TWI675252B - 用於特徵化微影光罩的方法與裝置 - Google Patents

用於特徵化微影光罩的方法與裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI675252B
TWI675252B TW107120049A TW107120049A TWI675252B TW I675252 B TWI675252 B TW I675252B TW 107120049 A TW107120049 A TW 107120049A TW 107120049 A TW107120049 A TW 107120049A TW I675252 B TWI675252 B TW I675252B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
imaging
unit
illumination
item
polarization
Prior art date
Application number
TW107120049A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201907227A (zh
Inventor
霍傑 塞茨
尤特 布特格雷特
湯瑪士 泰勒
湯瑪士 法蘭克
尤瑞奇 馬泰卡
馬可斯 帝俊瑟
羅伯持 伯克尼
多明尼克 葛歐
Original Assignee
德商卡爾蔡司Smt有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 德商卡爾蔡司Smt有限公司 filed Critical 德商卡爾蔡司Smt有限公司
Publication of TW201907227A publication Critical patent/TW201907227A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI675252B publication Critical patent/TWI675252B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70133Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70125Use of illumination settings tailored to particular mask patterns
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566Polarisation control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591Testing optical components
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95676Masks, reticles, shadow masks

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

本發明關於用以特徵化用於微影的光罩的方法及裝置。在根據本發明的一方法中,預計用於一微影投射曝光裝置中的一微影製程的一光罩的結構由一照明光學單元(610)照明,其中光罩(621)由一成像光學單元(630)成像在一偵測器單元(640)上,其中由偵測器單元(640)所記錄的影像資料在一評估單元(650)中進行評估。在此情況下,為模擬針對在微影投射曝光裝置中的微影製程所預定義的一照明設定,在複數個個別的成像中進行光罩(621)在偵測器單元(640)上的成像,其中複數個個別的成像在照明光學單元(610)中所設定的照明設定方面彼此不同或在成像光學單元(630)中所設定的極化影響效應方面彼此不同。

Description

用於特徵化微影光罩的方法與裝置 【相關專利參照】
本申請案主張2017年7月7日申請的德國專利申請案DE 10 2017 115 262.8的優先權。此申請案的內容以引用的方式併入本文。
本發明關於用於特徵化微影光罩的方法與裝置。本發明適用於尋找缺陷並進一步適用於特徵化光罩上的結構,例如位置決定或決定結構的線寬(CD=「臨界尺寸(critical dimension)」)及確定製程窗口(例如藉由根據劑量及散焦來決定線寬)。
微影用以產生微結構組件,例如積體電路或LCDs。微影製程在所謂的投射曝光裝置中進行,其包含照明裝置及投射透鏡。經由照明裝置所照明的光罩(遮罩)的影像在此情況下由投射透鏡投射到塗有光敏感層(光阻劑)並配置在投射透鏡的影像平面中的基板(例如矽晶圓)上,以將光罩結構轉移至基板的光敏感塗層。
在微影製程中,光罩上不想要的缺陷具有特別不利的效果,因為它們在每次的曝光步驟中都可能再現。因此,需要對可能缺陷位置的成像效果的直接分析,以最小化光罩缺陷並實現成功的光罩修復。因 此,需要快速且簡單地量測或驗證光罩,盡可能地準確地如在投射曝光裝置中確實存在的相同條件下。
為此目的,已知在光罩檢查裝置中記錄及評估光罩片段的空間圖像。為了記錄空間圖像,在此情況下,光罩上的待量測結構由照明光學單元照明,其中來自光罩的光經由成像光學單元投射到偵測器單元上並被偵測。
為了在與投射曝光裝置中的條件類似的條件下進行光罩的量測,光罩在光罩檢查裝置中通常以與投射曝光裝置中相同的方式照明,其中,特別是在相同的波長下,在光罩檢查裝置中設定相同的數值孔徑(numerical aperture)以及相同的(若適當的極化)照明設定。
