JP2017117966A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来よりも光取り出し効率の向上した半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体発光素子は、基板と、基板の上層に形成された、第一半導体層と、活性層と、第二半導体層と、第一半導体層の面のうちの活性層とは反対側の面に形成された第一電極と、第二半導体層の面の活性層とは反対側の面に形成された第二電極を有する。第一電極は、電流供給線が連結される電流供給部を含む。半導体発光素子は、第一半導体層の面のうち、活性層とは反対側の面であって、電流供給部に対して基板の面に直交する方向に対向する領域に第一電流遮断層を備える。【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体発光素子に関する。
近年、窒化物半導体を用いた発光素子の開発が進められている。この発光素子は、n型半導体層と、p型半導体層と、これらn型半導体層及びp型半導体層に挟まれるように形成された活性層とを含んで構成される。n型半導体層とp型半導体層の間に電位差が設けられることで両者間に電流が流れ、活性層内で電子と正孔が再結合して発光する。活性層内で生成されたこの光を有効に利用すべく、種々の研究開発が進められている。
例えば、下記特許文献1には、いわゆる「縦型構造」を有する発光素子が開示されている。縦型構造の素子とは、活性層に対して基板に直交する方向に電圧が印加されることで、活性層が発光する素子を指す。
図10は、特許文献1に開示された半導体発光素子の断面図を模式的に示したものである。従来の半導体発光素子90は、基板91上に導電層92、反射膜93、絶縁層94、反射電極95、半導体層99、及びn側電極100を備えて構成される。半導体層99は、p型半導体層96、活性層97、及びn型半導体層98が基板91側から順に積層されて構成される。
絶縁層94の下層には金属材料からなる反射膜93が形成されているが、この反射膜93はオーミック性を有さず電極としての機能を奏さない。一方、反射電極95は金属材料からなり、p型半導体層96の間でオーミック接触が実現されることで電極(p側電極)として機能している。
反射電極95は、活性層97で生成された光のうち、基板91に向かう方向(図面下向き)に放射された光を反射させてn側半導体層98側(図面上向き)に取り出すことで、光の取り出し効率を高める目的を兼ねている。反射膜93も同様の目的で形成されており、反射電極95が形成されていない箇所を通過して下向きに進行した光を反射させてn側半導体層98側に進行方向を変えることで、光の取り出し効率が高められる。
しかし、活性層97から下向きに放射された光が反射膜93によって反射されて上向きに取り出されるに際し、この光は、反射膜93で反射される前と反射した後の2回にわたって、絶縁層94内を通過することになる。絶縁層94は透明膜として構成されるものの、この絶縁層94内を光が通過する際に数%の光が絶縁層94によって吸収されてしまう。より詳細には、活性層97から絶縁層94を通過して反射膜93に達するまでに3−4%程度の光が吸収され、更に反射膜93で反射された光が絶縁層94を通過してn型半導体層98側の外部に取り出されるまでに更に3−4%の光が吸収される。
つまり、従来の構成では、活性層97から放射された光のうち、下向きに放射された光を反射させて取り出し効率を高めてはいるものの、一部の光が絶縁層94内に吸収されてしまっているため、取り出し効率を十分に高められているとはいえない。
本発明は、上記の課題に鑑み、従来よりも光取り出し効率の向上した半導体発光素子を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体発光素子は、
基板と、
前記基板の上層に形成された、n型又はp型の第一半導体層と、活性層と、前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層とを含む半導体層と、
前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面に形成された第一電極と、
前記第二半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面に形成された第二電極とを備え、
前記第一電極は、電流供給線が連結される電流供給部を含み、
前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面であって、前記電流供給部に対して前記基板の面に直交する方向に対向する領域に第一電流遮断層を備えたことを特徴とする。
基板と、
前記基板の上層に形成された、n型又はp型の第一半導体層と、活性層と、前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層とを含む半導体層と、
前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面に形成された第一電極と、
前記第二半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面に形成された第二電極とを備え、
前記第一電極は、電流供給線が連結される電流供給部を含み、
前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面であって、前記電流供給部に対して前記基板の面に直交する方向に対向する領域に第一電流遮断層を備えたことを特徴とする。
電流供給部は、電流供給線が連結されることから、最も電流が集中しやすい領域である。このため、半導体発光素子に対して通電したとき、電流供給部から離れた位置に配置されている半導体層と比較して、電流供給部の近傍に配置されている半導体層に対して電流が流れやすい。この結果、活性層において、電流供給部の近傍と比較して、電流供給部から離れた箇所の発光が弱くなってしまう。
