TWI813018B - 用於特徵化微影光罩的方法與設備 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及用於特徵化微影光罩的方法和設備。在根據本發明的方法中，照明光學單元（410）照明旨在微影投射曝光設備中用於微影製程的光罩（421）的結構，其中成像光學單元（430）將該光罩成像到檢測器單元（440）上，該檢測器單元（440）具有多個畫素。在此，多個單獨成像過程以由檢測器單元指定的畫素解析度實行，其中這些單獨成像過程就位於成像光學單元中的至少一個偏振光學元件的位置而言是彼此不同，其中在評估單元中評估由檢測器單元記錄的圖像資料，其中模擬由於在微影投影曝光設備的操作期間在晶圓平面中發生的電磁輻射的干涉的偏振依賴性而引起的偏振相關效應，其中實現在單獨成像過程中獲得的圖像資料的轉換，其在各個情況下基於通過將光罩的無結構區域成像到檢測器單元上所獲得的至少一個校準圖像，其中各自地使用的校準圖像取決於至少一個偏振光學元件的位置而被不同地選擇。

Description

用於特徵化微影光罩的方法與設備
本發明涉及用於特徵化微影光罩的方法和設備。本發明既可適用於找到缺陷和特徵化缺陷又可適用於特徵化光罩上的結構，例如在位置確定或用於確定結構的線寬（CD=“臨界尺寸”）以及用於確定製程視窗(process window)（例如通過根據劑量和離焦(defocus)確定線寬）的其他應用中。 [相關專利參照]
本申請要求2020年9月10日提交的德國專利申請DE 10 2020 123 615.8的優先權。該申請的內容通過引用併入本文。
例如，微影用於製造諸如積體電路或LCD的微結構部件。在包括照明裝置和投射鏡頭的稱為投射曝光設備中實行微影過程。在這種情況下，將通過照明裝置照明的光罩（=遮罩(reticle)）的像通過投射鏡頭投射至塗覆有感光層（光阻）且佈置在投射鏡頭的像平面中的基板（例如矽晶圓）上，以便將光罩結構轉印至基板的感光塗層。
在微影製程中，光罩上的不期望的缺陷具有特別不利的影響，因為它們可以在每次曝光步驟下再現。直接對可能的缺陷位置的成像效應進行分析因此是可期望的，以便最小化光罩缺陷並且以便實現成功的光罩修復。因此，存在對快速且簡易地測量或使光罩合格的需求，以在諸如投射曝光設備中實際出現的相同條件下盡可能精確。
為此，已知的是，在光罩檢驗設備中記錄和評估光罩的區段的空間像(aerial image)。為了記錄空間像，在這種情況下由照明光學單元照明要在光罩上測量的結構，其中來自於光罩的光經由成像光學單元投射到檢測器單元上並且被檢測。為了實行在與投射曝光設備中的條件類似的條件下可能的光罩的測量，在光罩檢驗設備中，在該情況下典型地以與投射曝光設備一致的方式照明光罩，其中在光罩檢驗設備中設置特別是相同波長（例如，近似248 nm、近似193 nm、或近似13.5 nm）、相同數值孔徑以及相同（如果合適偏振的話）的照明設置。
然而，實際上問題由以下事實產生：光罩檢驗設備的成像光學單元中，將光罩成像到檢測器單元上不同於投射曝光設備中實行的成像到晶圓上，不是以縮小的方式而是以大幅放大的方式發生。因此在各自投射或成像光學單元中存在的大幅不同的數值孔徑（該數值孔徑在光罩檢驗設備的成像光學單元中幾乎為零）導致微影製程中發生的在晶圓上的成像與光罩檢驗設備中發生的到檢測器單元上的成像在發生偏振依賴的向量效應方面顯著地不同。在這種情況下，“向量效應”應理解為意味著在各自像平面中發生的電磁輻射干涉的偏振依賴性。