然而,實際上,問題的原因在於,不同於在投射曝光裝置中所進行的晶圓上的成像,在光罩檢查裝置的成像光學單元中將光罩成像至偵測器單元上並不是以縮小的方式發生,而是以非常大的放大方式發生。在相應的投射或成像光學單元中存在如此大不相同的數值孔徑(該數值孔徑在光罩檢查裝置的成像光學單元中幾乎為零)的結果為,關於發生的向量效應,在微影製程中發生的晶圓上的成像與在光罩檢查裝置中發生的偵測器單元上的成像明顯不同。在此情況下,「向量效應(vector effect)」應理解為表示在相應影像平面中發生的電磁輻射的干涉的極性相依性(polarization dependence)。
為了考慮上述問題並決定在微影投射曝光裝置中發生的向量效應並在空間影像產生中將向量效應考慮在內,特別地,已知為使用光罩檢查裝置進行複數個個別的成像,在個別成像期間,不同的極化光學組件位於照明及/或成像光學單元中,且相應產生的影像彼此結合且進行計算。然而,上述程序需要耗費相對較多的時間。
關於現有技術,僅以示例的方式參考DE 10 2004 033 603 A1、DE 10 2004 033 602 A1、DE 10 2005 062 237 A1、DE 10 2007 009 661 A1 及EP 1 615 062 B1。
本發明的一目的為提供用以特徵化用於微影的光罩的方法及裝置,其能夠在考慮微影製程中所給定條件的情況下進行更快速且簡化的量測,包含考慮在微影製程中所發生的向量效應。
此目的藉由根據申請專利範圍獨立項的特徵的方法及相應的裝置來實現。
在用以特徵化用於微影的光罩的本發明方法中,預計用於微影投射曝光裝置中的微影製程的一光罩的結構由一照明光學單元照明,其中光罩由一成像光學單元成像在一偵測器單元上,其中由偵測器單元所記錄的影像資料在一評估單元中進行評估。
根據本發明的一態樣,方法的特徵在於為模擬針對在微影投射曝光裝置中的微影製程所預定義的一照明設定,在複數個個別的成像中進行光罩在偵測器單元上的成像,其中複數個個別的成像在照明光學單元中所設定的(照明)設定方面彼此不同。
本發明特別基於以下的概念:在光罩檢查期間,藉由以適當的方式「分解」在微影製程中所期望或預定義的極化設定,而以顯著降低的量測複雜度以及相對短的時間決定在微影投射曝光裝置中的後來的微影製程中發生的向量效應,只要在光罩檢查裝置的照明光學單元中設定各自具有有利的(例如,恆定線性)極化分布的相互不同的照明設定即可。
在此情況下,在光罩檢查裝置的照明光學單元中所設定的這些(「次(sub-)」)照明設定係選擇使得當其彼此疊加時至少近似地產生在微影製程中所期望的預定義極化照明設定。
使用此方法,本發明利用以下情況:若在各個情況下關於向量效應所要考慮的極化照明設定為具有恆定線性極化方向的照明設定, 則可顯著更簡單且更快速地實現本身為已知且在引言中所描述的向量效應計算。此方法基於以下假設(其通常達到很好的近似值):存在於照明光學單元中的恆定極化方向不再被下游的光罩及光罩檢查裝置中的成像光學單元顯著改變。
因此,本發明特別地與傳統方法背離,其中在傳統方法中,在光罩檢查裝置中的各個情況下,在實際微影製程中所預定義的極化照明設定係設定為相同。相反地,根據本發明,在光罩檢查裝置的照明光學單元中以針對性的方式設定合適的極化照明設定,該照明設定不同於在微影製程中所期望或預定義的極化照明設定,但反過來,能夠更快速、更簡單地計算在微影製程中所預期的向量效應。有利地,選擇這些以使得根據光分布及極化所設定的照明設定的總和近似地或精確地對應在實際微影製程中所預定義的照明設定。
根據一具體實施例,在照明光學單元中所設定的照明設定具有一恆定線性極化分布。
根據一具體實施例,在微影投射曝光裝置中所要設定的照明設定具有一準切向極化分布(quasi-tangential polarization distribution)。
根據一具體實施例,在微影投射曝光裝置中所要設定的照明設定為一四極照明設定或一環形照明設定。
根據一具體實施例,在不修改成像光學單元的情況下進行複數個個別的成像。
根據一具體實施例,在照明光學單元中設定的照明設定具有極化分布,其至少大致地對應於在實際微影製程中所預定義的照明設定的極化分布(例如在照明光瞳的第一區域中的x極化及在照明光瞳的第二區域中的y極化)。接著,可藉由將照明光瞳的選定區域分別地照明(有利地,在一曝光步驟中,這包含照明具有相應極化的所有區域)並使其餘區域變暗來改變在各個曝光步驟中所使用的照明設定。因此,若適當的話,僅需改 變照明的亮度分布,而不改變照明光學單元中所設定的極化分布。
根據一具體實施例,用於個別成像的不同照明設定由配置在照明光學單元中的一極化影響光學元件的區域來設定,其中光在相應的個別成像期間從該區域傳遞到光罩,其選擇為針對個別成像為彼此不同。
在本發明的具體實施例中,可藉由交換或移動或移置至少一光闌來改變亮度分布。
在本發明的其他具體實施例中,可使用微鏡陣列來改變亮度分布。這具有可特別快速地改變亮度分布的優點。
根據一具體實施例,藉由交換或移置光闌來針對照明光學單元中的個別成像設定不同的照明設定或改變亮度分布。
根據另一具體實施例,使用包含可彼此獨立設定的多個反射鏡元件的一反射鏡配置來針對照明光學單元中的個別成像設定不同照明設定或改變亮度分布。在其他具體實施例中,根據本發明,也可使用一可主動成形的光源(例如使用LCDs或LEDs)來設定不同的照明設定或改變用於個別成像的亮度分布。
根據另一具體實施例,設定一照明設定,其大致地或精確地對應在實際微影製程中所預定義的極化照明設定(例如在照明光瞳的第一區域中的x極化以及在照明光瞳的第二區域中的y極化)。此外,可接著引入一線性極化器到照明光束路徑中,其中例如在一曝光步驟中只有光的x極化部分傳遞到光罩,且在另一曝光步驟中只有光的y極化部分傳遞到光罩。因此,在不改變成像光學單元且不改變「實際」照明光學單元的情況下進行複數個個別成像。
根據另一具體實施例,在所有個別成像期間,使用相同的極化照明設定來照明光罩(例如,在照明光瞳的第一區域中的x-極化及在照明光瞳的第二區域中的y-極化)。接著,可將相應的線性極化器引入到成像光束路徑中,其中例如在一曝光步驟中只有光的x極化部分傳遞到偵測器, 且在另一曝光步驟中只有光的y極化部分傳遞到偵測器。因此,在不改變照明光學單元的情況下進行複數個個別成像。
