CN109212896B - 特征化微光刻的掩模的方法与装置 - Google Patents

特征化微光刻的掩模的方法与装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109212896B
CN109212896B CN201810729197.0A CN201810729197A CN109212896B CN 109212896 B CN109212896 B CN 109212896B CN 201810729197 A CN201810729197 A CN 201810729197A CN 109212896 B CN109212896 B CN 109212896B
Authority
CN
China
Prior art keywords
illumination
mask
imaging
unit
image data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810729197.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109212896A (zh
Inventor
H.塞茨
U.布特格雷特
T.塞勒
T.弗兰克
U.马特吉卡
M.德冈瑟
R.比尔克纳
D.格劳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of CN109212896A publication Critical patent/CN109212896A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109212896B publication Critical patent/CN109212896B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70133Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70125Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566Polarisation control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591Testing optical components
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676Masks, reticles, shadow masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

本发明关于特征化微光刻的掩模的方法及装置。在根据本发明的方法中,预期用于微光刻投射曝光设备中的光刻工艺的掩模的结构由照明光学单元(610)照明,其中掩模(621)由成像光学单元(630)成像在检测器单元(640)上,其中由检测器单元(640)所记录的图像数据在评估单元(650)中被评估。在此情况下,为模拟针对在微光刻投射曝光设备中的光刻工艺所预定义的照明设定,在多个单独成像中进行掩模(621)到检测器单元(640)上的成像,其中多个单独成像在照明光学单元(610)中所设定的照明设定方面彼此不同或在成像光学单元(630)中所设定的偏振影响效应方面彼此不同。

Description

特征化微光刻的掩模的方法与装置
相关申请的交叉引用
本申请主张2017年7月7日申请的德国专利申请DE 10 2017 115 262.8的优先权。此申请的内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明关于特征化微光刻的掩模的方法与装置。本发明适用于寻找缺陷并进一步适用于特征化掩模上的结构,例如位置决定或决定结构的线宽(CD=“临界尺寸(criticaldimension)”)及确定工艺窗口(例如通过根据剂量及散焦来决定线宽)。
背景技术
微光刻用以产生微结构部件,例如集成电路或LCD。微光刻工艺在所谓的投射曝光设备中进行,其包含照明装置及投射镜头。经由照明装置所照明的掩模(掩模母版)的像在此情况下由投射镜头投射到涂有光敏感层(光刻胶)并配置在投射镜头的像平面中的基板(例如硅晶片)上,以将掩模结构转印至基板的光敏感涂层。
在微光刻工艺中,掩模上不想要的缺陷具有特别不利的效果,因为它们在每次的曝光步骤中都可能再现。因此,需要对可能缺陷位置的成像效果的直接分析,以最小化掩模缺陷并实现成功的掩模修复。因此,需要快速且简单地测量或验证掩模,尽可能地准确地如在投射曝光设备中确实存在的相同条件下。
为此目的,已知在掩模检查设备中记录及评估掩模区段的空间像。为了记录空间像,在此情况下,掩模上的待测量结构由照明光学单元照明,其中来自掩模的光经由成像光学单元投射到检测器单元上并被检测。
为了在与投射曝光设备中的条件类似的条件下进行掩模的测量,掩模在掩模检查设备中通常以与投射曝光设备中相同的方式照明,其中,特别是在相同的波长下,在掩模检查设备中设定相同的数值孔径(numerical aperture)以及相同的(若适当偏振的)照明设定。
