JP2017113751A - 結晶子径を制御された微粒子の製造方法 - Google Patents

結晶子径を制御された微粒子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017113751A
JP2017113751A JP2016252312A JP2016252312A JP2017113751A JP 2017113751 A JP2017113751 A JP 2017113751A JP 2016252312 A JP2016252312 A JP 2016252312A JP 2016252312 A JP2016252312 A JP 2016252312A JP 2017113751 A JP2017113751 A JP 2017113751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluid
substance
raw material
processing
deposited
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016252312A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017113751A5 (ja
Inventor
志保 青柳
Shiho Aoyanagi
志保 青柳
加永子 荒木
Kaeko Araki
加永子 荒木
昌輝 前川
Masateru Maeikawa
昌輝 前川
淳 倉木
Atsushi Kuraki
淳 倉木
榎村　眞一
Shinichi Enomura
眞一 榎村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
M Technique Co Ltd
Original Assignee
M Technique Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by M Technique Co Ltd filed Critical M Technique Co Ltd
Publication of JP2017113751A publication Critical patent/JP2017113751A/ja
Publication of JP2017113751A5 publication Critical patent/JP2017113751A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D9/00—Crystallisation
    • B01D9/02—Crystallisation from solutions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D9/00—Crystallisation
    • B01D9/0063—Control or regulation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D9/00—Crystallisation
    • B01D9/005—Selection of auxiliary, e.g. for control of crystallisation nuclei, of crystal growth, of adherence to walls; Arrangements for introduction thereof
    • B01D9/0054—Use of anti-solvent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/18—Stationary reactors having moving elements inside
    • B01J19/1887—Stationary reactors having moving elements inside forming a thin film
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B15/00—Obtaining copper
    • C22B15/0063—Hydrometallurgy
    • C22B15/0084—Treating solutions
    • C22B15/0089—Treating solutions by chemical methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00051—Controlling the temperature
    • B01J2219/00074—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids
    • B01J2219/00076—Controlling the temperature by indirect heating or cooling employing heat exchange fluids with heat exchange elements inside the reactor
    • B01J2219/00085—Plates; Jackets; Cylinders
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00164—Controlling or regulating processes controlling the flow
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
    • B01J2219/00177—Controlling or regulating processes controlling the pH

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Mixers With Rotating Receptacles And Mixers With Vibration Mechanisms (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Accessories For Mixers (AREA)

Abstract

【課題】結晶子径を制御された微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】被析出物質を含む原料流体と上記被析出物質を析出させるための物質を含む析出流体との、少なくとも２種類の被処理流動体を、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面間にできる薄膜流体中で混合し、結晶子径が制御された被析出物質を析出させる。その際、処理用面間に導入される被処理流動体に関する特定の条件を変化させて、被析出物質の結晶子径を制御する。上記特定の条件は、原料流体に含まれる被析出物質及び／又は析出流体に含まれる物質の種類と、原料流体に含まれる被析出物質及び／又は析出流体に含まれる物質の濃度と、原料流体及び／又は析出流体のｐＨと、原料流体及び／又は析出流体の導入温度と、原料流体及び／又は析出流体の導入速度とからなる群から選択された少なくとも２種とする。【選択図】図７