根據一具體實施例,以大約或精確對應在實際微影製程中所預定義的極化照明設定的極化照明設定來照明光照(例如在照明光瞳的第一區域中的x極化及在照明光瞳的第二區域中的y極化)。在成像光束路徑中,定位有合適的光學元件(例如極化分光器立方體、若雄稜鏡(Rochon prism)或渥拉斯頓稜鏡(Wollaston prism)),其例如將光的x極化部分導向至第一偵測器上,並將光的y極化部分導向至第二偵測器上或至第一偵測器的不同區域上。因此,在不修改照明光學單元並僅用單次曝光的情況下進行複數個個別的成像。儘管在上述的具體實施例中已分別參照了「x極化」及「y極化」,但本發明並不侷限於此,而是也可應用於在照明光瞳的第一區域及第二區域中的其他相互不同的極化分布。
根據一具體實施例,在個別成像期間由偵測器單元所記錄的影像資料的評估期間,在各個情況下進行該影像資料的轉換,該影像資料在轉換期間進行一極化相依加權(polarization-dependent weighting)。在此情況下,針對在個別成像期間所設定的照明設定,可考慮微影投射曝光裝置在晶圓級的操作期間所發生的電磁輻射的干涉的極化相依性(向量效應)。
根據一具體實施例,在轉換後,加入、以加權的方式加入、平均、或以加權的方式平均在個別成像期間由偵測器單元所記錄的影像資料。
根據另一態樣,本發明也關於用以特徵化用於微影的一光罩的方法,其中預計用於微影投射曝光裝置中的微影製程的一光罩的結構由一照明光學單元照明,且其中光罩藉由一成像光學單元成像到至少一偵測器單元上,其中由偵測器單元所記錄的影像資料在一評估單元中進行評估,- 其中為模擬針對在微影投射曝光裝置中的微影製程所預定義的一照明 設定,在複數個個別的成像中進行光罩在至少一偵測器單元上的成像,其中複數個個別的成像在照明光學單元中所設定的照明設定方面彼此不同或在成像光學單元的極化影響效應方面彼此不同;- 其中在個別成像期間由至少一偵測器單元所記錄的影像資料的評估期間,在各個情況下進行影像資料的一轉換,該影像資料在轉換期間進行一極化相依加權;以及- 其中在轉換後,加入、以加權的方式加入、平均、或以加權的方式平均在個別成像期間由至少一偵測器單元所記錄的影像資料。
在此情況下,同樣地,在影像資料的轉換期間,針對在個別成像期間所設定的照明設定,可考慮微影投射曝光裝置在晶圓級的操作期間所發生的電磁輻射干擾的極化相依性(向量效應)。
在此情況下,個別成像在有關照明光學單元中所設定的照明設定方面彼此不同的措詞應理解為也包含在個別成像中的各個照明設定具有相互不同的極化分布但強度分布為相同的情況。
根據一具體實施例,至少兩個相互不同的偵測器單元或一偵測器單元的至少兩個不同區域在個別成像期間用以記錄影像資料。
根據一具體實施例,在此情況下,藉由至少兩個相互不同的偵測器單元或藉由一偵測器單元的至少兩個不同區域同時地記錄具有不同極化特性的光部分。
本發明更關於用以特徵化用於微影的一光罩的裝置,其包含用以照明光罩上結構的一照明光學單元、一偵測器單元、用以將光罩成像至偵測器單元上的一成像光學單元、以及用以評估由偵測器單元所記錄的影像資料的一評估單元,其中裝置係組態以執行具有前文所描述特徵的方法。
有關裝置的優點及較佳組態,參考與根據本發明的方法相關的以上解釋。
可從詳細描述及申請專利範圍附屬項了解本發明的其他組態。
下文將基於附圖中所示的範例具體實施例更詳細地解釋本發明。
101‧‧‧極化分布
102‧‧‧強度分布
110‧‧‧照明設定
120‧‧‧照明設定
201‧‧‧極化分布
210‧‧‧照明設定
220‧‧‧照明設定
405‧‧‧λ/2板
410‧‧‧極化分光器立方體
510‧‧‧照明設定
520‧‧‧照明設定
600‧‧‧光罩檢查裝置
601‧‧‧光源
610‧‧‧照明光學單元
620‧‧‧光罩保持器
621‧‧‧光罩
630‧‧‧成像光學單元
640‧‧‧偵測器單元
650‧‧‧評估單元
在圖式中:圖1到圖5顯示用以說明根據本發明的方法的不同具體實施例的示意圖;以及圖6顯示用以說明可在根據本發明的方法中使用的裝置的範例構造的示意圖。
圖6顯示本發明可實現於其中的光罩檢查裝置600的一可能架構。
根據圖6,在光罩檢查裝置600中,光罩621架設在光罩保持器620上。光罩621上的待量測結構經由照明光學單元610而由光源601所產生的照明光照明。來自光罩621的光由成像光學單元630成像至偵測器單元640上並進行偵測。在評估單元650中評估由偵測器單元640所記錄的影像資料,以決定結構的位置。
現在將在下文中參考圖1等描述用以在一光罩檢查裝置(例如具有圖6所示的架構)中量測一光罩的根據本發明的方法的不同具體實施例。這些具體實施例在各個情況下的共同點在於,在光罩檢查裝置600的照明光學單元610中,未設定針對實際微影製程所預定義的期望極化照明設定,舉例來說,而是以相互不同的照明設定進行複數個個別的成像。
接著,選擇作為個別成像的基礎的這些照明設定,使得它 們首先「總結地」產生微影製程的預定義極化照明設定,但接著每一個都能夠自己對相關的向量效應進行特別簡單且快速的計算,其中相關的向量效應在設定極化照明設定的情況下對投射曝光裝置中的微影製程是預期中的或需被考慮的。
特別地,在下文所述的所有具體實施例中針對微影製程所預定義的極化照明設定為準切向(quasi-tangential)照明設定,其中相應的強度分布可根據具體實施例的不同而不同,如下文所述。
在各個具體實施例中作為相應個別成像的基礎的照明設定的每一者都具有恆定的線性極化分布,並藉由「分解」該準切向照明設定來確定,使得其「總結」或疊加後產生相關的準切向照明設定。
參考根據圖1a-1d所示的範例具體實施例,針對微影製程所預定義的極化照明設定為準切向四極照明設定,其中圖1a顯示極化分布101且圖1b顯示強度分布102。