上記のように、第一半導体層と電流供給部の間の位置において、第一半導体層の面に第一電流遮断層を設けることで、電流供給部と、当該電流供給部に対して、基板の面に直交する方向に対向する位置に設けられた半導体層との間に電流を流れにくくする効果が得られる。これにより、電流供給部から離れた位置に対して電流が流れやすくなる。この結果、基板の面に平行な方向に関して、活性層を流れる電流が拡げられ、電流密度の分布を均一に近づける効果が得られる。
よって、上記の構成によれば、活性層の全域にわたって強い発光をさせることができるため、発光効率が向上する。
また、電流供給部を含む第一電極は、一般的にAu等の金属で構成され、活性層からの光を透過しない性質を有する。このため、電流供給部と第一半導体層の間に第一電流遮断層を設けたとしても、そもそも電流供給部によって光が吸収されてしまうため、第一電流遮断層内における光の吸収を考慮する必要がない。つまり、光取り出し効率の低下をほとんど招くことなく、発光効率を高められる。この結果、トータルの光取り出し効率を向上させることができる。
前記第一電流遮断層は、前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面であって、前記電流供給部に対して前記基板の面に直交する方向に対向する全領域に形成されるものとしても構わない。
この構成によれば、電流供給部の近傍に電流を集中させない作用を更に高めることができる。
前記第一電極は、前記基板の面に直交する方向から見て、前記半導体層の外縁に沿って前記半導体層を取り囲む枠状部を有しており、
前記電流供給部は、前記枠状部の一部を構成し、
前記第一電流遮断層は、前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面であって、前記枠状部に対して前記基板の面に直交する方向に対向する領域に形成されているものとしても構わない。
前記電流供給部は、前記枠状部の一部を構成し、
前記第一電流遮断層は、前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面であって、前記枠状部に対して前記基板の面に直交する方向に対向する領域に形成されているものとしても構わない。
電流供給部は、電流供給線を連結させる領域であるため、ある程度の専有面積を必要とする。このため、通常は、光の取り出しの妨げとならないよう、発光素子の外縁部に設けられる。上記のように、第一電極が枠状部を有し、電流供給部がこの枠状部の一部を構成する場合、枠状部は、電流供給部に対して電気的に近い。つまり、枠状部は、電流供給部に次いで電流が集中しやすい領域であるといえる。
上記の構成のように、この枠状部に対して基板の面に直交する方向に対向する領域にも第一電流遮断層を設けることで、枠状部の近傍に配置された半導体層に電流が集中的に流れるのが緩和され、半導体層を流れる電流を、基板の面に平行な方向に拡げる効果を更に高めることができる。
前記第一電流遮断層は、絶縁材料で構成されるものとしても構わない。一例として、SiO2、SiN、Zr2O3、AlN、Al2O3などの絶縁材料で構成することができる。
また、前記第一電流遮断層は、前記第一半導体層との間でショットキー接触を示す金属材料で構成しても構わない。
前記第二電極の面のうち、前記第一電極に対して前記基板の面に直交する方向に対向する領域に第二電流遮断層を備えるものとしても構わない。より具体的な一例として、前記第二電流遮断層が、前記第二電極の面のうち、前記第二半導体層とは反対側の面に形成されているものとしても構わない。
このような構成によれば、半導体層を流れる電流を、基板の面に平行な方向に拡げる効果を更に高めることができる。例えば、第二電流遮断層を第二半導体層との間でショットキー接触を示し、且つ、活性層から放射された光に対する反射率の高い金属材料で構成した場合には、第二電流遮断層による光吸収が抑制される。
また、前記第二電流遮断層は、前記第二電極の面のうち、前記第二半導体層とは反対側の面に形成されているものとしても構わない。この場合、第二電極を、活性層から放射された光に対する反射率の高い金属材料で構成しておけば、第二電流遮断層内を光が通過することがほとんど生じないため、第二電流遮断層による光吸収をほとんど考慮する必要がない。
本発明によれば、従来よりも光取り出し効率の高い半導体発光素子が実現される。
本発明の半導体発光素子につき、図面を参照して説明する。なお、各図において、図面の寸法比と実際の寸法比は必ずしも一致しない。また、以下において、「AlGaN」という記述は、AlmGa1−mN(0<m<1)という記述と同義であり、AlとGaの組成比の記述を単に省略して記載したものであって、AlとGaの組成比が1:1である場合に限定する趣旨ではない。「InGaN」という記述についても同様である。
[構成]
図1〜図3は、本発明の半導体発光素子の一実施形態の構成を模式的に示す図面である。図1は光取り出し方向から見たときの平面図に対応する。図2は、図1内におけるX1−X1線で切断したときの断面図に対応する。図3は、図1内におけるX2−X2線で切断したときの断面図に対応する。以下では、図1に示される平面をX−Y平面とし、このX−Y平面に直交する方向をZ方向と規定する。
図1〜図3は、本発明の半導体発光素子の一実施形態の構成を模式的に示す図面である。図1は光取り出し方向から見たときの平面図に対応する。図2は、図1内におけるX1−X1線で切断したときの断面図に対応する。図3は、図1内におけるX2−X2線で切断したときの断面図に対応する。以下では、図1に示される平面をX−Y平面とし、このX−Y平面に直交する方向をZ方向と規定する。
図2及び図3に示すように、半導体発光素子1は、基板3、半導体層5、第一電極15、第二電極13、及び第一電流遮断層30を含んで構成される。以下では、半導体発光素子1を単に「発光素子1」と適宜略記する。
(基板3)
基板3は、例えばCuW、W、Moなどの導電性基板、又はSiなどの半導体基板で構成される。
基板3は、例えばCuW、W、Moなどの導電性基板、又はSiなどの半導体基板で構成される。
(半導体層5)
本実施形態では、半導体層5は、基板3に近い側からp型半導体層11、活性層9及びn型半導体層7が順に積層されて形成されている。本実施形態では、n型半導体層7が「第一半導体層」に対応し、p型半導体層11が「第二半導体層」に対応する。