Description

本発明は結晶子径を制御された微粒子の製造方法に関する。
近年、微粒子は、光学材料、磁性材料、導電材料、電子材料、機能性セラミックス、蛍光材料、触媒材料、化学材料など、産業分野において多方面で幅広く使用されている。商品の多機能化や小型化などへの要求に伴って、出来るだけ多くの機能を詰め込み、且つ今より小型、軽量にすることが課題となっており、それらのニーズに応えるために微粒子が必要とされている。また微粒子化することによって粒子が活性となることや透明性が高くなるなど、新たな物性を獲得することができる。しかし、例えば誘導体薄膜に用いられるチタン酸バリウムなどでは、微粒子における結晶子径が小さくなりすぎると目的とする物性が得られないなど、結晶子径と微粒子の特性とは密接な関係があることが知られている。そのため、微粒子についてはその粒子径を制御するだけでなく、結晶子径を制御することが必要とされている。
一般に結晶子とは、単結晶とみなせる最大の集まりのことをいい、その結晶子の大きさのことを結晶子径という。結晶子径の測定方法には、電子顕微鏡を用いて結晶子の格子縞を確認する方法と、Ｘ線回折装置を用いて回折パターンとＳｃｈｅｒｒｅｒの式より結晶子径を算出する方法とがある。
結晶子径 Ｄ＝Ｋ・λ／（β・ｃｏｓθ） ・・・Ｓｃｈｅｒｒｅｒの式
ここで、ＫはＳｃｈｅｒｒｅｒ定数であり、Ｋ＝０．９とする。λは使用したＸ線管球の波長、βは半値幅、θは回折角を用いて算出する。
微粒子の結晶子径の制御方法については、金属単体、金属イオン、金属化合物やそれらを溶媒に溶解した金属溶液を、特許文献１に示したようなソルボサーマル法に供する方法や、特許文献２〜４で示したような亜臨界または超臨界状態で水熱処理する方法や不活性雰囲気下で熱処理する方法などが挙げられるが、これらの方法では耐熱性、耐圧力性に優れた装置や不活性雰囲気下であることを必要とし、さらに処理に時間を要するため、エネルギーコストが高くなるなどの問題点がある。
また、本願出願人によって特許文献５に示す微粒子の製造方法が提供され、粒子径の制御については開示されたが、結晶子径の制御方法については具体的に開示されていなかった。
特開２００８−３０９６６号公報 特開２００８−２８９９８５号公報 特開２０１０−２４４７８号公報 特開２０１１−１１９５６号公報 特開２０１０−２０１３４４号公報
本発明は上記に鑑み、結晶子径を制御された微粒子の製造方法を提供することを課題とする。
本発明者は鋭意検討の結果、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面間において、被処理流動体として被析出物質を少なくとも１種類含む原料流体と、上記被析出物質を析出させるための物質を少なくとも１種類含む析出流体とを混合して、被析出物質の微粒子を析出させる際に、上記原料流体と析出流体との少なくともいずれか一方に関する特定の条件を変化させることによって、結晶子径を制御された被析出物質の微粒子が得られることを見出し、本発明を完成させた。
本発明は、少なくとも２種類の被処理流動体を用いるものであり、そのうちで少なくとも１種類の被処理流動体は、被析出物質を少なくとも１種類含む原料流体であり、上記以外の被処理流動体で少なくとも１種類の被処理流動体は、上記被析出物質を析出させるための物質を少なくとも１種類含む析出流体であり、上記の被処理流動体を、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間にできる薄膜流体中で混合し、結晶子径を制御された被析出物質を析出させる微粒子の製造方法において、上記少なくとも２つの処理用面間に導入される上記原料流体と上記析出流体との少なくとも何れか一方に関する特定の条件を変化させることによって、上記被析出物質の結晶子径を制御するものであり、上記特定の条件が、上記原料流体に含まれる少なくとも１種類の被析出物質と上記析出流体に含まれる少なくとも１種類の物質とのうちの少なくともいずれか一方の物質の種類と、上記原料流体に含まれる少なくとも１種類の被析出物質と上記析出流体に含まれる少なくとも１種類の物質とのうちの少なくともいずれか一方の物質の濃度と、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐHと、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入温度と、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度とからなる群から選択された少なくとも２種であることを特徴とする、微粒子の製造方法を提供する。
上記少なくとも２つの処理用面間に導入される原料流体と析出流体との少なくともいずれか一方に関する特定の条件を変化させることにおいて、具体的には、（Ａ）上記原料流体に含まれる被析出物質及び／又は上記析出流体に含まれる上記被析出物質を析出させるための物質の種類の制御と、（Ｂ）上記原料流体に含まれる被析出物質及び／又は上記析出流体に含まれる上記被析出物質を析出させるための物質の濃度の制御と、（Ｃ）上記原料流体及び／又は上記析出流体のｐHの制御と、（Ｄ）上記原料流体及び／又は上記析出流体の導入温度の制御と、（Ｅ）上記原料流体及び／又は上記析出流体の導入速度の制御とがあり、それぞれの制御方法については、下記の（１）〜（１５）を挙げることができる。そして、（１）〜（１５）のうちの少なくとも２種を選択し、夫々組合せて実施することができる。
（Ａ）原料流体に含まれる被析出物質及び／又は析出流体に含まれる被析出物質を析出させるための物質の種類の制御
（１）少なくとも１種の原料流体について、被析出物質の種類を変化させる。
（２）少なくとも１種の析出流体について、被析出物質を析出させるための物質の種類を変化させる。
（３）少なくとも１種の原料流体中の被析出物質と、少なくとも１種の析出流体中の被析出物質を析出させるための物質の双方について、種類を変化させる。
（Ｂ）原料流体に含まれる被析出物質及び／又は析出流体に含まれる被析出物質を析出させるための物質の濃度の制御
（４）少なくとも１種の原料流体について、被析出物質の濃度を変化させる。
（５）少なくとも１種の析出流体について、被析出物質を析出させるための物質の濃度を変化させる。
（６）少なくとも１種の原料流体中の被析出物質と、少なくとも１種の析出流体中の被析出物質を析出させるための物質の双方について、濃度を変化させる。
（Ｃ）原料流体及び／又は析出流体のｐＨの制御
（７）少なくとも１種の原料流体について、ｐHを変化させる。
（８）少なくとも１種の析出流体について、ｐHを変化させる。
（９）少なくとも１種の原料流体と、少なくとも１種の析出流体の双方について、ｐHを変化させる。
（Ｄ）原料流体及び／又は析出流体の導入温度の制御
（１０）少なくとも１種の原料流体について、導入温度を変化させる。
（１１）少なくとも１種の析出流体について、導入温度を変化させる。
（１２）少なくとも１種の原料流体と、少なくとも１種の析出流体の双方について、導入温度を変化させる。
（Ｅ）原料流体及び／又は析出流体の導入速度の制御
（１３）少なくとも１種の原料流体について、導入速度を変化させる。
（１４）少なくとも１種の析出流体について、導入速度を変化させる。
（１５）少なくとも１種の原料流体と、少なくとも１種の析出流体の双方について、導入速度を変化させる。
また、本発明は、上記被析出物質の粒子径を変化させず、上記被析出物質の結晶子径のみを変化させるものとして実施することができる。
また、本発明は、上記被析出物質の粒子径と、上記被析出物質の結晶子径とを、ともに変化させるものとして実施することができる。
また、本発明は、少なくとも２種類の被処理流動体を用いるものであり、そのうちで少なくとも１種類の被処理流動体は、被析出物質を少なくとも１種類含む原料流体であり、上記以外の被処理流動体で少なくとも１種類の被処理流動体は、上記被析出物質を析出させるための物質を少なくとも１種類含む析出流体であり、上記の被処理流動体を、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間に出来る薄膜流体中で混合し、結晶子径を制御された被析出物質を析出させる微粒子の製造方法において、上記少なくとも２つの処理用面間に導入される上記原料流体と上記析出流体との少なくとも何れか一方に関する特定の条件を変化させることによって、被析出物質の結晶子径を制御するものであり、上記特定の条件が、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐＨと、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入温度と、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度とからなる群から選択された少なくとも１種であるものとして実施することができる。
上記本発明の実施の態様の単なる一例を示せば、被処理流動体に圧力を付与する流体圧付与機構と、上記少なくとも２つの処理用面のうちの第１処理用面を備えた第１処理用部と、上記少なくとも２つの処理用面のうちの第２処理用面を備えた第２処理用部と、これらの処理用部を相対的に回転させる回転駆動機構とを備え、上記の各処理用面は、上記の圧力が付与された被処理流動体が流される、密封された流路の一部を構成するものであり、上記第１処理用部と第２処理用部のうち、少なくとも第２処理用部は受圧面を備えるものであり、且つ、この受圧面の少なくとも一部が上記第２処理用面により構成され、この受圧面は、上記の流体圧付与機構が被処理流動体に付与する圧力を受けて第１処理用面から第２処理用面を離反させる方向に移動させる力を発生させ、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する第１処理用面と第２処理用面との間に上記の圧力が付与された被処理流動体が通されることにより、上記被処理流動体が上記薄膜流体を形成し、この薄膜流体中において結晶子径を制御された被析出物質を析出させる微粒子の製造方法として実施することができる。
また、上記本発明の実施の態様の単なる一例を示せば、上記の被処理流動体のうちの少なくともいずれか１種の流体が上記薄膜流体を形成しながら上記両処理用面間を通過し、上記少なくともいずれか１種の流体が流される流路とは独立した別途の導入路を備えており、上記第１処理用面と第２処理用面の少なくとも何れか一方が、上記の導入路に通じる開口部を少なくとも一つ備え、上記少なくともいずれか１種の流体とは異なる少なくとも１種の流体を、上記開口部から上記処理用面の間に導入し、上記の被処理流動体を上記薄膜流体中で混合し、この薄膜流体中において結晶子径を制御された被析出物質を析出させる微粒子の製造方法として実施することができる。
本発明は、従来の製造方法では困難であった、微粒子の結晶子径の制御を可能とし、結晶子径を制御された微粒子を簡単かつ連続的に製造することを可能とした。また、特定の条件を変化させるという簡単な処理条件の変更によって、得られる微粒子の結晶子径を制御することが可能となったため、これまで以上に低コスト、低エネルギーで目的に応じた異なる結晶子径の微粒子を作り分けることが可能となり、安価かつ安定的に目的とする結晶子径の微粒子を提供することができる。さらに、本発明においては、微粒子の粒子径と結晶子径とを同時に変化させることができ、また、粒子径を変化させずに結晶子径のみを変化させることができるため、所望する粒子径の微粒子に目的とする特性を付与させることが可能である。
本発明の実施の形態に係る流体処理装置の略断面図である。 （Ａ）は図１に示す流体処理装置の第１処理用面の略平面図であり、（Ｂ）は同装置の処理用面の要部拡大図である。 （Ａ）は同装置の第２導入部の断面図であり、（Ｂ）は同第２導入部を説明するための処理用面の要部拡大図である。 実施例１において作製したイットリア安定化ジルコニア微粒子のＴＥＭ写真（倍率５０万倍、フィールドの水平幅５２ｎｍ）である。 実施例２において作製したイットリア安定化ジルコニア微粒子のＴＥＭ写真（倍率５０万倍、フィールドの水平幅５２ｎｍ）である。 実施例３において作製したイットリア安定化ジルコニア微粒子のＴＥＭ写真（倍率５０万倍、フィールドの水平幅５２ｎｍ）である。 実施例４において作製した銅微粒子のＴＥＭ写真（倍率８０万倍、フィールドの水平幅３３．２ｎｍ）である。 実施例５において作製した銅微粒子のＴＥＭ写真（倍率４０万倍、フィールドの水平幅６４．４ｎｍ）である。 実施例６において作製した銅微粒子のＴＥＭ写真（倍率５０万倍、フィールドの水平幅５２ｎｍ）である。
以下に、本発明の実施の形態の一例について、具体的に説明する。
本発明における原料流体は、原料である被析出物質を、後述する溶媒に混合または溶解（以下、単に、溶解とする。）したものである。
本発明における被析出物質は特に限定されないが、有機物や無機物、有機無機の複合物などが挙げられ、例えば、金属元素や非金属元素の単体、またそれらの化合物などが挙げられる。化合物としては、塩、酸化物、水酸化物、水酸化酸化物、窒化物、炭化物、錯体、有機化合物や、それらの水和物や有機溶媒和物などが挙げられる。これらは単一の被析出物質であっても良く、複数以上が混合された混合物であっても良い。