然而,实际上,问题的原因在于,不同于在投射曝光设备中所进行的晶片上的成像,在掩模检查设备的成像光学单元中将掩模成像至检测器单元上并不是以缩小的方式发生,而是以非常大的放大方式发生。在相应的投射或成像光学单元中存在如此大不相同的数值孔径(该数值孔径在掩模检查设备的成像光学单元中几乎为零)的结果为,关于发生的向量效应,在光刻工艺中发生的晶片上的成像与在掩模检查设备中发生的检测器单元上的成像明显不同。在此情况下,“向量效应(vector effect)”应理解为表示在相应像平面中发生的电磁辐射的干涉(interference)的偏振相依性(polarization dependence)。
为了考虑上述问题并决定在微光刻投射曝光设备中发生的向量效应并在空间像产生中将向量效应考虑在内,特别地,已知使用掩模检查设备进行多个单独的成像,在单独成像期间,不同的偏振光学部件位于照明和/或成像光学单元中,且相应产生的像彼此结合且进行计算。然而,上述程序需要耗费相对较多的时间。
关于现有技术,仅以示例的方式参考DE 10 2004 033 603 A1、DE 10 2004 033602 A1、DE 10 2005 062 237 A1、DE 10 2007 009 661 A1和EP 1 615 062 B1。
发明内容
本发明的目的为提供特征化微光刻的掩模的方法和装置,其能够在考虑光刻工艺中所给定条件的情况下进行更快速且简化的测量,包含考虑在光刻工艺中所发生的向量效应。
此目的通过根据独立权利要求的特征的方法及相应的装置来实现。
在特征化微光刻的掩模的本发明方法中,预期用于微光刻投射曝光设备中的光刻工艺的掩模的结构由照明光学单元照明,其中掩模由成像光学单元成像在检测器单元上,其中由检测器单元所记录的图像数据在评估单元中进行处理。
根据本发明的一个方面,该方法的特征在于为仿真针对在微光刻投射曝光设备中的光刻工艺所预定义的照明设定,在多个单独的成像中进行掩模在检测器单元上的成像,其中多个单独的成像在照明光学单元中所设定的(照明)设定方面彼此不同。
本发明特别基于以下的概念:在掩模检查期间,通过以适当的方式“分解”在光刻工艺中所期望或预定义的偏振设定,而以显著降低的测量复杂度以及相对短的时间决定在微光刻投射曝光设备中的后来的光刻工艺中发生的向量效应,只要在掩模检查设备的照明光学单元中设定各自具有有利的(例如,恒定线性)偏振分布的相互不同的照明设定即可。
在此情况下,在掩模检查设备的照明光学单元中所设定的这些(“次(sub-)”)照明设定选择为使得当其彼此叠加时至少近似地产生在光刻工艺中所期望的预定义偏振照明设定。
使用此方法,本发明利用以下情况:若在各个情况下关于向量效应所要考虑的偏振照明设定为具有恒定线性偏振方向的照明设定,则可显著更简单且更快速地实现本身为已知且在引言中描述的向量效应计算。此方法基于以下假设(通常以很好的近似满足该假设):存在于照明光学单元中的恒定偏振方向不再被下游的掩模及掩模检查设备中的成像光学单元显著改变。
因此,本发明特别地与传统方法背离,其中在传统方法中,在掩模检查设备中的各个情况下,在实际光刻工艺中所预定义的偏振照明设定被设定为相同。相反地,根据本发明,在掩模检查设备的照明光学单元中以针对性的方式设定合适的偏振照明设定,该照明设定不同于在光刻工艺中所期望或预定义的偏振照明设定,但反过来,能够更快速、更简单地计算在光刻工艺中所预期的向量效应。有利地,选择这些以使得设定的照明设定的总和在光分布及偏振方面近似地或精确地对应于在实际光刻工艺中所预定义的照明设定。
根据一个实施例,在照明光学单元中所设定的照明设定各具有恒定线性偏振分布。
根据一个实施例,在微光刻投射曝光设备中所要设定的照明设定具有准切向偏振分布(quasi-tangential polarization distribution)。
根据一个实施例,在微光刻投射曝光设备中所要设定的照明设定为四极照明设定或环形照明设定。
根据一个实施例,在不修改成像光学单元的情况下进行多个单独的成像。
根据一个实施例,在照明光学单元中设定的照明设定具有偏振分布,其至少大致地对应于在实际光刻工艺中所预定义的照明设定的偏振分布(例如在照明光瞳的第一区域中的x偏振及在照明光瞳的第二区域中的y偏振)。接着,可通过将照明光瞳的选定区域分别地照明(有利地,在一曝光步骤中,这包含以相应偏振照明所有区域)并使其余区域变暗来改变在各个曝光步骤中所使用的照明设定。因此,若适当的话,仅需改变照明的亮度分布,而不改变照明光学单元中所设定的偏振分布。
根据一个实施例,用于单独成像的不同照明设定由配置在照明光学单元中的偏振影响光学元件的区域来设定,其中光在相应的单独成像期间从该区域传递到掩模,其选择为针对单独成像而彼此不同。
在本发明的实施例中,可通过交换或移动或位移至少一个光阑来改变亮度分布。
在本发明的其他实施例中,可使用微镜阵列来改变亮度分布。这具有可特别快速地改变亮度分布的优点。
根据一个实施例,通过交换或位移光阑来针对照明光学单元中的单独成像设定不同的照明设定或改变亮度分布。
根据另一实施例,使用包含可彼此独立设定的多个反射镜元件的反射镜布置来针对照明光学单元中的单独成像设定不同照明设定或改变亮度分布。在其他实施例中,根据本发明,也可使用可主动成形的光源(例如使用LCD或LED)来设定不同的照明设定或改变单独成像的亮度分布。
根据另一实施例,设定一照明设定,其大致地或精确地对应于在实际光刻工艺中所预定义的偏振照明设定(例如在照明光瞳的第一区域中的x偏振以及在照明光瞳的第二区域中的y偏振)。此外,可接着引入一线性偏振器到照明光束路径中,其中例如在一个曝光步骤中只有光的x偏振部分传递到掩模,且在另一曝光步骤中只有光的y偏振部分传递到掩模。因此,在不改变成像光学单元且不改变“实际”照明光学单元的情况下进行多个单独成像。