圖1c及1d根據上述的「分解」顯示作為個別成像的基礎的照明設定110、120,其中在圖1c所示的第一個別成像中設定一偶極設定,其具有在x方向上彼此相對且極化方向在y方向上延伸的照明極,且在圖1d所示的第二個別成像中設定另一偶極設定,其具有在y方向上彼此相對且極化方向在x方向上延伸的照明極。照明設定110、120因此首先「總結地」產生根據圖1a-1b的準切向四極照明設定,其次,由於恆定線性極化分布,還能夠以本身已知的方式快速且簡單地計算微影製程中要考慮的相應向量效應,而不需要在圖6的成像光學單元630中使用額外的極化光學元件。
圖1c及圖1d所示之作為個別成像的基礎的照明設定可使用照明光學單元610中的相應光闌或透過可彼此獨立地調整以設定所需照明設定的個別元件(例如個別的反射鏡)的配置來設定(例如參考DE 10 2013 212 613 B4)。為了產生相應的極化分布,有可能使用任何合適的極化影響元件,其分別產生圖1c及圖1d所示的極化分布。或者,也有可能在兩次曝 光之間使用旋轉90°的線性極化器。
在偵測器單元640中偵測在根據圖1c-1d的個別成像期間所分別獲得的量測影像之後,首先根據本身已知的方法將在微影製程中預期的相關向量效應加入到相應的影像資料,然後將就向量效應而言相應地校正的量測資料加入到整體影像。將影像資料加入到整體影像較佳為藉由對在沒有光罩結構的情況下所獲得的強度值進行歸一化而以「能量歸一化(energy-normalized)」方式進行並以適當定位的偵測器方向來確定,以消除光學特定效應,例如相機不均勻性。就此而言,關於現有技術,參考EP 1 615 062 B1。
圖2a-2b顯示用以說明另一具體實施例的示意圖,其中此處針對微影製程所預定義的極化照明設定為準切向類星體(quasar)照明設定,其具有分別相對x方向及y方向旋轉45°角的照明極。根據本發明,此處以類似於圖1a-1d中的範例具體實施例的方式,將在各個情況下具有分別相對x方向及y方向以45°延伸的恆定線性極化方向的相應偶極照明設定210及220作為個別成像的基礎。為了產生相應的極化分布,有可能使用產生圖2a中所示的極化分布201的合適的極化影響元件。或者,也有可能使用在兩次曝光之間旋轉90°的線性極化器,其中相應的照明極可經由光闌或包含可彼此獨立調整的元件(例如反射鏡)的配置而產生。
圖5a-5b顯示用以說明另一具體實施例的示意圖,其與圖1a-1d中的具體實施例的不同之處在於,針對微影製程所預定義的極化照明設定額外地包含非極化區域或照明極(其中根據圖5a的該非極化區域僅以示例的方式位在光瞳中心)。
圖5b及圖5c分別顯示照明設定510及520,其根據本發明作為在光罩檢查裝置600中所進行的個別成像的基礎。在此情況下,根據圖5b,除了在y方向上彼此相對且極化方向在x方向上延伸的照明極之外,也在微影製程中需要非極化光的區域中產生具有在x方向上延伸的極化方向 的恆定線性極化分布(其中在此光瞳區域中的強度降低到實際需要值的50%)。類似地,在圖5c中的照明設定520中,除了具有y極化之在x方向上彼此相對的照明極之外,也在微影製程中需要非極化光的區域中產生具有沿y方向延伸的極化方向的恆定線性極化分布。這利用了以下的事實:在隨後加入影像資料(其藉由加入相應的向量效應來校正,類似於上述具體實施例)時,結果為彼此正交極化的區域的疊加將產生非極化光。
在本發明的具體實施例中,在各個情況下作為前文中參照圖1c-1d、圖2c-2d及圖5c-5d所描述的具體實施例的本發明的個別成像的基礎的具有恆定線性極化方向的極化照明設定可藉由已設計用於產生準切向極化分布(例如根據圖1a的極化分布101)的極化器元件來設定,其永久地保持在照明光學單元610的照明光束路徑中,但在各個情況下僅被部分地照明(亦即,僅在個別成像所需的照明極中)。
在進一步的具體實施例中,在各個情況下作為根據本發明的個別成像的基礎的具有恆定線性極化方向的極化照明設定也可由極化器來設定,其中極化器在各個情況下設計用以產生在照明光學單元610的照明光束路徑中相應地旋轉的線性起始極化。
本發明並不侷限於在各個情況下作為光罩檢查裝置的照明光學單元中的個別成像的基礎的具有恆定線性極化方向的設定。就此而言,在進一步的具體實施例中,也可藉由相應的分析器在光罩檢查裝置600的成像光學單元630內設定恆定線性極化方向,其中分析器僅允許要通過的相應期望的極化方向引入至成像光學單元的光束路徑。
這樣的實現對於不具有藉由包含可彼此獨立調整的元件(例如反射鏡)的配置來可變地設定照明設定的可能性的光罩檢查裝置可能特別有利,其中可省去使用照明光學單元中的可移置光闌。
因此,除了在照明光學單元中根據本發明改變針對個別成像而設定的照明設定,也有可能在成像光學單元630中使用極化器或分析 器,以實現如下效果:在各個情況下,僅以恆定的線性極化方向進行相關的個別成像。為此目的,例如根據圖3(在根據圖3a-3b之針對微影製程所預定義的準切向四極照明設定的情況下,類似於圖1a-1b及圖2a-2b中的範例具體實施例),在照明光學單元中,有可能根據圖3c以不變的方式為相應的個別成像選擇照明設定。
為了操縱成像光學單元630中的極化,根據圖4a-4b,原則上可根據在成像光學單元所要設定的期望線性極化方向而在光束路徑中使用並旋轉極化分光器立方體410,其中(如圖4a-4b所示)具有相互垂直的極化方向的部分光束分別指向相互不同的空間方向。圖4c-4d顯示用以闡明另一有利組態的示意圖,其中λ/2板405相對於光束路徑配置於極化分光器立方體410的上游。在此情況下,可藉由旋轉λ/2板405(且極化分光器立方體410保持固定)來設定各自所需的極化方向,因為通過這種方式(如圖4c及4d所示),極化方向實際上在進入極化分光器立方體410前旋轉,使得光的極化方向也在從極化分光器立方體410射出時變化。
