JP2017106825A

JP2017106825A - 磁気検出装置

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Publication number: JP2017106825A
Application number: JP2015241201A
Authority: JP
Inventors: 小林　陽介; Yosuke Kobayashi; 陽介小林; 均至村木; Kinji Muraki
Original assignee: Tokai Rika Co Ltd
Current assignee: Tokai Rika Co Ltd
Priority date: 2015-12-10
Filing date: 2015-12-10
Publication date: 2017-06-15

Abstract

【課題】簡単な構成により、検出精度のよい磁気検出装置を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子のハーフブリッジで形成される第１のＭＲセンサ１０と、磁気抵抗素子のハーフブリッジで形成され、第１のＭＲセンサ１０と所定距離だけ離間して配置される第２のＭＲセンサ２０と、第１のＭＲセンサの中間電圧と第２のＭＲセンサの中間電圧を差動増幅して出力する回路部３０と、を有し、第１のＭＲセンサ１０と第２のＭＲセンサ２０は、検出対象であるマグネット４０のストローク（移動軌跡Ａ）に対して対称に配置して磁気検出装置を構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気検出装置に関する。

従来の技術として、磁気平衡動作を目的に磁気抵抗素子で構成されたブリッジ回路またはハーフブリッジ回路を備えた磁気検出装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

この磁気検出装置は、薄膜微細パターンにより形成された磁気抵抗素子で構成されるブリッジ回路またはハーフブリッジ回路の磁電変換素子と、磁電変換素子に対する磁気平衡のために磁界を発生させる二次電流線と、極性を反転しうるバイアス磁界発生のための少なくとも一つ以上の電磁石と、磁電変換素子の検出信号を増幅する機能と、電磁石の極性と二次電流線の電流極性をそれぞれ切り替える機能を有した回路部とを備えて構成されている。この磁気検出装置によれば、磁気抵抗素子の製造上のバラツキにより発生するオフセット電圧およびオフセット電圧の温度変化の影響を受けることなく、磁界強度および被測定電流を精度良く検出できるとされている。

特開２０１２−１３２８８９号公報

しかし、特許文献１の磁気検出装置によれば、磁電変換素子の検出信号のオフセットを低減するために、別途、電磁石の極性と二次電流線の電流極性をそれぞれ切り替える機能を有した回路部を必要とし、コストアップの要因となる等の問題があった。また、マグネットのストローク方向を検出対象とする構成においては、マグネットがストローク方向と垂直方向に位置ズレした状態で移動すると、検出精度が低下してしまうという問題があった。

従って、本発明の目的は、簡単な構成により、検出精度のよい磁気検出装置を提供することにある。

［１］上記目的を達成するため、磁気抵抗素子のハーフブリッジで形成される第１のＭＲセンサと、磁気抵抗素子のハーフブリッジで形成され、前記第１のＭＲセンサと所定距離だけ離間して配置される第２のＭＲセンサと、前記第１のＭＲセンサの中間電圧と前記第２のＭＲセンサの中間電圧を差動増幅して出力する回路部と、を有し、前記第１のＭＲセンサと前記第２のＭＲセンサは、検出対象であるマグネットのストローク方向に対して垂直方向に対称に配置されていることを特徴とする磁気検出装置を提供する。

［２］前記第１のＭＲセンサ、及び前記第２のＭＲセンサは、リードフレーム上に実装され、封止体により一体にモールドパッケージされて構成されていることを特徴とする上記［１］に記載の磁気検出装置であってもよい。

［３］また、前記モールドパッケージは、前記第１のＭＲセンサと前記第２のＭＲセンサの間において、少なくとも前記マグネットの幅以上の領域で切り欠かれていることを特徴とする上記［１］又は［２］に記載の磁気検出装置であってもよい。

