JP2017126211A - 入力装置および入力装置の制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、本実施形態に係る入力装置の概要について図1Aを用いて説明する。図1Aは、本実施形態に係る入力装置1の概略を示す図である。
まず、図2を用いて、本実施形態に係る入力装置1の構成について説明する。図2は、本実施形態に係る入力装置1の構成例を示すブロック図である。図2に示すように、入力装置1は、制御部10と、記憶部20と、振動素子30と、パネル31とを備える。
入力装置1のパネル31は、たとえばタッチパッド等の平板状のセンサを有し、ユーザの接触操作による入力操作を受け付ける操作面Pを備える。ユーザが操作面Pに接触すると、パネル31はユーザの接触位置に応じたセンサ値を制御部10に出力する。
振動素子30は、たとえば圧電素子などの圧電アクチュエータであって、制御部10から入力される駆動電圧に応じて伸縮することで、パネル31を振動させる。なお、振動素子30は、たとえば、操作面Pを超音波領域で振動させる素子である。また、振動素子30は、パネル31と接触するように配置される。なお、振動素子30の個数は、一つであっても、二つ以上であってもよい。また、ここでは、振動素子30として圧電素子を用いる場合について説明したが、これに限られず、たとえば操作面Pを超音波周波数帯で振動させる素子であればよい。
制御部10は、振動素子30の振動を制御し、操作面Pを適切な温度に制御する。制御部10は、たとえば、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)およびRAM(Random Access Memory)、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのCPUは、ROMに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、後述する制御を実現する。制御部10は、検出部11と、移動判定部12と、素子制御部13とを備える。かかる検出部11、移動判定部12および素子制御部13の機能は、例えば、上記CPUが上記プログラムを読み出して実行することにより実現される。
検出部11は、操作面Pに対する接触を検出する。具体的には、検出部11は、パネル31から入力されるセンサ値に基づいて、操作面Pにおける接触位置を検出し、接触位置の情報(以下、「接触位置情報」と記載する)を生成する。検出部11は、生成した接触位置情報を移動判定部12に出力する。
移動判定部12は、操作面Pに対する接触が停止状態か移動状態かを判定する。具体的には、移動判定部12は、検出部11から入力される時間的に連続する複数の接触位置情報と記憶部20に予め記憶された座標情報21とに基づいて、かかる接触位置が停止状態か移動状態かを判定する。移動判定部12は、かかる判定結果を素子制御部13に出力する。
素子制御部13は、継続時間を計測し、かかる継続時間が移動判定部12の判定結果に応じた閾値時間以上になった場合、振動素子30の振動を低減または停止させる。また、素子制御部13は、カウンタ部13aと、時間判定部13bと、振動制御部13cとを備える。
カウンタ部13aは、移動判定部12の判定結果に応じて重み付けしたカウンタ値を設定し、設定したカウンタ値によって継続時間をカウントする。ここで、重み付けとは、単位時間当たりのカウンタ値の増幅率を意味するものとする。また、単位時間当たりのカウンタ値の増幅率は、継続時間に対する接触温度の上昇率に相当する。したがって、カウンタ部13aのカウンタ値は、現在の接触位置の接触温度に相当する。カウンタ部13aによってカウントされたカウンタ値は時間判定部13bに入力される。なお、カウンタ値の増幅率は、予め実験等によって導出され、導出された増幅率に関する情報は、記憶部20にパラメータ情報22として記憶される。
図2の時間判定部13bは、カウンタ部13aから入力されるカウンタ値がカウンタ閾値Th以上か否かを判定し、振動制御部13Cに対してカウンタ値がカウンタ閾値Th以上になった旨を伝える信号(以下、「超過信号」と記載する)を出力する。