本実施形態では、半導体層5は、基板3に近い側からp型半導体層11、活性層9及びn型半導体層7が順に積層されて形成されている。本実施形態では、n型半導体層7が「第一半導体層」に対応し、p型半導体層11が「第二半導体層」に対応する。
p型半導体層11は、例えばMg、Be、Zn、又はCなどのp型不純物がドープされた窒化物半導体層で構成される。窒化物半導体層としては、例えばGaN、AlGaN、AlInGaN等を利用することができる。
活性層9は、例えばInGaNで構成される発光層及びn型AlGaNで構成される障壁層が周期的に繰り返されてなる半導体層で形成される。これらの層はアンドープでもp型又はn型にドープされていても構わない。活性層9は、少なくともエネルギーバンドギャップの異なる2種類の材料からなる層が積層されて構成されていればよい。活性層9の構成材料は、生成したい光の波長に応じて適宜選択される。
n型半導体層7は、例えばSi、Ge、S、Se、Sn、又はTeなどのn型不純物がドープされた窒化物半導体層で構成される。この窒化物半導体層としては、例えばGaN、AlGaN、AlInGaN等を利用することができる。なお、n型半導体層7は、p型半導体層11と異なる組成の材料で構成されているものとしても構わない。
(第一電極15)
第一電極15は、第一半導体層7の面のうち、活性層9とは反対側の面に形成されている。本実施形態では、第一電極15はn側の電極を構成する。
第一電極15は、第一半導体層7の面のうち、活性層9とは反対側の面に形成されている。本実施形態では、第一電極15はn側の電極を構成する。
図1に示すように、第一電極15は、一部の箇所において、電流供給線16が連結される電流供給部15aを含んで構成される。電流供給部15aは、第一電極15の他の領域と比較して幅広の領域を示す。電流供給線16は、例えばAu、Cuなどで構成されている。電流供給線16は、電流供給部15aが連結されている端部とは反対側の端部は、例えばパッケージ基板の給電パターンなどに接続されている。
図1に示すように、本実施形態の発光素子1が備える第一電極15は、半導体層5(第一半導体層7)の上面において、半導体層5の外縁を取り囲むように、枠形状を示している(枠状部)。図1の例では、電流供給部15aが、この枠状部の一部を構成している。
なお、図1に示す発光素子1では、枠状部の内側の2箇所で、枠状部からX方向に離間した位置に、Y方向に延伸した2本の第一電極15を有している。しかし、枠状部の内側において、第一電極15の延伸する本数は2本に限られるものではなく、1本でもよいし、3本以上であっても構わない。図1に示した第一電極15の形状はあくまで一例であり、設計に応じて任意に変更可能である。
(第一電流遮断層30)
図2に示すように、本実施形態の発光素子1では、電流供給部15aと第一半導体層7の間に挟まれた位置において、第一半導体層7の上面に第一電流遮断層30を有する。第一電流遮断層30は、SiO2、SiN、Zr2O3、AlN、Al2O3などの絶縁材料で構成されている。
図2に示すように、本実施形態の発光素子1では、電流供給部15aと第一半導体層7の間に挟まれた位置において、第一半導体層7の上面に第一電流遮断層30を有する。第一電流遮断層30は、SiO2、SiN、Zr2O3、AlN、Al2O3などの絶縁材料で構成されている。
更に、本実施形態では、図1におけるX2−X2線断面図に対応する図3に示すように、第一電極15のうち、半導体層5の外縁を取り囲む枠状部を構成している領域の直下においても、第一電流遮断層30が設けられている。図4は、説明のための図面であり、図1から、第一電流遮断層30の上層に設けられた第一電極15を除去して図示したものである。なお、図4では、理解のために、第一電流遮断層30に対して右上がり斜線のハッチングを付している。
図4に示すように、第一電流遮断層30は、第一電極15のうち、枠状部を構成する領域の箇所に設けられている。一方、第一電流遮断層30は、枠状部よりも内側に設けられた第一電極15の直下には設けられていない。
(第二電極13)
第二電極13は、p型半導体層11に接触して形成されており、p型半導体層11との間でオーミック接触が形成されている。本実施形態では、第二電極13はp側電極を構成する。
第二電極13は、p型半導体層11に接触して形成されており、p型半導体層11との間でオーミック接触が形成されている。本実施形態では、第二電極13はp側電極を構成する。
本実施形態において、第二電極13は、活性層9から射出される光に対して高い反射率(例えば80%以上であり、より好ましくは90%以上)を示す導電性の材料で構成される。より具体的には、例えばAg、Al、又はRhを含む材料で構成される。
第一電極15と第二電極13の間に電圧を印加することで、活性層9内を電流が流れ、活性層9が発光する。
第二電極13は、上述したように、活性層9で生成される光に対して高い反射率を示す材料で構成される。発光素子1は、活性層9から放射された光をn型半導体層7側に取り出すことが想定されている。第二電極13は、活性層9から基板3側に向けて放射された光をn型半導体層7側に向けて反射させることで、光取り出し効率を高める機能を果たしている。
(第二電流遮断層24)
本実施形態の発光素子1は、第二電極13の面のうち、第二半導体層11とは反対側の面の一部に、第二電流遮断層24を設けている。この第二電流遮断層24は、第一電極15に対して、基板3の面に直交する方向に対向する領域に設けられている。第二電流遮断層24は、例えばSiO2、SiN、Zr2O3、AlN、Al2O3などの絶縁材料で構成されている。
本実施形態の発光素子1は、第二電極13の面のうち、第二半導体層11とは反対側の面の一部に、第二電流遮断層24を設けている。この第二電流遮断層24は、第一電極15に対して、基板3の面に直交する方向に対向する領域に設けられている。第二電流遮断層24は、例えばSiO2、SiN、Zr2O3、AlN、Al2O3などの絶縁材料で構成されている。
(導電層20)
