JP2017116867A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての評価方法は、露光装置における投影光学系の収差を評価する評価方法であって、マスクの複数のパターン要素を前記露光装置の前記投影光学系により基板に転写する転写工程と、前記投影光学系による前記複数のパターン要素の各々の投影位置に関する第１特性値を前記転写工程での転写結果に基づいて求め、前記複数のパターン要素の前記第１特性値の平均値を第１情報として求める第１工程と、前記投影光学系からの光を受光するセンサを用いて、前記投影光学系により投影された前記パターンの像を検出する検出工程と、前記投影光学系による前記複数のパターン要素の各々の投影位置に関する第２特性値を前記検出工程での検出結果に基づいて求め、前記複数のパターン要素の前記第２特性値の平均値と前記複数のパターン要素の各々についての前記第２特性値との差を第２情報として求める第２工程と、前記第１情報と前記第２情報とから得られる評価用情報に基づいて、前記投影光学系の収差を評価する評価工程と、を含むことを特徴とする。

Claims (15)

1. 露光装置における投影光学系の収差を評価する評価方法であって、
   マスクの複数のパターン要素を前記露光装置の前記投影光学系により基板に転写する転写工程と、
   前記投影光学系による前記複数のパターン要素の各々の投影位置に関する第１特性値を前記転写工程での転写結果に基づいて求め、前記複数のパターン要素の前記第１特性値の平均値を第１情報として求める第１工程と、
   前記投影光学系からの光を受光するセンサを用いて、前記投影光学系により投影された前記複数のパターン要素の像を検出する検出工程と、
   前記投影光学系による前記複数のパターン要素の各々の投影位置に関する第２特性値を前記検出工程での検出結果に基づいて求め、前記複数のパターン要素の前記第２特性値の平均値と前記複数のパターン要素の各々についての前記第２特性値との差を第２情報として求める第２工程と、
   前記第１情報と前記第２情報とから得られる評価用情報に基づいて、前記投影光学系の収差を評価する評価工程と、
   を含むことを特徴とする評価方法。
2. 前記評価工程において、前記第１情報としての前記第１特性値の平均値と前記第２情報としての前記差とを合わせて前記評価用情報を求める、ことを特徴とする請求項１に記載の評価方法。
3. 前記評価工程では、前記第１情報としての前記第１特性値の平均値と、重みを付けた前記第２情報としての前記差と、をパターン要素ごとに足し合わせることにより前記評価用情報を求める、ことを特徴とする請求項２に記載の評価方法。
4. 前記複数のパターン要素は、ラインの伸びる方向が互いに異なる複数のライン要素を含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の評価方法。
5. 前記複数のライン要素は、ラインの伸びる方向が互いに４５度ずつ異なる、ことを特徴とする請求項４に記載の評価方法。
6. 前記第１工程では、ラインの伸びる方向に応じて各パターン要素の前記第１特性値に重み付けし、前記複数のパターン要素について重み付けされた前記第１特性値の平均値を前記第１情報として求める、ことを特徴とする請求項４又は５に記載の評価方法。
7. 前記第１特性値および前記第２特性値はそれぞれ、前記投影光学系のフォーカス値を含み、
   前記評価工程では、前記投影光学系の像面湾曲および非点収差の少なくとも一方を評価する、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の評価方法。
8. 前記第１特性値および前記第２特性値はそれぞれ、前記投影光学系の光軸と垂直な方向において前記投影光学系により前記複数のパターン要素が結像される位置と目標位置とのずれ量を含み、
   前記評価工程では、前記投影光学系の歪曲収差を評価する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の評価方法。
9. 前記第１特性値および前記第２特性値はそれぞれ、前記光軸に垂直な第１方向における前記ずれ量と、前記光軸に垂直かつ前記第１方向と異なる第２方向における前記ずれ量とを含む、ことを特徴とする請求項８に記載の評価方法。
10. 前記転写工程は１回だけ行われる、ことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の評価方法。
11. 前記検出工程は複数回行われ、
    前記第２工程では、複数回の前記検出工程で得られた複数の検出結果を平均化した結果に基づいて前記第２情報を求める、ことを特徴とする請求項１０に記載の評価方法。
12. 前記露光装置の照明条件が変更された場合、
    変更後の照明条件で前記検出工程および前記第２工程を新たに行うことにより変更後の照明条件での前記第２情報を新たに求める工程と、
    変更前の照明条件で求められた前記第２情報と、変更後の照明条件で新たに求められた前記第２情報との差に基づいて、前記評価用情報を補正する工程と、
    補正した前記評価用情報に基づいて、変更後の照明条件での前記投影光学系の収差を評価する工程と、
    を行うことを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の評価方法。
13. 露光装置における投影光学系の収差を評価する評価方法であって、
    前記投影光学系によるマスクの複数のパターン要素の各々の投影位置に関する第１特性値を、前記複数のパターン要素を前記露光装置の前記投影光学系により基板に転写した転写結果に基づいて求め、前記複数のパターン要素の前記第１特性値の平均値を前記投影光学系の収差を示す第１情報として求める第１工程と、
    前記投影光学系による前記複数のパターン要素の各々の投影位置に関する第２特性値を、前記投影光学系により投影された前記複数のパターン要素の像を検出した検出結果に基づいて求め、前記複数のパターン要素の前記第２特性値の平均値、および、前記複数のパターン要素の各々についての前記第２特性値と前記第２特性値の平均値との差、を第２情報として求める第２工程と、
    前記第１情報と前記第２情報とから得られる評価用情報に基づいて、前記投影光学系の収差を評価する評価工程と、
    を含むことを特徴とする評価方法。
14. 基板を露光する露光方法であって、
    請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の評価方法を用いて投影光学系の収差を評価する工程と、
    前記投影光学系の収差の評価結果に基づいて前記露光装置を校正する工程と、
    校正された前記露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、
    を含むことを特徴とする露光方法。
15. 請求項１４に記載の露光方法を用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で露光を行われた前記基板を現像する工程と、
    を含み、現像された基板から物品を得ることを特徴とする物品の製造方法。