なお、上記の被析出物質は、出発原料として用いられる被析出物質と、後述する析出流体との混合によって析出される被析出物質の状態は同じであっても異なっていてもよい。例えば、出発原料として用いられる被析出物質が金属化合物であって、後述する析出流体との混合によって析出される被析出物質が上記金属化合物を構成する金属単体であってもよく、出発原料として用いられる被析出物質が複数種の金属化合物の混合物であって、後述する析出流体との混合によって析出される被析出物質が、出発原料として用いられる被析出物質である複数種の金属化合物と析出流体に含まれる被析出物質を析出させるための物質とが反応した反応物質であってもよい。さらに、出発原料として用いられる被析出物質が金属単体であって、後述する析出流体との混合によって析出される被析出物質も同じ金属単体であってもよい。
本発明における析出流体は、上記被析出物質を析出させるための物質を少なくとも１種類含むものとする。析出流体としては、後述するような溶媒を単独で用いても良く、上記被析出物質を析出させるための物質として、下記の物質を上記溶媒中に含むものであっても良い。上記物質は特に限定されないが、例えば、塩酸や硫酸、硝酸や王水、トリクロロ酢酸やトリフルオロ酢酸、リン酸やクエン酸、アスコルビン酸などの無機または有機の酸のような酸性物質や、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの水酸化アルカリや、トリエチルアミンやジメチルアミノエタノールなどのアミン類などの塩基性物質、上記の酸性物質や塩基性物質の塩などが挙げられる。また、上記被析出物質を還元することができる還元剤、例えば、金属溶液中に含まれる、金属及び／または金属化合物、好ましくは金属イオンを還元することができる還元剤も挙げられる。上記還元剤は特に限定されないが、ヒドラジンまたはヒドラジン一水和物、ホルムアルデヒド、スルホキシル酸ナトリウム、水素化ホウ素金属塩、水素化アルミニウム金属塩、水素化トリエチルホウ素金属塩、グルコース、クエン酸、アスコルビン酸、タンニン酸、ジメチルホルムアミド、ピロガロール、テトラブチルアンモニウムボロヒドリド、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯ２・Ｈ２Ｏ）、ロンガリットＣ（ＮａＨＳＯ２・ＣＨ２Ｏ・２Ｈ２Ｏ）、金属の化合物またはそれらのイオン、好ましくは遷移金属の化合物またはそれらのイオン（鉄、チタンなど）などが挙げられる。上記に挙げた還元剤には、それらの水和物や有機溶媒和物、または無水物などを含む。これらの被析出物質を析出させるための物質は、それぞれ単体で使用しても良く、複数以上が混合された混合物として使用しても良い。なお、析出流体として上記溶媒を単独で用いる場合には、上記溶媒が、上記被析出物質を析出させるための物質となる。
（溶媒）
本発明における原料流体や析出流体に用いる溶媒としては特に限定されないが、イオン交換水やＲＯ水、純水や超純水などの水や、メタノールやエタノールのようなアルコール系有機溶媒や、エチレングリコールやプロピレングリコール、トリメチレングリコールやテトラエチレングリコール、またはポリエチレングリコールやグリセリンなどのポリオール(多価アルコール)系有機溶媒、アセトンやメチルエチルケトンのようなケトン系有機溶媒、酢酸エチルや酢酸ブチルのようなエステル系有機溶媒、ジメチルエーテルやジブチルエーテルなどのエーテル系有機溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレンなどの芳香族系有機溶媒、ヘキサンや、ペンタンなどの脂肪族炭化水素系有機溶媒などが挙げられる。また上記アルコール系有機溶媒やポリオール系有機溶媒を溶媒として用いた場合には、溶媒そのものが還元剤としても働く利点がある。上記溶媒はそれぞれ単独で使用しても良く、複数以上を混合して使用しても良い。特に、析出流体に関しては、上述の通り、上記溶媒を単独で析出流体として用いることも可能である。言い換えると、上記溶媒は単独であっても被析出物質を析出させるための物質となりうる。
本発明における原料流体及び／又は析出流体には、分散液やスラリーなどの状態のものを含んでいても実施できる。
（流体処理装置）
本発明においては、少なくとも1種類の被析出物質を含む原料流体と、被析出物質を析出させるための、少なくとも1種類の物質を含む析出流体との混合を、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間にできる、薄膜流体中で均一に攪拌・混合する方法を用いて行うことが好ましく、例えば、本願出願人による、特許文献５に示される装置と同様の原理の装置を用いて混合する事によって微粒子を析出させることが好ましい。このような原理の装置を用いる事によって、均一且つ均質に結晶子径が制御された微粒子を作製する事が可能である。
以下、図面を用いて上記流体処理装置の実施の形態について説明する。
図１〜図３に示す流体処理装置は、特許文献５に記載の装置と同様であり、接近・離反可能な少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する処理用部における処理用面の間で被処理物を処理するものであって、被処理流動体のうちの第１の被処理流動体である第１流体を処理用面間に導入し、前記第１流体を導入した流路とは独立し、処理用面間に通じる開口部を備えた別の流路から被処理流動体のうちの第２の被処理流動体である第２流体を処理用面間に導入して処理用面間で上記第１流体と第２流体を混合・攪拌して処理を行う装置である。なお、図１においてＵは上方を、Ｓは下方をそれぞれ示しているが、本発明において上下前後左右は相対的な位置関係を示すに止まり、絶対的な位置を特定するものではない。図２（Ａ）、図３（Ｂ）においてＲは回転方向を示している。図３（Ｂ）においてＣは遠心力方向（半径方向）を示している。
この装置は、被処理流動体として少なくとも２種類の流体を用いるものであり、そのうちで少なくとも１種類の流体については被処理物を少なくとも１種類含むものであり、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面を備え、これらの処理用面の間で上記の各流体を合流させて薄膜流体とするものであり、当該薄膜流体中において上記の被処理物を処理する装置である。この装置は、上述のとおり、複数の被処理流動体を処理することができるが、単一の被処理流動体を処理することもできる。
この流体処理装置は、対向する第１及び第２の、２つの処理用部１０，２０を備え、少なくとも一方の処理用部が回転する。両処理用部１０，２０の対向する面が、夫々処理用面となる。第１処理用部１０は第１処理用面１を備え、第２処理用部２０は第２処理用面２を備える。
両処理用面１，２は、被処理流動体の流路に接続され、被処理流動体の流路の一部を構成する。この両処理用面１，２間の間隔は、適宜変更して実施することができるが、通常は、１ｍｍ以下、例えば０．１μｍから５０μｍ程度の微小間隔に調整される。これによって、この両処理用面１，２間を通過する被処理流動体は、両処理用面１，２によって強制された強制薄膜流体となる。
この装置を用いて複数の被処理流動体を処理する場合、この装置は、第１の被処理流動体の流路に接続され、当該第１被処理流動体の流路の一部を形成すると共に、第１被処理流動体とは別の、第２被処理流動体の流路の一部を形成する。そして、この装置は、両流路を合流させて、処理用面１，２間において、両被処理流動体を混合し、反応させるなどの流体の処理を行なう。なお、ここで「処理」とは、被処理物が反応する形態に限らず、反応を伴わずに混合・分散のみがなされる形態も含む。
具体的に説明すると、上記の第１処理用部１０を保持する第１ホルダ１１と、第２処理用部２０を保持する第２ホルダ２１と、接面圧付与機構と、回転駆動機構と、第１導入部ｄ１と、第２導入部ｄ２と、流体圧付与機構ｐとを備える。
図２（Ａ）へ示す通り、この実施の形態において、第１処理用部１０は、環状体であり、より詳しくはリング状のディスクである。また、第２処理用部２０もリング状のディスクである。第１、第２処理用部１０、２０の材質は、金属、カーボンの他、セラミックや焼結金属、耐磨耗鋼、サファイア、その他金属に硬化処理を施したものや、硬質材をライニングやコーティング、メッキなどを施工したものを採用することができる。この実施の形態において、両処理用部１０，２０は、互いに対向する第１、第２の処理用面１、２の少なくとも一部が鏡面研磨されている。
この鏡面研磨の面粗度は、特に限定されないが、好ましくはＲａ０．０１〜１．０μｍ、より好ましくはＲａ０．０３〜０．３μｍとする。
少なくとも一方のホルダは、電動機などの回転駆動機構（図示せず）にて、他方のホルダに対して相対的に回転することができる。図１の５０は、回転駆動機構の回転軸を示しており、この例では、この回転軸５０に取り付けられた第１ホルダ１１が回転し、この第１ホルダ１１に支持された第１処理用部１０が第２処理用部２０に対して回転する。もちろん、第２処理用部２０を回転させるようにしてもよく、双方を回転させるようにしてもよい。また、この例では、第１、第２ホルダ１１、２１を固定しておき、この第１、第２ホルダ１１、２１に対して第１、第２処理用部１０、２０が回転するようにしてもよい。
第１処理用部１０と第２処理用部２０とは、少なくとも何れか一方が、少なくとも何れか他方に、接近・離反可能となっており、両処理用面１，２は、接近・離反できる。
この実施の形態では、第１処理用部１０に対して、第２処理用部２０が接近・離反するもので、第２ホルダ２１に設けられた収容部４１に、第２処理用部２０が出没可能に収容されている。但し、これとは、逆に、第１処理用部１０が、第２処理用部２０に対して接近・離反するものであってもよく、両処理用部１０，２０が互いに接近・離反するものであってもよい。
この収容部４１は、第２処理用部２０の、主として処理用面２側と反対側の部位を収容する凹部であり、平面視において、円を呈する、即ち環状に形成された、溝である。この収容部４１は、第２処理用部２０を回転させ得る十分なクリアランスを持って、第２処理用部２０を収容する。なお、第２処理用部２０は軸方向に平行移動のみが可能なように配置してもよいが、上記クリアランスを大きくすることにより、第２処理用部２０は、収容部４１に対して、処理用部２０の中心線を、上記収容部４１の軸方向と平行の関係を崩すように傾斜して変位できるようにしてもよく、さらに、第２処理用部２０の中心線と収容部４１の中心線とが半径方向にずれるように変位できるようにしてもよい。
このように、３次元的に変位可能に保持するフローティング機構によって、第２処理用部２０を保持することが望ましい。
上記の被処理流動体は、各種のポンプや位置エネルギーなどによって構成される流体圧付与機構ｐによって圧力が付与された状態で、第１導入部ｄ１と、第２導入部ｄ２から両処理用面１、２間に導入される。この実施の形態において、第１導入部ｄ１は、環状の第２ホルダ２１の中央に設けられた通路であり、その一端が、環状の両処理用部１０、２０の内側から、両処理用面１、２間に導入される。第２導入部ｄ２は、第１の被処理流動体と反応させる第２の被処理流動体を処理用面１，２へ供給する。この実施の形態において、第２導入部ｄ２は、第２処理用部２０の内部に設けられた通路であり、その一端が、第２処理用面２にて開口する。流体圧付与機構ｐにより加圧された第１の被処理流動体は、第１導入部ｄ１から、両処理用部１０，２０の内側の空間に導入され、第１処理用面１と第２処理用面２との間を通り、両処理用部１０，２０の外側に通り抜けようとする。これらの処理用面１，２間において、第２導入部ｄ２から流体圧付与機構ｐにより加圧された第２の被処理流動体が供給され、第１の被処理流動体と合流し、混合、攪拌、乳化、分散、反応、晶出、晶析、析出などの種々の流体処理がなされ、両処理用面１，２から、両処理用部１０，２０の外側に排出される。なお、減圧ポンプにより両処理用部１０，２０の外側の環境を負圧にすることもできる。
上記の接面圧付与機構は、第１処理用面１と第２処理用面２とを接近させる方向に作用させる力を、処理用部に付与する。この実施の形態では、接面圧付与機構は、第２ホルダ２１に設けられ、第２処理用部２０を第１処理用部１０に向けて付勢する。
前記の接面圧付与機構は、第１処理用部１０の第１処理用面１と第２処理用部２０の第２処理用面２とが接近する方向に押す力（以下、接面圧力という）を発生させるための機構である。この接面圧力と、流体圧力などの両処理用面１、２間を離反させる力との均衡によって、ｎｍ単位ないしμｍ単位の微小な膜厚を有する薄膜流体を発生させる。言い換えれば、上記力の均衡によって、両処理用面１、２間の間隔を所定の微小間隔に保つ。
図１に示す実施の形態において、接面圧付与機構は、上記の収容部４１と第２処理用部２０との間に配位される。具体的には、第２処理用部２０を第１処理用部１０に近づく方向に付勢するスプリング４３と、空気や油などの付勢用流体を導入する付勢用流体導入部４４とにて構成され、スプリング４３と上記付勢用流体の流体圧力とによって、上記の接面圧力を付与する。このスプリング４３と上記付勢用流体の流体圧力とは、いずれか一方が付与されるものであればよく、磁力や重力などの他の力であってもよい。この接面圧付与機構の付勢に抗して、流体圧付与機構ｐにより加圧された被処理流動体の圧力や粘性などによって生じる離反力によって、第２処理用部２０は、第１処理用部１０から遠ざかり、両処理用面間に微小な間隔を開ける。このように、この接面圧力と離反力とのバランスによって、第１処理用面１と第２処理用面２とは、μｍ単位の精度で設定され、両処理用面１，２間の微小間隔の設定がなされる。上記離反力としては、被処理流動体の流体圧や粘性と、処理用部の回転による遠心力と、付勢用流体導入部４４に負圧を掛けた場合の当該負圧、スプリング４３を引っ張りスプリングとした場合のバネの力などを挙げることができる。この接面圧付与機構は、第２処理用部２０ではなく、第１処理用部１０に設けてもよく、双方に設けてもよい。
