JP2017125243A - 結晶性酸化物膜 - Google Patents
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Abstract
Description
さらに、デバイスを構成する場合には、高移動度の半導体膜の他に、絶縁膜が必要となることが多い。このような場合に高移動度の酸化インジウムと絶縁性の酸化インジウムとが得られれば、これらを互いに積層することによって、例えばFETトランジスタなどの電子デバイスを実現できることとなる。酸化インジウムを絶縁膜として用いる場合には、透明電極材料の場合とは反対に、電気抵抗率をできるだけ高めなくてはならない。そのために不純物イオンをできるだけ取り除き、また酸素欠陥をできるだけ作らない工夫を施す必要がある。(特許文献2)。
また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて本発明を完成させるに至った。
[1] インジウムを含有する酸化物を主成分として含む結晶性酸化物膜であって、膜厚が1μm以上であり、X線回析法のロッキングカーブ半値幅が100arcsec以下であることを特徴とする結晶性酸化物膜。
[2] 前記酸化物が、単結晶または多結晶である前記[1]記載の結晶性酸化物膜。
[3] 前記酸化物が、酸化インジウムである前記[1]または[2]に記載の結晶性酸化物膜。
[4] 前記酸化物が、コランダム構造を有する前記[1]〜[3]のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
[5] ドーパントを含む前記[1]〜[4]のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
[6] 前記半値幅が50arcsec以下であることを特徴とする前記[1]〜[5]のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
[7] 透明導電膜である、前記[1]〜[6]のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
[8] 絶縁膜、半導体膜および導電膜から選ばれる1種または2種以上の膜と電極とを少なくとも備えるデバイスであって、前記膜が、前記[1]〜[7]のいずれかに記載の結晶性酸化物膜であることを特徴とするデバイス。
[9] 前記膜が、請求項7記載の結晶性酸化物膜である前記[8]記載のデバイス。
[10] 太陽電池、ディスプレイ、照明、電子ペーパー、トランジスタ、プリンタブル回路、又は透明面状発熱体である前記[9]記載のデバイス。
霧化・液滴化工程は、前記原料溶液を霧化または液滴化する。前記原料溶液の霧化手段または液滴化手段は、前記原料溶液を霧化または液滴化できさえすれば特に限定されず、公知の手段であってよいが、本発明においては、超音波を用いる霧化手段または液滴化手段が好ましい。超音波を用いて得られたミストまたは液滴は、初速度がゼロであり、空中に浮遊するので好ましく、例えば、スプレーのように吹き付けるのではなく、空間に浮遊してガスとして搬送することが可能なミストであるので衝突エネルギーによる損傷がないため、非常に好適である。液滴サイズは、特に限定されず、数mm程度の液滴であってもよいが、好ましくは50μm以下であり、より好ましくは0.1〜10μmである。
前記原料溶液は、霧化または液滴化が可能であり、インジウムを含有していれば特に限定されない。本発明においては、前記原料溶液としては、前記金属を錯体または塩の形態で有機溶媒または水に溶解または分散させたものを好適に用いることができる。錯体の形態としては、例えば、アセチルアセトナート錯体、カルボニル錯体、アンミン錯体、ヒドリド錯体などが挙げられる。塩の形態としては、例えば、有機金属塩(例えば金属酢酸塩、金属シュウ酸塩、金属クエン酸塩等)、硫化金属塩、硝化金属塩、リン酸化金属塩、ハロゲン化金属塩(例えば塩化金属塩、臭化金属塩、ヨウ化金属塩等)などが挙げられる。本発明においては、前記原料溶液がインジウムのハロゲン化金属塩であるのが好ましい。このような好ましい原料溶液を用いることにより、膜の表面平滑性を良好なものとすることができ、さらに膜の結晶性をより良好なものとすることができる。
搬送工程では、キャリアガスでもって前記ミストまたは前記液滴を成膜室内に搬送する。前記キャリアガスとして、窒素やアルゴン等の不活性ガスが用いられる。また、キャリアガスの種類は1種類であってよいが、2種類以上であってもよく、流量を下げた希釈ガス(例えば10倍希釈ガス等)などを、第2のキャリアガスとしてさらに用いてもよい。また、キャリアガスの供給箇所も1箇所だけでなく、2箇所以上あってもよい。キャリアガスの流量は、特に限定されないが、0.01〜20L/分であるのが好ましく、1〜10L/分であるのがより好ましい。希釈ガスの場合には、希釈ガスの流量が、0.001〜2L/分であるのが好ましく、0.1〜1L/分であるのがより好ましい。
成膜工程では、成膜室内で前記ミストまたは液滴を熱反応させることによって、基体上に、結晶性酸化物膜を成膜する。熱反応は、熱でもって前記ミストまたは液滴が反応すればそれでよく、反応条件等も本発明の目的を阻害しない限り特に限定されない。本工程においては、前記熱反応を、通常、500℃以下の温度で行うが、400℃以下が好ましく、350℃以下がより好ましく、150℃〜350℃が最も好ましい。また、熱反応は、本発明の目的を阻害しない限り、真空下、非酸素雰囲気下、還元ガス雰囲気下および酸素雰囲気下のいずれの雰囲気下で行われてもよいが、非酸素雰囲気下(例えば、窒素やアルゴン等の不活性ガスまたは水素ガスやフォーミングガス等の還元ガスなどの雰囲気下)で行われるのが好ましく、不活性ガス雰囲気下で行われるのがより好ましい。また、大気圧下、加圧下および減圧下のいずれの条件下で行われてもよいが、本発明においては、大気圧下で行われるのが好ましい。なお、膜厚は、成膜時間を調整することにより、1μm以上に設定することができる。