在此情況下,根據圖4c-4d,λ/2板405(而不是極化分光器立方體410)的旋轉具有相對較小的影像偏移的優點,其基本上是與相關光學元件與精確平面平行幾何之間的製造決定偏差有關。具體地說,由於製造決定的光束偏轉而造成的這種影像偏移在λ/2板405的情況下較不明顯,這是因為λ/2板405的厚度顯著較小,使得因此在相應的極化照明設定的設定中獲得了更高的準確度。
在另一具體實施例中,根據圖4b或圖4c,也有可能將單獨的偵測器單元分配給從極化分光器立方體410出現的兩個部分光束中的每一個,其結果為可同時實現並量測與這些極化方向相關的個別成像,因此可有利地進一步提高量測速度。
即使已基於特定的具體實施例描述了本發明,但許多變化及替代具體實施例對熟此技藝者而言是顯而易見的,例如藉由組合及/或交 換個別具體實施例的特徵。因此,對熟此技藝者而言,不言而喻地,本發明也同時涵蓋這類變化及替代具體實施例,且本發明的範疇僅在附隨的申請專利範圍及其均等物的含意內受到限制。

Claims (14)

  1. 一種用以特徵化用於微影的一光罩的方法,其中預計用於一微影投射曝光裝置中的一微影製程的一光罩的多個結構由一照明光學單元照明,且其中該光罩藉由一成像光學單元成像至一偵測器單元上,其中由該偵測器單元所記錄的影像資料在一評估單元中進行評估,其特徵在於:為模擬針對在該微影投射曝光裝置中的該微影製程所預定義的一照明設定,在複數個個別的成像中進行該光罩在該偵測器單元上的成像,該複數個個別的成像在該照明光學單元中所設定的該照明設定方面彼此不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法,其特徵在於在該照明光學單元中所設定的該等照明設定各具有一恆定線性極化分布。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法,其特徵在於在該微影投射曝光裝置中所要設定的該照明設定具有一準切向極化分布。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法,其特徵在於在該微影投射曝光裝置中所要設定的該照明設定為一四極照明設定或一環形照明設定。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法,其特徵在於在不修改該成像光學單元的情況下進行該複數個個別的成像。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法,其特徵在於用於該等個別成像的多個不同照明設定由配置在該照明光學單元中的一極化影響 光學元件的多個區域來設定,其中光在該相應的個別成像期間從該等區域傳遞到該光罩,其選擇為針對該等個別成像為彼此不同。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法,其特徵在於用於該等個別成像的多個不同照明設定係藉由交換或移置該照明光學單元中的至少一光闌來設定。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法,其特徵在於用於該等個別成像的多個不同照明設定係藉由使用包含可彼此獨立設定的多個反射鏡元件的一反射鏡配置來設定。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法,其特徵在於在該等個別成像期間由該偵測器單元所記錄的該影像資料的該評估期間,在各個情況下進行該影像資料的一轉換,該影像資料在該轉換期間進行一極化相依加權。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法,其特徵在於在該轉換後,加入、以加權的方式加入、平均、或以加權的方式平均在該等個別成像期間由該偵測器單元所記錄的該影像資料。
  11. 一種用以特徵化用於微影的一光罩的方法,其中預計用於一微影投射曝光裝置中的一微影製程的一光罩的多個結構由一照明光學單元照明,且其中該光罩藉由一成像光學單元成像到至少一偵測器單元上,其中由該偵測器單元所記錄的影像資料在一評估單元中進行評估,其特徵在於: 為模擬針對在該微影投射曝光裝置中的該微影製程所預定義的一照明設定,在複數個個別的成像中進行該光罩在該至少一偵測器單元上的成像,該複數個個別的成像在該照明光學單元中所設定的該照明設定方面彼此不同或在該成像光學單元的極化影響效應方面彼此不同;其中在該等個別成像期間由該至少一偵測器單元所記錄的該影像資料的該評估期間,在各個情況下進行該影像資料的一轉換,該影像資料在該轉換期間進行一極化相依加權;以及其中在該轉換後,加入、以加權的方式加入、平均、或以加權的方式平均在該等個別成像期間由該至少一偵測器單元所記錄的該影像資料。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法,其特徵在於至少兩個相互不同的偵測器單元或一偵測器單元的至少兩個不同區域用以在該等個別成像期間記錄該影像資料。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法,其特徵在於在此情況下,藉由至少兩個相互不同的偵測器單元或藉由一偵測器單元的至少兩個不同區域同時地記錄具有多個不同極化特性的多個光部分。
  14. 一種用以特徵化用於微影的一光罩的裝置,其包含用以照明該光罩上多個結構的一照明光學單元、一偵測器單元、用以將該光罩成像至該偵測器單元上的一成像光學單元、以及用以評估由該偵測器單元所記錄的該影像資料的一評估單元,其特徵在於:該裝置組態以執行前述申請專利範圍的任一項所述的一方法。
TW107120049A 2017-07-07 2018-06-11 用於特徵化微影光罩的方法與裝置 TWI675252B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??102017115262.8 2017-07-07
DE102017115262.8 2017-07-07