本発明によれば、簡単な構成により、検出精度のよい磁気検出装置を提供することが可能となる。

図１は、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置の平面図である。図２は、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置の回路図である。図３（ａ）は、左から順に、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置と検出対象であるマグネットの位置関係を示す平面図、磁束の方向を規定する角度と向きを示す図、磁気ベクトル角（磁束の方向）とＭＲ出力の関係を示すグラフ、であって、マグネットの移動前の状態における各図であり、図３（ｂ）は、左から順に、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置と検出対象であるマグネットの位置関係を示す平面図、磁束の方向を規定する角度と向きを示す図、磁気ベクトル角（磁束の方向）とＭＲ出力の関係を示すグラフ、であって、マグネットのストローク方向（Ａ方向）へ移動した後における各図である。図４（ａ）は、左から順に、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置と検出対象であるマグネットの位置関係を示す平面図、磁束の方向を規定する角度と向きを示す図、磁気ベクトル角（磁束の方向）とＭＲ出力の関係を示すグラフ、であって、マグネットの移動前の状態における各図であり、図４（ｂ）は、左から順に、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置と検出対象であるマグネットの位置関係を示す平面図、磁束の方向を規定する角度と向きを示す図、磁気ベクトル角（磁束の方向）とＭＲ出力の関係を示すグラフ、であって、マグネットがストローク方向に対して垂直方向（Ｅ方向）へ位置ズレした場合における各図である。

（本発明の実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置の平面図である。また、図２は、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置の回路図である。

本発明の実施の形態に係る磁気検出装置１は、磁気抵抗素子のハーフブリッジで形成される第１のＭＲセンサ１０と、磁気抵抗素子のハーフブリッジで形成され、第１のＭＲセンサ１０と所定距離だけ離間して配置される第２のＭＲセンサ２０と、第１のＭＲセンサの中間電圧と第２のＭＲセンサの中間電圧を差動増幅して出力する回路部３０と、を有し、第１のＭＲセンサ１０と第２のＭＲセンサ２０は、検出対象であるマグネット４０のストローク方向（Ａ方向）に対して垂直方向に対称に配置されて構成されている。

図１において、第１のＭＲセンサ１０と第２のＭＲセンサ２０は、磁気検出装置１の中心線ＣＬに対して対称に形成、配置され、マグネット４０のストローク方向（Ａ方向）はこの中心線ＣＬに一致するように構成されている。すなわち、マグネット４０は、磁気検出装置１の中心線ＣＬ上を図示Ａ方向に移動する。磁気検出装置１は、このマグネット４０の移動に伴う各ストローク方向（Ａ方向）に対応した出力電圧を出力する。

図１において、第１のＭＲセンサ１０、及び第２のＭＲセンサ２０は、リードフレーム５１上に実装され、封止体６０により一体にモールドパッケージされて構成されている。

（第１のＭＲセンサ１０）
第１のＭＲセンサ１０は、磁束の方向の変化により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用したＭＲ半導体素子を例えば９０°の方向に直列に接続したハーフブリッジとして形成されている。本実施の形態では、図１に示すように、第１のＭＲセンサ１０は、ＭＲセンサチップ１２上に、図２で示す方向に、ＭＲ半導体素子１３、１４が半導体製造工程により形成されている。

この第１のＭＲセンサ１０は、図１に示すように、リードフレーム５１上に配置されている。各ＭＲ半導体素子１３、１４は、例えば、ワイヤボンディングにより、後述する回路部３０に接続されている。また、リードフレーム５１は全体がグランドＧＮＤとされ、例えば、ＭＲセンサチップ１２はリードフレーム５１上に電気的に接続、固定されることにより、ＭＲセンサチップ１２のグランドは、グランドＧＮＤに接続される。

ＭＲ半導体素子１３、１４は、垂直方向に印加される磁束密度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果を有するもので、例えば、化合物半導体ＩｎＳｂ（インジウム・アンチモン）等により形成される。ＭＲ半導体素子１３、１４は、図１に対応する回路図に示すように、４５°右斜め上方向のＭＲ半導体素子１３と４５°右斜め下方向のＭＲ半導体素子１４がＴＰ１で直列に接続されて、ハーフブリッジとして構成されている。

（第２のＭＲセンサ２０）
第２のＭＲセンサ２０は、磁束の方向の変化により電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用したＭＲ半導体素子を例えば９０°の方向に直列に接続したハーフブリッジとして形成されている。本実施の形態では、図１に示すように、第２のＭＲセンサ２０は、ＭＲセンサチップ２２上に、図２で示す方向に、ＭＲ半導体素子２３、２４が半導体製造工程により形成されている。

