光を受光し、光電変換を行って、光学系１からの入射光に対応する画像データを出力する。
メモリ３は、イメージセンサ２が出力する画像データを一時記憶する。
信号処理部４は、メモリ３に記憶された画像データを用いた信号処理としての、例えば、ノイズの除去や、ホワイトバランスの調整等の処理を行い、出力部５に供給する。
出力部５は、信号処理部４からの画像データを出力する。
すなわち、出力部５は、例えば、液晶等で構成されるディスプレイ（図示せず）を有し、信号処理部４からの画像データに対応する画像を、いわゆるスルー画として表示する。
また、出力部５は、例えば、半導体メモリや、磁気ディスク、光ディスク等の記録媒体を駆動するドライバ（図示せず）を有し、信号処理部４からの画像データを記録媒体に記録する。
さらに、出力部５は、所定の通信を行う通信インターフェースを有し、信号処理部４からの画像データを、無線又は有線で送信する。
制御部６は、ユーザの操作や、外部からの指示等に従い、カメラユニットを構成する各ブロックを制御する。
以上のように構成されるカメラユニットでは、イメージセンサ２が、光学系１からの入射光を受光し、その入射光に応じて、画像データを出力する。
イメージセンサ２が出力する画像データは、メモリ３に供給されて記憶される。メモリ３に記憶された画像データについては、信号処理部４による信号処理が施され、その結果得られる画像データが、出力部５に供給されて出力される。
＜イメージセンサ２の構成例＞
図２は、イメージセンサ２の構成例の概略を示す斜視図である。
イメージセンサは、1枚のダイ（基板）で構成することもできるし、複数枚のダイを積層して構成することもできる。
図２のＡは、1枚のダイで構成されるイメージセンサ２の構成例を示している。
図２のＡでは、イメージセンサ２は、平板形状の1枚のダイであるセンサダイ１０で構成される。
センサダイ１０には、光電変換を行う複数の画素（図示せず）が行列状に配列された画素アレイ部１１と、その画素アレイ部１１の画素を駆動する駆動回路や、その他の撮像に必要な信号処理（制御を含む）を行う回路等を含む周辺回路とが形成されている。
図２のＢは、2枚のダイで構成されるイメージセンサの構成例を示している。
図２のＢでは、イメージセンサ２は、平板形状の2枚のダイであるセンサダイ１０とロジックダイ２０とが積層された2層の積層構造になっている。
センサダイ１０には、画素アレイ部１１が形成され、ロジックダイ２０には、周辺回路１２が形成されている。
図２のＣは、3枚のダイで構成されるイメージセンサの構成例を示している。
図２のＣでは、イメージセンサ２は、平板形状の3枚のダイであるセンサダイ１０、ロジックダイ２０、及び、メモリダイ３０が積層された3層の積層構造になっている。
センサダイ１０には、画素アレイ部１１が形成され、ロジックダイ２０には、周辺回路１２が形成されている。メモリダイ３０には、メモリ１３が形成されている。
図２のＢ及びＣのように、イメージセンサ２を積層構造に構成する場合には、センサダイ１０に、周辺回路を構成せずに済むので、センサダイ１０、ひいては、イメージセンサ２のサイズ（面積）を小さくすることができる。
さらに、イメージセンサ２を積層構造に構成する場合には、画素アレイ部１１と周辺回路１２との間の配線を短くし、容量に起因する時定数を小にして、高速化を図ることができる。
また、イメージセンサ２を積層構造に構成する場合には、図２のＣのように、メモリ１３が形成されたメモリダイ３０を設けることにより、イメージセンサ２内において、各種の画像処理が可能となり、付加価値のある画像や、画像に関する情報を出力することが可能になる。
以下、例えば、図２のＢのように、センサダイ１０とロジックダイ２０とが積層された2層の積層構造を有するイメージセンサ２を例に、説明を行う。
なお、本技術は、2層の積層構造を有するイメージセンサ２の他、例えば、図２のＡに示したような、積層構造を有しないイメージセンサ２や、図２のＣに示したような、3層の積層構造のイメージセンサ２、4層以上の積層構造のイメージセンサ、その他の任意の構成のイメージセンサに適用することができる。
図３は、2層の積層構造を有するイメージセンサの構成例の概略を示す断面図である。
図３では、センサダイ１０及びロジックダイ２０のうちの、センサダイ１０を、上側（イメージセンサで受光する光が入射する側）にして、センサダイ１０とロジックダイ２０とが貼り合わされ、2層の積層構造のセンサチップ４０が構成されている。
さらに、図３では、センサチップ４０の上側（センサダイ１０側）に、センサチップ４０と同一サイズの保護ガラス４１が貼り付けられ、センサチップ４０の下部（ロジックダイ２０側）に、（裏面）電極４２が形成されることにより、（ウエハレベル）CSP(Chip Size Package)のイメージセンサが構成されている。
以上のように、図３では、センサチップ４０の下部に、電極４２が形成されているので、イメージセンサは、フリップチップで実装することができる。
図４は、センサチップ４０の構成例を示す断面図である。
すなわち、図４は、センサチップ４０の断面の一部分を拡大した図である。
ロジックダイ２０には、例えばシリコン(Si)で構成された半導体基板１２１（以下、シリコン基板１２１という。）の上側（センサダイ１０側）に、多層配線層１２２が形成されている。この多層配線層１２２により、図２の周辺回路１２の一部が構成されている。
多層配線層１２２は、センサダイ１０に最も近い最上層の配線層、中間の配線層、及び、シリコン基板１２１に最も近い最下層の配線層等からなる複数の配線層１２３と、各配線層１２３の間に形成された層間絶縁膜１２４とで構成される。
複数の配線層１２３は、例えば、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、タングステン(W)等を用いて形成され、層間絶縁膜１２４は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等で形成される。複数の配線層１２３及び層間絶縁膜１２４のそれぞれは、全ての階層が同一の材料で形成されていてもよし、階層によって２つ以上の材料を使い分けてもよい。
複数の配線層１２３は、シリコン基板１２１を介して、電極４２（図３）と電気的に接続される。
センサダイ１０には、シリコン(Si)で構成された半導体基板１０１（以下、シリコン基板１０１という。）の下側（ロジックダイ２０側）に、多層配線層１０２が形成されている。この多層配線層１０２により、画素から信号を読み出す読み出し回路（図示せず）等の周辺回路１２の他の一部が構成されている。