前記基体は、前記結晶性酸化物膜を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状、多孔質体状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されない。
1.成膜装置
図1を用いて、本実施例で用いたミストCVD装置1を説明する。ミストCVD装置1は、キャリアガスを供給するキャリアガス源2aと、キャリアガス源2aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁3aと、キャリアガス(希釈)を供給するキャリアガス(希釈)源2bと、キャリアガス(希釈)源2bから送り出されるキャリアガス(希釈)の流量を調節するための流量調節弁3bと、前駆体溶液4aが収容されるミスト発生源4と、水5aが入れられる容器5と、容器5の底面に取り付けられた超音波振動子6と、成膜室7と、ミスト発生源4から成膜室7までをつなぐ供給管9と、成膜室7内に設置されたホットプレート8と、熱反応後のミスト、液滴および排気ガスを排出する排気口11とを備えている。なお、ホットプレート8上には、基板10が設置されている。
2.前駆体溶液の作製
臭化インジウムを超純水に混合し、臭化インジウム0.025molとなるように水溶液を調整した。
上記2.で得られた前駆体溶液4aをミスト発生源4内に収容した。次に、基板10として、表面にバッファ層としてα―Fe2O3膜が積層されているサファイア基板(直径2インチ)をホットプレート8上に設置し、ホットプレート8を作動させて成膜室7内の温度を350℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁3a、3bを開いて、キャリアガス源であるキャリアガス供給手段2a、2bからキャリアガスを成膜室7内に供給し、成膜室7の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を5.0L/分に、キャリアガス(希釈)の流量を0.5L/分にそれぞれ調節した。なお、キャリアガスとして窒素を用いた。
次に、超音波振動子6を2.4MHzで振動させ、その振動を、水5aを通じて前駆体溶液4aに伝播させることによって、前駆体溶液4aを霧化させてミスト4bを生成させた。このミスト4bが、キャリアガスによって、供給管9内を通って、成膜室7内に導入され、大気圧下、350℃にて、成膜室7内でミストが熱反応して、基板10上に酸化インジウム膜が形成された。なお、膜厚は1.8μmであり、成膜時間は120分であった。
図4を用いて、比較例1で用いたミストCVD装置19を説明する。ミストCVD装置19は、基板20を載置するサセプタ21と、キャリアガスを供給するキャリアガス供給手段22aと、キャリアガス供給手段22aから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23aと、キャリアガス(希釈)を供給するキャリアガス(希釈)供給手段22bと、キャリアガス(希釈)供給手段22bから送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁23bと、原料溶液24aが収容されるミスト発生源24と、水25aが入れられる容器25と、容器25の底面に取り付けられた超音波振動子26と、内径40mmの石英管からなる供給管27と、供給管27の周辺部に設置されたヒーター28とを備えている。サセプタ21は、石英からなり、基板20を載置する面が水平面から傾斜している。成膜室となる供給管27とサセプタ21をどちらも石英で作製することにより、基板20上に形成される膜内に装置由来の不純物が混入することを抑制している。
2a キャリアガス源
2b キャリアガス(希釈)源
3a 流量調節弁
3b 流量調節弁
4 ミスト発生源
4a 原料溶液
4b ミスト
5 容器
5a 水
6 超音波振動子
7 成膜室
8 ホットプレート
9 供給管
10 基板
11 排気口
19 ミストCVD装置
20 基板
21 サセプタ
22a キャリアガス供給手段
22b キャリアガス(希釈)供給手段
23a 流量調節弁
23b 流量調節弁
24 ミスト発生源
24a 原料溶液
25 容器
25a 水
26 超音波振動子
27 供給管
28 ヒーター
29 排気口
Claims (10)
- インジウムを含有する酸化物を主成分として含む結晶性酸化物膜であって、膜厚が1μm以上であり、かつX線回析法のロッキングカーブ半値幅が100arcsec以下であることを特徴とする結晶性酸化物膜。
- 前記酸化物が、単結晶または多結晶である請求項1記載の結晶性酸化物膜。
- 前記酸化物が、酸化インジウムである請求項1または2に記載の結晶性酸化物膜。
- 前記酸化物が、コランダム構造を有する請求項1〜3のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
- ドーパントを含む請求項1〜4のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
- 前記半値幅が50arcsec以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
- 透明導電膜である、請求項1〜6のいずれかに記載の結晶性酸化物膜。
- 絶縁膜、半導体膜および導電膜から選ばれる1種または2種以上の膜と電極とを少なくとも備えるデバイスであって、前記膜が、請求項1〜7のいずれかに記載の結晶性酸化物膜であることを特徴とするデバイス。
- 前記膜が、請求項7記載の結晶性酸化物膜である請求項8記載のデバイス。
- 太陽電池、ディスプレイ、照明、電子ペーパー、トランジスタ、プリンタブル回路、又は透明面状発熱体である請求項9記載のデバイス。
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JP2009016410A (ja) * | 2007-07-02 | 2009-01-22 | Toshiya Doi | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
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