この第２のＭＲセンサ２０は、図１に示すように、リードフレーム５１上に配置されている。各ＭＲ半導体素子２３、２４は、例えば、ワイヤボンディングにより、後述する回路部３０に接続されている。また、リードフレーム５１は全体がグランドＧＮＤとされ、例えば、ＭＲセンサチップ２２はリードフレーム５１上に電気的に接続、固定されることにより、ＭＲセンサチップ２２のグランドは、グランドＧＮＤに接続される。

ＭＲ半導体素子２３、２４は、垂直方向に印加される磁束密度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果を有するもので、例えば、化合物半導体ＩｎＳｂ（インジウム・アンチモン）等により形成される。ＭＲ半導体素子２３、２４は、図１に対応する回路図に示すように、４５°左斜め上方向のＭＲ半導体素子２３と４５°左斜め下方向のＭＲ半導体素子２４がＴＰ２で直列に接続されて、ハーフブリッジとして構成されている。

第１のＭＲセンサ１０と第２のＭＲセンサ２０は、図１に示すように、所定距離Ｌ１だけ離間して配置されている。この所定距離Ｌ１は、後述するマグネット４０の幅Ｗよりも大きい値であればよい。図１に示すように、この所定距離Ｌ１の中央に磁気検出装置１の中心線ＣＬがくるようにすると、第１のＭＲセンサ１０（ＭＲ半導体素子１３、１４で構成されるハーフブリッジ）と第２のＭＲセンサ２０（ＭＲ半導体素子２３、２４で構成されるハーフブリッジ）は、対称形に形成されている。

（回路部３０）
回路部３０は、図１に示すように、ＩＣチップとして形成されて、リードフレーム５１上に配置されている。回路部３０はリードフレーム５１上に電気的に接続、固定されることにより、回路部３０のグランドは、グランドＧＮＤに接続される。また、ＩＣチップの各端子（パッド部）は、図２に示す回路構成に従って、ワイヤボンディングにより接続されている。

回路部３０は、図２に示すように、第１のＭＲセンサ１０の中間電圧を出力する点ＴＰ１と、第２のＭＲセンサ２０の中間電圧を出力する点ＴＰ２の各電圧を差動増幅する差動増幅器ＯＰで主に構成されている。差動増幅器ＯＰの非反転入力端子３０ａに第１のＭＲセンサ１０の中間電圧Ｖ１が入力され、反転入力端子３０ｂに第２のＭＲセンサ２０の中間電圧Ｖ２が入力される。

したがって、図２に示すように、磁界の方向を示す磁気ベクトルＢ１、Ｂ２が、それぞれ第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０に作用し、磁気ベクトルＢ１、Ｂ２が、それぞれ第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０に水平に作用する場合は、中間電圧Ｖ１とＶ２の差分はゼロであり、回路部３０の出力はゼロとなる。磁気ベクトルＢ１、Ｂ２が、回転すると、１８０°の周期で、回路部３０の出力は周期的に変化する。

（マグネット４０）
マグネット４０は、磁束を発生させる永久磁石であって、検出対象として機能する。図１に示すように、例えば、幅Ｗの直方体であり、所定の方向に着磁されている。図１の位置において、マグネット４０は、例えば、図２で示すＢ１、Ｂ２のような、Ｎ極から出てＳ極に向かう磁束を発生させる。

永久磁石としては、ネオジム磁石、アルニコ磁石、フェライト磁石やプラスティックマグネット等の種々のものが使用できる。また、本実施の形態では、マグネット４０を検出対象とするが、磁束を発生させて検出対象として機能するものであればよく、例えば、電磁石であってもよい。

（リードフレーム５０）
リードフレーム５０は、例えば、リードフレーム５１、５２で構成され、リードフレーム５１上に第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０、回路部３０が実装されて、ワイヤボンディングにより配線されて、封止体６０により一体にモールドパッケージされる。リードフレームの材質としては、例えば、銅や銅合金等の導電性を有する金属材料などが用いられる。また、その表面には、例えば錫、ニッケル、金や銀等の金属材料によりメッキ処理が施されてもよい。