多層配線層１０２は、シリコン基板１０１に最も近い最上層の配線層、中間の配線層、及び、ロジックダイ２０に最も近い最下層の配線層等からなる複数の配線層１０３と、各配線層１０３の間に形成された層間絶縁膜１０４とで構成される。
複数の配線層１０３及び層間絶縁膜１０４として使用される材料は、上述した配線層１２３及び層間絶縁膜１２４の材料と同種の材料を採用することができる。また、複数の配線層１０３や層間絶縁膜１０４が、１または２つ以上の材料を使い分けて形成されてもよい点も、上述した配線層１２３及び層間絶縁膜１２４と同様である。
なお、図４の例では、センサダイ１０の多層配線層１０２は３層の配線層１０３で構成され、ロジックダイ２０の多層配線層１２２は４層の配線層１２３で構成されているが、配線層の総数はこれに限られず、任意の層数で形成することができる。
シリコン基板１０１内には、画素としてのPD(Photo Diode)１１０が、PN接合により形成されている。
シリコン基板１０１の上面には、絶縁膜（平坦化膜）１０８が形成され、絶縁膜１０８の上部の、PD５１に対応する部分には、OCL(On Chip Lens)１１１やCF(Color Filter)１１２が形成されている。
シリコン基板１０１の、絶縁膜１０８にOCL１１１及びCF１１２が形成されていない部分の所定の位置には、センサダイ１０の配線層１０２と接続されているシリコン貫通電極１０９と、ロジックダイ２０の配線層１２２と接続されているチップ貫通電極１０５が形成されている。
チップ貫通電極１０５とシリコン貫通電極１０９とは、シリコン基板１０１の上面側に形成された接続用配線１０６で接続されている。また、シリコン貫通電極１０９及びチップ貫通電極１０５のそれぞれとシリコン基板１０１との間には、絶縁膜１０７が形成されている。
センサチップ４０は、ロジックダイ２０の多層配線層１２２側と、センサダイ１０の多層配線層１０２側とが貼り合わされた積層構造となっている。図４では、ロジックダイ２０の多層配線層１２２と、センサダイ１０の多層配線層１０２との貼り合わせ面が、破線で示されている。
＜イメージセンサ２の第１の構成例＞
図５は、イメージセンサ２の第１の構成例を示す断面図である。
なお、図中、図３の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
図５では、イメージセンサ２は、センサダイ１０及びロジックダイ２０の2層の積層構造のセンサチップ４０、保護ガラス４１、及び、電極４２を有する。
したがって、図５のイメージセンサ２は、図３のイメージセンサと同様に構成される。
なお、保護ガラス４１は、透明な接着剤４３を用いて、センサチップ４０のセンサダイ１０に貼り合わされる。図５では、接着剤４３を図示してあるが、図３では、接着剤４３の図示を省略してある。
ここで、センサチップ４０の端面と、画素アレイ部１１との間の距離を、Aで表し、保護ガラス４１（及び接着剤４３）の厚みを、Bで表す。
さらに、角度が付いた入射光、すなわち、画素アレイ部１１としての平面の法線方向から傾いた方向から保護ガラス４１に入射する入射光が、保護ガラス４１の端面で反射され、センサチップ４０に入射する場合の、その入射光が、センサチップ４０に入射する位置と、センサチップ４０の端面との間の距離を、Cで表すこととする。
距離Aが、保護ガラス４１の厚みBに対して、十分に大である場合には、距離A及びCの関係は、A>Cとなり、保護ガラス４１の端面で反射された入射光は、画素アレイ部１１（の内部）に入射せず、イメージセンサ２で得られる画像に、ゴーストは発生しない。
ところで、半導体の微細化プロセスの進展により、距離Aが小になっている。
図２に示したように、周辺回路１２を、画素アレイ部１１が形成されるセンサダイ１０とは別のロジックダイ２０に形成し、センサダイ１０とロジックダイ２０とを積層して、イメージセンサ２を構成する場合には、距離Aは、さらに小になる。
以上のように、距離Aが小になり、距離A及びCの関係が、A<Cであると、保護ガラス４１の端面で反射された入射光は、画素アレイ部１１に入射し、イメージセンサ２で得られる画像（以下、撮像画像ともいう）に、ゴーストが発生する。
図６は、撮像画像にゴーストが発生することを防止する方法の例を説明する図である。
すなわち、図６は、図５の保護ガラス４１を薄くした状態のイメージセンサ２の断面を示している。
図５で説明したように、距離Aが、保護ガラス４１の厚みBに対して、十分に大である場合には、距離A及びCの関係は、A>Cとなるので、ゴーストは発生しない。
そこで、微細化により小になっている距離Aに応じて、図６に示すように、保護ガラス４１の厚みBを小にする（薄くする）ことにより、距離A及びCの関係を、A>Cに維持して、ゴーストの発生を防止する方法がある。
すなわち、保護ガラス４１の厚みBを小にすることにより、距離Aが小になっても、距離A及びCの関係は、A<Cにならず、ゴーストの発生を防止することができる。
しかしながら、保護ガラス４１の厚みBを小にすると、CSPのイメージセンサ２の機械的な剛性が低下し、イメージセンサ２に、図６に矢印Wで示すような反りが生じやすくなる。
イメージセンサ２に反りが生じると、その反りの分だけ、画素アレイ部１１の中心部の画素と周辺部の画素とで、イメージセンサ２に入射する光を集光するレンズ（図示せず）からの距離にずれが生じ、画素アレイ部１１の全体（の画素）で、フォーカスがあわなくなることがある。
いま、レンズのF値をFと、画素アレイ部１１の1画素のサイズ（横及び縦の長さ）をaと、レンズの焦点深度をbと、それぞれ表すこととする。さらに、許容錯乱円の径を2画素（未満）分のサイズとすると、レンズの焦点深度bは、式b＝F×2×aで表される。
例えば、F=2.0，a=1.2μmである場合、レンズの焦点深度bは、2×2×1.2=4.8μmとなり、イメージセンサ２の反りによって、画素の光軸方向の位置が4.8μm以上ずれると、フォーカスが合わなくなり、撮像画像には、ぼけが生じる。
そこで、以下では、撮像画像にゴーストが発生することを防止するイメージセンサ２であって、機械的な剛性の低下に起因するイメージセンサ２の反りの発生、ひいては、撮像画像にぼけが生じることを防止することが可能なイメージセンサ２について説明する。
＜イメージセンサ２の第２の構成例＞