上記の離反力について、具体的に説明すると、第２処理用部２０は、上記の第２処理用面２と共に、第２処理用面２の内側（即ち、第１処理用面１と第２処理用面２との間への被処理流動体の進入口側）に位置して当該第２処理用面２に隣接する離反用調整面２３を備える。この例では、離反用調整面２３は、傾斜面として実施されているが、水平面であってもよい。被処理流動体の圧力が、離反用調整面２３に作用して、第２処理用部２０を第１処理用部１０から離反させる方向への力を発生させる。従って、離反力を発生させるための受圧面は、第２処理用面２と離反用調整面２３とになる。
さらに、この図１の例では、第２処理用部２０に近接用調整面２４が形成されている。この近接用調整面２４は、離反用調整面２３と軸方向において反対側の面（図１においては上方の面）であり、被処理流動体の圧力が作用して、第２処理用部２０を第１処理用部１０に接近させる方向への力を発生させる。
なお、第２処理用面２及び離反用調整面２３に作用する被処理流動体の圧力、即ち流体圧は、メカニカルシールにおけるオープニングフォースを構成する力として理解される。処理用面１，２の接近・離反の方向、即ち第２処理用部２０の出没方向（図１においては軸方向）と直交する仮想平面上に投影した近接用調整面２４の投影面積Ａ１と、当該仮想平面上に投影した第２処理用部２０の第２処理用面２及び離反用調整面２３との投影面積の合計面積Ａ２との、面積比Ａ１／Ａ２は、バランス比Ｋと呼ばれ、上記オープニングフォースの調整に重要である。このオープニングフォースについては、上記バランスライン、即ち近接用調整面２４の面積Ａ１を変更することで、被処理流動体の圧力、即ち流体圧により調整できる。
摺動面の実面圧Ｐ、即ち、接面圧力のうち流体圧によるものは次式で計算される。
Ｐ＝Ｐ１×（Ｋ−ｋ）＋Ｐｓ
ここでＰ１は、被処理流動体の圧力即ち流体圧を示し、Ｋは上記のバランス比を示し、ｋはオープニングフォース係数を示し、Ｐｓはスプリング及び背圧力を示す。
このバランスラインの調整により摺動面の実面圧Ｐを調整することで処理用面１，２間を所望の微小隙間量にし、被処理流動体による流動体膜を形成させ、生成物などの処理された被処理物を微細とし、また、均一な反応処理を行うのである。
なお、図示は省略するが、近接用調整面２４を離反用調整面２３よりも広い面積を持ったものとして実施することも可能である。
被処理流動体は、上記の微小な隙間を保持する両処理用面１，２によって強制された薄膜流体となり、環状の両処理用面１、２の外側に移動しようとする。ところが、第１処理用部１０は回転しているので、混合された被処理流動体は、環状の両処理用面１，２の内側から外側へ直線的に移動するのではなく、環状の半径方向への移動ベクトルと周方向への移動ベクトルとの合成ベクトルが被処理流動体に作用して、内側から外側へ略渦巻き状に移動する。
尚、回転軸５０は、鉛直に配置されたものに限定するものではなく、水平方向に配位されたものであってもよく、傾斜して配位されたものであってよい。被処理流動体は両処理用面１，２間の微細な間隔にて処理がなされるものであり、実質的に重力の影響を排除できるからである。また、この接面圧付与機構は、前述の第２処理用部２０を変位可能に保持するフローティング機構と併用することによって、微振動や回転アライメントの緩衝機構としても機能する。
第１、第２処理用部１０、２０は、その少なくともいずれか一方を、冷却或いは加熱して、その温度を調整するようにしてもよく、図１では、第１、第２処理用部１０、２０に温調機構（温度調整機構）Ｊ１，Ｊ２を設けた例を図示している。また、導入される被処理流動体を冷却或いは加熱して、その温度を調整するようにしてもよい。これらの温度は、処理された被処理物の析出のために用いることもでき、また、第１、第２処理用面１、２間における被処理流動体にベナール対流若しくはマランゴニ対流を発生させるために設定してもよい。
図２に示すように、第１処理用部１０の第１処理用面１には、第１処理用部１０の中心側から外側に向けて、即ち径方向について伸びる溝状の凹部１３を形成して実施してもよい。この凹部１３の平面形状は、図２（Ｂ）へ示すように、第１処理用面１上をカーブして或いは渦巻き状に伸びるものや、図示はしないが、真っ直ぐ外方向に伸びるもの、Ｌ字状などに屈曲あるいは湾曲するもの、連続したもの、断続するもの、枝分かれするものであってもよい。また、この凹部１３は、第２処理用面２に形成するものとしても実施可能であり、第１及び第２の処理用面１，２の双方に形成するものとしても実施可能である。この様な凹部１３を形成することによりマイクロポンプ効果を得ることができ、被処理流動体を第１及び第２の処理用面１，２間に吸引することができる効果がある。
この凹部１３の基端は第１処理用部１０の内周に達することが望ましい。この凹部１３の先端は、第１処理用面１の外周面側に向けて伸びるもので、その深さ（横断面積）は、基端から先端に向かうにつれて、漸次減少するものとしている。
この凹部１３の先端と第１処理用面１の外周面との間には、凹部１３のない平坦面１６が設けられている。
前述の第２導入部ｄ２の開口部ｄ２０を第２処理用面２に設ける場合は、対向する上記第１処理用面１の平坦面１６と対向する位置に設けることが好ましい。
この開口部ｄ２０は、第１処理用面１の凹部１３からよりも下流側（この例では外側）に設けることが望ましい。特に、マイクロポンプ効果によって導入される際の流れ方向が処理用面間で形成されるスパイラル状で層流の流れ方向に変換される点よりも外径側の平坦面１６に対向する位置に設置することが望ましい。具体的には、図２（Ｂ）において、第１処理用面１に設けられた凹部１３の最も外側の位置から、径方向への距離ｎを、約０．５ｍｍ以上とするのが好ましい。特に、流体中から微粒子を析出させる場合には、層流条件下にて複数の被処理流動体の混合と、微粒子の析出が行なわれることが望ましい。開口部ｄ２０の形状は、図２（Ｂ）や図３（Ｂ）に示すように円形状であってもよく、図示しないが、リング状ディスクである処理用面２の中央の開口を取り巻く同心円状の円環形状であってもよい。また、開口部を円環形状とした場合、その円環形状の開口部は連続していてもよいし、不連続であってもよい。
この第２導入部ｄ２は方向性を持たせることができる。例えば、図３（Ａ）に示すように、上記の第２処理用面２の開口部ｄ２０からの導入方向が、第２処理用面２に対して所定の仰角（θ１）で傾斜している。この仰角（θ１）は、０度を超えて９０度未満に設定されており、さらに反応速度が速い反応の場合には１度以上４５度以下で設置されるのが好ましい。
また、図３（Ｂ）に示すように、上記の第２処理用面２の開口部ｄ２０からの導入方向が、上記の第２処理用面２に沿う平面において、方向性を有するものである。この第２流体の導入方向は、処理用面の半径方向の成分にあっては中心から遠ざかる外方向であって、且つ、回転する処理用面間における流体の回転方向に対しての成分にあっては順方向である。言い換えると、開口部ｄ２０を通る半径方向であって外方向の線分を基準線ｇとして、この基準線ｇから回転方向Ｒへの所定の角度（θ２）を有するものである。この角度（θ２）についても、０度を超えて９０度未満に設定されることが好ましい。
この角度（θ２）は、流体の種類、反応速度、粘度、処理用面の回転速度などの種々の条件に応じて、変更して実施することができる。また、第２導入部ｄ２に方向性を全く持たせないこともできる。
上記の被処理流動体の種類とその流路の数は、図１の例では、２つとしたが、１つであってもよく、３つ以上であってもよい。図１の例では、第２導入部ｄ２から処理用面１，２間に第２流体を導入したが、この導入部は、第１処理用部１０に設けてもよく、双方に設けてもよい。また、一種類の被処理流動体に対して、複数の導入部を用意してもよい。また、各処理用部に設けられる導入用の開口部は、その形状や大きさや数は特に制限はなく適宜変更して実施し得る。また、上記第１及び第２の処理用面間１、２の直前或いはさらに上流側に導入用の開口部を設けてもよい。
なお、処理用面１，２間にて上記処理を行う事が出来れば良いので、上記とは逆に、第１導入部ｄ１より第２流体を導入し、第２導入部ｄ２より第１流体を導入するものであっても良い。つまり、各流体における第１、第２という表現は、複数存在する流体の第ｎ番目であるという、識別のための意味合いを持つに過ぎないものであり、第３以上の流体も存在し得る。
上記装置においては、析出・沈殿または結晶化のような処理が、図１に示すように、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１、２の間で強制的に均一混合しながら起こる。処理された被処理物の粒子径や単分散度は処理用部１０、２０の回転数や流速、処理用面１，２間の距離や、被処理流動体の原料濃度、または被処理流動体の溶媒種等を適宜調整することにより、制御することができる。
以下、上記の装置を用いて行う結晶子径を制御された微粒子の製造方法の具体的な態様について説明する。
上記の装置において、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する処理用面１，２の間に形成される薄膜流体中で、被処理流動体として、被析出物質を少なくとも１種類含む原料流体と、上記被析出物質を析出させるための物質を少なくとも１種類含む析出流体とを混合させ、結晶子径を制御された被析出物質の微粒子を析出させる。その際、処理用面１，２間に導入される原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方に関する特定の条件を変化させることによって被析出物質の結晶子径を制御する。特定の条件としては、原料流体に含まれる少なくとも１種類の被析出物質と析出流体に含まれる少なくとも１種類の物質とのうちの少なくともいずれか一方の物質の種類と、原料流体に含まれる少なくとも１種類の被析出物質と析出流体に含まれる少なくとも１種類の物質とのうちの少なくともいずれか一方の物質の濃度と、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐＨと、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入温度と、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度とからなる群から選択された少なくとも２種とする。また、処理用面１，２間に導入される原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方に関する特定の条件としては、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐＨと、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入温度と、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度とからなる群から選択された少なくとも１種であってもよい。
上記の微粒子の析出反応は、本願の図１に示す装置の、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１，２間で強制的に均一混合しながら起こる。
まず、一つの流路である第１導入部ｄ１より、第１流体として被析出物質を析出させるための物質を少なくとも１種類含む析出流体を、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１，２間に導入して、この処理用面間に第１流体から構成された薄膜流体である第１流体膜を作る。
次いで別流路である第２導入部ｄ２より、第２流体として少なくとも１種類の被析出物質を含む原料流体を、上記処理用面１，２間に作られた第１流体膜に直接導入する。
上記のように、被処理流動体の供給圧と回転する処理用面の間にかかる圧力との圧力バランスによって距離を固定された処理用面１，２間にて、第１流体と第２流体とが混合され、結晶子径を制御された被析出物質の微粒子の析出反応を行う事が出来る。
なお、処理用面１，２間にて上記反応を行う事が出来れば良いので、上記とは逆に、第１導入部ｄ１より第２流体を導入し、第２導入部ｄ２より第１流体を導入するものであっても良い。つまり、各流体における第１、第２という表現は、複数存在する流体の第ｎ番目であるという、識別のための意味合いを持つに過ぎないものであり、第３以上の流体も存在し得る。
