JP2017103661A - 回路装置、発振器、電子機器及び移動体 - Google Patents
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Abstract
Description
1.1 ハイスピードモードの概要
まず本実施形態の手法について説明する。所与のアナログ信号をA/D変換してデジタルデータを取得する回路装置、特に、当該デジタルデータに基づいてデジタル信号処理部(例えばDSP,digital signal processor)において種々の処理を行う回路装置が知られている。一例としては、温度センサー部からの温度検出電圧のA/D変換結果である温度検出データに基づいて、デジタル処理により周波数の温度補償処理を行うDTCXOが知られている。
なお、必須の構成ではないが、本実施形態では上述したハイスピードモードとは異なる方式のA/D変換を行ってもよい。具体的には、処理部23は、起動期間において、MSB側の判定処理を第1の判定期間で行い、LSB側の判定処理を第2の判定期間で行う第1のA/D変換方式(ハイスピードモード)で、A/D変換結果データを求め、起動期間の後の通常動作期間において、起動期間におけるA/D変換結果データを初期値として、第1のA/D変換方式とは異なる第2のA/D変換方式(通常動作モード)でA/D変換結果データを求めてもよい。
図4に本実施形態の回路装置の構成例を示す。この回路装置は、DTCXOやOCXO等のデジタル方式の発振器を実現する回路装置(半導体チップ)である。例えばこの回路装置と振動子XTALをパッケージに収納することで、デジタル方式の発振器が実現される。
次に、A/D変換部20の詳細について説明する。具体的には、A/D変換部20の構成例を説明した後、通常動作モード、ハイスピードモードのそれぞれの手法を説明する。
A/D変換部20の構成例は図1に示したとおりである。図1に示したようにA/D変換部20は、処理部23、レジスター部24、D/A変換器26(DACE、DACF)、比較部27を含む。また温度センサー部用アンプ28を含むことができる。処理部23、レジスター部24は、ロジック部22として設けられ、D/A変換器26、比較部27、温度センサー部用アンプ28は、アナログ部25として設けられる。
Vout1=Vth=(VTD+Vc) (1)
Vout2=−Gx×{(VDAC+Vc)−Vth}
=−Gx(VDAC−VTD) (2)
通常動作モードは、上述したようにA/D変換結果データの急激な変化に起因する不具合、例えば周波数ホッピングによる不具合等を抑止する手法である。まず図9を用いて、周波数ホッピングが原因で発生するGPS(Global Positioning System)の通信エラーについて説明する。
次に第1のA/D変換方式の具体例としてハイスピードモードについて説明する。ハイスピードモードは上述したように、MSB側とLSB側とで判定期間に差を設ける手法であるため、まず具体的な判定期間について説明する。
図13A、図13Bにハイスピードモードにおける判定期間の設定例を示す。図13Aの横軸は時間を表す。図13Aの上段はモードを表し、ここではハイスピードモードの中でも判定期間の長さが異なる3つのモード(モード1〜モード3)が設定されている。図13Aの下段は、15ビットのA/D変換結果データのうち、どのビットが判定対象となっているかを表すものである。D[x:y]との表記は、A/D変換結果データのうち、最下位ビット(LSB)から数えてyビット目からxビット目までのx−y+1ビットの幅を持つデータを表す。最下位ビットをD[0]としているため、例えばD[14:13]であれば最もMSB側の2ビットを表す。
図14Aは、ハイスピードモードにおける具体的な処理の流れを説明するフローチャートである。ハイスピードモードは、大きくD[14:13]を判定する部分(ステップS201〜S205)と、D[12:1]を判定する部分(ステップS206〜S213)とに分けられる。両者の差異は、MSB側への繰り上がり繰り下がりの有無である。以下詳細に説明する。
図4を用いて上述したように、本実施形態に係る回路装置は、D/A変換器26と、比較部27と、処理部23とを含むA/D変換部20と、温度検出データDTDに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、発振周波数の周波数制御データを出力するデジタル信号処理部50と、デジタル信号処理部50からの周波数制御データと振動子XTALを用いて、周波数制御データにより設定される発振周波数の発振信号を生成する発振信号生成回路140と、を含むものであってもよい。