根据另一实施例,在所有单独成像期间,使用相同的偏振照明设定来照明掩模(例如,在照明光瞳的第一区域中的x-偏振及在照明光瞳的第二区域中的y-偏振)。接着,可将相应的线性偏振器引入到成像光束路径中,其中例如在一个曝光步骤中只有光的x偏振部分传递到检测器,且在另一曝光步骤中只有光的y偏振部分传递到检测器。因此,在不改变照明光学单元的情况下进行多个单独成像。
根据一个实施例,以大约或精确对应于在实际光刻工艺中所预定义的偏振照明设定的偏振照明设定来照明掩模(例如在照明光瞳的第一区域中的x偏振及在照明光瞳的第二区域中的y偏振)。在成像光束路径中,定位有合适的光学元件(例如偏振分束器立方体、罗森棱镜(Rochon prism)或渥拉斯顿棱镜(Wollaston prism)),其例如将光的x偏振部分导向至第一检测器上,并将光的y偏振部分导向至第二检测器上或至第一检测器的不同区域上。因此,在不修改照明光学单元并仅用单次曝光的情况下进行多个单独的成像。尽管在上述的实施例中已分别参照了“x偏振”及“y偏振”,但本发明并不局限于此,而是也可应用于在照明光瞳的第一区域及相应的第二区域中的其他相互不同的偏振分布。
根据一个实施例,在单独成像期间由检测器单元所记录的图像数据的评估期间,在各个情况下进行该图像数据的转换,该图像数据在转换期间进行偏振相依加权(polarization-dependent weighting)。在此情况下,针对在单独成像期间所设定的照明设定,可考虑微光刻投射曝光设备在晶片级的操作期间所发生的电磁辐射的干涉的偏振相依性(向量效应)。
根据一个实施例,在所述转换后,加入、以加权的方式加入、平均、或以加权的方式平均在单独成像期间由检测器单元所记录的图像数据。
根据另一方面,本发明也关于特征化微光刻的掩模的方法,其中预期用于微光刻投射曝光设备中的光刻工艺的掩模的结构由照明光学单元照明,且其中掩模通过成像光学单元成像到至少一个检测器单元上,其中由检测器单元所记录的图像数据在评估单元中进行评估,
-其中为模拟针对在微光刻投射曝光设备中的光刻工艺所预定义的照明设定,在多个单独的成像中进行掩模到至少一检测器单元上的成像,其中多个单独的成像在照明光学单元中所设定的照明设定方面彼此不同或在成像光学单元的偏振影响效应方面彼此不同;
-其中在单独成像期间由至少一个检测器单元所记录的图像数据的评估期间,在各个情况下进行图像数据的转换,该图像数据在该转换期间进行偏振相依加权;以及
-其中在该转换后,加入、以加权的方式加入、平均、或以加权的方式平均在单独成像期间由至少一个检测器单元所记录的图像数据。
在此情况下,同样地,在图像数据的转换期间,针对在单独成像期间所设定的照明设定,可考虑微光刻投射曝光设备在晶片级的操作期间所发生的电磁辐射干涉的偏振相依性(向量效应)。
在此情况下,单独成像在有关照明光学单元中所设定的照明设定方面彼此不同的措词应理解为也包含在单独成像中的各个照明设定具有相互不同的偏振分布但强度分布为相同的情况。
根据一个实施例,至少两个相互不同的检测器单元或检测器单元的至少两个不同区域在单独成像期间用于记录图像数据。
根据一个实施例,在此情况下,通过至少两个相互不同的检测器单元或通过检测器单元的至少两个不同区域同时地记录具有不同偏振特性的光部分。
本发明更关于特征化微光刻的掩模的装置,其包含照明掩模上结构的照明光学单元、检测器单元、将掩模成像至检测器单元上的成像光学单元、以及评估由检测器单元所记录的图像数据的评估单元,其中该装置配置为执行具有前文所描述特征的方法。
有关装置的优点及较佳配置,参考与根据本发明的方法相关的以上解释。
可从详细描述及从属权利要求了解本发明的其他配置。
下文将基于附图中所示的示例性实施例更详细地解释本发明。
附图说明
在图中:
图1到图5显示用以说明根据本发明的方法的不同实施例的示意图;以及
图6显示用以说明可在根据本发明的方法中使用的装置的示例性构造的示意图。
具体实施方式
图6显示本发明可实现于其中的掩模检查设备600的可能架构。
根据图6,在掩模检查设备600中,掩模621安装在掩模保持器620上。掩模621上的待测量结构经由照明光学单元610而由光源601所产生的照明光照明。来自掩模621的光由成像光学单元630成像至检测器单元640上并被检测。在评估单元650中评估由检测器单元640所记录的图像数据,以决定结构的位置。
现在将在下文中参考图1等描述用以在掩模检查设备(例如具有图6所示的架构)中测量掩模的根据本发明的方法的不同实施例。这些实施例在各个情况下的共同点在于,在掩模检查设备600的照明光学单元610中,未设定针对实际光刻工艺所预定义的期望偏振照明设定,举例来说,而是以相互不同的照明设定进行多个单独的成像。
接着,选择作为单独成像的基础的这些照明设定,使得它们首先“总地”产生光刻工艺的预定义偏振照明设定,但接着每一个都能够自己对相关的向量效应进行特别简单且快速的计算,其中相关的向量效应在设定偏振照明设定的情况下对投射曝光设备中的光刻工艺是预期中的或需被考虑的。
特别地,在下文所述的所有实施例中针对光刻工艺所预定义的偏振照明设定为准切向(quasi-tangential)照明设定,其中相应的强度分布可根据实施例的不同而不同,如下文所述。
在单独实施例中作为相应单独成像的基础的照明设定的每一个都具有恒定的线性偏振分布,并通过“分解”该准切向照明设定来确定,使得其“总地”或叠加时产生相关的准切向照明设定。
参考根据图1a-1d所示的示例性实施例,针对光刻工艺所预定义的偏振照明设定为准切向四极照明设定,其中图1a显示偏振分布101且图1b显示强度分布102。
