JP2017100934A - Scm−10モレキュラーシーブ、その製造方法及びその使用 - Google Patents

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Abstract

【課題】吸着剤、有機化合物変換触媒として使用可能な、SCM−10モレキュラーシーブ(SFE構造)と、その製造方法の提供。
【解決手段】化学組成;「第1の酸化物・第2の酸化物」で表され、第2の酸化物に対する第1の酸化物のモル比は40未満好ましくは3−40未満、より好ましくは5〜30であり、第1の酸化物は、シリカ及び二酸化ゲルマニウムから1以上選択され、第2の酸化物は、アルミナ、酸化ホウ素、酸化鉄、酸化ガリウム、酸化チタン、希土類酸化物、酸化インジウム及び酸化バナジウムから1以上選択され、前記モレキュラーシーブは、特定のXRDパターンを有するSCM−10モレキュラーシーブ。第1の酸化物源と、第2の酸化物源と有機テンプレート及び水を混合して、結晶化してモレキュラーシーブを得て、更に焼成して得る、SCM−10モレキュラーシーブの製造方法。前記モレキュラーシーブ4−アミノ−ピリジンである前記製造方法。
【選択図】図1

Description

本発明は、SCM−10モレキュラーシーブ、その製造方法及びその使用に関する。
背景技術
産業において、多孔性無機物質が触媒及び触媒担体として広く用いられてきた。これらの多孔性物質には一般に、非晶質多孔性物質、結晶性モレキュラーシーブ及び変性多層物質が含まれる。任意の2物質間の構造におけるわずかな違いが、触媒性能及び吸着能といった特性におけるそれらの間の有意な違い、並びに形態、比表面積又は細孔径といった、それらを特徴づけるのに用いられる利用可能なパラメータにおける更なる違いを示す場合がある。
モレキュラーシーブの構造は、X線回折パターン(XRD)により具体的に確認され、一方そのX線回折パターン(XRD)は、Cu−Kα線源及びNiフィルターを用いる粉末X線回折により測定される。異なるモレキュラーシーブは、異なる特徴的なXRDパターンを有する。A型ゼオライト、Y型ゼオライト、MCM−22モレキュラーシーブ等といった既知のモレキュラーシーブは各々、それらの特徴的なXRDパターンを有する。
同時に、2種のモレキュラーシーブは、同一の特徴的なXRDパターンを共有するが異なる骨格元素の組み合わせを含む場合、異なるモレキュラーシーブと見なされるであろう。例えば、TS−1モレキュラーシーブ(米国特許第4410501号)とZSM−5モレキュラーシーブ(米国特許第3702886号)は、同一の特徴的なXRDパターンを共有するが、骨格元素の異なる組み合わせを含む。具体的には、TS−1モレキュラーシーブは、骨格元素としてSi及びTiを含み、触媒的酸化能を示すが、ZSM−5モレキュラーシーブは、骨格元素としてSi及びAlを含み、酸の触媒能(acidic catalytic ability)を示す。
更に、2種のモレキュラーシーブは、同一の特徴的なXRDパターン及び同一の骨格元素の組み合わせを共有するが、骨格元素の相対量が異なる場合、同様に異なるモレキュラーシーブと見なされるであろう。例えば、ゼオライトX(米国特許第2882244号)とゼオライトY(米国特許第3130007号)は、同一の特徴的なXRDパターン及び同一の骨格元素の組み合わせ(Si及びAl)を共有するが、Si及びAlの相対量が異なる。具体的には、ゼオライトXは、1.5未満のSi/Alモル比を有するが、ゼオライトYは、1.5超のSi/Alモル比を有する。
発明の要約
本発明者らは、従来技術に基づき、SFE構造を有する新規なモレキュラーシーブを見出し、更にその有益な特性を同定した。
具体的には、本発明は、以下の態様に関する。
1.式「第1の酸化物・第2の酸化物」で表される実験化学組成を有するSCM−10モレキュラーシーブであって、第2の酸化物に対する第1の酸化物のモル比は、40未満、好ましくは3〜40未満の範囲、より好ましくは5〜30の範囲であり、第1の酸化物は、シリカ及び二酸化ゲルマニウムからなる群より選択される少なくとも1種、好ましくはシリカであり、第2の酸化物は、アルミナ、酸化ホウ素、酸化鉄、酸化ガリウム、酸化チタン、希土類酸化物、酸化インジウム及び酸化バナジウムからなる群より選択される少なくとも1種、好ましくは、酸化ホウ素、又は酸化ホウ素と、アルミナ、酸化鉄、酸化ガリウム、酸化チタン、希土類酸化物、酸化インジウム及び酸化バナジウムからなる群より選択される少なくとも1種との組み合わせ、より好ましくは、酸化ホウ素、又は酸化ホウ素とアルミナとの組み合わせ、より好ましくは、酸化ホウ素であり、焼成された形態にある前記モレキュラーシーブは、本質的に下記表:
Figure 2017100934