為了考慮上述問題以及為了確定在微影投射曝光設備中發生的向量效應以及為了在空間像生成中考慮它們，特別已知的是，用光罩檢驗設備實行多個單獨成像過程，在單獨成像過程期間不同偏振光學部件放置在照明和/或成像光學單元中的不同位置，並且對應生成的圖像相互結合並經受計算。
然而，實踐中，將一個或多個偏振光學元件引入束路徑會導致其他問題，這些問題因此使得通過計算單獨圖像彼此進行正確組合，從而對在光罩特徵化期間在投射曝光設備中出現的條件的可靠模擬(emulation)更加困難：首先，偏振光學元件上存在的通常不可避免的污染和/或不均勻性導致所獲得的測量圖像中的偽影(artefact)，進一步由該污染或不均勻性的效應取決於一個或多個偏振光學元件的位置具有不同表現的事實使事情複雜化。
此外，將偏振光學元件引入到光罩檢驗設備的成像束路徑導致圖像移位元，並且此外由於不可避免的製造誤差還導致成像比例(imaging scale)的變化。
在對光罩特徵化的準確度的要求不斷提高的範圍內，實現用於在光罩特徵化期間模擬偏振相關效應的正確向量效應計算因此代表重大挑戰。
關於現有技術，作為示例僅參考DE 10 2007 045 891 A1、DE 10 2017 115 262 A1、DE 10 2004 033 603 A1、DE 10 2004 033 602 A1、DE 10 2005 062 237 A1、DE 10 2007 009 661 A1和EP 1 615 062 B1。
本發明的目的是提供用於特徵化微影光罩的設備和方法，其考慮到在微影製程中給定的包括那裡發生的偏振依賴的效應的條件而能夠更加準確地特徵化，同時至少部分地避免上述問題。
該目的是通過根據替代性獨立請求項的特徵的設備和方法來實現。
本發明特別地還涉及用於特徵化微影光罩的方法， - 其中照明光學單元照明旨在微影投射曝光設備中用於微影製程的光罩的結構，並且其中成像光學單元將光罩成像到檢測器單元上，其中該檢測器單元具有多個畫素； - 其中以檢測器單元指定的畫素解析度實行多個單獨成像過程，其中這些單獨成像過程就位於成像光學單元中的至少一個偏振光學元件的位置而言是彼此不同； - 其中在評估單元中評估由該檢測器單元記錄的圖像資料，其中在該評估期間模擬(emulate)由於在操作微影投射曝光設備期間發生在晶圓平面中的電磁輻射的干涉的偏振依賴性而引起的偏振依賴的效應； - 其中該評估包括在單獨成像過程中獲得的圖像資料的轉換，其在各個情況下都基於通過將光罩的無結構區域(structure-free region)成像到檢測器單元上所獲得的至少一個校準圖像； - 其中取決於相關的單獨成像過程期間的至少一個偏振光學元件的位置而不同地選擇在該轉換期間各自使用的校準圖像。
根據一個實施例，在單獨成像過程中獲得的圖像資料的轉換期間在各個情況下使用對於成像光學單元中的至少一個偏振光學元件的各自相同位置所獲得的校準圖像。
特別地，本發明基於的構思是，當通過執行多個單獨成像來特徵化光罩時，基於通過對光罩的無結構區域成像所獲得的校準圖像來實行獲得的圖像資料的轉換，在各個情況下，出於模擬偏振相關效應的目的使一個或多個偏振光學元件在成像光學單元中有不同位置，該轉換被實行為使得不僅要考慮光學系統的照明強度和透射性質、檢測器單元的不均勻性，而且還要從同時測量結果中“通過計算移除”偏振光學元件的不良影響（特別是在偏振光學元件的不均勻性和當前污染方面）。