图1c及1d根据上述的“分解”显示作为单独成像的基础的照明设定110、120,其中在图1c所示的第一单独成像中设定偶极设定,其具有在x方向上彼此相对且偏振方向在y方向上延伸的照明极,且在图1d所示的第二单独成像中设定另一偶极设定,其具有在y方向上彼此相对且偏振方向在x方向上延伸的照明极。照明设定110、120因此首先“总地”产生根据图1a-1b的准切向四极照明设定,其次,由于恒定线性偏振分布,还能够以本身已知的方式快速且简单地计算光刻工艺中要考虑的相应向量效应,而不需要在图6的成像光学单元630中使用额外的偏振光学元件。
图1c及图1d所示的作为单独成像的基础的照明设定可使用照明光学单元610中的相应光阑或通过可彼此独立地调整的单独元件(例如单独的反射镜)的布置来设定(例如从DE 10 2013 212 613 B4已知的),以设定所需照明设定。为了产生相应的偏振分布,有可能使用任何合适的偏振影响元件,其分别产生图1c及图1d所示的偏振分布。或者,也有可能在两次曝光之间使用旋转90°的线性偏振器。
在检测器单元640中检测在根据图1c-1d的单独成像期间所分别获得的测量图像之后,首先根据本身已知的方法将在光刻工艺中预期的相关向量效应加入到相应的图像数据,然后将就向量效应而言相应地校正的测量数据加入到整体图像。将图像数据加入到整体图像较佳为通过对在没有掩模结构的情况下所获得的强度值进行归一化而以“能量归一化(energy-normalized)”方式进行并以适当定位的检测器方向来确定,以消除光学特定效应,例如相机不均匀性。就此而言,关于现有技术,参考EP 1 615 062 B1。
图2a-2b显示用以说明另一实施例的示意图,其中此处针对光刻工艺所预定义的偏振照明设定为准切向类星体(quasar)照明设定,其具有分别相对x方向及y方向旋转45°角的照明极。根据本发明,此处以类似于图1a-1d中的示例性实施例的方式,将在各个情况下具有分别相对x方向及y方向以45°延伸的恒定线性偏振方向的相应偶极照明设定210及220作为单独成像的基础。为了产生相应的偏振分布,有可能使用产生图2a中所示的偏振分布201的合适的偏振影响元件。或者,也有可能使用在两次曝光之间旋转90°的线性偏振器,其中相应的照明极可经由光阑或包含可彼此独立调整的元件(例如反射镜)的布置而产生。
图5a-5b显示用以说明另一实施例的示意图,其与图1a-1d中的实施例的不同之处在于,针对光刻工艺所预定义的偏振照明设定额外地包含非偏振区域或照明极(其中根据图5a的该非偏振区域仅以示例的方式定位在光瞳中心)。
图5b及图5c分别显示照明设定510及520,其根据本发明作为在掩模检查设备600中所进行的单独成像的基础。在此情况下,根据图5b,除了在y方向上彼此相对且偏振方向在x方向上延伸的照明极以外,也在光刻工艺中需要非偏振光的区域中产生具有在x方向上延伸的偏振方向的恒定线性偏振分布(其中在此光瞳区域中的强度降低到实际需要值的50%)。类似地,在图5c中的照明设定520中,除了具有y偏振的在x方向上彼此相对的照明极以外,也在光刻工艺中需要非偏振光的区域中产生具有沿y方向延伸的偏振方向的恒定线性偏振分布。这利用了以下的事实:在随后加入图像数据(其通过加入相应的向量效应来校正,类似于上述实施例)时,结果为彼此正交偏振的区域的叠加产生非偏振光。
在本发明的实施例中,在各个情况下作为前文中参照图1c-1d、图2c-2d及图5b-5c所描述的实施例的本发明的单独成像的基础的具有恒定线性偏振方向的偏振照明设定可通过已设计用于产生准切向偏振分布(例如根据图1a的偏振分布101)的偏振器元件来设定,其永久地保持在照明光学单元610的照明光束路径中,但在各个情况下仅被部分地照明(即,仅在单独成像所需的照明极中)。
在进一步的实施例中,在各个情况下作为根据本发明的单独成像的基础的具有恒定线性偏振方向的偏振照明设定也可由偏振器来设定,其中偏振器在各个情况下设计用以产生在照明光学单元610的照明光束路径中相应地旋转的线性起始偏振。
本发明并不局限于在各个情况下作为掩模检查设备的照明光学单元中的单独成像的基础的具有恒定线性偏振方向的设定。就此而言,在进一步的实施例中,也可通过相应的分析器在掩模检查设备600的成像光学单元630内设定恒定线性偏振方向,其中分析器仅允许要通过的相应期望的偏振方向被引入至成像光学单元的光束路径。
这样的实现对于不具有通过包含可彼此独立调整的元件(例如反射镜)的布置来可变地设定照明设定的可能性的掩模检查设备可能特别有利,其中可省去使用照明光学单元中的可位移光阑。
因此,除了在照明光学单元中根据本发明改变针对单独成像而设定的照明设定,也有可能在成像光学单元630中使用偏振器或分析器,以实现如下效果:在各个情况下,仅以恒定的线性偏振方向进行相关的单独成像。为此目的,例如根据图3(在根据图3a-3b的针对光刻工艺所预定义的准切向四极照明设定的情况下,类似于图1a-1b及图2a-2b中的示例性实施例),在照明光学单元中,有可能根据图3c以不变的方式为相应的单独成像选择照明设定。
为了操纵成像光学单元630中的偏振,根据图4a-4b,原则上可根据在成像光学单元中所要设定的期望线性偏振方向而在光束路径中使用并旋转偏振分束器立方体410,其中(如图4a-4b所示)具有相互垂直的偏振方向的部分光束分别指向相互不同的空间方向。图4c-4d显示用以阐明另一有利配置的示意图,其中λ/2板405相对于光束路径配置于偏振分束器立方体410的上游。在此情况下,可通过旋转λ/2板405(且偏振分束器立方体410保持固定)来设定各自所需的偏振方向,因为通过这种方式(如图4c及4d所示),偏振方向实际上在进入偏振分束器立方体410前旋转,使得光的偏振方向也在从偏振分束器立方体410射出时变化。