図７は、イメージセンサ２の第２の構成例を示す断面図である。
なお、図中、図５の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
図７において、イメージセンサ２は、センサダイ１０及びロジックダイ２０の2層の積層構造のセンサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２０１を有する。さらに、図７のイメージセンサ２において、保護ガラス２０１は、接着材４３によって、センサチップ４０（のセンサダイ１０）に貼り合わされている。
したがって、図７のイメージセンサ２は、センサチップ４０、及び、電極４２を有する点で、図５の場合と共通する。
但し、図７のイメージセンサ２は、保護ガラス４１に代えて、保護ガラス２０１が設けられている点で、図５の場合と相違する。
保護ガラス２０１は、センサチップ４０よりもサイズ（イメージセンサ２に光が入射する面の面積）が大きい板状の透明部材であり、接着材４３によって、センサチップ４０に貼り合わされている。
なお、サイズの大きい保護ガラス２０１は、センサチップ４０に直接的に貼り合わせることもできるし、センサチップ４０に間接的に貼り合わせることもできる。すなわち、保護ガラス２０１は、図６に示したように、薄い保護ガラス４１がある状態のイメージセンサ２の保護ガラス４１に貼り合わせることができる。
以上のように、保護ガラス２０１は、センサチップ４０に直接的に貼り合わせる必要はなく、保護ガラス２０１とセンサチップ４０との間に、何らかの透明部材が存在していても良い。この点、以下説明するイメージセンサ２の構成例についても同様である。
また、以下では、説明の便宜上、イメージセンサ２の左右、及び、上下のそれぞれは、対称であることとする。
図８は、図７のイメージセンサ２の第２の構成例を上側から見た平面図である。
図８において、保護ガラス２０１は、センサチップ４０のサイズより大になっている。
すなわち、保護ガラス２０１の横の長さH1及び縦の長さV1は、センサチップ４０の横の長さH2及び縦の長さV2よりも、それぞれ大になっている。
そのため、保護ガラス２０１の端面は、センサチップ４０の端面、ひいては、画素アレイ部１１の端部よりも外側に位置している。
なお、図８（及び図７）では、センサチップ４０の端面と、画素アレイ部１１との間の距離Aが、小になっている。
図９は、図７及び図８のイメージセンサ２の第２の構成例に入射する入射光の例を説明する図である。
図９において、入射光IL0，IL1、及び、IL2は、いずれも、角度が付いた光で、直進する限り、画素アレイ部１１に入射しない光になっている。
図９において、入射光IL0は、保護ガラス２０１に入射し、その保護ガラス２０１の端面E11で反射される。
保護ガラス２０１の端面で反射された入射光IL0は、イメージセンサ２の内側に向かうが、保護ガラス２０１の端面E11は、センサチップ４０の端面E12よりも外側に位置しているため、入射光IL0は、保護ガラス２０１の下面の、センサチップ４０からはみ出た位置に到達する。
すなわち、保護ガラス２０１の端面E11で反射され、イメージセンサ２の内側に向かう入射光IL0は、保護ガラス２０１がセンサチップ４０のサイズより大になっているため、センサチップ４０、ひいては、画素アレイ部１１に届かない。
したがって、保護ガラス２０１の端面E11で反射された入射光が、画素アレイ部１１に入射することに起因して、撮像画像にゴーストが発生することを防止することができる。
センサチップ４０のサイズより大の保護ガラス２０１のサイズとしては、例えば、保護ガラス２０１に入射することが想定される入射光のうちの、最大の角度が付いた入射光が、保護ガラス２０１の端面E11で反射されても、画素アレイ部１１に入射しない任意のサイズを採用することができる。
ここで、上述の「最大の角度が付いた入射光」とは、画素アレイ部１１としての平面の法線方向からの傾きが最大の入射光を意味する。
図９において、入射光IL1は、保護ガラス２０１に入射し、保護ガラス２０１の下面を通過して、接着剤４３の端部E13で、イメージセンサ２の内側に向かって反射される。
接着剤４３の厚みは、極めて薄いため、接着剤４３の端部E13で反射された入射光IL1は、センサチップ４０の端面E12と画素アレイ部１１との間の距離Aが小であっても、画素アレイ部１１に届かず、センサチップ４０の端面E12と画素アレイ部１１との間に到達する。
したがって、接着剤４３の端部E13で反射された入射光IL1に起因するゴーストは発生しない。
図９において、入射光IL2は、保護ガラス２０１に入射し、保護ガラス２０１の下面で、イメージセンサ２の外側（保護ガラス２０１の端面E11）に向かって反射される。
保護ガラス２０１の下面で反射された入射光IL2は、その後、保護ガラス２０１の端面E11で反射され得るが、強度が大の光（高輝度な光源からの光）でない限り、画素アレイ部１１には届かない。
この場合、保護ガラス２０１の下面で反射された入射光IL1に起因するゴーストは発生しない。
なお、保護ガラス２０１の厚みB（接着剤４３を含んでも良い）としては、イメージセンサ２に要求される機械的な剛性が満足される厚みが採用される。保護ガラス２０１の厚みBとしては、例えば、200μm以上を採用することができる。
図１０は、イメージセンサ２の第２の構成例に入射する入射光の例を、さらに説明する図である。
図９で説明したように、保護ガラス２０１の下面で反射された入射光IL2は、その後、保護ガラス２０１の端面E11で反射され得るが、強度が大の光でない限り、画素アレイ部１１には届かない。
しかしながら、入射光IL2が、強度が大の光である場合には、保護ガラス２０１の下面で反射された後、さらに、保護ガラス２０１の端面E11等で反射され、画素アレイ部１１に到達することがあり得る。
図１０では、保護ガラス２０１の下面で反射された入射光IL2が、その後、保護ガラス２０１の端面E11、及び、保護ガラス２０１の上面で反射され、画素アレイ部１１に到達しており、この場合、撮影画像にゴーストが発生する。
＜イメージセンサ２の第３の構成例＞
図１１は、イメージセンサ２の第３の構成例を示す断面図である。
すなわち、図１１は、図１０で説明したように、保護ガラス２０１の内部で複数回の反射を経由して入射光が画素アレイ部１１に入射することに起因するゴーストの発生を防止するイメージセンサ２の構成例を示している。