周波数ホッピングを抑止するには、図16に示すように、第1の温度T1から第2の温度T2に温度が変化した場合に、第1の制御電圧VC1と第2の制御電圧VC2の差分電圧VDFの絶対値よりも小さい電圧幅で変化する出力電圧VQが、D/A変換部80から発振回路150に出力されるようにすればよい。
VA<(FD/FR)×VFS (3)
1/2i<(FD/FR) (4)
図19Aに温度センサー部10の第1の構成例を示す。図19Aの温度センサー部10は、電流源ISTと、電流源ISTからの電流がコレクターに供給されるバイポーラートランジスターTRTを有する。バイポーラートランジスターTRTは、そのコレクターとのベースが接続されるダイオード接続となっており、バイポーラートランジスターTRTのコレクターのノードに、温度特性を有する温度検出電圧VTDが出力される。温度検出電圧VTDの温度特性は、バイポーラートランジスターTRTのベース・エミッター間電圧の温度依存性によって生じる。図19Cに示すように温度検出電圧VTDは、負の温度特性(負の勾配を有する1次の温度特性)を有する。
次に本実施形態の種々の変形例について説明する。図21に本実施形態の変形例の回路装置の構成例を示す。図21の回路装置は、温度センサー部10からの温度検出電圧VTDのA/D変換を行い、温度検出データDTDを出力するA/D変換部20と、温度検出データDTDに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、発振周波数の周波数制御データDDSを出力するデジタル信号処理部50と、発振信号生成回路140を含む。
図22Aに、本実施形態の回路装置500を含む発振器400の構成例を示す。図22Aに示すように、発振器400は、振動子420と回路装置500を含む。振動子420と回路装置500は、発振器400のパッケージ410内に実装される。そして振動子420の端子と、回路装置500(IC)の端子(パッド)は、パッケージ410の内部配線により電気的に接続される。
DTD…温度検出データ、FD…許容周波数ドリフト、FR…周波数可変範囲、
IS…電流源、S1〜S4…スイッチ素子、TDAC…期間、TP…所定期間、
Tr…トランジスター、VFS…フルスケール電圧、XTAL…振動子、
10…温度センサー部、20…A/D変換部、22…ロジック部、23…処理部、
24…レジスター部、25…アナログ部、26…D/A変換器、27…比較部、
28…温度センサー部用アンプ、50…デジタル信号処理部、80…D/A変換部、
140…発振信号生成回路、142…可変容量回路、150…発振回路、
160…バッファー回路、206…自動車、207…車体、208…制御装置、
209…車輪、400…発振器、410…パッケージ、420…振動子、
500…回路装置、510…通信部、520…処理部、530…操作部、
540…表示部、550…記憶部
Claims (14)
- 途中結果データ又は最終結果データである結果データを記憶するレジスター部と、
前記結果データをD/A変換してD/A変換電圧を出力するD/A変換器と、
入力電圧と、前記D/A変換器からの前記D/A変換電圧との比較を行う比較部と、
前記比較部の比較結果に基づいて判定処理を行い、前記判定処理に基づいて前記結果データの更新処理を行って、前記入力電圧のA/D変換結果データを求める処理部と、
を含み、
前記処理部は、
前記A/D変換結果データのMSB側の前記判定処理を、第1の判定期間で行い、前記A/D変換結果データのLSB側の前記判定処理を、前記第1の判定期間よりも長い期間である第2の判定期間で行うことを特徴とする回路装置。 - 請求項1に記載の回路装置において、
前記処理部は、
前記回路装置の起動期間の前半期間において、前記A/D変換結果データの前記MSB側の前記判定処理を行い、
前記回路装置の前記起動期間の後半期間において、前記A/D変換結果データの前記LSB側の前記判定処理を行うことを特徴とする回路装置。 - 請求項2に記載の回路装置において、
前記処理部は、
前記起動期間において、前記MSB側の前記判定処理を前記第1の判定期間で行い、前記LSB側の前記判定処理を前記第2の判定期間で行う第1のA/D変換方式で、前記A/D変換結果データを求め、