導電層20は、基板3の上層に形成されている。本実施形態では、導電層20は、保護層23、接合層21、接合層19及び保護層17の多層構造で構成されている。
導電層20は、基板3の上層に形成されている。本実施形態では、導電層20は、保護層23、接合層21、接合層19及び保護層17の多層構造で構成されている。
接合層19及び接合層21は、例えばAu−Sn、Au−In、Au−Cu−Sn、Cu−Sn、Pd−Sn、Snなどで構成される。後述するように、これらの接合層19と接合層21は、基板3上に形成された接合層21と、別の基板(後述する成長基板25)上に形成された接合層19を対向させた後に、両者を貼り合わせることで形成されたものである。これらの接合層19及び接合層21は、単一の層として一体化されているものとしても構わない。
保護層17は、例えばNi/Ti/Ptの多層構造で構成される。このうち、Ti/Pt層は、接合層(19,21)を構成する材料が第二電極13側に拡散して、第二電極13の反射率が低下することを抑制する目的で設けられている。また、Ni層は、Ti/Pt層に含まれる材料、特にTiが第二電極13側に拡散し、第二電極13の反射率が低下することを抑制する目的で設けられている。ただし、保護層17は、少なくとも接合層(19,21)を構成する材料が拡散するのを抑制する機能を有する材料で構成されていればよい。
保護層23は、例えば保護層17と同一の材料で構成され、接合層(19,21)を構成する材料が基板3側に拡散するのを抑制する目的で設けられている。ただし、保護層23は必ずしも備えられていなくても構わない。
発光素子1によれば、従来よりも光取り出し効率が向上する点については、発光素子1の製造方法の説明を行った後に説明される。
[製造方法]
次に、発光素子1の製造方法の一例につき、図5A〜図5Jに模式的に示す工程断面図を参照して説明する。なお、以下で説明する製造条件や膜厚等の寸法はあくまで一例である。
次に、発光素子1の製造方法の一例につき、図5A〜図5Jに模式的に示す工程断面図を参照して説明する。なお、以下で説明する製造条件や膜厚等の寸法はあくまで一例である。
(ステップS1)
図5Aに示すように、成長基板25を準備する。成長基板25としては、一例としてC面を有するサファイア基板を用いることができる。
図5Aに示すように、成長基板25を準備する。成長基板25としては、一例としてC面を有するサファイア基板を用いることができる。
準備工程として、成長基板25のクリーニングを行う。このクリーニングは、より具体的な一例としては、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金属化学気相蒸着)装置の処理炉内に成長基板25を配置し、処理炉内に流量が例えば10slmの水素ガスを流しながら、炉内温度を例えば1150℃に昇温することにより行われる。
(ステップS2)
図5Bに示すように、成長基板25の上層に、下地層27、n型半導体層7、活性層9、及びp型半導体層11を順に形成する。このステップS2は、例えば以下の手順で行われる。
図5Bに示すように、成長基板25の上層に、下地層27、n型半導体層7、活性層9、及びp型半導体層11を順に形成する。このステップS2は、例えば以下の手順で行われる。
まず、МОCVD装置の炉内圧力を100kPa、炉内温度を480℃とする。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量がそれぞれ5slmの窒素ガス及び水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が50μmol/minのトリメチルガリウム(TMG)及び流量が250000μmol/minのアンモニアを処理炉内に68秒間供給する。これにより、成長基板25の表面に、厚みが20nmのGaNよりなる低温バッファ層を形成する。
次に、MOCVD装置の炉内温度を1150℃に昇温する。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量が20slmの窒素ガス及び流量が15slmの水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が100μmol/minのTMG及び流量が250000μmol/minのアンモニアを処理炉内に30分間供給する。これにより、低温バッファ層の表面に、厚みが1.7μmのGaNよりなるバッファ層を形成する。これらのバッファ層により下地層27が形成される。
次に、下地層27の上層にn型半導体層7を形成する。n型半導体層7の具体的な形成方法は、例えば以下の通りである。
まず、引き続き炉内温度を1150℃とした状態で、MOCVD装置の炉内圧力を30kPaとする。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量が20slmの窒素ガス及び流量が15slmの水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が94μmol/minのTMG、流量が6μmol/minのトリメチルアルミニウム(TMA)、流量が250000μmol/minのアンモニア及び流量が0.013μmol/minのテトラエチルシランを処理炉内に60分間供給する。これにより、例えばAl0.06Ga0.94Nの組成を有し、厚みが2μmのn型半導体層7が下地層27の上層に形成される。
なお、この後、TMAの供給を停止すると共に、それ以外の原料ガスを6秒間供給することにより、n型AlGaN層の上層に、厚みが5nm程度のn型GaNよりなる保護層を有してなるn型半導体層7を実現してもよい。
上記の説明では、n型半導体層7に含まれるn型不純物をSiとする場合について説明したが、n型不純物としては、Si以外にGe、S、Se、Sn又はTe等を用いることができる。
次に、n型半導体層7の上層に活性層9を形成する。活性層9の具体的な形成方法は、例えば以下の通りである。