なお、図中、図７の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
図１１において、イメージセンサ２は、センサダイ１０及びロジックダイ２０の2層の積層構造のセンサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２１１を有する。さらに、図１１のイメージセンサ２において、保護ガラス２１１は、接着材４３によって、センサチップ４０に貼り合わされている。
したがって、図１１のイメージセンサ２は、センサチップ４０、及び、電極４２を有する点で、図７の場合と共通する。
但し、図１１のイメージセンサ２は、保護ガラス２０１に代えて、保護ガラス２１１が設けられている点で、図７の場合と相違する。
保護ガラス２１１は、センサチップ４０よりもサイズが大きい板状の透明部材である点で、保護ガラス２０１と共通する。
但し、保護ガラス２０１の断面形状は長方形状になっているのに対して、保護ガラス２１１の断面形状は台形状になっている点で、保護ガラス２０１と保護ガラス２１１とは相違する。
図１１では、保護ガラス２１１は、底辺（上底及び下底）の両端の内角が等しい等脚台形の断面形状を有する。
また、図１１では、保護ガラス２１１は、上面のサイズが、下面のサイズよりも大になっており、従って、保護ガラス２１１の断面形状としての台形は、上底よりも下底の方が大の台形になっている。
なお、保護ガラス２１１の断面形状の台形は、等脚台形でなくても良いし、下底よりも上底の方が大の台形であっても良い。
保護ガラス２１１については、断面形状が台形になっているので、端面E2にテーパが付いている。そのため、保護ガラス２１１の下面で、イメージセンサ２の外側に向かって反射された入射光IL2は、その後、保護ガラス２１１の端面E2で反射され得るが、テーパが付いた端面E2では、入射光IL2は、イメージセンサ２の外側に向かって反射される。
したがって、保護ガラス２１１の内部での複数回の反射を経由した入射光（2次光や3次光等）が画素アレイ部１１に入射することに起因するゴーストの発生を抑制することができる。
なお、保護ガラス２１１の断面形状としては、台形の他、保護ガラス２１１の下面で反射され、イメージセンサ２の外側に向かう入射光を、イメージセンサ２の外側に反射する任意の断面形状を採用することができる。すなわち、保護ガラス２１１の断面形状としては、台形の他、例えば、平行四辺形等の、保護ガラス２１１の端面E2にテーパを付ける形状を採用することができる。
＜イメージセンサ２の第４の構成例＞
図１２は、イメージセンサ２の第４の構成例を示す断面図である。
なお、図中、図１１の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
図１２において、イメージセンサ２は、センサダイ１０及びロジックダイ２０の2層の積層構造のセンサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２１１を有する。さらに、図１２のイメージセンサ２において、保護ガラス２１１は、接着材４３によって、センサチップ４０に貼り合わされている。
したがって、図１１のイメージセンサ２は、センサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２１１を有する点で、図１１の場合と共通する。
但し、図１２のイメージセンサ２は、保護ガラス２１１の上面及び下面に、IRCF(Infrared Cut Filter)膜２２１が付されている点で、図１１の場合と相違する。
ここで、以下説明するイメージセンサ２の各構成例については、センサチップ４０に貼り合わせる保護ガラスとして、保護ガラス２０１のような断面形状が長方形状の保護ガラスや、保護ガラス２１１のような断面形状が台形状の保護ガラスを、適宜図示するが、各構成例では、可能な範囲で、長方形状の保護ガラス、及び、断面形状が台形状の保護ガラスのうちのいずれをも採用することができる。
図１２のイメージセンサ２において、IRCF膜２２１は、例えば、反射型のIRCFであり、数十層の蒸着を行うことで、保護ガラス２１１の上面や下面に付すことができる。
図１２のイメージセンサ２は、IRCFが一体になったイメージセンサであり、かかるイメージセンサ２に、光学系１を付加することで、薄型のカメラユニット（モジュール）を構成することができる。
すなわち、イメージセンサ２への赤外線の入射を防止する方法としては、例えば、イメージセンサ２の上側、すなわち、光学系１（図１）と、IRCF膜２２１を有しないイメージセンサ２との間に、IRCFを設ける方法がある。
以上のように、光学系１とイメージセンサ２との間に、IRCFを設ける場合には、光学系１とIRCFとの間、及び、IRCFとイメージセンサ２との間に、隙間が生じ、その分、カメラユニットの厚みは大になる。さらに、IRCFとイメージセンサ２との間の隙間によれば、光学系１を構成するレンズとして、バックフォーカスが大のレンズが必要となり、薄型化の妨げとなる。
一方、図１２のように、IRCF膜２２１が保護ガラス２１１に付されたイメージセンサ２では、IRCFとイメージセンサ２との間の隙間が存在しないので、その分、カメラユニットの厚みを小にすることができる。
なお、IRCF膜２２１は、保護ガラス２１１の上面及び下面の両方に付す他、いずれか一方だけに付すことができる。
ここで、IRCF膜２２１が付された保護ガラス２１１は、例えば、IRCF膜２２１を形成する数十層の蒸着を行うことで製造することができるが、その蒸着を行うときに、ピンホール不良等が生じた不良品が発生しやすい。
したがって、ウエハレベルで、センサチップ４０と、IRCF膜２２１が付された保護ガラス２１１とを貼り合わせて、イメージセンサ２を製造する場合には、IRCF膜２２１を形成する蒸着時に生じやすいピンポール不良に起因して、イメージセンサ２全体の歩留まりが悪化するおそれがある。
そこで、センサチップ４０と、IRCF膜２２１が付された保護ガラス２１１との貼り合わせは、ウエハレベルで行うのではなく、センサチップ４０と、IRCF膜２２１が付された保護ガラス２１１とのそれぞれを、ウエハレベルから個片化し、センサチップ４０、及び、保護ガラス２１１それぞれの個片の中から、良品だけを選別して行うことができる。
以上のように、センサチップ４０と、IRCF膜２２１が付された保護ガラス２１１との貼り合わせを、良品の個片だけを選別して行うことにより、歩留まりの悪化を防止し、製造コストを抑制することができる。