前記起動期間の後の通常動作期間において、前記起動期間における前記A/D変換結果データを初期値として、前記第1のA/D変換方式とは異なる第2のA/D変換方式で前記A/D変換結果データを求めることを特徴とする回路装置。 - 請求項3に記載の回路装置において、
A/D変換でのデータの最小分解能をLSBとした場合に、
前記処理部は、
前記第2のA/D変換方式として、
第1の出力タイミングの前記A/D変換結果データを第1のA/D変換結果データとし、前記第1の出力タイミングの次の第2の出力タイミングの前記A/D変換結果データを第2のA/D変換結果データとした場合に、前記第1のA/D変換結果データに対する前記第2のA/D変換結果データの変化がk×LSB(kはk<jを満たす整数、jはA/D変換の分解能を表す整数)以下となるように、前記A/D変換結果データを求める処理を行うことを特徴とする回路装置。 - 請求項4に記載の回路装置において、
前記第1の出力タイミングでの前記A/D変換結果データに対応する前回の前記最終結果データを前記D/A変換器で変換した前記D/A変換電圧と、前記入力電圧とを比較して第1の比較結果を出力し、
前記第1の出力タイミングでの前記A/D変換結果データをk×LSB以下の範囲で更新し、更新後のデータを前記D/A変換器で変換した前記D/A変換電圧と、前記入力電圧とを比較して第2の比較結果を出力し、
前記処理部は、
前記第1の比較結果及び前記第2の比較結果に基づく前記判定処理を行い、前記判定処理に基づいて、前記第1の出力タイミングでの前記A/D変換結果データをk×LSB以下の範囲で更新して、第2の出力タイミングでの前記A/D変換結果データとして決定する前記更新処理を行うことを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記処理部は、
前記比較部での比較期間の長さを設定することで、前記第1の判定期間及び前記第2の判定期間の長さを設定することを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記処理部は、
前記A/D変換結果データを、所与のビット幅で複数のビット範囲に区画し、区画された各ビット範囲においてMSB側からLSB側にビット値を決定していくことを特徴とする回路装置。 - 請求項7に記載の回路装置において、
前記A/D変換結果データが第1〜第N(Nは2以上の整数)のビット範囲に区画される場合に、
前記A/D変換結果データのMSB側の前記判定処理は、第1〜第p(pは1以上の整数)のビット範囲に対する判定処理を含み、
前記A/D変換結果データのLSB側の前記判定処理は、第q(qはp<q≦Nを満たす整数)〜第Nのビット範囲に対する判定処理を含むことを特徴とする回路装置。 - 請求項8に記載の回路装置において、
前記処理部は、
前記第1〜第Nのビット範囲のうちの、第r(rは2≦r≦Nを満たす整数)のビット範囲での前記判定結果に基づいて、前記第rのビット範囲のMSB側の第r−1のビット範囲の結果を変更することを特徴とする回路装置。 - 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の回路装置において、
前記入力電圧は、温度センサー部からの温度検出電圧であり、
前記A/D変換結果データは、前記温度検出電圧のA/D変換結果である温度検出データであることを特徴とする回路装置。 - 請求項10に記載の回路装置において、
前記D/A変換器と、前記比較部と、前記処理部とを含むA/D変換回路と、
前記温度検出データに基づいて発振周波数の温度補償処理を行い、前記発振周波数の周波数制御データを出力するデジタル信号処理部と、
前記デジタル信号処理部からの前記周波数制御データと振動子を用いて、前記周波数制御データにより設定される前記発振周波数の発振信号を生成する発振信号生成回路と、
を含むことを特徴とする回路装置。 - 請求項11に記載の回路装置と、
前記振動子と、
を含むことを特徴とする発振器。 - 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
- 請求項1乃至11のいずれか一項に記載の回路装置を含むことを特徴とする移動体。
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