まずMOCVD装置の炉内圧力を100kPa、炉内温度を830℃とする。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量が15slmの窒素ガス及び流量が1slmの水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が10μmol/minのTMG、流量が12μmol/minのトリメチルインジウム(TMI)及び流量が300000μmol/minのアンモニアを処理炉内に48秒間供給するステップを行う。その後、流量が10μmol/minのTMG、流量が1.6μmol/minのTMA、0.002μmol/minのテトラエチルシラン及び流量が300000μmol/minのアンモニアを処理炉内に120秒間供給するステップを行う。以下、これらの2つのステップを繰り返すことにより、厚みが2nmのInGaNよりなる発光層、及び厚みが7nmのn型AlGaNよりなる障壁層が15周期積層されてなる活性層9が、n型半導体層7の上層に形成される。
次に、活性層9の上層にp型半導体層11を形成する。p型半導体層11の具体的な形成方法は、例えば以下の通りである。
具体的には、MOCVD装置の炉内圧力を100kPaに維持し、処理炉内にキャリアガスとして流量が15slmの窒素ガス及び流量が25slmの水素ガスを流しながら、炉内温度を1025℃に昇温する。その後、原料ガスとして、流量が35μmol/minのTMG、流量が20μmol/minのTMA、流量が250000μmol/minのアンモニア及びp型不純物をドープするための流量が0.1μmol/minのビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を処理炉内に60秒間供給する。これにより、活性層33の表面に、厚みが20nmのAl0.3Ga0.7Nの組成を有する正孔供給層を形成する。その後、TMAの流量を4μmol/minに変更して原料ガスを360秒間供給することにより、厚みが120nmのAl0.13Ga0.87Nの組成を有する正孔供給層を形成する。これらの正孔供給層によりp型半導体層11が形成される。
なお、この工程の後、TMAの供給を停止すると共に、CP2Mgの流量を0.2μmol/minに変更して原料ガスを20秒間供給することにより、厚みが5nm程度で、p型不純物濃度が1×1020/cm3程度のp型GaN層を有してなるp型半導体層11を実現してもよい。
(ステップS3)
ステップS2で得られたウェハに対して活性化処理を行う。具体的な一例としては、RTA(Rapid Thermal Anneal:急速加熱)装置を用いて、窒素雰囲気下中650℃で15分間の活性化処理を行う。
ステップS2で得られたウェハに対して活性化処理を行う。具体的な一例としては、RTA(Rapid Thermal Anneal:急速加熱)装置を用いて、窒素雰囲気下中650℃で15分間の活性化処理を行う。
(ステップS4)
次に、図5Cに示すように、p型半導体層11の上面の所定箇所に第二電極13を形成する。ここでは、p型半導体層11の形成領域よりも内側において、p型半導体層11のほぼ全域に第二電極13を形成する場合を示している。
次に、図5Cに示すように、p型半導体層11の上面の所定箇所に第二電極13を形成する。ここでは、p型半導体層11の形成領域よりも内側において、p型半導体層11のほぼ全域に第二電極13を形成する場合を示している。
第二電極13は、一例として、スパッタ装置にてp型半導体層11の上面に膜厚0.7nmのNi及び膜厚150nmのAgを成膜した後、RTA装置を用いてドライエア雰囲気中で400℃、2分間のコンタクトアニールを行うことで形成される。なお、ここでは、第二電極13の材料としてNiとAgの合金を採用しているが、AlやRhによって第二電極13を形成することもできる。
(ステップS5)
次に、図5Cに示すように、第二電極13の上層の所定箇所に第二電流遮断層24を形成する。特に、後の工程で電流供給部15aを形成する領域の下方に位置する箇所に第二電流遮断層24を形成する。本実施形態では、図5Cに示すように、第二電流遮断層24の一部が第二電極13の側面を覆うように構成されている。
次に、図5Cに示すように、第二電極13の上層の所定箇所に第二電流遮断層24を形成する。特に、後の工程で電流供給部15aを形成する領域の下方に位置する箇所に第二電流遮断層24を形成する。本実施形態では、図5Cに示すように、第二電流遮断層24の一部が第二電極13の側面を覆うように構成されている。
より具体的には、第二電流遮断層24の非形成領域に係る第二電極13の上層をマスクしておき、例えばSiO2をスパッタリング法によって膜厚200nm程度成膜する。なお、成膜する材料は絶縁性材料であればよく、例えばSiN、Zr2O3、AlN、Al2O3でも構わない。
(ステップS6)
図5Dに示すように、第一電極13及び第二電流遮断層24の上面を覆うように、全面に保護層17を形成する。その後、保護層17の上面に接合層19を形成する。具体的な方法の一例は以下のとおりである。
図5Dに示すように、第一電極13及び第二電流遮断層24の上面を覆うように、全面に保護層17を形成する。その後、保護層17の上面に接合層19を形成する。具体的な方法の一例は以下のとおりである。
まず、電子線蒸着装置(EB装置)を用いて、膜厚100nmのTiと膜厚200nmのPtを3周期成膜することで保護層17を形成する。更にその後、保護層17の上面(Pt表面)に、膜厚10nmのTiを蒸着させた後、Au80%Sn20%で構成されるAu−Snハンダを膜厚3μm蒸着させることで接合層19を形成する。
(ステップS7)
成長基板25とは別に準備された基板3の上面に、ステップS6と同様の方法で、保護層23及び接合層21を形成する(図5E参照)。基板3としては、上述したようにCuW、W、Mo等の導電性基板、又はSi等の半導体基板を利用することができる。なお、保護層23については形成しないものとしても構わない。
成長基板25とは別に準備された基板3の上面に、ステップS6と同様の方法で、保護層23及び接合層21を形成する(図5E参照)。基板3としては、上述したようにCuW、W、Mo等の導電性基板、又はSi等の半導体基板を利用することができる。なお、保護層23については形成しないものとしても構わない。