在此情况下,根据图4c-4d,λ/2板405(而不是偏振分束器立方体410)的旋转具有相对较小的图像偏移的优点,其基本上是与相关光学元件与精确平面平行几何形状之间的制造决定偏差有关。具体地说,由于制造决定的光束偏转而造成的这种图像偏移在λ/2板405的情况下较不明显,这是因为λ/2板405的厚度显著较小,使得因此在相应的偏振照明设定的设定中获得了更高的准确度。
在另一实施例中,根据图4b或图4c,也有可能将分离的检测器单元分配给从偏振分束器立方体410出现的两个部分光束中的每一个,其结果为可同时实现并测量与这些偏振方向相关的单独成像,因此可有利地进一步提高测量速度。
即使已基于特定的实施例描述了本发明,但许多变化及替代实施例对本领域技术人员而言是显而易见的,例如通过组合和/或交换单独实施例的特征。因此,对本领域技术人员而言,不言而喻地,本发明也同时涵盖这类变化及替代实施例,且本发明的范围仅在附随的专利权利要求及其等同物的含意内受到限制。

Claims (12)

1.一种对微光刻的掩模进行特征化的方法,其中预期用于微光刻投射曝光设备中的光刻工艺的掩模的结构由照明光学单元(610)照明,且其中该掩模(621)通过成像光学单元(630)成像至检测器单元(640)上,其中在评估单元(650)中评估由该检测器单元(640)所记录的图像数据,其特征在于:
为模拟针对在该微光刻投射曝光设备中的该光刻工艺的、具有准切向偏振分布的预定义的照明设定,在多个单独成像中进行该掩模(621)到该检测器单元(640)上的成像,该多个单独成像在该照明光学单元(610)中设定的照明设定方面彼此不同,以及作为相应单独成像的基础的照明设定的每一个都具有恒定的线性偏振分布,并在叠加时产生相关的准切向照明设定。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在该微光刻投射曝光设备中所要设定的照明设定为四极照明设定或环形照明设定。
3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在不修改该成像光学单元(630)的情况下进行该多个单独成像。
4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,用于所述单独成像的不同照明设定由布置在该照明光学单元中的偏振影响光学元件的区域来设定,其中光在相应的单独成像期间从该区域传递到该掩模,所述照明设定选择为针对所述单独成像而彼此不同。
5.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,用于所述单独成像的不同照明设定通过交换或位移该照明光学单元中的至少一个光阑来设定。
6.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,用于所述单独成像的不同照明设定通过使用反射镜布置来设定,该反射镜布置包含能够彼此独立设定的多个反射镜元件。
7.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在所述单独成像期间由该检测器单元(640)所记录的图像数据的评估期间,在各个情况下进行该图像数据的转换,该图像数据在该转换期间进行偏振相依加权。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,在该转换后,加入、以加权的方式加入、平均、或以加权的方式平均在所述单独成像期间由该检测器单元(640)所记录的该图像数据。
9.一种对微光刻的掩模进行特征化的方法,其中预期用于微光刻投射曝光设备中的光刻工艺的掩模的结构由照明光学单元(610)照明,且其中该掩模(621)通过成像光学单元(630)成像到至少一个检测器单元(640)上,其中在评估单元(650)中评估由该检测器单元(640)所记录的图像数据,其特征在于:
为模拟针对在该微光刻投射曝光设备中的该光刻工艺的、具有准切向偏振分布的预定义的照明设定,在多个单独成像中进行该掩模(621)到该至少一个检测器单元(640)上的成像,该多个单独成像在该照明光学单元(610)中所设定的照明设定方面彼此不同或在该成像光学单元(630)的偏振影响效应方面彼此不同;
其中在所述单独成像期间由该至少一个检测器单元(640)所记录的图像数据的评估期间,在各个情况下进行该图像数据的转换,该图像数据在该转换期间进行偏振相依加权;
其中在该转换后,加入、以加权的方式加入、平均、或以加权的方式平均在所述单独成像期间由该至少一个检测器单元(640)所记录的图像数据;以及
以及作为相应单独成像的基础的照明设定的每一个都具有恒定的线性偏振分布,并在叠加时产生相关的准切向照明设定。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,至少两个相互不同的检测器单元或检测器单元的至少两个不同区域用于在所述单独成像期间记录该图像数据。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,在此情况下,通过至少两个相互不同的检测器单元或通过检测器单元的至少两个不同区域同时地记录不同偏振特性的光部分。