振動制御部13cは、図示しない上位層から入力される振動素子30のON/OFFや、振動強度、振動周波数などの指示信号に基づいて振動素子30の振動を制御する。そして、振動制御部13cは、時間判定部13bから超過信号が入力された場合に上位層から入力される指示信号によらず、振動素子30の振動を低減または停止させる。
記憶部20は、移動判定部12、素子制御部13が行う処理に必要な情報として、たとえば前述した座標情報21、パラメータ情報22および閾値時間情報23を記憶するとともに、各種処理結果を記憶する。記憶部20は、たとえばRAM(Random Access Memory)、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置である。
つづいて、本実施形態に係る入力装置1によって実行される処理手順について図5を用いて説明する。図5は、本実施形態に係る入力装置1が実行する処理手順を示すフローチャートであり、操作面Pが接触操作を受け付けている間、入力装置1の制御部10によって繰り返し実行される処理である。
本実施形態に係る入力装置1は、図6に一例として示す構成のコンピュータ600で実現することができる。図6は、入力装置1の機能を実現するコンピュータの一例を示すハードウェア構成図である。
なお、上述してきた実施形態では、カウンタ部13aが、移動判定部12の判定結果に応じてカウンタ値の増幅率を設定する場合について例示したが、これに限られない。すなわち、カウンタ部13aは、図示しない上位層から入力される振動素子30の振動強度および周辺温度の情報に応じてカウンタ部13aの増幅率を設定してもよい。また、同様にカウンタ値の初期値を設定することもできる。
10 制御部
11 検出部
12 移動判定部
13 素子制御部
13a カウンタ部
13b 時間判定部
13c 振動制御部
30 振動素子
31 パネル
P 操作面
Claims (9)
- 操作面に対する接触を検出する検出部と、
前記操作面を振動させる振動素子と、
前記操作面が振動している状態で前記検出部によって検出される前記接触の継続時間に基づいて前記振動素子の振動を低減または停止させる素子制御部と
を備えることを特徴とする入力装置。 - 前記接触が移動状態か停止状態かを判定する移動判定部をさらに備え、
前記素子制御部は、
前記接触の継続時間が前記移動判定部の判定結果に応じた閾値時間以上になった場合に、前記振動素子の振動を低減または停止させること
を特徴とする請求項1に記載の入力装置。 - 前記素子制御部は、
前記移動判定部によって前記接触が前記停止状態であると判定された場合、前記閾値時間を第1時間とし、前記移動判定部によって前記接触が前記移動状態であると判定された場合、前記閾値時間を前記第1時間よりも長い第2時間とすること
を特徴とする請求項2に記載の入力装置。 - 前記素子制御部は、
前記接触が前記停止状態である場合と前記接触が前記移動状態である場合とで異なる重み付けで前記閾値時間を決定すること
を特徴とする請求項2に記載の入力装置。 - 前記素子制御部は、
前記操作面が振動している状態で前記検出部による前記接触の前回の継続時間と停止時間とに基づいて、前記閾値時間を変更すること
を特徴とする請求項2〜4のいずれか一つに記載の入力装置。 - 前記素子制御部は、
前記操作面に定在波が生じるように前記振動素子を制御し、
前記移動判定部は、
前記接触が前記定在波の半波以上移動する場合に前記接触が移動状態であると判定すること
を特徴とする請求項2〜5のいずれか一つに記載の入力装置。 - 前記素子制御部は、
前記振動素子の振動強度、振動周波数および周辺温度の少なくとも一つに応じた前記閾値時間に基づいて前記振動素子の振動を低減または停止させること
を特徴とする請求項2〜6のいずれか一つに記載の入力装置。 - 前記検出部は、
前記接触の面積を検出し、
前記素子制御部は、
前記検出部によって検出された前記接触の面積に応じた前記閾値時間に基づいて前記振動素子の振動を低減または停止させること
を特徴とする請求項2〜7のいずれか一つに記載の入力装置。 - 操作面に対する接触を検出する検出工程と、
前記操作面が振動している状態で前記検出工程によって検出される前記接触の継続時間に基づいて前記操作面を振動させる振動素子の振動を低減または停止させる素子制御工程と
を含むことを特徴とする入力装置の制御方法。
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