(ステップS8)
図5Fに示すように、成長基板25の上層に形成された接合層19と、基板3の上層に形成された接合層21を貼り合わせることで、成長基板25と基板3の貼り合わせを行う。具体的な一例としては、280℃の温度、0.2MPaの圧力下で、貼り合わせ処理が行われる。
図5Fに示すように、成長基板25の上層に形成された接合層19と、基板3の上層に形成された接合層21を貼り合わせることで、成長基板25と基板3の貼り合わせを行う。具体的な一例としては、280℃の温度、0.2MPaの圧力下で、貼り合わせ処理が行われる。
この工程により、接合層19及び接合層21が溶融して接合されることで、基板3と成長基板25が表裏面に貼り合わされた構造が形成される。つまり、接合層19と接合層21は、本ステップ以後においては一体化されているものとして構わない。そして、本ステップS8の実行前の段階で保護層23及び保護層17が形成されていることで、接合層(19,21)の構成材料の拡散が抑制されている。
(ステップS9)
図5Gに示すように、成長基板25を剥離する。より具体的には、成長基板25側からレーザ光を照射する。ここで、照射するレーザ光を、成長基板25の構成材料(本実施形態ではサファイア)を透過し、下地層27の構成材料(本実施形態ではGaN)によって吸収されるような波長の光とする。これにより、下地層27でレーザ光が吸収されるため、成長基板25と下地層27の界面が高温化してGaNが分解され、成長基板25が剥離される。
図5Gに示すように、成長基板25を剥離する。より具体的には、成長基板25側からレーザ光を照射する。ここで、照射するレーザ光を、成長基板25の構成材料(本実施形態ではサファイア)を透過し、下地層27の構成材料(本実施形態ではGaN)によって吸収されるような波長の光とする。これにより、下地層27でレーザ光が吸収されるため、成長基板25と下地層27の界面が高温化してGaNが分解され、成長基板25が剥離される。
その後、ウェハ上に残存している金属Gaを塩酸等を用いて除去した後、GaN(下地層27)をICP装置を用いたドライエッチングによって除去し、n型半導体層7を露出させる。なお、本ステップS9において下地層27が除去されて、p型半導体層11、活性層9、及びn型半導体層7が、基板3側からこの順に積層されてなる半導体層5が残存する(図5H参照)。
(ステップS10)
次に、図5Iに示すように、隣接する素子同士を分離する。具体的には、隣接素子との境界領域に対し、ICP装置を用いて第二電流遮断層24の上面が露出するまで半導体層5をエッチングする。なお、図5Iでは、半導体層5の側面が鉛直方向に対して傾斜を有するように図示しているが、これは一例であって、このような形状に限定する趣旨ではない。
次に、図5Iに示すように、隣接する素子同士を分離する。具体的には、隣接素子との境界領域に対し、ICP装置を用いて第二電流遮断層24の上面が露出するまで半導体層5をエッチングする。なお、図5Iでは、半導体層5の側面が鉛直方向に対して傾斜を有するように図示しているが、これは一例であって、このような形状に限定する趣旨ではない。
(ステップS11)
次に、図5Jに示すように、n型半導体層7の上面の所定の領域、より詳細には、次のステップで形成される第一電極15のうち、電流供給部15aを構成する部分の直下の領域の少なくとも一部を含む領域に、第一電流遮断層30を形成する。より具体的には、第一電流遮断層30の非形成領域に係るn型半導体層7の上層をマスクしておき、例えばSiO2をスパッタリング法によって膜厚200nm程度成膜する。なお、成膜する材料は絶縁性材料であればよく、例えばSiN、Zr2O3、AlN、Al2O3でも構わない。
次に、図5Jに示すように、n型半導体層7の上面の所定の領域、より詳細には、次のステップで形成される第一電極15のうち、電流供給部15aを構成する部分の直下の領域の少なくとも一部を含む領域に、第一電流遮断層30を形成する。より具体的には、第一電流遮断層30の非形成領域に係るn型半導体層7の上層をマスクしておき、例えばSiO2をスパッタリング法によって膜厚200nm程度成膜する。なお、成膜する材料は絶縁性材料であればよく、例えばSiN、Zr2O3、AlN、Al2O3でも構わない。
なお、図4を参照して説明したような構造にする場合には、本ステップS11において、n型半導体層7の外縁を取り囲むように第一電流遮断層30を形成するものとして構わない。
(ステップS12)
n型半導体層7の上面の一部、及び第一電流遮断層30の上面に、第一電極15を形成する。このとき、第一電極15のうち、幅広の領域を有する電流供給部15aは、前のステップS11で形成された第一電流遮断層30の上層に設けられる。また、電流供給部15a以外の第一電極15は、第二電流遮断層13に対して、基板3の面に直交する方向に対向する領域に形成される。
n型半導体層7の上面の一部、及び第一電流遮断層30の上面に、第一電極15を形成する。このとき、第一電極15のうち、幅広の領域を有する電流供給部15aは、前のステップS11で形成された第一電流遮断層30の上層に設けられる。また、電流供給部15a以外の第一電極15は、第二電流遮断層13に対して、基板3の面に直交する方向に対向する領域に形成される。
具体的な方法の一例としては、第一電極15を形成する予定の領域以外をレジスト等でマスクした状態で、膜厚100nmのCrと膜厚3μmのAuを蒸着する。その後、マスクを剥離して、窒素雰囲気中で250℃、1分間程度のアニール処理を行う。
。
。
(ステップS13)
各素子同士を例えばレーザダイシング装置によって分離し、基板3の裏面を例えばAgペーストにてパッケージと接合する。その後、電流供給部15aに対して電流供給線16を連結させる。以上の工程を経て、図1〜図3に示す発光素子1が製造される。
各素子同士を例えばレーザダイシング装置によって分離し、基板3の裏面を例えばAgペーストにてパッケージと接合する。その後、電流供給部15aに対して電流供給線16を連結させる。以上の工程を経て、図1〜図3に示す発光素子1が製造される。