リードフレーム５１は、上記した図１に示すように、第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０、回路部３０が配置され、基板としての機能を有すると共に、グランドＧＮＤ（コモン）としても機能する。

リードフレーム５２は、図１に示すように、回路部３０から出力端子３０ｃが接続点５２ａに接続され、出力端子Ｖoutとして機能する。

（封止体６０）
封止体６０は、リードフレーム５０（リードフレーム５１、５２）上に配置され、ワイヤボンディングにより配線されて実装された第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０、回路部３０を一体にモールドパッケージするものである。封止体６０の材料としては、例えば、エポキシ樹脂を主成分に、シリカ充填材などを加えた熱硬化性成形材料が使用できる。

封止体６０は、図１に示すように、第１のＭＲセンサ１０と第２のＭＲセンサ２０の間において、Ｌ２の距離（幅）で切り欠き部６１とされている。または、Ｌ２の距離（幅）でモールドパッケージの一部が凹部とされている。これにより、図１に示すように、マグネット４０が、Ａ方向に移動しやすいように構成することができる。また、上記の切り欠き部６１により、マグネット４０と第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０との図１の紙面垂直方向の相対位置の設計自由度が増加する。これにより、マグネット４０による磁束が第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０の感磁面を効率的に通過する構成とすることが可能になる。

（接続配線）
図１、２に示すように、第１のＭＲセンサ１０は、点ＴＰ１が差動増幅器ＯＰの非反転入力端子３０ａに接続されている。また、第１のＭＲセンサ１０のＭＲ半導体素子１３の一端１３ａは、電源電圧Ｖｃｃに接続されている。ＭＲ半導体素子１４の一端１４ａは５１ａに接続されてリードフレーム５１を介してグランドＧＮＤ（コモン）に接続されている。いずれもワイヤボンディングにより電気的に接続される。

第２のＭＲセンサ２０も同様に、点ＴＰ２が差動増幅器ＯＰの反転入力端子３０ｂに接続されている。また、第２のＭＲセンサ１０のＭＲ半導体素子２３の一端２３ａは、電源電圧Ｖｃｃに接続されている。ＭＲ半導体素子２４の一端２４ａは５１ａに接続されてリードフレーム５１を介してグランドＧＮＤ（コモン）に接続されている。いずれもワイヤボンディングにより電気的に接続される。

（磁気検出装置１の動作、マグネット４０が中心線ＣＬに沿ってストローク方向（Ａ方向）に移動する場合）
図３（ａ）は、左から順に、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置と検出対象であるマグネットの位置関係を示す平面図、磁束の方向を規定する角度と向きを示す図、磁気ベクトル角（磁束の方向）とＭＲ出力の関係を示すグラフ、であって、マグネットの移動前の状態における各図であり、図３（ｂ）は、左から順に、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置と検出対象であるマグネットの位置関係を示す平面図、磁束の方向を規定する角度と向きを示す図、磁気ベクトル角（磁束の方向）とＭＲ出力の関係を示すグラフ、であって、マグネットのストローク方向（Ａ方向）へ移動した後における各図である。

図３（ａ）において、第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０上を通る磁束の方向である磁気ベクトルをそれぞれＢ１１、Ｂ２１とする。図３（ａ）の真中に図示した磁束の方向を規定する角度と向きを示す図において、磁気ベクトルＢ１１は４５°、磁気ベクトルＢ２１は１３５°とする。

マグネット４０がストローク方向（Ａ方向）に移動すると、図３（ｂ）に示すように、磁気ベクトルＢ１１はＣ方向へ磁気ベクトル角が回転して磁気ベクトルＢ１２となる。また、磁気ベクトルＢ２１はＤ方向へ磁気ベクトル角が回転して磁気ベクトルＢ２２となる。

図３（ａ）における磁気ベクトルの角度差は大であり、これに比べて、図３（ｂ）における磁気ベクトルの角度差は小である。すなわち、マグネット４０のストローク（移動）により、第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０に加わる磁気ベクトルの方向が変化する。