特別地，本發明包括以下原理：當出於通過計算移除上述效應的目的轉換在單獨成像過程期間獲得的圖像資料時不使用同一個校準圖像來轉換所有測量圖像，而是針對成像光學單元中的偏振光學元件的每個位置記錄各自專用校準圖像，然後以便在各個情況下將通過計算的成像光學單元中的偏振光學元件的不同位置處記錄的測量圖像與“擬合(fitting)”校準圖像組合。
在此，根據本發明，為了記錄成像光學單元中的一個或多個偏振光學元件的不同位置的多個校準圖像而增加的測量複雜度被刻意地接受，以便作為回報獲得在光罩特徵化期間偏振相關效應的模擬的增加的準確度，同時至少部分地避免開頭描述的問題。特別地，根據本發明的操作期間附加的測量複雜度避免在偏振光學元件上出現的污染和不均勻性，從而導致不正確的向量效應計算並因此最終導致錯誤的光罩特徵化。
根據一個實施例，在該轉換之前，這些校準圖像中的至少一些經受預處理，在過程中校準圖像的亮度彼此匹配。
該預處理考慮了以下事實：在偏振照明的情況下始終存在的偏振光學元件的不同位置的根據本發明記錄的校準圖像的不同亮度級最終將在通過計算與各自相關聯的測量圖像組合期間導致丟失與圖像的不同亮度程度相關的所需資訊（因為在這種情況下最終由該轉換得到的“校正”測量圖像都將具有相同強度）。
根據一個實施例，如果照明光學單元中設置的照明設置(illumination setting)是非偏振照明設置，則省略上述預處理（即匹配校準圖像的亮度級）。這考慮到以下事實：在刻意設置非偏振照明的情況下，仍然存在的小殘餘偏振的“通過計算移除”無論如何都是可取的，並且繼而借助於省略上述預處理步驟方法是可獲得的。
根據一個實施例，對於在針對至少一個偏振光學元件的給定位置獲得的校準圖像中平均強度下降到指定閾值以下的情況，在至少一個偏振光學元件的該位置實行的單獨成像過程中獲得的圖像資料的轉換是基於校準圖像來替代地實現，該校準圖像是在成像光學單元中的偏振光學元件不在場的情況下被記錄。這考慮到以下事實：根據本發明的基於該特別暗的校準圖像的轉換將導致最終獲得的圖像資料中的顯著背景雜訊，因此不再獲得有意義的圖像資訊。
根據一個實施例，在評估之前，在單獨成像過程期間由檢測器單元記錄的圖像資料經受低通濾波。在此，本發明基於以下想法，由於檢測器單元的空間解析度通常總是實質高於成像光學單元的空間解析度，所以檢測器單元記錄的圖像資料中相對較高的空間頻率通常是雜訊成分。從這個想法出發，本發明現在含有以下進一步的構思，已經將低通濾波器應用到在各個情況下在單獨成像過程期間獲得的圖像資料（該應用在這方面是必要的），使得其中已經移除的雜訊成分的該圖像資料形成了開篇的實際向量效應計算的基礎。在該方面，應該參考DE 10 2015 213 163 A1。
在各個情況下對在單獨成像過程期間獲得的圖像資料已經應用低通濾波器的上述應用也是有利的，這獨立於上述不同校準圖像的使用。根據其他方面，本發明因此還涉及用於特徵化微影光罩的方法， - 其中照明光學單元照明旨在微影投射曝光設備中用於微影製程的光罩的結構，並且其中成像光學單元將光罩成像到檢測器單元上，其中該檢測器單元具有多個畫素； - 其中以檢測器單元指定的畫素解析度實行多個單獨成像過程，其中這些單獨成像過程就位於成像光學單元中的至少一個偏振光學元件的位置而言是彼此不同； - 其中在評估單元中評估由檢測器單元記錄的圖像資料，其中在該評估期間模擬由於在操作微影投射曝光設備期間發生在晶圓平面中的電磁輻射的干涉的偏振依賴性而引起的偏振依賴的效應；以及 - 其中在評估之前，在單獨成像過程期間由檢測器單元記錄的圖像資料經受低通濾波。