12.一种对微光刻的掩模进行特征化的装置,其包含照明该掩模(621)上的结构的照明光学单元(610)、检测器单元(640)、将该掩模(621)成像至该检测器单元(640)上的成像光学单元(630)、以及评估由该检测器单元(640)所记录的图像数据的评估单元(650),其特征在于:
该装置配置为执行前述权利要求中任一项所述的方法。
CN201810729197.0A 2017-07-07 2018-07-05 特征化微光刻的掩模的方法与装置 Active CN109212896B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017115262.8 2017-07-07
DE102017115262.8A DE102017115262B9 (de) 2017-07-07 2017-07-07 Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109212896A CN109212896A (zh) 2019-01-15
CN109212896B true CN109212896B (zh) 2022-04-12

Family

ID=64666216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810729197.0A Active CN109212896B (zh) 2017-07-07 2018-07-05 特征化微光刻的掩模的方法与装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10698318B2 (zh)
KR (1) KR102195269B1 (zh)
CN (1) CN109212896B (zh)
DE (1) DE102017115262B9 (zh)
TW (1) TWI675252B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018124314B9 (de) 2018-10-02 2020-12-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Bestimmung der Belichtungsenergie bei der Belichtung eines Elements in einem optischen System, insbesondere für die Mikrolithographie
DE102018221647B3 (de) 2018-12-13 2020-06-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Detektionseinrichtung zur Erfassung einer Struktur auf einem Flächenabschnitt einer Lithografiemaske sowie Vorrichtung und Verfahren mit einer derartigen Detektionseinrichtung
DE102019123741A1 (de) * 2019-09-04 2021-03-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie
DE102020123615B9 (de) * 2020-09-10 2022-04-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie
DE102021113780B4 (de) * 2021-05-27 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101861548A (zh) * 2007-11-16 2010-10-13 卡尔蔡司Smt股份公司 微光刻投射曝光设备的照明系统
CN101952779A (zh) * 2008-02-15 2011-01-19 卡尔蔡司Smt股份公司 微光刻投射曝光设备的光学系统和微光刻曝光方法
CN102939566A (zh) * 2010-06-10 2013-02-20 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的光学系统

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW587199B (en) * 1999-09-29 2004-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus
KR101484435B1 (ko) * 2003-04-09 2015-01-19 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7292315B2 (en) * 2003-12-19 2007-11-06 Asml Masktools B.V. Optimized polarization illumination
EP1586946A3 (en) * 2004-04-14 2007-01-17 Carl Zeiss SMT AG Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102004033602A1 (de) 2004-07-08 2006-02-16 Carl Zeiss Sms Gmbh Abbildungssystem zur Emulation hochaperturiger Scannersysteme