前述のように、第１導入部ｄ１、第２導入部ｄ２以外に第３導入部を処理装置に設けることもできるが、この場合にあっては、例えば各導入部から、第１流体、第２流体、第３流体として後述するｐＨ調整物質を含む流体をそれぞれ別々に処理装置に導入することが可能である。そうすると、各溶液の濃度や圧力を個々に管理することができ、析出反応及び微粒子の結晶子径をより精密に制御することができる。なお、各導入部へ導入する被処理流動体（第１流体〜第３流体）の組み合わせは、任意に設定できる。第４以上の導入部を設けた場合も同様であって、このように処理装置へ導入する流体を細分化できる。この場合、ｐＨ調整物質は、少なくとも上記の第３流体に含まれていればよく、上記の第１流体、上記の第２流体の少なくともいずれか一方に含まれていてもよく、上記第１流体及び第２流体の双方に含まれていなくてもよい。
さらに、第１、第２流体等の被処理流動体の温度を制御したり、第１流体と第２流体等との温度差（即ち、供給する各被処理流動体の温度差）を制御することもできる。供給する各被処理流動体の温度や温度差を制御するために、各被処理流動体の温度（処理装置、より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前の温度）を測定し、処理用面１，２間に導入される各被処理流動体の加熱又は冷却を行う機構を付加して実施することも可能である。
（導入速度変更）
本発明においては、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の被処理流動体の導入速度を変化させる事によって、得られる被析出物質の微粒子の結晶子径を制御する事が可能である。原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の被処理流動体の導入速度を変化させることによって、原料である被析出物質に対する被析出物質を析出させるための物質の混合比を容易に制御できる利点があり、結果として作製される微粒子の結晶子径を容易に制御できるため、これまでのように複雑な処方検討を必要とせず、目的に応じた結晶子径の微粒子を作りわけることが可能である。
また、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度と、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度以外の、処理用面１，２間に導入される原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方に関する特定の条件を構成する群から選択された少なくとも１種とを、組み合わせて実施することができる。
処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の被処理流動体の導入速度を変化させる方法としては、特に限定されない。上記流体処理装置の流体圧付与機構ｐを用いて、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度を変化させてもよいし、ポンプ等の送液装置を用いて、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度を変化させてもよい。上記の流体圧付与機構ｐとポンプ等の送液装置とを組み合わせて実施してもよい。
（ｐＨ調製）
また、本発明においては、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐＨを変化させることによって、被析出物質の微粒子の結晶子径を容易に制御する事が可能である。具体的には、特に限定されないが、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方に、後述するｐＨ調整物質を含む事によってｐＨを変化させても良いし、原料流体に含まれる、原料である被析出物質の溶媒への溶解濃度の変更や、析出流体に含まれる被析出物質を析出させるための物質の濃度の変更によって、ｐＨを変化させても良い。さらに、複数種の被析出物質を溶媒に溶解するような方法や、析出流体に複数種の被析出物質を析出させるための物質を含むなどの方法によって、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐＨを変化させても実施できる。これらのｐＨ調製によって、微粒子の結晶子径を容易に制御でき、目的に応じた結晶子径の微粒子を作りわけることが可能である。
また、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐＨと、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐＨ以外の、処理用面１，２間に導入される原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方に関する特定の条件を構成する群から選択された少なくとも１種とを、組み合わせて実施することができる。
（ｐＨ調製物質）
ｐＨを調製するためのｐＨ調整物質としては、特に限定されないが、塩酸や硫酸、硝酸や王水、トリクロロ酢酸やトリフルオロ酢酸、リン酸やクエン酸、アスコルビン酸などの無機または有機の酸のような酸性物質や、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの水酸化アルカリや、トリエチルアミンやジメチルアミノエタノールなどのアミン類などの塩基性物質、また上記酸性物質や塩基性物質の塩などが挙げられる。上記ｐＨ調整物質は、それぞれ単独で使用しても良く、複数以上を混合して使用しても良い。原料流体及び／または析出流体への上記ｐＨ調整物質の混合量や原料流体及び／または析出流体の濃度を変化させることによって、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐＨを変化させることが可能である。
上記ｐＨ調整物質は、原料流体もしくは析出流体、またはその両方に含まれていてもよい。また、上記ｐＨ調整物質は、原料流体とも析出流体とも異なる第３の流体に含まれていてもよい。
（ｐＨ領域）
本発明における原料流体及び／または析出流体のｐＨは特に限定されない。目的や対象となる原料である被析出物質、結晶子径などによって、適宜変更する事が可能である。
（分散剤等）
また、本発明においては、目的や必要に応じて各種分散剤や界面活性剤を用いる事ができる。特に限定されないが、界面活性剤及び分散剤としては一般的に用いられる様々な市販品や、製品または新規に合成したものなどを使用できる。一例として、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤や、各種ポリマーなどの分散剤などを挙げることができる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
上記の界面活性剤及び分散剤は、原料流体もしくは析出流体、またはその両方に含まれていてもよい。また、上記の界面活性剤及び分散剤は、原料流体とも析出流体とも異なる第３の流体に含まれていてもよい。
（温度）
本発明においては、原料流体と析出流体とを混合する際の温度は特に限定されない。出発原料である被析出物質の種類や被析出物質を析出させるための物質の種類、析出対象となる被析出物質の物質種または上記ｐＨなどによって適切な温度で実施することが可能である。
また、本発明においては、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の被処理流動体の導入温度を変化させる事によって、得られる被析出物質の微粒子の結晶子径を制御する事が可能である。具体的には、特に限定されないが、上述のように、原料流体と析出流体のそれぞれの温度（処理装置、より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前の温度）を測定し、処理用面１，２間に導入される原料流体と析出流体の加熱又は冷却を行う機構を付加して実施することなどが可能である。
また、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入温度と、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入温度以外の、処理用面１，２間に導入される原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方に関する特定の条件を構成する群から選択された少なくとも１種とを、組み合わせて実施することができる。
また、本発明においては、上述した、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐＨと、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入温度と、処理用面１，２間に導入される、原料流体と析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度とに加えて、処理用面１，２間に導入される、原料流体に含まれる少なくとも１種類の被析出物質と析出流体に含まれる少なくとも１種類の物質とのうちの少なくともいずれか一方の物質の種類と、処理用面１，２間に導入される、原料流体に含まれる少なくとも１種類の被析出物質と析出流体に含まれる少なくとも１種類の物質とのうちの少なくともいずれか一方の物質の濃度とからなる群から選択された少なくとも２種の特定の条件を変化させることによって、得られる被析出物質の微粒子の結晶子径を制御する事が可能である。出発原料である被析出物質の種類や、被析出物質を析出させるための物質の種類、析出対象となる被析出物質の物質種やそれぞれの濃度は、本発明の目的を逸脱しない範囲において、適宜選択して実施することが可能である。
以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。しかし、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
尚、以下の実施例において、「中央から」というのは、図１に示す処理装置の「第１導入部ｄ１から」という意味であり、第１流体は、第１導入部ｄ１から導入される、前述の第１被処理流動体を指し、第２流体は、図１に示す処理装置の第２導入部ｄ２から導入される、前述の第２被処理流動体を指す。
（ｐＨ測定）
ｐＨ測定には、HORIBA製の型番D-51のｐＨメーターを用いた。各被処理流動体を流体処理装置に導入する前に、その被処理流動体のｐＨを室温にて測定した。
（電子顕微鏡観察）
電子顕微鏡(ＴＥＭ)観察には、電子顕微鏡(ＴＥＭ)：日本電子製のＪＥM-２１００を使用し、一次粒子径並びに結晶子径を観察した。測定及び観察条件としては、加速電圧を２００ｋＶとし、４０万〜８０万の倍率で３箇所の平均値を用いた。以下、ＴＥＭ観察にて確認された一次粒子径を、粒子径とする。
（実施例１）
図１に示される装置を用いてイットリア安定化ジルコニア微粒子を以下の手順にて作製した。処理用面１，２間に形成される薄膜流体中で、硝酸酸化ジルコニウム二水和物を１１．８ｗｔ％となるように、硝酸イットリウムを０．１８ｗｔ％となるように純水に溶解させたｐＨ＝０．１２の金属塩の混合液（原料流体）と、水酸化ナトリウムを１ｗｔ％となるように純水に溶解させたｐＨ＝１３．０３の塩基性水溶液（析出流体）とを混合し、薄膜流体中でイットリア安定化ジルコニアの前駆体微粒子を析出させた。
（実施例２）
図１に示される装置を用いてイットリア安定化ジルコニア微粒子を以下の手順にて作製した。処理用面１，２間に形成される薄膜流体中で、硝酸酸化ジルコニウム二水和物を１１．８ｗｔ％となるように、硝酸イットリウムを０．１８ｗｔ％となるように純水に溶解させたｐＨ＝０．１２の金属塩の混合液（原料流体）と、２８．０％アンモニアを含むアンモニア水を１ｗｔ％アンモニアとなるように純水に溶解させたｐＨ＝１１．３３の塩基性水溶液（析出流体）とを混合し、薄膜流体中でイットリア安定化ジルコニアの前駆体微粒子を析出させた。
（実施例３）
図１に示される装置を用いてイットリア安定化ジルコニア微粒子を以下の手順にて作製した。処理用面１，２間に形成される薄膜流体中で、硝酸酸化ジルコニウム二水和物を１１．８ｗｔ％となるように、硝酸イットリウムを０．１８ｗｔ％となるように純水に溶解させたｐＨ＝０．１２の金属塩の混合液（原料流体）と、炭酸水素カリウムを１ｗｔ％となるように純水に溶解させたｐＨ＝８．４６の塩基性水溶液（析出流体）とを混合し、薄膜流体中でイットリア安定化ジルコニアの前駆体微粒子を析出させた。
中央から第１流体として塩基性水溶液（析出流体）を、供給圧力=０．５０ＭＰａＧ、回転数１７００ｒｐｍ、送液温度２５℃、導入速度２００ｍｌ／ｍｉｎで送液しながら、第２流体として、２５℃の金属塩の混合液（原料流体）を導入速度１０ｍｌ／ｍｉｎで処理用面１，２間に導入し、第１流体と第２流体とを薄膜流体中で混合した。第１流体並びに第２流体の送液温度は、第１流体と第２流体のそれぞれの温度を処理装置導入直前（より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前）にて測定した。処理用面より吐出されたイットリア安定化ジルコニアの前駆体微粒子分散液を、１０，０００×ｇ、５分間の条件で遠心分離機を用いてイットリア安定化ジルコニアの前駆体微粒子を沈降させ上澄みを除去し、純水にて洗浄する作業を３回行い、真空乾燥機を用いて６０℃、−０．１ＭＰａの条件にて乾燥した後に炉を用いて１０００℃で４時間焼成した。焼成後のＸＲＤ測定の結果、不純物のないイットリア安定化ジルコニア微粒子が作製されたことが確認された。また、得られたイットリア安定化ジルコニア微粒子の粒子径及び結晶子径をＴＥＭ観察にて確認した。
表１に、処理条件及び得られたイットリア安定化ジルコニア微粒子の粒子径及び結晶子径を示す。また、図４〜図６に、実施例１〜３において得られたイットリア安定化ジルコニア微粒子のＴＥＭ写真を示す。
図４〜図６と表１から、塩基性水溶液として純水に溶解した塩基性物質の種類及びｐＨを変化させることによって、得られたイットリア安定化ジルコニア微粒子の結晶子径が制御できることを確認できた。
具体的には、実施例１と実施例２においては、第１流体に含まれる塩基性物質の物質種を変更し、さらにｐＨを高くすることによって、結晶子径が大きいイットリア安定化ジルコニア微粒子が得られた。また、実施例１と実施例２においては、第１流体に含まれる塩基性物質の物質種を変更し、さらにｐＨを高くすることによって、粒子径が大きいイットリア安定化ジルコニア微粒子が得られた。以上のことから、実施例１と実施例２においては、第１流体に含まれる塩基性物質の物質種を変更し、さらにｐＨを高くすることによって、イットリア安定化ジルコニア微粒子の粒子径と結晶子径とを、ともに変化させることができることが確認できた。
また、実施例３においては、実施例１，２とは異なり、粒子径と結晶子径の大きさが異なるイットリア安定化ジルコニア微粒子が得られた。
（実施例４）
図１に示される装置を用いて銅微粒子を以下の手順にて作製した。処理用面１，２間に形成される薄膜流体中で、塩化銅（無水）を２ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝２．３５の金属塩溶液（原料流体）と、還元剤としてヒドラジン一水和物を２ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝１０．５５の還元剤溶液（析出流体）とを混合し、薄膜流体中で銅微粒子を析出させた。
中央から第１流体として還元剤溶液（析出流体）を、供給圧力=０．５０ＭＰａＧ、回転数１７００ｒｐｍ、送液温度１００℃、導入速度３００ｍｌ／ｍｉｎで送液しながら、第２流体として、２５℃の金属塩溶液（原料流体）を導入速度５ｍｌ／ｍｉｎで処理用面１，２間に導入し、第１流体と第２流体とを薄膜流体中で混合した。第１流体並びに第２流体の送液温度は、第１流体と第２流体のそれぞれの温度を処理装置導入直前（より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前）にて測定した。
（実施例５）
図１に示される装置を用いて銅微粒子を以下の手順にて作製した。処理用面１，２間に形成される薄膜流体中で、塩化銅（無水）を６ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝２．１１の金属塩溶液（原料流体）と、還元剤としてヒドラジン一水和物を１ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝１０．３４の還元剤溶液（析出流体）とを混合し、薄膜流体中で銅微粒子を析出させた。
中央から第１流体として還元剤溶液（析出流体）を、供給圧力=０．５０ＭＰａＧ、回転数１７００ｒｐｍ、送液温度１００℃、導入速度３００ｍｌ／ｍｉｎで送液しながら、第２流体として、２５℃の金属塩溶液（原料流体）を導入速度５ｍｌ／ｍｉｎで処理用面１，２間に導入し、第１流体と第２流体とを薄膜流体中で混合した。第１流体並びに第２流体の送液温度は、第１流体と第２流体のそれぞれの温度を処理装置導入直前（より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前）にて測定した。
（実施例６）
図１に示される装置を用いて銅微粒子を以下の手順にて作製した。処理用面１，２間に形成される薄膜流体中で、硝酸銅三水和物を１０ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝２．０８の金属塩溶液（原料流体）と、還元剤としてヒドラジン一水和物を２ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝１０．５５の還元剤溶液（析出流体）とを混合し、薄膜流体中で銅微粒子を析出させた。
中央から第１流体として還元剤溶液（析出流体）を、供給圧力=０．５０ＭＰａＧ、回転数１７００ｒｐｍ、送液温度１００℃、導入速度３００ｍｌ／ｍｉｎで送液しながら、第２流体として、２５℃の金属塩溶液（原料流体）を導入速度５ｍｌ／ｍｉｎで処理用面１，２間に導入し、第１流体と第２流体とを薄膜流体中で混合した。第１流体並びに第２流体の送液温度は、第１流体と第２流体のそれぞれの温度を処理装置導入直前（より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前）にて測定した。
（実施例７）
図１に示される装置を用いて銅微粒子を以下の手順にて作製した。処理用面１，２間に形成される薄膜流体中で、塩化銅（無水）を６ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝２．１１の金属塩溶液（原料流体）と、還元剤としてヒドラジン一水和物を１ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝１０．３４の還元剤溶液（析出流体）とを混合し、薄膜流体中で銅微粒子を析出させた。
中央から第１流体として還元剤溶液（析出流体）を、供給圧力=０．５０ＭＰａＧ、回転数１７００ｒｐｍ、送液温度１３０℃、導入速度３００ｍｌ／ｍｉｎで送液しながら、第２流体として、２５℃の金属塩溶液（原料流体）を導入速度５ｍｌ／ｍｉｎで処理用面１，２間に導入し、第１流体と第２流体とを薄膜流体中で混合した。第１流体並びに第２流体の送液温度は、第１流体と第２流体のそれぞれの温度を処理装置導入直前（より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前）にて測定した。
（実施例８）
図１に示される装置を用いて銅微粒子を以下の手順にて作製した。処理用面１，２間に形成される薄膜流体中で塩化銅（無水）を６ｗｔ％となるように、ベンゾトリアゾールを０．０１５ｗｔ％となるようにそれぞれエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝１．４９の金属塩溶液（原料流体）と、還元剤としてヒドラジン一水和物を１ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝１０．３４の還元剤溶液（析出流体）とを混合し、薄膜流体中で銅微粒子を析出させた。
中央から第１流体として還元剤溶液（析出流体）を、供給圧力=０．５０ＭＰａＧ、回転数１７００ｒｐｍ、送液温度１００℃、導入速度３００ｍｌ／ｍｉｎで送液しながら、第２流体として、２５℃の金属塩溶液（原料流体）を導入速度５ｍｌ／ｍｉｎで処理用面１，２間に導入し、第１流体と第２流体とを薄膜流体中で混合した。第１流体並びに第２流体の送液温度は、第１流体と第２流体のそれぞれの温度を処理装置導入直前（より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前）にて測定した。
（実施例９）
図１に示される装置を用いて銅微粒子を以下の手順にて作製した。処理用面１，２間に形成される薄膜流体中で塩化銅（無水）を６ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝２．１１の金属塩溶液（原料流体）と、還元剤としてヒドラジン一水和物を１ｗｔ％となるようにエチレングリコールに溶解させたｐＨ＝１０．３４の還元剤溶液（析出流体）とを混合し、薄膜流体中で銅微粒子を析出させた。
中央から第１流体として還元剤溶液（析出流体）を、供給圧力=０．５０ＭＰａＧ、回転数１７００ｒｐｍ、送液温度１００℃、導入速度１００ｍｌ／ｍｉｎで送液しながら、第２流体として、２５℃の金属塩溶液（原料流体）を導入速度５ｍｌ／ｍｉｎで処理用面１，２間に導入し、第１流体と第２流体とを薄膜流体中で混合した。第１流体並びに第２流体の送液温度は、第１流体と第２流体のそれぞれの温度を処理装置導入直前（より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前）にて測定した。
処理用面１，２間に導入された第１流体と第２流体とを薄膜流体中で混合することで、銅微粒子分散液が処理用面より吐出された。吐出された銅微粒子分散液を、１０，０００×ｇ、５分間の条件で遠心分離機を用いて銅微粒子を沈降させ上澄みを除去し、メタノールにて洗浄する作業を３回行い、真空乾燥機を用いて５０℃、−０．１ＭＰａの条件にて乾燥した。乾燥した銅微粒子のＸＲＤ測定の結果、銅が作製されたことが確認された。また、銅微粒子の粒子径及び結晶子径をＴＥＭ観察にて確認した。
表２に、処理条件及び得られた銅微粒子の粒子径及び結晶子径を示す。また図７〜図９に、実施例４〜６において得られた銅微粒子のＴＥＭ写真を示す。
図７〜図９と表２から、特定の条件を変化させることによって、得られた銅微粒子の結晶子径を制御できることを確認した。例えば、実施例４と実施例５においては、第１流体（析出流体）における還元剤濃度を下げてｐＨを下げ、第２流体（原料流体）における金属塩濃度を上げてｐＨを下げることで、銅微粒子の結晶子径及び粒子径は大きくなった。実施例４と実施例６においては、第２流体における金属塩の種類と金属塩の濃度とを変化させてｐＨを下げると、銅微粒子の結晶子径及び粒子径は大きくなった。実施例４と実施例７においては、第１流体における還元剤濃度を下げてｐＨを下げ、第２流体における金属塩濃度を上げてｐＨを下げ、さらに第１流体の導入温度を上げることで、銅微粒子の結晶子径及び粒子径は大きくなった。実施例７と実施例８においては、第２流体における金属塩溶液にベンゾトリアゾールを添加してｐＨを下げ、さらに第１流体における導入温度を下げることで、銅微粒子の結晶子径及び粒子径は小さくなった。実施例７と実施例９においては、第１流体の導入速度と導入温度を下げることで、銅微粒子の結晶子径及び粒子径は小さくなった。実施例５と実施例６においては、第１流体における還元剤濃度を上げてｐＨを上げ、第２流体における金属塩の種類とその濃度を変化させることで、銅微粒子の結晶子径及び粒子径は大きくなった。実施例６と実施例７においては、第２流体における金属塩の種類とその濃度を変化させ、さらに第１流体の還元剤濃度を下げｐＨを下げるとともに導入温度を上げることで、銅微粒子の結晶子径及び粒子径は大きくなった。実施例６と実施例８においては、第２流体における金属塩の種類とその濃度を変化させるとともにその金属塩溶液にベンゾトリアゾールを添加してｐＨを下げ、さらに第１流体の還元剤濃度を下げｐＨを下げることで、銅微粒子の結晶子径及び粒子径は小さくなった。実施例６と実施例９においては、第２流体における金属塩の種類とその濃度を変化させ、さらに第１流体の還元剤濃度と導入速度を下げることで、銅微粒子の結晶子径及び粒子径は小さくなった。以上のことから、処理用面１，２間に導入される原料流体と析出流体との少なくともいずれか一方に関する特定の条件である、原料流体に含まれる被析出物質及び／又は析出流体に含まれる物質の種類と、原料流体に含まれる被析出物質及び／又は析出流体に含まれる物質の濃度と、原料流体及び／又は析出流体のｐＨと、原料流体及び／又は析出流体の導入温度と、原料流体及び／又は析出流体の導入速度とからなる群から選択された少なくとも２種を変化させることによって、銅微粒子の結晶子径を制御することができることが確認できた。また、上記の実施例のほとんどにおいては、上記の特定の条件を変化させることによって、銅微粒子の粒子径と結晶子径とを、ともに変化させることができることが確認できた。
また、実施例５と実施例７においては、第１流体の導入温度を変化させることによって、実施例５と実施例８においては、第２流体のｐＨを変化させることによって、実施例５と実施例９においては、第１流体の導入速度を変化させることによって、銅微粒子の結晶子径の大きさを変化させることができることが確認できた。以上のことから、実施例５，７〜９においては、処理用面１，２間に導入される原料流体と析出流体との少なくともいずれか一方に関する特定の条件である、原料流体及び／又は析出流体のｐＨと、原料流体及び／又は析出流体の導入温度と、原料流体及び／又は析出流体の導入速度とからなる群から選択された少なくとも１種を変化させることによって、銅微粒子の結晶子径を制御することができることが確認できた。また、実施例５と実施例７、実施例５と実施例８においては、上記の特定の条件を変化させることによって、銅微粒子の粒子径と結晶子径とを、ともに変化させることができることが確認でき、実施例５と実施例９においては、上記の特定の条件を変化させることによって、銅微粒子の粒子径を変化させずに、銅微粒子の結晶子径のみを変化させることが確認できた。
さらに、実施例９においては、実施例４〜８とは異なり、粒子径と結晶子径の大きさが異なる銅微粒子が得られた。
１ 第１処理用面
２ 第２処理用面
１０ 第１処理用部
１１ 第１ホルダ
２０ 第２処理用部
２１ 第２ホルダ
ｄ１ 第１導入部
ｄ２ 第２導入部
ｄ２０ 開口部

Claims (4)

  1. 少なくとも２種類の被処理流動体を用いるものであり、
    そのうちで少なくとも１種類の被処理流動体は、被析出物質を少なくとも１種類含む原料流体であり、
    上記以外の被処理流動体で少なくとも１種類の被処理流動体は、上記被析出物質を析出させるための物質を少なくとも１種類含む析出流体であり、
    上記の被処理流動体を、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間に出来る薄膜流体中で混合し、結晶子径を制御された被析出物質を析出させる微粒子の製造方法において、
    上記少なくとも２つの処理用面間に導入される上記原料流体と上記析出流体との少なくともいずれか一方に関する特定の条件を変化させることによって、上記被析出物質の結晶子径を制御するものであり、
    上記特定の条件が、上記原料流体に含まれる少なくとも１種類の被析出物質と上記析出流体に含まれる少なくとも１種類の物質とのうちの少なくともいずれか一方の物質の種類と、上記原料流体に含まれる少なくとも１種類の被析出物質と上記析出流体に含まれる少なくとも１種類の物質とのうちの少なくともいずれか一方の物質の濃度と、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐHと、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入温度と、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度とからなる群から選択された少なくとも２種であることを特徴とする、微粒子の製造方法。
  2. 上記被析出物質の粒子径を変化させず、上記被析出物質の結晶子径のみを変化させることを特徴とする、請求項１に記載の微粒子の製造方法。
  3. 上記被析出物質の粒子径と、上記被析出物質の結晶子径とを、ともに変化させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の微粒子の製造方法。
  4. 少なくとも２種類の被処理流動体を用いるものであり、
    そのうちで少なくとも１種類の被処理流動体は、被析出物質を少なくとも１種類含む原料流体であり、
    上記以外の被処理流動体で少なくとも１種類の被処理流動体は、上記被析出物質を析出させるための物質を少なくとも１種類含む析出流体であり、
    上記の被処理流動体を、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間に出来る薄膜流体中で混合し、結晶子径を制御された被析出物質を析出させる微粒子の製造方法において、
    上記少なくとも２つの処理用面間に導入される上記原料流体と上記析出流体との少なくとも何れか一方に関する特定の条件を変化させることによって、被析出物質の結晶子径を制御するものであり、
    上記特定の条件が、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方のｐＨと、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入温度と、上記原料流体と上記析出流体とのうちの少なくともいずれか一方の導入速度とからなる群から選択された少なくとも１種である事を特徴とする、微粒子の製造方法。
JP2016252312A 2011-07-13 2016-12-27 結晶子径を制御された微粒子の製造方法 Pending JP2017113751A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011155115 2011-07-13
JP2011155115 2011-07-13