第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０が、それぞれハーフブリッジで構成されているため、ＭＲ出力Ｖoutは、それぞれのＭＲセンサに加わる磁気ベクトルの角度差に比例する。図３（ａ）の右図上に、第１のＭＲセンサ１０の出力点ＭＲ１、第２のＭＲセンサ２０の出力点ＭＲ２を示す。ＭＲ出力Ｖoutは、これら出力点ＭＲ１、ＭＲ２の差分値として出力される。また、図３（ｂ）の右図上に、マグネット４０がストローク移動したときの第１のＭＲセンサ１０の出力点ＭＲ１、第２のＭＲセンサ２０の出力点ＭＲ２を示す。ＭＲ出力Ｖoutは、差動増幅器ＯＰによる出力点ＭＲ１とＭＲ２の差分値として出力されるので、図３（ａ）、図３（ｂ）からわかるように、マグネット４０のストローク移動に伴い出力が小さくなる。なお、ストロークを十分に大きくとれば、磁気ベクトルの回転によりＭＲ出力Ｖoutは周期的に変化し、この周期は１８０°となる。

上記示したように、マグネット４０がストローク方向（Ａ方向）に移動すると、図３（ａ）、図３（ｂ）の右図のように出力が変化する。これにより、検出対象であるマグネット４０の位置を検出することができる。

（磁気検出装置１の動作、マグネット４０が中心線ＣＬからＥ方向にズレた場合）
図４（ａ）は、左から順に、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置と検出対象であるマグネットの位置関係を示す平面図、磁束の方向を規定する角度と向きを示す図、磁気ベクトル角（磁束の方向）とＭＲ出力の関係を示すグラフ、であって、マグネットの移動前の状態における各図であり、図４（ｂ）は、左から順に、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置と検出対象であるマグネットの位置関係を示す平面図、磁束の方向を規定する角度と向きを示す図、磁気ベクトル角（磁束の方向）とＭＲ出力の関係を示すグラフ、であって、マグネットがストローク方向に対して垂直方向（Ｅ方向）へ位置ズレした場合における各図である。

図４（ａ）において、第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０上を通る磁束の方向である磁気ベクトルをそれぞれＢ１１、Ｂ２１とする。図４（ａ）の真中に図示した磁束の方向を規定する角度と向きを示す図において、磁気ベクトルＢ１１は４５°、磁気ベクトルＢ２１は１３５°とする。

マグネット４０が中心線ＣＬからＥ方向に位置ズレすると、図４（ｂ）に示すように、磁気ベクトルＢ１１はＦ方向へ磁気ベクトル角が回転して磁気ベクトルＢ１３となる。また、磁気ベクトルＢ２１はＧ方向へ磁気ベクトル角が回転して磁気ベクトルＢ２３となる。

図４（ｂ）の左図に示すように、磁気ベクトルＢ１１はＦ方向に回転して磁気ベクトルＢ１３となり、図４（ｂ）の真中に図示した磁束の方向を規定する角度と向きを示す図を参照すれば、磁気ベクトル角は小さくなる。一方、磁気ベクトルＢ２１はＧ方向に回転して磁気ベクトルＢ２３となり、図４（ｂ）の真中に図示した磁束の方向を規定する角度と向きを示す図を参照すれば、磁気ベクトル角は大きくなる。

マグネット４０の位置ズレにより、第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０に加わる磁気ベクトルの方向は変化するが、上記示したように、磁気ベクトル角の変化は互いに相殺されて、ＭＲ出力Ｖoutは、位置ズレによる変動が抑えられて出力される。

図４（ａ）の右図上に、第１のＭＲセンサ１０の出力点ＭＲ１、第２のＭＲセンサ２０の出力点ＭＲ２を示す。また、図４（ｂ）の右図上に、マグネット４０が中心線ＣＬからＥ方向に位置ズレした場合の、第１のＭＲセンサ１０の出力点ＭＲ１、第２のＭＲセンサ２０の出力点ＭＲ２を示す。図４（ａ）と比較して、図４（ｂ）の出力点ＭＲ１、出力点ＭＲ２は、それぞれ磁気ベクトル角が同じ方向に同程度だけ変化している。しかし、ＭＲ出力Ｖoutは、差動増幅器ＯＰによる出力点ＭＲ１とＭＲ２の差分値として出力されるので、位置ズレによる出力変動を抑えることができる。