DE102004033603A1 (de) * 2004-07-08 2006-02-16 Carl Zeiss Sms Gmbh Mikroskopisches Abbildungssystem und Verfahren zur Emulation eines hochaperturigen Abbildungssystems, insbesondere zur Maskeninspektion
US7791727B2 (en) * 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7537870B2 (en) * 2005-08-05 2009-05-26 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Lithography process optimization and system
DE102005062237A1 (de) 2005-12-22 2007-07-05 Carl Zeiss Jena Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung des Abbildungsverhaltens einer Abbildungsoptik
JP4957058B2 (ja) * 2006-04-12 2012-06-20 大日本印刷株式会社 回折光学素子、および該素子を備えた露光装置
DE102007009661A1 (de) 2006-08-31 2008-03-13 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur ortsaufgelösten Bestimmung der Phase und Amplitude des elektromagnetischen Feldes in der Bildebene einer Abbildung eines Objektes
WO2008061681A2 (de) * 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
KR101450362B1 (ko) * 2007-04-03 2014-10-14 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 광학계, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광장치의 조명 장치 또는 투영 대물렌즈
US7872731B2 (en) * 2007-04-20 2011-01-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8040492B2 (en) * 2007-11-27 2011-10-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP2009158720A (ja) * 2007-12-26 2009-07-16 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
DE102008049365A1 (de) * 2008-09-26 2010-04-01 Carl Zeiss Sms Gmbh Maskeninspektionsmikroskop mit variabler Beleuchtungseinstellung
DE102009038558A1 (de) 2009-08-24 2011-03-10 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zur Emulation eines fotolithographischen Prozesses und Maskeninspektionsmikroskop zur Durchführung des Verfahrens
DE102009041405B4 (de) * 2009-09-14 2020-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Maskeninspektionsmikroskop mit variabler Beleuchtungseinstellung
DE102009055184B4 (de) * 2009-12-22 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
DE102010063337B9 (de) * 2010-12-17 2020-05-07 Carl Zeiss Ag Verfahren zur Maskeninspektion sowie Verfahren zur Emulation von Abbildungseigenschaften
NL2008009A (en) * 2011-02-02 2012-08-06 Asml Netherlands Bv Illumination system, lithographic apparatus and method.