根據一個實施例，在對由檢測器單元記錄的圖像資料進行評估期間，取決於偏振光學元件在相關單獨成像過程期間的位置的成像光學單元的成像比例的變化以及取決於一個或多個偏振光學元件在相關單獨成像過程期間的位置的圖像偏移是至少部分地得到校正。
根據一個實施例，該校正借助於施加在由檢測器單元記錄的圖像上的中心拉伸(centric stretching)的拉伸中心(stretching centre)相對於檢測器單元的相機場(camera field)的中心位移了一數值來實現，該數值取決於至少一個偏振光學元件的位置。
根據一個實施例，對於檢測器單元的每個畫素，以多個單獨的圖像表徵(representation)的形式記錄聚焦堆疊(focus stack)，該多個單獨圖像表徵就在光罩和成像光學單元之間的各自距離而言是彼此不同，其中通過對當記錄聚焦堆疊時每個畫素各自獲得的圖像資料進行單獨擬合，而逐個畫素地實行相對焦點位置的校正。因此，這允許獲得聚焦堆疊，該聚焦堆疊的聚焦準確度可以比焦點調節機構的機械再現性更準確。在此，插值聚焦堆疊的焦平面的數目可以大於或小於測量的焦平面的數目。插值聚焦堆疊的焦平面之間的聚焦增量同樣可以大於或小於測量的焦平面之間的聚焦增量。測量的和/或插值的(interpolated)聚焦堆疊的焦平面之間的聚焦增量也可以是非等距的。結果可以是聚焦堆疊，或者只有單個圖像，例如在理想的最佳焦平面中。為了獲得更準確的聚焦準確度，可以連續多次（例如兩次）應用用於聚焦校正的插值。
通過對當記錄聚焦堆疊時每個畫素各自獲得的圖像資料進行單獨擬合，相對焦點位置的上述逐個畫素校正也是有利的，這獨立於上述不同校準圖像的使用。根據其他方面，本發明因此還涉及用於特徵化微影光罩的方法， - 其中照明光學單元照明旨在微影投射曝光設備中用於微影製程的光罩的結構，並且其中成像光學單元將光罩成像到檢測器單元上，其中該檢測器單元具有多個畫素； - 其中在評估單元中評估由檢測器單元記錄的圖像資料；以及 - 其中對於檢測器單元的每個畫素，以多個單獨圖像表徵的形式記錄聚焦堆疊，該多個單獨圖像表徵就在光罩和成像光學單元之間的各自距離而言是彼此不同，其中通過對當記錄聚焦堆疊時每個畫素各自獲得的圖像資料進行單獨擬合，而逐個畫素地實行相對焦點位置的校正。
根據一個實施例，光罩被設計為用於小於250 nm的工作波長，特別是小於200 nm的工作波長，更特別地是小於15 nm的工作波長。
此外，本發明還涉及用於特徵化微影光罩的設備，其包括：用於照明旨在微影投影曝光設備中用於微影製程中的光罩的結構的照明光學單元；檢測器單元；用於將光罩成像到檢測器單元的成像光學單元；以及用於評估由檢測器單元記錄的資料的評估單元，其中設備被設計為實行具有上述特徵的方法。
關於方法的其他優點和優選配置，參考與根據本發明的設備相關聯的上述解釋。
可以從說明書和從屬請求項獲得本發明的其他配置。
下面基於附圖中所示的示例性實施例更詳細地解釋本發明。
圖4首先示出了解釋本發明可以實現的光罩檢驗設備400的可能構造的示意圖。
根據圖4，在光罩檢驗設備400中，在光罩保持件420上安裝光罩421。用光源401生成的照明光經由照明光學單元410照明光罩421上的待測量結構。由成像光學單元430將來自該光罩421的光成像到檢測器單元440上並檢測。在評估單元450中評估由檢測器單元440所記錄的圖像資料，以確定結構的位置。