なお、IRCF膜２２１は、断面形状が台形状の保護ガラス２１１の他、例えば、断面形状が長方形状の保護ガラス２０１（図７）等に適用することができる。
＜イメージセンサ２の第５の構成例＞
図１３は、イメージセンサ２の第５の構成例を示す断面図である。
なお、図中、図１１の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
図１３において、イメージセンサ２は、センサダイ１０及びロジックダイ２０の2層の積層構造のセンサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２３１を有する。さらに、図１３のイメージセンサ２において、保護ガラス２３１は、接着材４３によって、センサチップ４０に貼り合わされている。
したがって、図１１のイメージセンサ２は、センサチップ４０、及び、電極４２を有する点で、図１１の場合と共通する。
但し、図１３のイメージセンサ２は、保護ガラス２１１に代えて、保護ガラス２３１が設けられている点で、図１１の場合と相違する。
保護ガラス２３１は、センサチップ４０よりもサイズが大きい板状の透明部材である点、及び、断面形状が台形状である点で、保護ガラス２１１と共通する。
但し、保護ガラス２３１は、例えば、青板ガラス等の、赤外線を吸収する透明部材で構成される点で、任意の透明部材を採用しうる保護ガラス２１１と相違する。
保護ガラス２３１は、赤外線を吸収するので、IRCFとして機能する。したがって、図１３のイメージセンサ２も、図１２の場合と同様に、IRCFが一体になったイメージセンサであり、かかるイメージセンサ２に、光学系１を付加することで、やはり、図１２の場合と同様に、薄型のカメラユニットを構成することができる。
ここで、赤外線を吸収する保護ガラス２３１は、図１２の、IRCF膜２２１が付された保護ガラス２１１と同様に、その製造過程において、不良品が発生しやすい。
そのため、センサチップ４０と保護ガラス２３１との貼り合わせは、ウエハレベルで行うのではなく、図１２の場合と同様に、センサチップ４０と保護ガラス２３１とのそれぞれを、ウエハレベルから個片化し、センサチップ４０、及び、保護ガラス２３１それぞれの個片の中から、良品だけを選別して行うことにより、歩留まりの悪化を防止し、製造コストを抑制することができる。
また、IRCFとしての保護ガラス２３１を構成する赤外線を吸収する透明部材（の材料）と、センサチップ４０を構成するSi（シリコン）とは、CTE(Coefficient of Thermal Expansion)が大きく異なる。
そのため、ウエハレベルで、センサチップ４０と保護ガラス２３１との貼り合わせを行った場合、その後に、センサチップ４０について、電極４２に接続する裏面配線を形成するときに、例えば、絶縁膜を形成するCVD(Chemical Vapor Deposition)プロセスで、センサチップ４０及び保護ガラス２３１が高温になると、ウエハ全体に大きな反りが生じ、イメージセンサ２の製造が困難になるおそれがある。
センサチップ４０、及び、保護ガラス２３１の個片化後に、センサチップ４０と保護ガラス２３１との貼り合わせを行うことで、上述のように、イメージセンサ２の製造が困難になることを防止することができる。
なお、赤外線を吸収する透明部材は、保護ガラス２３１のように、断面形状が台形状の保護ガラスの他、例えば、保護ガラス２０１（図７）のように、断面形状が長方形状の保護ガラス等に適用することができる。
＜イメージセンサ２の第６の構成例＞
図１４は、イメージセンサ２の第６の構成例を示す断面図である。
なお、図中、図１３の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
図１４において、イメージセンサ２は、センサダイ１０及びロジックダイ２０の2層の積層構造のセンサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２３１を有する。さらに、図１４のイメージセンサ２において、保護ガラス２３１は、接着材４３によって、センサチップ４０に貼り合わされている。
したがって、図１４のイメージセンサ２は、センサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２３１を有する点で、図１３の場合と共通する。
但し、図１４のイメージセンサ２は、保護ガラス２３１の上面及び下面それぞれの周辺部に、遮光膜２４１が形成されている点で、図１３の場合と相違する。
遮光膜２４１は、画素アレイ部１１に直接的に入射する光、すなわち、保護ガラス２３１の内部で反射されずに、保護ガラス２３１を透過して、画素アレイ部１１に入射する光を遮らないように、保護ガラス２３１の上面及び下面それぞれの周辺部に形成されている。
以上のように、保護ガラス２３１の上面及び下面それぞれの周辺部に、遮光膜２４１を形成する場合には、図１１で説明したような、保護ガラス２３１の内部での複数回の反射を経由した光（2次光や3次光等）を生じさせる入射光が、遮光膜２４１により遮光される。その結果、ゴーストの発生をより防止することができる。
なお、遮光膜２４１は、保護ガラス２３１の上面及び下面の両方に形成する他、保護ガラス２３１の上面及び下面の一方だけに形成することができる。
さらに、遮光膜２４１は、保護ガラス２３１のように、断面形状が台形状の保護ガラスの他、例えば、保護ガラス２０１（図７）のように、断面形状が長方形状の保護ガラス等に適用することができる。
また、遮光膜２４１は、IRCF膜２２１（図１２）が付された保護ガラス２１１に適用することができる。
＜イメージセンサ２の第７の構成例＞
図１５は、イメージセンサ２の第７の構成例を示す断面図である。
なお、図中、図１１の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
図１５において、イメージセンサ２は、センサダイ１０及びロジックダイ２０の2層の積層構造のセンサチップ４０、保護ガラス２１１、及び、ワイヤ２５２を有する。さらに、図１５のイメージセンサ２において、保護ガラス２１１は、接着材４３によって、センサチップ４０に貼り合わされている。
したがって、図１５のイメージセンサ２は、センサチップ４０、及び、保護ガラス２１１を有する点で、図１１の場合と共通する。