DE102011113940A1 (de) 2011-09-12 2013-03-14 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung vonDosis-Änderungen zur Anpassung von Strukturgrößen einer Maske
DE102011085334A1 (de) 2011-10-27 2013-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System in einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012214052A1 (de) * 2012-08-08 2014-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographisches Belichtungsverfahren, sowie mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102013204445A1 (de) * 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie EUV-Maskeninspektionssystem mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102013212613B4 (de) 2013-06-28 2015-07-23 Carl Zeiss Sms Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102013107976B4 (de) 2013-07-25 2016-07-28 Carl Zeiss Sms Gmbh Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie
KR20170096004A (ko) * 2014-12-17 2017-08-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패터닝 디바이스 토포그래피 유도 위상을 이용하는 장치 및 방법
JP6917208B2 (ja) * 2017-06-19 2021-08-11 株式会社ニューフレアテクノロジー 偏光イメージ取得装置、パターン検査装置、偏光イメージ取得方法、及びパターン検査方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101861548A (zh) * 2007-11-16 2010-10-13 卡尔蔡司Smt股份公司 微光刻投射曝光设备的照明系统
CN101952779A (zh) * 2008-02-15 2011-01-19 卡尔蔡司Smt股份公司 微光刻投射曝光设备的光学系统和微光刻曝光方法
CN102939566A (zh) * 2010-06-10 2013-02-20 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的光学系统

Also Published As

Publication number Publication date
US10698318B2 (en) 2020-06-30
DE102017115262B4 (de) 2021-03-18
DE102017115262B9 (de) 2021-05-27
US20190011839A1 (en) 2019-01-10
TW201907227A (zh) 2019-02-16
CN109212896A (zh) 2019-01-15
DE102017115262A1 (de) 2019-01-10
KR102195269B1 (ko) 2020-12-28
TWI675252B (zh) 2019-10-21
KR20190005762A (ko) 2019-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109212896B (zh) 特征化微光刻的掩模的方法与装置
US7864296B2 (en) Exposure apparatus, setting method, and exposure method having the same
US9753296B2 (en) Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method
US8542356B2 (en) Measurement method and measurement system for measuring birefringence
JP2004061515A (ja) 光学系による偏光状態への影響を決定する方法及び装置と、分析装置
JP6975324B2 (ja) 構造を測定するメトロロジ装置、リソグラフィシステム、及び方法
US7573563B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US7538875B2 (en) Lithographic apparatus and methods for use thereof
US20080079939A1 (en) Instrument for measuring the angular distribution of light produced by an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US7955765B2 (en) Adjustment method, exposure method, device manufacturing method, and exposure apparatus
TWI813018B (zh) 用於特徵化微影光罩的方法與設備
JP2006030212A (ja) 楕円偏光計、測定デバイス及び方法並びにリソグラフィ装置及び方法
TWI757858B (zh) 特徵化微影光罩的裝置和方法
US7999916B2 (en) Microlithographic projection exposure apparatus
JP2007533128A (ja) 多重露光を用いた基板のパターニング方法
US10401734B2 (en) Lithographic method and apparatus
JP2007214163A (ja) 偏光特性計測装置、偏光特性計測方法、露光装置、計測用部材、およびデバイス製造方法
US9140994B2 (en) Method for adjusting an optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
US20090213388A1 (en) Measurement method and measurement reticle
TW202305495A (zh) 用於微影光罩之特徵化的方法與裝置
CN111051992A (zh) 光刻方法和设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant