JP2017123494A - グラフェンを含む複合積層体、これを含む熱電材料、熱電モジュールと熱電装置 - Google Patents
グラフェンを含む複合積層体、これを含む熱電材料、熱電モジュールと熱電装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】グラフェン及び該グラフェンに配された熱電無機化合物を含む複合積層体が開示される。
【選択図】図1A
Description
ZT=(S2σT)/k
サイズが1.2cm×1.2cmであり、300nmのSiO2層を持つ酸化された高抵抗pドーピングSiウェーハ上に、常圧化学気相蒸着(Atmospheric Pressure CVD)を通じて得られた1cm×1cmのサイズを持つ単一層グラフェンを転写した。
サイズが1.2cm×1.2cmであり、300nmのSiO2層を持つ酸化された高抵抗pドーピングSiウェーハ上に、スパッタリング工程を使ってSb2Te3熱電無機化合物を10nmの厚さに形成した。前記スパッタリング工程中に、ウェーハ回転速度は50rpmであり、ウェーハ温度は200℃であり、圧力は3mTorrに維持し、Arプラズマを使った。ターゲット物質としては、Sb2Te3合金を使い、30Wの電力を使った。
実施例1で得られた複合積層体についてXRD(X−ray diffraction)分析を実施し、その結果、この複合積層体が(006)、(009)、(0015)、及び(0018)の結晶面を持つことが分かった。これより、前記複合積層体が平面離脱方向(すなわち、積層体の垂直方向)に配向性を持つということが分かる。
図5に示したようなvan der Pauw法によって、実施例1及び比較例1で得られた複合積層体の電気伝導度を測定した。図5で、Si/SiO2基板3上にグラフェン1と熱電無機化合物薄膜2とが積層されており、グラフェン1の一部が露出されている。グラフェン1の露出部分及び熱電無機化合物薄膜2に4個のプローブ11を設け、電気伝導度を測定した。
実験例2と同じ方法で電気伝導度を測定したが、熱電無機化合物薄膜2の上端部に4個のプローブ11をいずれも位置させた。
図5に示したようなvan der Pauw法を使って、実施例1及び比較例1で得られた複合積層体のゼーベック係数を測定した。
実験例4と同じ方法でゼーベック係数を測定したが、熱電無機化合物薄膜2の上端部に4個のプローブ11をいずれも位置させた。
1A 第1グラフェン層
1B 第2グラフェン層
1C 第3グラフェン層
2 熱電無機化合物
3 第2熱電無機化合物層
4 第3熱電無機化合物層
11 上部絶縁基板
12 上部電極
15 p型熱電要素
16 n型熱電要素
21 下部絶縁基板
22 下部電極
24 リード電極
Claims (29)
- グラフェンと、
前記グラフェン上に配された熱電無機化合物と、を含む複合積層体。 - 前記グラフェンが2層ないし100層を含むことを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記グラフェンがランダム積層構造を持つことを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記複合積層体が、前記グラフェンと前記熱電無機化合物との複数の交互層を含むことを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記複数の交互層が、第1熱電無機化合物を含む第1熱電層及び第2熱電無機化合物を含む第2熱電層を含み、前記第1熱電無機化合物と前記第2熱電無機化合物とは互いに異なることを特徴とする請求項4に記載の複合積層体。
- 前記複数の交互層が、2層ないし100層の前記グラフェン、及び2層ないし100層の前記熱電無機化合物を含むことを特徴とする請求項4に記載の複合積層体。
- 前記複合積層体が規則格子構造を持つことを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記規則格子構造の単位セルそれぞれが、前記グラフェンと前記熱電無機化合物との複数の交互層を含むことを特徴とする請求項7に記載の複合積層体。
- 前記熱電無機化合物がp型半導体であることを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記熱電無機化合物が薄膜型であることを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記薄膜が、断面積より少なくとも100倍以上大きい平面積を持つことを特徴とする請求項10に記載の複合積層体。
- 前記薄膜が0.1nmないし1,000nmの厚さを持つことを特徴とする請求項10に記載の複合積層体。
- 前記熱電無機化合物が多結晶構造を持つことを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記熱電無機化合物が単結晶構造を持つことを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記熱電無機化合物の結晶配向性が前記グラフェンの結晶配向性と一致することを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記熱電無機化合物が、前記グラフェン及びエピタキシであることを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記熱電無機化合物が、(00L)表面(ここで、Lは、1ないし99の定数)を持つことを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記熱電無機化合物が、前記グラフェンの平面離脱方向に整列された結晶配向性を持つことを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 前記熱電無機化合物が、Bi−Te系化合物、Co−Sb系化合物、Pb−Te系化合物、Ge−Tb系化合物、Si−Ge系化合物、Bi−Sb−Te系化合物、Sb−Te系化合物、及びSm−Co系化合物から選択される1種以上であることを特徴とする請求項1に記載の複合積層体。
- 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に介在される熱電要素であって、グラフェン及び前記グラフェン上に配された熱電無機化合物を含む複合積層体を含む熱電要素と、を備える熱電モジュール。 - 熱供給源及び熱電モジュールを備える熱電装置であり、
前記熱電モジュールは、
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に介在された熱電要素と、を備え、
前記熱電要素は、グラフェン及び前記グラフェン上に配された熱電無機化合物を含む複合積層体を備える熱電装置。 - 基板上にグラフェンを配する段階と、
前記グラフェン上に熱電無機化合物を配して複合積層体を形成する段階と、を含む複合積層体の製造方法。 - 前記グラフェンを配する段階は、前記グラフェンを前記基板上に形成する段階を含むことを特徴とする請求項22に記載の複合積層体の製造方法。
- 前記グラフェンを配する段階は、前記グラフェンを一表面上に形成する段階、前記グラフェンを前記表面から剥離する段階、及び前記剥離されたグラフェンを前記基板上に付着する段階を含むことを特徴とする請求項22に記載の複合積層体の製造方法。
- 前記熱電無機化合物を配する段階は、前記熱電無機化合物を前記グラフェン上でエピタキシャルに成長させる段階を含むことを特徴とする請求項22に記載の複合積層体の製造方法。
- 前記熱電無機化合物を配する段階は、前記熱電無機化合物を一表面上に形成する段階、前記熱電無機化合物を前記表面から剥離する段階、及び前記剥離された熱電無機化合物を前記グラフェン上に付着する段階を含むことを特徴とする請求項22に記載の複合積層体の製造方法。
- 前記グラフェンがランダム積層構造を持つことを特徴とする請求項22に記載の複合積層体の製造方法。
- 前記複合積層体が、前記グラフェンと前記熱電無機化合物との複数の交互層を含むことを特徴とする請求項22に記載の複合積層体の製造方法。
- 熱電要素を第1電極と第2電極との間に介在させて熱電モジュールを製造する段階を含む熱電モジュールの製造方法であって、
前記熱電要素は、グラフェン及び前記グラフェンに配された熱電無機化合物を含む複合積層体を含む熱電モジュールの製造方法。
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