に示すX線回折パターンを有する、SCM−10モレキュラーシーブ。
2.前記X線回折パターンが、本質的に下記表:
Figure 2017100934

に示すX線回折ピークを更に含む、前記態様のいずれか1つに記載のSCM−10モレキュラーシーブ。
3.SCM−10モレキュラーシーブの製造方法であって、第1の酸化物源、第2の酸化物源、有機テンプレート及び水を含む混合物を結晶化させて、前記モレキュラーシーブを得る工程、及び場合により、得られた前記モレキュラーシーブを焼成する工程を含み、前記有機テンプレートは、下記式(A):
Figure 2017100934

(式中、R及びRは、互いに同一であっても異なっていてもよく、各々独立に、C1−8アルキル、好ましくはC1−4アルキル、より好ましくはC1−2アルキルを表す)
で表される化合物、その4級アンモニウム塩及びその4級アンモニウム水酸化物からなる群より選択され、好ましくは4−ジメチルアミノピリジンである、方法。
4.前記混合物がアルカリ源を含まない、前記態様のいずれか1つに記載の方法。
5.前記混合物がフッ素源を含まない、前記態様のいずれか1つに記載の方法。
6.前記混合物がpH=6〜14、好ましくはpH=7〜14、より好ましくは8〜14、より好ましくは8.5〜13.5、より好ましくは9〜12、より好ましくは9〜11を有する、前記態様のいずれか1つに記載の方法。
7.前記第1の酸化物源が、ケイ素源及びゲルマニウム源からなる群より選択される少なくとも1種、好ましくはケイ素源であり、前記第2の酸化物源が、アルミニウム源、ホウ素源、鉄源、ガリウム源、チタン源、希土類源、インジウム源及びバナジウム源からなる群より選択される少なくとも1種、好ましくは、ホウ素源、又はホウ素源と、アルミニウム源、鉄源、ガリウム源、チタン源、希土類源、インジウム源及びバナジウム源からなる群より選択される少なくとも1種との組み合わせ、より好ましくは、ホウ素源、又はホウ素源とアルミニウム源との組み合わせ、より好ましくは、ホウ素源であり、前記第1の酸化物源(第1の酸化物として)、前記第2の酸化物源(第2の酸化物として)、前記有機テンプレート及び水の間のモル比が、1:(0.025〜1/3):(0.01〜1.0):(4〜50)、好ましくは1:(1/30〜1/3):(0.02〜0.9):(4〜40)、より好ましくは1:(1/30〜1/5):(0.04〜0.8):(4〜30)であり、ただし、前記第2の酸化物源(第2の酸化物として)に対する前記第1の酸化物源(第1の酸化物として)のモル比が、40未満、好ましくは30未満である、前記態様のいずれか1つに記載の方法。
8.前記態様のいずれか1つに記載のSCM−10モレキュラーシーブ又は前記態様のいずれか1つに記載の方法に従って製造されたSCM−10モレキュラーシーブ、及び結合剤を含むSCM−10モレキュラーシーブ組成物。
9.吸着剤、又は有機化合物を変換するための触媒としての、前記態様のいずれか1つに記載のSCM−10モレキュラーシーブ、前記態様のいずれか1つに記載の方法に従って製造されたSCM−10モレキュラーシーブ又は前記態様のいずれか1つに記載のSCM−10モレキュラーシーブ組成物の使用。
10.前記有機化合物を変換するための触媒が、アルカン異性化触媒、オレフィンと芳香族化合物との間でのアルキル化用触媒、オレフィン異性化触媒、ナフサクラッキング触媒、アルコールと芳香族化合物との間でのアルキル化用触媒、オレフィン水和触媒及び芳香族化合物不均化触媒からなる群より選択される少なくとも1種である、前記態様のいずれか1つに記載の使用。
技術的効果
本発明によれば、SCM−10モレキュラーシーブは、SFE構造を有するが、当該分野において以前には得られていない化学組成を有する。