（実施の形態の効果）
本発明の実施の形態に係る磁気検出装置によれば、以下のような効果を有する。
（１）磁気抵抗素子のハーフブリッジで形成される第１のＭＲセンサ１０と、磁気抵抗素子のハーフブリッジで形成され、第１のＭＲセンサ１０と所定距離だけ離間して配置される第２のＭＲセンサ２０と、第１のＭＲセンサの中間電圧と第２のＭＲセンサの中間電圧を差動増幅して出力する回路部３０と、を有し、第１のＭＲセンサ１０と第２のＭＲセンサ２０は、検出対象であるマグネット４０のストローク方向（Ａ方向）に対して垂直方向に対称に配置して構成する。これにより、図４（ａ）、（ｂ）で説明したように、マグネット４０が中心線ＣＬからＥ方向に位置ズレした場合でも、ＭＲ出力Ｖoutは、差動増幅器ＯＰによる出力点ＭＲ１とＭＲ２の差分値として出力されるので、位置ズレによる出力変動を抑えることができる。
（２）マグネット４０が中心線ＣＬからＥ方向に位置ズレした場合の出力変動を抑えることができるので、検出対象以外の動作をキャンセルできる。これにより、図３（ａ）、（ｂ）で説明した、マグネット４０が中心線ＣＬに沿ってストローク方向（Ａ方向）に移動する場合のマグネット４０、すなわち、検出対象の位置の検出精度を向上させることが可能になる。
（３）また、検出対象の位置の検出精度を向上させることが可能になるので、寸法公差を広げることができる等の有利な効果が期待できる。
（４）図１に示すように、封止体６０は、例えば、第１のＭＲセンサ１０と第２のＭＲセンサ２０の間において、Ｌ２の距離（幅）で切り欠き部６１とされている。これにより、マグネット４０が、Ａ方向に移動しやすいように構成することができる。また、上記の切り欠き部６１により、マグネット４０と第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０との図１の紙面垂直方向の位置の設計自由度が増加するので、マグネット４０による磁束が第１のＭＲセンサ１０、第２のＭＲセンサ２０の感磁面を効率的に通過する構成とすることが可能になる。
（５）以上示したように、本発明の実施の形態に係る磁気検出装置によれば、簡単な構成により、検出精度のよい磁気検出装置を提供することが可能となる。

以上、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、一例に過ぎず、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更等を行うことができる。また、これら実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない。さらに、これら実施の形態は、発明の範囲及び要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…磁気検出装置
１０…第１のＭＲセンサ
１２…ＭＲセンサチップ
１３…ＭＲ半導体素子
１３ａ…一端
１４…ＭＲ半導体素子
１４ａ…一端
２０…第２のＭＲセンサ
２２…ＭＲセンサチップ
２３…ＭＲ半導体素子
２３ａ…一端
２４…ＭＲ半導体素子
２４ａ…一端
３０…回路部
３０ａ…非反転入力端子
３０ｂ…反転入力端子
３０ｃ…出力端子
４０…マグネット
５０、５１、５２…リードフレーム
６０…封止体
６１…切り欠き部

Claims

磁気抵抗素子のハーフブリッジで形成される第１のＭＲセンサと、
磁気抵抗素子のハーフブリッジで形成され、前記第１のＭＲセンサと所定距離だけ離間して配置される第２のＭＲセンサと、
前記第１のＭＲセンサの中間電圧と前記第２のＭＲセンサの中間電圧を差動増幅して出力する回路部と、を有し、
前記第１のＭＲセンサと前記第２のＭＲセンサは、検出対象であるマグネットのストローク方向に対して垂直方向に対称に配置されていることを特徴とする磁気検出装置。
前記第１のＭＲセンサ、及び前記第２のＭＲセンサは、リードフレーム上に実装され、封止体により一体にモールドパッケージされて構成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気検出装置。
前記モールドパッケージは、前記第１のＭＲセンサと前記第２のＭＲセンサの間において、少なくとも前記マグネットの幅以上の領域で切り欠かれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気検出装置。