JP2017116867A - 評価方法、露光方法、および物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態では、露光装置100における投影光学系の収差を評価する評価方法について説明する。まず、露光装置100について図1(a)を参照しながら説明する。図1(a)は、第1実施形態の露光装置100を示す概略図である。露光装置100は、例えば、マスク2を照明する照明光学系1と、マスク2を保持して移動可能なマスクステージ3と、マスク2のパターンを基板5に投影する投影光学系4と、基板5を保持して移動可能な基板ステージ6と、制御部7とを含みうる。制御部7は、例えばCPUやメモリなどを含み、露光装置100の各部を制御する(露光処理を制御する)。
実施例1では、露光装置100における投影光学系4の収差として像面湾曲および非点収差を評価する方法について、図2を参照しながら説明する。ここでは、投影光学系4の収差の評価方法と併せて、投影光学系4の収差の評価結果に基づいて露光装置100を校正し、校正した露光装置100を用いて基板を露光する露光方法についても説明する。図2は、投影光学系4の収差の評価方法および露光方法を示すフローチャートである。ここで、実施例1では、投影光学系4におけるマスク2のパターンの投影位置に関する特性値として、投影光学系4のフォーカス値(以下では、単に「フォーカス値」と称する)が用いられうる。
実施例2では、露光装置100における投影光学系4の収差として歪曲収差を評価する方法について説明する。実施例2においても、実施例1と同様に、図2に示すフローチャートに従って、投影光学系4の収差の評価、露光装置100の校正、および基板5の露光が行われうる。ここで、実施例2では、投影光学系4の特性値として、投影光学系4の光軸10と垂直な方向(XY方向)において投影光学系4によりマスク2のパターンが投影される位置と目標位置とのずれ量(以下では、単に「ずれ量」と称する)が用いられうる。また、実施例2では、例えば複数の十字マークが複数のパターン要素2bとしてスリット光の走査方向に並んだパターン2aを、走査方向と異なる方向における複数の位置(X位置P0〜P30)の各々について有する評価用マスク2”が用いられうる。
露光装置100では、例えば、コンベンショナル、輪帯、ダイポールといった有効光源の形状や、照明光学系1のNA、輪帯比、透過率などの照明条件を変更する場合がある。しかしながら、照明条件を変更する度に、変更後の照明条件において評価用マスクのパターンをテスト基板に転写し、その転写結果に基づいて投影光学系4の特性値を得ることは相応の手間と時間が掛かりうる。したがって、照明条件を変更した後では、図2に示すフローチャートのS11の各工程を行わずに、変更後の照明条件における投影光学系4の収差を評価することが好ましい。そのため、本実施形態では、変更後の照明条件において図2に示すフローチャートのS11の各工程を行わずに、S12の各工程を新たに行うだけで変更後の照明条件における投影光学系4の収差の評価が行われる。以下に、本実施形態における投影光学系4の収差の評価方法について、図7を参照しながら説明する。図7は、互いに異なる2種類の照明条件の各々における投影光学系4の収差の評価方法および露光方法を示すフローチャートである。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光方法を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (16)
- 露光装置における投影光学系の収差を評価する評価方法であって、
マスクのパターンを前記露光装置の前記投影光学系により基板に転写する転写工程と、
前記投影光学系における前記パターンの投影位置に関する特性値を、前記転写工程での転写結果に基づいて第1特性値として求め、前記投影光学系の収差を示す情報を前記第1特性値から第1情報として求める第1工程と、
前記投影光学系により投影された前記パターンの像を検出する検出工程と、
前記投影光学系における前記パターンの投影位置に関する特性値を前記検出工程での検出結果に基づいて第2特性値として求め、前記投影光学系の収差を示す情報を前記第2特性値から第2情報として求める第2工程と、
前記第2情報を前記第1情報によって補正した結果に基づいて、前記投影光学系の収差を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする評価方法。 - 前記パターンは、複数のパターン要素を含み、
前記第1工程では、前記転写工程での転写結果に基づいてパターン要素ごとに前記第1特性値を求め、前記複数のパターン要素についての前記第1特性値の平均値を前記第1情報として求め、