DE102017115262.8A DE102017115262B9 (de) 2017-07-07 2017-07-07 Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201907227A TW201907227A (zh) 2019-02-16
TWI675252B true TWI675252B (zh) 2019-10-21

Family

ID=64666216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107120049A TWI675252B (zh) 2017-07-07 2018-06-11 用於特徵化微影光罩的方法與裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10698318B2 (zh)
KR (1) KR102195269B1 (zh)
CN (1) CN109212896B (zh)
DE (1) DE102017115262B9 (zh)
TW (1) TWI675252B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018124314B9 (de) 2018-10-02 2020-12-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Bestimmung der Belichtungsenergie bei der Belichtung eines Elements in einem optischen System, insbesondere für die Mikrolithographie
DE102018221647B3 (de) 2018-12-13 2020-06-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Detektionseinrichtung zur Erfassung einer Struktur auf einem Flächenabschnitt einer Lithografiemaske sowie Vorrichtung und Verfahren mit einer derartigen Detektionseinrichtung
DE102019123741A1 (de) * 2019-09-04 2021-03-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie
DE102020123615B9 (de) * 2020-09-10 2022-04-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie
DE102021113780B4 (de) * 2021-05-27 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Charakterisierung einer Maske für die Mikrolithographie

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200941147A (en) * 2007-12-26 2009-10-01 Canon Kk Exposure apparatus, detection method, and method of manufacturing device
US20140055788A1 (en) * 2004-08-16 2014-02-27 Asml Netherlands B.V. Method and Apparatus for Angular-Resolved Spectroscopic Lithography Characterization
WO2016096351A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for using patterning device topography induced phase

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW587199B (en) * 1999-09-29 2004-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic method and apparatus
KR101484435B1 (ko) * 2003-04-09 2015-01-19 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7292315B2 (en) * 2003-12-19 2007-11-06 Asml Masktools B.V. Optimized polarization illumination
EP1586946A3 (en) * 2004-04-14 2007-01-17 Carl Zeiss SMT AG Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102004033602A1 (de) 2004-07-08 2006-02-16 Carl Zeiss Sms Gmbh Abbildungssystem zur Emulation hochaperturiger Scannersysteme
DE102004033603A1 (de) * 2004-07-08 2006-02-16 Carl Zeiss Sms Gmbh Mikroskopisches Abbildungssystem und Verfahren zur Emulation eines hochaperturigen Abbildungssystems, insbesondere zur Maskeninspektion