なお、ステップS10の後、必要に応じて、KOH等のアルカリ溶液を用いてn型半導体層7の上面をウェットエッチングし、微細な凹凸を形成するものとしても構わない。これにより、光取り出し効率が更に向上する。
[作用]
以下、発光素子1によれば従来よりも光取り出し効率が向上すると考えられる点につき、実施例及び比較例を参照して説明する。なお、各実施例及び比較例は、共に、光取り出し方向から見たときの図は、図1と同様であるとした。
以下、発光素子1によれば従来よりも光取り出し効率が向上すると考えられる点につき、実施例及び比較例を参照して説明する。なお、各実施例及び比較例は、共に、光取り出し方向から見たときの図は、図1と同様であるとした。
(実施例1)
上述した図1〜図4に図示した発光素子1を実施例1とした。
上述した図1〜図4に図示した発光素子1を実施例1とした。
(実施例2)
実施例2の発光素子につき、図1に示すX1−X1線で切断したときの模式的な断面図を図6Aに示す。なお、図1に示すX2−X2線で切断したときの模式的な断面図は図3と共通である。
実施例2の発光素子につき、図1に示すX1−X1線で切断したときの模式的な断面図を図6Aに示す。なお、図1に示すX2−X2線で切断したときの模式的な断面図は図3と共通である。
すなわち、実施例2の発光素子は、電流供給部15の直下のうち、一部の領域にのみ第一電流遮断層30が設けられた構成である。図6Bは、図4にならって、実施例2の発光素子において、図1から、第一電流遮断層30の上層に設けられた第一電極15を除去して図示したものである。
(比較例)
比較例の発光素子は、実施例1及び実施例2と比較して、第一電流遮断層30を設けない構成としたものである。比較例の素子を、図1のX1−X1線で切断したときの模式的な断面図を図7Aに示し、図1のX2−X2線で切断したときの模式的な断面図を図7Bに示す。
比較例の発光素子は、実施例1及び実施例2と比較して、第一電流遮断層30を設けない構成としたものである。比較例の素子を、図1のX1−X1線で切断したときの模式的な断面図を図7Aに示し、図1のX2−X2線で切断したときの模式的な断面図を図7Bに示す。
(検証)
実施例1,2及び比較例の各発光素子に対し、第一電極15と第二電極13の間に電圧を印加して、半導体層5内を流れる電流の分布をシミュレーションにより解析した。この結果を、図8に示す。なお、図8において、解析結果の欄では、電流密度が高い領域ほど白っぽく表示され、電流密度が低い領域ほど黒っぽく表示されている。
実施例1,2及び比較例の各発光素子に対し、第一電極15と第二電極13の間に電圧を印加して、半導体層5内を流れる電流の分布をシミュレーションにより解析した。この結果を、図8に示す。なお、図8において、解析結果の欄では、電流密度が高い領域ほど白っぽく表示され、電流密度が低い領域ほど黒っぽく表示されている。
図8によれば、比較例の発光素子は、電流供給部15aの近傍において特に電流が集中していることが見て取れる。実施例2の発光素子は、比較例の発光素子と比べると電流供給部15aの近傍における電流の集中が緩和されている。実施例1の発光素子は、実施例2の発光素子よりも更に電流供給部15aの近傍における電流の集中が緩和されている。
半導体層5を流れる電流密度の分散値についてみると、比較例の発光素子が33.5であるのに対し、実施例2の発光素子は30.5であり、実施例1の発光素子は27.2であった。この結果からも、比較例の発光素子と比べて、実施例2の発光素子は電流を基板3の面に平行な方向に拡げる効果が実現できており、実施例1の発光素子は、更にその効果を実現できていることが分かる。
電流供給部15aは、電流供給線16が連結されることから、最も電流が集中しやすい領域である。このため、発光素子に対して通電したとき、電流供給部15aから離れた位置に配置されている半導体層5と比較して、電流供給部15aの近傍に配置されている半導体層5に対して電流が流れやすい。比較例の発光素子において、電流供給部15aの近傍に電流が集中している結果が、このことを示している。このような状態になると、活性層9において、電流供給部15aの近傍と比較して、電流供給部15aから離れた箇所の発光が弱くなってしまう。
これに対し、実施例1及び実施例2の発光素子では、上述したように、n型半導体層7と電流供給部15aの間の位置において、n型半導体層7の面に第一電流遮断層30を設けている。これにより、電流供給部15aと、当該電流供給部15aに対して、基板3の面に直交する方向に対向する位置に設けられた半導体層5との間に電流を流れにくくする効果が得られる。この結果、電流供給部15aから離れた位置に配置されている半導体層5に対して電流が流れやすくなる。このことは、比較例1の発光素子と比べて、実施例2及び実施例1の各発光素子が、電流密度の分布が均一化されていることに現れている。
特に、実施例1の発光素子においては、電流供給部15aの直下の領域全てに第一電流遮断層30を設けているため、電流供給部15aの近傍に電流が流れにくくなる効果がより奏される。このことは、実施例2の発光素子と比べて、実施例1の発光素子が、電流密度の分布が更に均一化されていることに現れている。
よって、上記のような第一電流遮断層30を設けることで、活性層9を流れる電流を基板3の面に平行な方向に拡げる効果が高められるため、活性層9内の全域に流れる電流密度が均一化され、活性層9内の全域にわたって強い発光が実現できる。
[別実施形態]
以下、別実施形態につき説明する。
以下、別実施形態につき説明する。
〈1〉 上述した実施形態では、第一電流遮断層30を絶縁材料で構成するものとした。しかし、n型半導体層7との間でショットキー接触が実現できるような金属材料で構成しても構わない。この構成によっても、電流供給部15aの近傍に配置された半導体層5に対して電流が集中するのを緩和する効果が実現できる。
〈2〉 上述した実施形態では、第一電極15のうち、半導体層5の外縁を枠状に取り囲むように形成された部分(枠状部)の直下の位置において、第一電流遮断層30が設けられるものとして説明した。しかし、n型半導体層7の上面であって、電流供給部15aに対して、基板3の面に直交する方向に対向する領域の少なくとも一部に、第一電流遮断層30が設けられていればよい。ただし、活性層9を流れる電流を拡げる効果をより高める観点からは、上述した実施形態のように、枠状部の直下の位置にも第一電流遮断層30を設けるのが好ましい。
〈3〉 上述した実施形態では、基板3の面に直交する方向に関して、第一電極15と対向する位置に第二電流遮断層24を設ける構成とした。しかし、第一電流遮断層30が存在することで、電流を基板3の面に平行な方向に拡げる効果がある程度実現されるため、必ずしも第二電流遮断層24を設けなくても構わない。ただし、第二電流遮断層24を設けることで、更に活性層9を流れる電流を基板3の面に平行な方向に拡げる効果が高められる。
〈4〉 上述した実施形態では、第二電極13の面のうち、p型半導体層11とは反対側の面に第二電流遮断層24を設けた構成とした。しかし、図9に示すように、p型半導体層11と第二電極13の間に第二電流遮断層24を設けても構わない。この場合には、第二電流遮断層24を、p型半導体層11との間でショットキー接触が実現され、且つ、活性層9から放射される光に対する反射率が高い金属材料で構成するのが好ましい。これにより、第二電流遮断層24内を光が通過することによる光取り出し効率の低下という問題は生じない。なお、図9に示すように、この構成においても、ステップS10のエッチング工程において、エッチングストッパーとして機能させるための絶縁層24aを設けるのが好ましい。
〈5〉 上記の実施形態では、半導体層5を構成する層のうち、基板3に近い側をp型半導体層11、基板3から遠い側をn型半導体層7として説明したが、これらの導電型を反転させても構わない。
〈6〉 上記の実施形態では、発光素子1が保護層17を備えているものとして説明したが、保護層17を必ずしも備えなければならないものではない。ただし、保護層17を備えることで、第一電極13及び電流遮断層14の反射率が低下されるのを抑制することができるため、高い光取り出し効率を持続的に実現させるためには保護層17を備えるのが好ましい。
〈7〉 上記の実施形態では、半導体発光素子1が備える半導体層5が、窒化物半導体で構成される場合について説明したが、GaAs系半導体など、窒化物以外の半導体で構成されていても構わない。
1 : 半導体発光素子
3 : 基板
5 : 半導体層
7 : n型半導体層
9 : 活性層
11 : p型半導体層
13 : 第二電極
15 : 第一電極
15a : 電流供給部
16 : 電流供給線
17 : 保護層
19 : 接合層
20 : 導電層
21 : 接合層
23 : 保護層
24 : 第二電流遮断層
24a : 絶縁層
25 : 成長基板
27 : 下地層
30 : 第一電流遮断層
90 : 従来の半導体発光素子
91 : 基板
92 : 導電層
93 : 反射膜
94 : 絶縁層
95 : 反射電極
96 : p型半導体層
97 : 活性層
98 : n型半導体層
99 : 半導体層
100 : n側電極
3 : 基板
5 : 半導体層
7 : n型半導体層
9 : 活性層
11 : p型半導体層
13 : 第二電極
15 : 第一電極
15a : 電流供給部
16 : 電流供給線
17 : 保護層
19 : 接合層
20 : 導電層
21 : 接合層
23 : 保護層
24 : 第二電流遮断層
24a : 絶縁層
25 : 成長基板
27 : 下地層
30 : 第一電流遮断層
90 : 従来の半導体発光素子
91 : 基板
92 : 導電層
93 : 反射膜
94 : 絶縁層
95 : 反射電極
96 : p型半導体層
97 : 活性層
98 : n型半導体層
99 : 半導体層
100 : n側電極
Claims (6)
- 基板と、
前記基板の上層に形成された、n型又はp型の第一半導体層と、活性層と、前記第一半導体層とは導電型の異なる第二半導体層とを含む半導体層と、
前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面に形成された第一電極と、
前記第二半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面に形成された第二電極とを備え、
前記第一電極は、電流供給線が連結される電流供給部を含み、
前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面であって、前記電流供給部に対して前記基板の面に直交する方向に対向する領域に第一電流遮断層を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第一電流遮断層は、前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面であって、前記電流供給部に対して前記基板の面に直交する方向に対向する全領域に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第一電極は、前記基板の面に直交する方向から見て、前記半導体層の外縁に沿って前記半導体層を取り囲む枠状部を有しており、
前記電流供給部は、前記枠状部の一部を構成し、
前記第一電流遮断層は、前記第一半導体層の面のうち、前記活性層とは反対側の面であって、前記枠状部に対して前記基板の面に直交する方向に対向する領域に形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光素子。 - 前記第一電流遮断層は、絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記第二電極の面のうち、前記第一電極に対して前記基板の面に直交する方向に対向する領域に第二電流遮断層を備えたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記第二電流遮断層が、前記第二電極の面のうち、前記第二半導体層とは反対側の面に形成されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体発光素子。
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