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013523911A Division JPWO2013008706A1 (ja) 2011-07-13 2012-07-05 結晶子径を制御された微粒子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017113751A true JP2017113751A (ja) 2017-06-29
JP2017113751A5 JP2017113751A5 (ja) 2017-08-10

Family

ID=47505997

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013523911A Pending JPWO2013008706A1 (ja) 2011-07-13 2012-07-05 結晶子径を制御された微粒子の製造方法
JP2016252312A Pending JP2017113751A (ja) 2011-07-13 2016-12-27 結晶子径を制御された微粒子の製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013523911A Pending JPWO2013008706A1 (ja) 2011-07-13 2012-07-05 結晶子径を制御された微粒子の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9492763B2 (ja)
EP (2) EP2732871A4 (ja)
JP (2) JPWO2013008706A1 (ja)
KR (1) KR20140038467A (ja)
CN (1) CN103648634B (ja)
WO (1) WO2013008706A1 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012164999A1 (ja) * 2011-05-28 2012-12-06 エム・テクニック株式会社 強制薄膜式流体処理装置を用いた微粒子の生産量増加方法
US9827613B2 (en) 2012-09-12 2017-11-28 M. Technique Co., Ltd. Method for producing metal microparticles
US9744594B2 (en) * 2012-09-12 2017-08-29 M. Technique Co., Ltd. Method for producing nickel microparticles
EP2992954A4 (en) 2013-04-30 2017-09-13 M Technique Co., Ltd. Fluid processing method
EP3170927B1 (en) * 2014-07-14 2020-09-30 M Technique Co., Ltd. Method for preparing single crystal zinc oxide nanoparticles
WO2016098777A1 (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 エム・テクニック株式会社 複合フタロシアニン微粒子およびその製造方法
CN107001810A (zh) 2014-12-15 2017-08-01 M技术株式会社 有机物微粒的制造方法及有机物微粒的改性方法
EP3323788A4 (en) * 2015-07-14 2019-02-20 M. Technique Co., Ltd. METHOD FOR PRODUCING OXID PARTICLES
CA2998493A1 (en) 2015-09-16 2017-03-23 Metacrine, Inc. Farnesoid x receptor agonists and uses thereof
CN106853295A (zh) * 2015-12-09 2017-06-16 北大方正集团有限公司 一种基于膜分散的结晶方法
JP7174709B2 (ja) 2017-03-15 2022-11-17 メタクリン，インク． ファルネソイドｘ受容体アゴニストおよびその使用
EP4596041A3 (en) 2017-03-15 2025-12-10 Eli Lilly and Company Farnesoid x receptor agonists and uses thereof
CN107899266B (zh) * 2017-11-03 2019-04-05 大连理工大学 一种多级膜控制的连续结晶方法
KR20250073553A (ko) 2018-09-18 2025-05-27 일라이 릴리 앤드 캄파니 파르네소이드 x 수용체 효능제 및 그의 용도
WO2020175558A1 (ja) * 2019-02-27 2020-09-03 国立研究開発法人科学技術振興機構 酸窒素水素化物、酸窒素水素化物を含む金属担持物、及びアンモニア合成用触媒
CA3171987A1 (en) 2020-03-18 2021-09-23 Nicholas D. Smith Crystalline forms of a farnesoid x receptor agonist
US12491160B2 (en) 2020-03-18 2025-12-09 Eli Lilly And Company Formulations of a farnesoid X receptor agonist

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6340725A (ja) * 1986-08-07 1988-02-22 Toray Ind Inc ジルコニア微粉末の製造方法
JPH06262061A (ja) * 1993-03-10 1994-09-20 Tatsuaki Yamaguchi 金属酸化物超微粒子の製造法
JP2006124787A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Hideaki Maeda 高結晶性ナノ銀粒子スラリー及びその製造方法
JP2007269601A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsubishi Chemicals Corp 金属酸化物ナノ結晶の製造方法
JP2007332026A (ja) * 2007-08-27 2007-12-27 Tosoh Corp ジルコニア焼結体
US20080038115A1 (en) * 2004-07-19 2008-02-14 Protensive Limited Spinning Disc Reactor with Shroud or Plate for Improving Gas/Liquid Contact
JP2008031491A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銅微粉とその製造方法及び導電性ペースト
JP2009132994A (ja) * 2007-11-09 2009-06-18 M Technique Co Ltd 磁性体微粒子の製造方法、これにより得られた磁性体微粒子及び磁性流体、磁性体製品の製造方法
JP2009144250A (ja) * 2007-07-06 2009-07-02 M Technique Co Ltd 金属微粒子の製造方法及びその金属微粒子を含む金属コロイド溶液
JP2009242225A (ja) * 2008-03-11 2009-10-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 錫ドープ酸化インジウム粒子及びその製造方法
JP2010070793A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Dowa Electronics Materials Co Ltd 球状銀粉およびその製造方法
JP2010285332A (ja) * 2008-07-10 2010-12-24 Tohoku Univ Ｉｔｏ粒子の製造方法、およびｉｔｏ粉末、透明導電材用塗料並びに透明導電膜

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004115287A (ja) * 2002-09-24 2004-04-15 Tokuyama Corp 錫系酸化物ゾルの製造方法
JP5002208B2 (ja) 2006-07-26 2012-08-15 三菱化学株式会社 金属酸化物ナノ結晶の製造方法
JP2008289985A (ja) 2007-05-23 2008-12-04 Toyota Motor Corp 排ガス浄化触媒担体の製造方法
EP2177210B1 (en) * 2007-07-06 2018-08-22 M Technique Co., Ltd. Method of producing microparticles to be ingested into the body, microparticles to be ingested into the body and dispersion and medicinal composition containing the same
EP2184109B1 (en) 2007-07-06 2017-08-23 M Technique Co., Ltd. Method for producing nanoparticles by forced ultra-thin film rotary processing
US8992981B2 (en) * 2007-09-21 2015-03-31 M Technique Co., Ltd. Method for producing microparticles and the microparticles
US8118905B2 (en) * 2007-09-27 2012-02-21 M Technique Co., Ltd. Method for producing magnetic microparticles, magnetic microparticles obtained therefrom, magnetic fluid, and method for producing magnetic product
JP2010024478A (ja) 2008-07-16 2010-02-04 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 鉄微粒子及びその製造方法
JP4446129B1 (ja) 2009-03-03 2010-04-07 エム・テクニック株式会社 微粒子の製造方法
JP2011011956A (ja) 2009-07-03 2011-01-20 Teijin Ltd カルコパイライト系微粒子、及びその製造方法
JP2011080094A (ja) * 2009-10-02 2011-04-21 Toda Kogyo Corp 銀微粒子及びその製造方法、並びに該銀微粒子を含有する導電性ペースト、導電性膜及び電子デバイス

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6340725A (ja) * 1986-08-07 1988-02-22 Toray Ind Inc ジルコニア微粉末の製造方法
JPH06262061A (ja) * 1993-03-10 1994-09-20 Tatsuaki Yamaguchi 金属酸化物超微粒子の製造法
US20080038115A1 (en) * 2004-07-19 2008-02-14 Protensive Limited Spinning Disc Reactor with Shroud or Plate for Improving Gas/Liquid Contact
JP2006124787A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Hideaki Maeda 高結晶性ナノ銀粒子スラリー及びその製造方法
JP2007269601A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsubishi Chemicals Corp 金属酸化物ナノ結晶の製造方法
JP2008031491A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銅微粉とその製造方法及び導電性ペースト
JP2009144250A (ja) * 2007-07-06 2009-07-02 M Technique Co Ltd 金属微粒子の製造方法及びその金属微粒子を含む金属コロイド溶液
JP2007332026A (ja) * 2007-08-27 2007-12-27 Tosoh Corp ジルコニア焼結体
JP2009132994A (ja) * 2007-11-09 2009-06-18 M Technique Co Ltd 磁性体微粒子の製造方法、これにより得られた磁性体微粒子及び磁性流体、磁性体製品の製造方法
JP2009242225A (ja) * 2008-03-11 2009-10-22 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 錫ドープ酸化インジウム粒子及びその製造方法
JP2010285332A (ja) * 2008-07-10 2010-12-24 Tohoku Univ Ｉｔｏ粒子の製造方法、およびｉｔｏ粉末、透明導電材用塗料並びに透明導電膜
JP2010070793A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Dowa Electronics Materials Co Ltd 球状銀粉およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140155247A1 (en) 2014-06-05
CN103648634B (zh) 2016-05-18
EP2732871A1 (en) 2014-05-21
EP2732871A4 (en) 2015-03-04
JPWO2013008706A1 (ja) 2015-02-23
WO2013008706A1 (ja) 2013-01-17
US9492763B2 (en) 2016-11-15
KR20140038467A (ko) 2014-03-28
CN103648634A (zh) 2014-03-19
EP3628399A1 (en) 2020-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017113751A (ja) 結晶子径を制御された微粒子の製造方法
JP5590639B2 (ja) 金属微粒子の製造方法
JP4868558B1 (ja) 酸化物・水酸化物の製造方法
JP5126862B1 (ja) 金属微粒子の製造方法
JP2014023997A (ja) 微粒子の製造方法
JPWO2012014530A1 (ja) 粒子径を制御された微粒子の製造方法
JP5831821B2 (ja) 金属微粒子の製造方法
JP5950476B2 (ja) 微粒子の製造方法
CN104411428B (zh) 镍微粒的制造方法
WO2012137628A1 (ja) バリウムチタニル塩及びチタン酸バリウムの製造方法
JP5376483B1 (ja) ニッケル微粒子の製造方法
JP5261780B1 (ja) 金属微粒子の製造方法
JP2013231226A (ja) 微粒子の製造方法
JP6123054B2 (ja) 微粒子の製造方法
JP6442715B2 (ja) 微粒子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170420

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180115

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180626