但し、図１５のイメージセンサ２は、電極４２に代えて、ワイヤ２５２が設けられている点で、図１１の場合と相違する。
図１１のイメージセンサ２では、センサチップ４０の下部に、電極４２が形成されており、イメージセンサ２を、フリップチップで実装することができる。
一方、図１５のイメージセンサ２には、電極４２が形成されておらず、イメージセンサ２は、ワイヤボンディングで実装される。
すなわち、センサチップ４０と、イメージセンサ２のパッケージを構成する基板２５１とが、アルミニウムや銅等のワイヤ２５２によって電気的に接続される。
以上のように、ワイヤボンディングで実装されるイメージセンサ２でも、フリップチップで実行される図１１のイメージセンサ２と同様に、ゴーストが発生することを防止することができる。
なお、図１５のワイヤボンディングで実装されるイメージセンサ２では、保護ガラス２１１に代えて、例えば、図７の保護ガラス２０１や、図１２のIRCF膜２２１が付された保護ガラス２１１、図１３の保護ガラス２３１、図１４の遮光膜２４１が形成された保護ガラス２３１、その他、上述したイメージセンサ２の構成例の保護ガラスの任意の組み合わせを採用することができる。
また、図１５のワイヤボンディングで実装されるイメージセンサ２では、センサチップ４０に接続されるワイヤ２５２が、図１５に示すように、センサチップ４０から、そのセンサチップ４０の上面よりも幾分か上側の位置まで引き出され、基板２５１に接続される。
以上のように、ワイヤボンディングで実装されるイメージセンサ２では、ワイヤ２５２が、センサチップ４０から、センサチップ４０の上面よりも幾分か上側の位置まで引き出されるため、ワイヤ２５２が、センサチップ４０の上面から幾分か突出する。
ワイヤボンディングで実装されるイメージセンサ２では、ワイヤ２５２がセンサチップ４０の上面から突出することを妨げないように、センサチップ４０の上側、すなわち、センサチップ４０と保護ガラス２１１との間に隙間が必要になる。
そこで、ワイヤボンディングで実装されるイメージセンサ２では、ワイヤ２５２の突出を確保することができるように、センサチップ４０と保護ガラス２１１とを貼り合わせる接着材４３の厚みが調整される。
又は、保護ガラス２１１の下面に、ワイヤ２５２の突出を確保することができるように、段差が設けられる。
以上のように、接着材４３の厚みの調整や、保護ガラス２１１に段差を設けることにより、ワイヤ２５２の突出を確保して、センサチップ４０よりもサイズが大の保護ガラス２１１をセンサチップ４０に貼り合わせることができる。したがって、ワイヤボンディングで実装されるイメージセンサ２において、ゴーストの発生を防止することができる。
なお、ワイヤボンディングで実装されるイメージセンサ２において、ワイヤ２５２の突出を確保することができるように、センサチップ４０と保護ガラス２１１とを貼り合わせる接着材４３の厚みを調整する場合には、ワイヤ２５２の周囲は、接着材４３で充填される。
この場合、保護ガラス２１１を通過した入射光が、ワイヤ２５２に直接的に照射されることはない。すなわち、ワイヤ２５２に照射される光は、ワイヤ２５２の周囲に充填された接着材４３を透過する必要があるので、少なくとも、接着材４３を介した光であり、保護ガラス２１１を通過した入射光そのものではない。
以上のように、ワイヤボンディングで実装されるイメージセンサ２では、保護ガラス２１１を通過した入射光が、ワイヤ２５２に直接的に照射されないので、保護ガラス２１１を通過した入射光が、ワイヤ２５２に直接的に照射される場合に比較して、ワイヤ２５２で反射される光に起因して発生するゴーストを抑制することができる。
また、図１５において、ワイヤ２５２は、センサチップ４０の周辺部から引き出されるので、図１４に示したように、保護ガラス２１１の周辺部に遮光膜２４１を形成することで、ワイヤ２５２への光の入射が遮断され、ワイヤ２５２で反射される光に起因するゴーストの発生を防止することができる。
＜イメージセンサ２の第８の構成例＞
図１６は、イメージセンサ２の第８の構成例を示す断面図である。
なお、図中、図７の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
図１６において、イメージセンサ２は、センサダイ１０及びロジックダイ２０の2層の積層構造のセンサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２０１を有する。さらに、図１６のイメージセンサ２において、保護ガラス２０１は、接着材４３によって、センサチップ４０に貼り合わされている。
したがって、図１６のイメージセンサ２は、センサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２０１を有する点で、図１１の場合と共通する。
但し、図１６のイメージセンサ２では、センサチップ４０の周囲に、センサチップ４０の周囲を封止する樹脂２６１が充填されている点で、かかる樹脂２６１が充填されていない図７の場合と相違する。
図１６において、樹脂２６１は、遮光性を有する遮光樹脂であり、水平方向については、保護ガラス２０１の端面E11の位置とセンサチップ４０の端面E12の位置との間に充填されている。また、樹脂２６１は、垂直方向については、保護ガラス２０１の下面の位置からセンサチップ４０の下面の位置との間に充填されている。
樹脂２６１の充填により、センサチップ４０よりもサイズが大の保護ガラス２０１の、上側から見て、センサチップ４０からはみ出ている部分を保護することができ、イメージセンサ２を容易に取り扱うことが可能となる。
すなわち、例えば、保護ガラス２０１の端部のチッピング（例えば、角の部分の欠け）を抑制し、さらに、イメージセンサ２に光学系１を実装する際のイメージセンサ２の取り扱いの容易化を図ることができる。
＜イメージセンサ２の第９の構成例＞
図１７は、イメージセンサ２の第９の構成例を示す断面図である。
なお、図中、図１１又は図１６の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
図１７において、イメージセンサ２は、センサダイ１０及びロジックダイ２０の2層の積層構造のセンサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２１１を有する。さらに、図１７のイメージセンサ２において、保護ガラス２１１は、接着材４３によって、センサチップ４０に貼り合わされている。