通過在照明光學單元410中的光瞳平面PP中存在的光瞳濾光器，以及通過在照明光學單元410中的偏振器415，可以設置照明設置，該照明設置在強度分佈方面和偏振分佈方面對應於微影投影曝光設備中預定義的照明設置。在這種情況下，為微影製程預定義的偏振照明設置僅作為示例可以是準切向(quasi-tangential)照明設置或具有xy偏振的四極設置。
為了出於可能最優地模擬實際微影過程期間存在的條件的目的而現在還確定微影投影曝光設備中出現的向量效應，以原則上本身已知的方式將至少一個偏振光學元件引入到成像光學單元430的成像束路徑中，其中針對該至少一個偏振光學元件435的不同位置實行多個單獨成像過程。
在單獨成像過程期間獲得的圖像資料基於校準圖像來轉換，該校準圖像各自通過將光罩421的無結構區域成像到檢測器單元440上來獲得。使用適當轉換的圖像資料，以本領域技術人員本身已知的方式實行上述向量效應計算。為此，例如僅參考DE 10 1 615 062 B1。
根據本發明，不是僅單個校準圖像被記錄以用於在單獨成像過程期間獲得的圖像資料的前述轉換並且形成該轉換的基礎，而是替代地記錄多個校準圖像，並且其根據一個或多個偏振光學元件在成像光學單元430中的不同位置來形成該轉換的基礎。因此，在校準過程中不僅要考慮檢測器單元的不均勻性、光學系統的照明強度和透射性質，而且還要通過計算從測量結果中移除一個或多個偏振光學元件的不均勻性和不可避免的污染。
下面參照圖1a-1c、圖2a-2c和圖3a-3c中所示的圖解釋根據本發明的方法的有利效果。為了簡單起見，這些圖各自表示僅沿x座標的（如下該的測量或校準圖像的）強度曲線，其中省略沿y座標的強度曲線的圖示以使解釋更簡單。此外，為了簡化與根據本發明獲得的效應有關的解釋，在各個情況下參考當對光罩421的其中光罩421不具有光罩結構的區域成像時記錄的測量圖像。
圖1a首先示出了這樣的測量圖像沿x座標的強度曲線，並且成像光學單元430中的偏振光學元件不在場。強度輪廓的不均勻性以放大的方式說明。圖1b示出了當成像光學單元430中沒有偏振光學元件時在對應校準圖像中獲得的沿x座標的強度曲線。由於根據定義從光罩421的無結構區域的圖像表徵中出現校準圖像，因此根據圖1b的強度曲線對應於圖1a的強度曲線。在圖1c中繪製的測量圖像和校準圖像的強度比因此具有沿x座標的恒定值1。
以類似於圖1a的方式，如果偏振光學元件位於成像光學單元430的某個位置，則圖2a的示意圖示出了在測量圖像（再次在光罩421不具有結構的位置處）中獲得的沿x座標的強度曲線。一個或多個偏振光學元件的存在首先會引起圖像移位元，此外還會引起由污染和/或不均勻性引起的局部強度下降，因此根據圖2a的強度曲線已經相對於圖1a的強度曲線顯著修改。因為，根據本發明，現在使用校準圖像來轉換在相關單獨成像過程期間獲得的圖像資料，該校準圖像是針對成像光學單元430中的偏振光學元件的相同位置獲得的且因此具有圖2b所示的沿x座標的強度輪廓，根據圖2c沿x座標繪製的測量圖像和校準圖像的強度值比再次為對光罩421的無結構區域進行成像的所考慮的“簡單”情況供應正確預期的恒定結果。