US7537870B2 (en) * 2005-08-05 2009-05-26 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Lithography process optimization and system
DE102005062237A1 (de) 2005-12-22 2007-07-05 Carl Zeiss Jena Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Untersuchung des Abbildungsverhaltens einer Abbildungsoptik
JP4957058B2 (ja) * 2006-04-12 2012-06-20 大日本印刷株式会社 回折光学素子、および該素子を備えた露光装置
DE102007009661A1 (de) 2006-08-31 2008-03-13 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur ortsaufgelösten Bestimmung der Phase und Amplitude des elektromagnetischen Feldes in der Bildebene einer Abbildung eines Objektes
WO2008061681A2 (de) * 2006-11-21 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die projektions-mikrolithografie sowie mess- und überwachungsverfahren für eine derartige beleuchtungsoptik
KR101450362B1 (ko) * 2007-04-03 2014-10-14 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 광학계, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광장치의 조명 장치 또는 투영 대물렌즈
US7872731B2 (en) * 2007-04-20 2011-01-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102007055063A1 (de) * 2007-11-16 2009-05-28 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US8040492B2 (en) * 2007-11-27 2011-10-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102008009601A1 (de) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102008049365A1 (de) * 2008-09-26 2010-04-01 Carl Zeiss Sms Gmbh Maskeninspektionsmikroskop mit variabler Beleuchtungseinstellung
DE102009038558A1 (de) 2009-08-24 2011-03-10 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren zur Emulation eines fotolithographischen Prozesses und Maskeninspektionsmikroskop zur Durchführung des Verfahrens
DE102009041405B4 (de) * 2009-09-14 2020-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Maskeninspektionsmikroskop mit variabler Beleuchtungseinstellung
DE102009055184B4 (de) * 2009-12-22 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102010029651A1 (de) 2010-06-02 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit Korrektur von durch rigorose Effekte der Maske induzierten Abbildungsfehlern
DE102010029905A1 (de) * 2010-06-10 2011-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102010063337B9 (de) * 2010-12-17 2020-05-07 Carl Zeiss Ag Verfahren zur Maskeninspektion sowie Verfahren zur Emulation von Abbildungseigenschaften
NL2008009A (en) * 2011-02-02 2012-08-06 Asml Netherlands Bv Illumination system, lithographic apparatus and method.