したがって、図１７のイメージセンサ２は、センサチップ４０、電極４２、及び、保護ガラス２１１を有する点で、図１１の場合と共通する。
但し、図１７のイメージセンサ２では、センサチップ４０の周囲に、図１６で説明したように、樹脂２６１が充填されている点で、かかる樹脂２６１が充填されていない図１１の場合と相違する。
図１７のイメージセンサ２でも、図１６の場合と同様に、樹脂２６１の充填により、センサチップ４０よりもサイズが大の保護ガラス２１１の、センサチップ４０からはみ出ている部分を保護することができ、イメージセンサ２を容易に取り扱うことが可能となる。
＜イメージセンサ２の第１０の構成例＞
図１８は、イメージセンサ２の第１０の構成例を示す断面図である。
なお、図中、図１５又は図１６の場合と対応する部分については、同一の符号を付してあり、以下では、その説明は、適宜省略する。
図１８において、イメージセンサ２は、センサダイ１０及びロジックダイ２０の2層の積層構造のセンサチップ４０、保護ガラス２１１、及び、ワイヤ２５２を有する。さらに、図１８のイメージセンサ２において、保護ガラス２１１は、接着材４３によって、センサチップ４０に貼り合わされており、ワイヤ２５２は、センサチップ４０と基板２５１とを電気的に接続している。
したがって、図１８のイメージセンサ２は、センサチップ４０、保護ガラス２１１、及び、ワイヤ２５２を有する点で、図１５の場合と共通する。
但し、図１８のイメージセンサ２では、センサチップ４０の周囲に、図１６で説明したように、樹脂２６１が充填されている点で、かかる樹脂２６１が充填されていない図１５の場合と相違する。
図１８のイメージセンサ２でも、図１６の場合と同様に、樹脂２６１の充填により、センサチップ４０よりもサイズが大の保護ガラス２１１の、センサチップ４０からはみ出ている部分を保護することができ、イメージセンサ２を容易に取り扱うことが可能となる。
なお、図１６ないし図１８のイメージセンサ２は、図７、図１１、及び、図１５のイメージセンサ２に、樹脂２６１を充填したイメージセンサ２であるが、樹脂２６１の充填は、その他、例えば、図１２ないし図１４のイメージセンサ２等に適用することができる。
＜イメージセンサ２の製造方法＞
図１９は、イメージセンサ２の製造方法の例を説明する図である。
すなわち、図１９は、図７のイメージセンサ２の製造方法の例を示している。
ステップＳ１１において、イメージセンサ２を製造する図示せぬ製造装置は、センサダイ１０及びロジックダイ２０（それぞれとなるウエハ）を製造する。
ステップＳ１２において、製造装置は、センサダイ１０及びロジックダイ２０を貼り合わせ、センサチップ４０を製造する。
ステップＳ１３において、製造装置は、センサチップ４０（図４）に、チップ貫通電極１０５や、接続用配線１０６、絶縁膜１０７等を形成することにより、センサダイ１０とロジックダイ２０とを電気的に接続する。さらに、製造装置は、センサダイ１０上に、OCL１１１及びCF１１２を形成する。
ステップＳ１４において、製造装置は、センサチップ４０を支持する支持基板として、例えば、ガラス２８１を、センサチップ４０の上側（センサダイ１０側）に貼り合わせる（又はテンポラリィボンドを行う）。ここで、支持基板としては、ガラス２８１の他、例えば、Si基板等を採用することができる。
ステップＳ１５において、製造装置は、支持基板としてのガラス２８１で支持されたセンサチップ４０に、電極４２に接続する裏面配線（図示せず）や、電極４２を形成する。
ステップＳ１６において、製造装置は、支持基板としてのガラス２８１を、研磨やエッチング等によって薄化する。又は、製造装置は、支持基板としてのガラス２８１を、センサチップ４０から剥離する。
ステップＳ１７において、製造装置は、センサチップ４０のサイズL1より大のサイズL2の保護ガラス２０１を、センサチップ４０に直接、又は、薄化されたガラス２８１を介して貼り合わせ、図７のイメージセンサ２を完成させる。
なお、ステップＳ１１ないしＳ１７の処理は、ウエハレベルで行うことができる。
但し、保護ガラス２０１に、IRCF膜２２１（図１２）を付す場合や、保護ガラス２０１に代えて、例えば、IRCFの機能を有する保護ガラス２３１（図１３）を採用する場合には、ステップＳ１１ないしＳ１６の処理は、ウエハレベルで行い、ステップＳ１７の処理は、ダイシング（個片化）後に行うことができる。
図２０は、イメージセンサ２の製造方法の他の例を説明する図である。
すなわち、図２０は、図１７のイメージセンサ２の製造方法の例を示している。
なお、図２０では、説明を簡単にするため、保護ガラス２１１に、IRCF膜２２１（図１２）を付す場合や、保護ガラス２１１に代えて、例えば、IRCFの機能を有する保護ガラス２３１（図１３）を採用する場合は、考慮しないこととする。
ステップＳ３１において、イメージセンサ２を製造する図示せぬ製造装置は、センサチップ４０を製造し、個片化する。
ステップＳ３２において、製造装置は、後に保護ガラス２１１（図１１）となる保護ガラス２９１に、所定のピッチで、個片化されたセンサチップ４０を貼り合わせる。
ステップＳ３３において、製造装置は、センサチップ４０が貼り合わされた保護ガラス２９１上の、センサチップ４０の周囲に、センサチップ４０を封止するように、樹脂２６１を充填する。
ステップＳ３４において、製造装置は、保護ガラス２９１の、センサチップ４０の周囲に対向する部分にテーパを付けるように、三角形状の溝２９２を形成する。
ステップＳ３５において、製造装置は、三角形状の溝２９２の頂点を個片化の境界として、個片化を行い、図１７のイメージセンサ２を完成される。
以上のように、配線等の微細化により、センサチップ４０の端面と画素アレイ部１１との間の距離A（図７）が小になっているセンサチップ４０に対して、センサチップ４０よりもサイズが大きい保護ガラス２０１や２１１，２３１を貼り合わせることで、保護ガラス２０１等の厚みを必要な機械的な剛性を確保することができる厚みとしても、ゴーストの発生を抑制することができる。
また、断面形状が台形状の保護ガラス２１１や２３１をセンサチップに貼り合わせることで、保護ガラス２１１等の内部での複数回の反射を経由した光（2次光や3次光等）に起因するゴーストの発生を防止することができる。
さらに、保護ガラス２１１にIRCF膜２２１（図１２）を蒸着することや、赤外線を吸収し、IRCFとして機能する保護ガラス２３１を採用することにより、別途、IRCFを設けることなく、カメラユニットを薄型に構成することができる。