相比之下，如果以常規方式僅使用同一個校準圖像來轉換所有測量圖像，則會出現圖3a-3c中所示的場景。在這種情況下，圖3a中所示的測量圖像的強度曲線（與圖2a的強度曲線一致）將通過計算與校準圖像相組合，該校準圖像是在成像光學單元430中的偏振光學元件不在場的情況下確定的，即具有圖3b中所示的強度曲線，其與圖1b中的強度曲線一致。圖3c中繪製的圖3a和圖3b的兩個強度輪廓比因此偏離沿x座標的正確期望的恒定值，因為在校準期間沒有考慮由一個或多個偏振光學元件引起的圖像移位元和存在於該偏振光學元件上的污染和不均勻性的效應。因此，這將導致錯誤的向量效應計算，根據本發明正好避免該錯誤。
下文參考圖5解釋本發明的其他方面。
在此，本發明從本身已知的以下方法出發，為檢測器單元的每個畫素以多個單獨圖像表徵的形式記錄聚焦堆疊，該多個單獨圖像表徵就在光罩和成像光學單元之間的各自距離而言是彼此不同，以便不僅在最佳焦點處而且“當散焦時”都特徵化光罩，從而確定可允許的製程視窗（關於劑量和焦點）。根據本發明，現在可以通過對當記錄聚焦堆疊時每個畫素各自獲得的圖像資料進行單獨擬合，逐個畫素地校正相對焦點位置。以這種方式，因此可以獲得聚焦堆疊，該聚焦堆疊的聚焦準確度可以比焦點調節機構的機械再現性更準確。
根據圖5的示意圖，現在示出的是，當確定設置焦平面上的對比度時，獲得最大對比度的實際最佳相對焦點位置（“= 最佳焦點位置”）略微偏離形成記錄聚焦堆疊時的基礎的位置。根據本發明，現在通過從測量圖像計算對應位移位置的圖像（例如通過對每個相機畫素自身的焦點位置的強度進行樣條插值）並且因此輸出該圖像，來考慮該偏離。
在此，插值的聚焦堆疊的焦平面的數目可以大於或小於測量的焦平面的數目（其中圖5還僅作為示例圖示了焦平面的數目從5個增加到7個，同時減少聚焦增量）。同樣地，插值的聚焦堆疊的焦平面之間的聚焦增量可以大於或小於測量的焦平面之間的聚焦增量。測量的和/或插值的聚焦堆疊的焦平面之間的聚焦增量也可以是非等距的。根據圖5，結果可以是聚焦堆疊，也可以是僅單個圖像，例如在理想的最佳焦平面中。為了獲得更準確的聚焦準確度，可以相繼多次（例如兩次）應用用於聚焦校正的插值。
雖然已經基於指定實施例描述本發明，但是例如通過組合和/或交換單獨實施例的特徵，許多的變型和替代性實施例對本領域技術人員而言是顯而易見的。因此，對於本領域技術人員而言更不用說，本發明附隨地涵蓋了這種變型和替代性實施例，並且本發明的範圍僅限於所附的請求項及其等同物的含義內。
400:光罩檢驗設備 401:光源 410:照明光學單元 415:偏振器 420:光罩保持件 421:光罩 430:成像光學單元 435:偏振光學元件 440:檢測器單元 450:評估單元 PP:光瞳平面
附圖中：
圖1-3示出了闡明根據本發明的方法的效應的示意圖；
圖4示出了闡明光罩檢驗設備的一個示例性構造的示意圖；以及
圖5示出了用於闡明根據本發明的一方面實施的焦點校正的示意圖。
400:光罩檢驗設備
401:光源
410:照明光學單元
415:偏振器
420:光罩保持件
421:光罩
430:成像光學單元
435:偏振光學元件
440:檢測器單元
450:評估單元
PP:光瞳平面

Claims (12)

  1. 一種用於特徵化一微影光罩的方法，- 其中一照明光學單元(410)照明旨在一微影投射曝光設備中用於一微影製程的一光罩(421)的多個結構，並且其中一成像光學單元(430)將該光罩(421)成像到一檢測器單元(440)上，其中該檢測器單元(440)具有多個畫素；- 其中以該檢測器單元(440)指定的一畫素解析度實行多個單獨成像過程，其中這些單獨成像過程就位於該成像光學單元(430)中的至少一個偏振光學元件的位置而言是彼此不同；- 其中在一評估單元(450)中評估由該檢測器單元記錄的圖像資料，其中在此評估期間模擬由於在操作該微影投射曝光設備期間發生在晶圓平面中的電磁輻射的干涉的一偏振依賴性而引起的多個偏振依賴效應；- 其中此評估包括在該等單獨成像過程中獲得的該圖像資料的一轉換，其在各個情況下都基於通過將該光罩(421)的無結構區域成像到該檢測器單元(440)上所獲得的至少一個校準圖像；- 其中在此轉換的期間各自使用的該校準圖像取決於相關的該單獨成像過程的期間的至少一個偏振光學元件的位置而被不同地選擇。
  2. 根據請求項1所述的方法，其特徵在於，在此轉換的期間在各個情況下使用對於該成像光學單元(430)中的該至少一個偏振光學元件的各自相同位置所獲得的一校準圖像。
  3. 根據請求項1或2所述的方法，其特徵在於，在此轉換之前，該等校準圖像中的至少一個經受預處理，在所述處理中該等校準圖像的亮度彼此匹配。
  4. 根據請求項3所述的方法，其特徵在於，如果在該照明光學單元(410)中設置的一照明設置是非偏振照明設置，則省略該預處理。
  5. 根據請求項1或2所述的方法，其特徵在於，對於在針對該至少一個偏振光學元件的一給定位置所獲得的一校準圖像中平均強度下降到一指定閾值以下的情況，在該至少一個偏振光學元件的此位置所實行的該單獨成像過程中所獲得的該圖像資料的該轉換是基於該成像光學單元(430)中的該至少一個偏振光學元件不在場的情況下所記錄的一校準圖像而替代地實現。
  6. 根據請求項1或2所述的方法，其特徵在於，在該評估之前，在該等單獨成像過程的期間由該檢測器單元(440)記錄的該圖像資料經受低通濾波。
  7. 根據請求項1或2所述的方法，其特徵在於，在由該檢測器單元(440)記錄的該圖像資料的該評估的期間，取決於在該相關單獨成像過程的期間該至少一個偏振光學元件的位置的該成像光學單元(430)的成像比例的一變化以及取決於在該相關單獨成像過程的期間該至少一個偏振光學元件的位置的一圖像偏移是至少部分地得到校正。
  8. 根據請求項7所述的方法，其特徵在於，此校正借助於施加在由該檢測器單元(440)記錄的一圖像上的中心拉伸的一拉伸中心相對於該檢測器單元(440)的一相機場的中心所位移的一數值來實現，該數值取決於該至少一個偏振光學元件的位置。
  9. 根據請求項1或2所述的方法，其特徵在於，對於該檢測器單元(440)的每個畫素，以多個單獨圖像表徵的形式記錄一聚焦堆疊，該等單獨圖像表徵就在光罩(421)和成像光學單元(430)之間的各自距離而言是彼此不同，其中當記錄聚焦堆疊時通過對每個畫素各自獲得的該圖像資料進行單獨擬合，而逐個畫素地實行相對焦點位置的校正。
  10. 根據請求項1或2所述的方法，其特徵在於，該光罩(421)被設計為用於小於250nm的工作波長。
  11. 一種用於特徵化微影光罩的設備，包括： 一照明光學單元(410)，用於照明旨在於一微影投射曝光設備中於一微影製程中使用的一光罩(421)的多個結構，一檢測器單元(440)；一成像光學單元(430)，用於將該光罩(421)成像到該檢測器單元(440)上；以及一評估單元(450)，用於評估由該檢測器單元(440)記錄的資料；其特徵在於，該設備被設計為實行根據請求項1至10中任一項所述的方法。
  12. 根據請求項11所述的設備，其特徵在於，該光罩(421)被設計為用於小於250nm的工作波長。
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