DE102011113940A1 (de) 2011-09-12 2013-03-14 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung vonDosis-Änderungen zur Anpassung von Strukturgrößen einer Maske
DE102011085334A1 (de) 2011-10-27 2013-05-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System in einer Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102012214052A1 (de) * 2012-08-08 2014-02-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographisches Belichtungsverfahren, sowie mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102013204445A1 (de) * 2013-03-14 2014-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Vergrößernde abbildende Optik sowie EUV-Maskeninspektionssystem mit einer derartigen abbildenden Optik
DE102013212613B4 (de) 2013-06-28 2015-07-23 Carl Zeiss Sms Gmbh Beleuchtungsoptik für ein Metrologiesystem sowie Metrologiesystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102013107976B4 (de) 2013-07-25 2016-07-28 Carl Zeiss Sms Gmbh Positionsbestimmung von Strukturen auf einer Maske für die Mikrolithographie
JP6917208B2 (ja) * 2017-06-19 2021-08-11 株式会社ニューフレアテクノロジー 偏光イメージ取得装置、パターン検査装置、偏光イメージ取得方法、及びパターン検査方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140055788A1 (en) * 2004-08-16 2014-02-27 Asml Netherlands B.V. Method and Apparatus for Angular-Resolved Spectroscopic Lithography Characterization
TW200941147A (en) * 2007-12-26 2009-10-01 Canon Kk Exposure apparatus, detection method, and method of manufacturing device
WO2016096351A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for using patterning device topography induced phase

Also Published As

Publication number Publication date
US10698318B2 (en) 2020-06-30
DE102017115262B4 (de) 2021-03-18
DE102017115262B9 (de) 2021-05-27
US20190011839A1 (en) 2019-01-10
TW201907227A (zh) 2019-02-16
CN109212896B (zh) 2022-04-12
CN109212896A (zh) 2019-01-15
DE102017115262A1 (de) 2019-01-10
KR102195269B1 (ko) 2020-12-28
KR20190005762A (ko) 2019-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI675252B (zh) 用於特徵化微影光罩的方法與裝置
US10338401B2 (en) Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method
US7864296B2 (en) Exposure apparatus, setting method, and exposure method having the same
JP2004061515A (ja) 光学系による偏光状態への影響を決定する方法及び装置と、分析装置
JP2006214856A (ja) 測定装置及び方法
JP2005005521A (ja) 露光装置、露光方法、および偏光状態測定装置
US7573563B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US20080079939A1 (en) Instrument for measuring the angular distribution of light produced by an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP2007048996A (ja) 照明光学装置の調整方法、照明光学装置、露光装置、およびデバイスの製造方法
US11927500B2 (en) Method and device for characterizing the surface shape of an optical element
TWI813018B (zh) 用於特徵化微影光罩的方法與設備
TWI757858B (zh) 特徵化微影光罩的裝置和方法
Nomura et al. In-situ Mueller matrix polarimetry of projection lenses for 193-nm lithography
JP2007263897A (ja) 偏光計測装置の校正方法及び装置、偏光計測装置及び該装置を備えた露光装置、並びに位相遅れ量の計測方法及び波長板
JP2006179660A (ja) 偏光測定装置、偏光測定方法、露光装置、および露光方法
US7999916B2 (en) Microlithographic projection exposure apparatus
JP2007533128A (ja) 多重露光を用いた基板のパターニング方法
TWI815479B (zh) 用於微影光罩之特徵化的方法與裝置
KR102535147B1 (ko) 리소그래피 방법 및 장치
JP2006266817A (ja) 表面検査装置
JP2007214163A (ja) 偏光特性計測装置、偏光特性計測方法、露光装置、計測用部材、およびデバイス製造方法
JP5930350B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系を調節する方法
JPH04151662A (ja) 位相差測定装置及び方法