また、IRCF膜２２１を蒸着した保護ガラス２１１や、赤外線を吸収し、IRCFとして機能する保護ガラス２３１を採用する場合には、その保護ガラス２１１や２３１と、センサチップ４０とのそれぞれを個片化し、良品だけを選別してから、保護ガラス２１１や２３１とセンサチップ４０との貼り合わせを行うことで、イメージセンサ２の収率を向上させ、ひいては、製造コストを抑制することができる。
＜イメージセンサの使用例＞
図２１は、上述のイメージセンサ２を使用する使用例を示す図である。
上述したイメージセンサ２（さらには、イメージセンサ２を有する図１のカメラユニット）は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々な装置（電子機器）に使用することができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、電子顕微鏡、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
以上、本技術の実施の形態について説明したが、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、他の効果があってもよい。
なお、本技術は、以下のような構成をとることができる。
＜１＞
光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップと、
前記センサチップの、前記画素アレイ部側に貼り付けられた、前記センサチップよりもサイズが大きい板状の透明部材と
を備えるイメージセンサ。
＜２＞
前記透明部材は、断面形状が台形状の透明部材である
＜１＞に記載のイメージセンサ。
＜３＞
前記透明部材に付されるIRCF(Infrared Cut Filter)膜をさらに備える
＜１＞又は＜２＞に記載のイメージセンサ。
＜４＞
前記透明部材は、赤外線を吸収する透明部材である
＜１＞又は＜２＞に記載のイメージセンサ。
＜５＞
ワイヤボンディング、又は、フリップチップで実装される
＜１＞ないし＜４＞のいずれかに記載のイメージセンサ。
＜６＞
前記透明部材の周辺部に形成される遮光膜をさらに備える
＜１＞ないし＜５＞のいずれかに記載のイメージセンサ。
＜７＞
前記センサチップの周囲を封止する樹脂をさらに備える
＜１＞ないし＜６＞のいずれかに記載のイメージセンサ。
＜８＞
前記透明部材の厚みは、200μm以上である
＜１＞ないし＜７＞のいずれかに記載のイメージセンサ。
＜９＞
光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップの、前記画素アレイ部側に、板状の透明部材を貼り付けるステップを含み、
前記センサチップと、前記センサチップよりもサイズが大きい前記透明部材とが貼り付けられたイメージセンサを製造する
製造方法。
＜１０＞
光を集光する光学系と、
光を受光し、画像を撮像するイメージセンサと
を備え、
前記イメージセンサは、
光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップと、
前記センサチップの、前記画素アレイ部側に貼り付けられた、前記センサチップよりもサイズが大きい板状の透明部材と
を有する
電子機器。
１ 光学系， ２ イメージセンサ， ３ メモリ， ４ 信号処理部， ５ 出力部， ６ 制御部， １０ センサダイ， １１ 画素アレイ部， １２ 周辺回路， ２０ ロジックダイ， ３０ メモリダイ， ４０ センサチップ， ４１ 保護ガラス， ４２ 電極， ４３ 接着材， １０１ 半導体基板， １０２ （多層）配線層， １０３ 配線層， １０４ 層間絶縁膜， １０５ チップ貫通電極， １０６ 接続用配線， １０７，１０８ 絶縁膜， １０９ シリコン貫通電極， １１０ PD， １１１ OCL， １１２ CF， １２１ シリコン基板， １２２ （多層）配線層， １２３ 配線層， １２４ 層間絶縁膜， ２０１，２１１ 保護ガラス， ２２１ IRCF膜， ２３１ 保護ガラス， ２４１ 遮光膜， ２５１ 基板， ２５２ ワイヤ， ２６１ 樹脂， ２８１ ガラス， ２９１ 保護ガラス， ２９２ 溝

Claims (10)

  1. 光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップと、
    前記センサチップの、前記画素アレイ部側に貼り付けられた、前記センサチップよりもサイズが大きい板状の透明部材と
    を備えるイメージセンサ。
  2. 前記透明部材は、断面形状が台形状の透明部材である
    請求項１に記載のイメージセンサ。
  3. 前記透明部材に付されるIRCF(Infrared Cut Filter)膜をさらに備える
    請求項１に記載のイメージセンサ。
  4. 前記透明部材は、赤外線を吸収する透明部材である
    請求項１に記載のイメージセンサ。
  5. ワイヤボンディング、又は、フリップチップで実装される
    請求項１に記載のイメージセンサ。
  6. 前記透明部材の周辺部に形成される遮光膜をさらに備える
    請求項１に記載のイメージセンサ。
  7. 前記センサチップの周囲を封止する樹脂をさらに備える
    請求項１に記載のイメージセンサ。
  8. 前記透明部材の厚みは、200μm以上である
    請求項１に記載のイメージセンサ。
  9. 光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップの、前記画素アレイ部側に、板状の透明部材を貼り付けるステップを含み、
    前記センサチップと、前記センサチップよりもサイズが大きい前記透明部材とが貼り付けられたイメージセンサを製造する
    製造方法。
  10. 光を集光する光学系と、
    光を受光し、画像を撮像するイメージセンサと
    を備え、
    前記イメージセンサは、
    光電変換を行う画素が配列された画素アレイ部を有するセンサチップと、
    前記センサチップの、前記画素アレイ部側に貼り付けられた、前記センサチップよりもサイズが大きい板状の透明部材と
    を有する
    電子機器。
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