前記第2工程では、前記検出工程での検出結果に基づいてパターン要素ごとに前記第2特性値を求め、前記複数のパターン要素についての前記第2特性値の平均値、および前記複数のパターン要素の各々についての前記第2特性値と当該第2特性値の平均値との差を前記第2情報として求める、ことを特徴とする請求項1に記載の評価方法。 - 前記評価工程では、前記第2特性値の平均値が前記第1特性値の平均値に近づくように前記第2情報を前記第1情報により補正した結果に基づいて、前記投影光学系の収差を評価する、ことを特徴とする請求項2に記載の評価方法。
- 前記パターンは、ラインの伸びる方向が互いに異なる複数のライン要素が前記複数のパターン要素として形成されている、ことを特徴とする請求項2又は3に記載の評価方法。
- 前記複数のライン要素は、ラインの伸びる方向が互いに45度ずつ異なる、ことを特徴とする請求項4に記載の評価方法。
- 前記第1工程では、ラインの伸びる方向に応じて各パターン要素の前記第1特性値に重み付けし、前記複数のパターン要素について重み付けされた前記第1特性値の平均値を前記第1情報として求める、ことを特徴とする請求項4又は5に記載の評価方法。
- 前記特性値は、前記投影光学系のフォーカス値を含み、
前記評価工程では、前記投影光学系の像面湾曲および非点収差の少なくとも一方を評価する、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の評価方法。 - 前記特性値は、前記投影光学系の光軸と垂直な方向において前記投影光学系により前記パターンが結像される位置と目標位置とのずれ量を含み、
前記評価工程では、前記投影光学系の歪曲収差を評価する、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の評価方法。 - 前記特性値は、前記光軸に垂直な第1方向における前記ずれ量と、前記光軸に垂直かつ前記第1方向と異なる第2方向における前記ずれ量とを含む、ことを特徴とする請求項8に記載の評価方法。
- 前記転写工程は1回だけ行われる、ことを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の評価方法。
- 前記検出工程は複数回行われ、
前記第2工程では、複数回の前記検出工程で得られた複数の検出結果を平均化した結果に基づいて前記第2情報を求める、ことを特徴とする請求項10に記載の評価方法。 - 前記露光装置の照明条件が変更された場合、
変更後の照明条件で前記検出工程および前記第2工程を新たに行うことにより変更後の照明条件での前記第2特性値を求め、変更後の照明条件での前記第2特性値から前記投影光学系の収差を示す第3情報を求める工程と、
変更前の照明条件で求められた前記第2情報と、変更後の照明条件で求められた前記第3情報との差に基づいて、変更前の照明条件で求められた前記第1情報を補正する工程と、
補正した前記第1情報によって前記第3情報を補正した結果に基づいて、変更後の照明条件での前記投影光学系の収差を評価する工程と、
を行うことを特徴とする請求項1乃至11のうちいずれか1項に記載の評価方法。 - 露光装置における投影光学系の収差を評価する評価方法であって、
前記投影光学系におけるマスクのパターンの投影位置に関する特性値を、前記パターンを前記露光装置の前記投影光学系により基板に転写した転写結果に基づいて第1特性値として求め、前記投影光学系の収差を示す情報を前記第1特性値から第1情報として求める第1工程と、
前記投影光学系における前記パターンの投影位置に関する特性値を、前記投影光学系により投影された前記パターンの像を検出した検出結果に基づいて第2特性値として求め、前記投影光学系の収差を示す情報を前記第2特性値から第2情報として求める第2工程と、
前記第2情報を前記第1情報によって補正した結果に基づいて、前記投影光学系の収差を評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする評価方法。 - 前記パターンは、複数のパターン要素を含み、
前記第1工程では、前記転写結果に基づいてパターン要素ごとに前記第1特性値を求め、前記複数のパターン要素についての前記第1特性値の平均値を前記第1情報として求め、
前記第2工程では、前記検出結果に基づいてパターン要素ごとに前記第2特性値を求め、前記複数のパターン要素についての前記第2特性値の平均値、および前記複数のパターン要素の各々についての前記第2特性値と当該第2特性値の平均値との差を前記第2情報として求める、ことを特徴とする請求項13に記載の評価方法。 - 基板を露光する露光方法であって、
請求項1乃至14のうちいずれか1項に記載の評価方法を用いて投影光学系の収差を評価する工程と、
前記投影光学系の収差の評価結果に基づいて前記露光装置を校正する工程と、
校正された前記露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。 - 請求項15に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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