図1は、実施例1で製造されたモレキュラーシーブのX線回折パターン(XRD)を示す。
本発明を実施するための具体的形態
以降、次の具体的な実施形態を参照して本発明を詳細に説明する。ただし、本発明の保護範囲は、これらの具体的な実施形態に限定されると解されるべきではなく、むしろ添付の特許請求の範囲によって決められるべきものであることに注意されたい。
本明細書において引用される全ての文献(相互参照される、又は関連するあらゆる特許又は出願を含む)はここに、明示的に除外され、又は他の形で限定されていない限り、参照によりその全体が本明細書に組み入れられるものとする。いかなる文献の引用も、その文書が、本明細書において開示又はクレームされる何らかの発明に関する先行技術であること、或いは、その文書が、単独で、又は他の1つ以上の参考文献との何らかの組み合わせにおいて、何らかのそのような発明を教示し、示唆し、又は開示していることの自白ではない。
更に、本文書中のある用語の何らかの意味又は定義が、参照により組み入れられた文書中の同じ用語の何らかの意味又は定義と矛盾する場合、本文書中においてその用語に割り当てられたその意味又は定義が適用される。
本明細書に関し、モレキュラーシーブを、水及び金属イオン以外の、その製造中に細孔に充填されていた何らかの物質(例えば、有機テンプレート)を細孔から除去する前においては、「前駆体」と称する。
本明細書に関し、モレキュラーシーブのXRDデータ中、w、m、s、vsは、回折ピークの強度を示し、wは「弱い」、mは「中程度」、sは「強い」、vsは「非常に強い」を指し、これは当該分野において周知である。一般に、wは20未満の値;mは20〜40の値;sは40〜70の値;vsは70超の値を示す。
本明細書に関し、モレキュラーシーブ構造は、X線回折パターン(XRD)により確認され、一方そのX線回折パターン(XRD)は、Cu−Kα線源及びNiフィルターを用いる粉末X線回折により測定される。測定前に、走査型電子顕微鏡(SEM)下で試験試料の結晶状態を観察して、その中にただ1種の結晶のみが存在すること(このことは、試験試料としてのそのモレキュラーシーブが、純粋な相として現れていることを示す)を確認し、その後それについて、XRDパターン中に他の結晶の妨害ピークが存在しないことを確実にすべく、XRD測定を行う。
本明細書に関し、総比表面積とは、試料の単位重量当たりの総面積を指し、これには内部表面積と外部表面積が含まれる。ポルトランドセメント又はある種の粘土鉱物の粉末のように、無孔性物質は、外部表面積のみを有するが、石綿繊維、珪藻土又はモレキュラーシーブのように、多孔性物質は、外部表面積と内部表面積を有する。多孔性物質においては、直径2nm未満の細孔の表面積を内部表面積と称し、総表面積から内部表面積を減算して得られる表面積を外部表面積と称する。試料の単位重量当たりの外部表面積を、外部比表面積と称する。
本明細書に関し、細孔容積とは、多孔性物質(例えばモレキュラーシーブ)の、単位重量当たりの細孔の容積を指す。総細孔容積とは、モレキュラーシーブの、単位重量当たりの全ての細孔(一般に、細孔径50nm未満の細孔のみを含める)の容積を指す。微細孔容積とは、モレキュラーシーブの、単位重量当たりの全ての微細孔(一般に、細孔径2nm未満の細孔を指す)の容積を指す。
本発明は、SCM−10モレキュラーシーブに関する。SCM−10モレキュラーシーブは、SFE構造を有するが、当該分野において以前には得られていない化学組成を有する。
本発明によれば、SCM−10モレキュラーシーブは、式「第1の酸化物・第2の酸化物」で表される実験化学組成を有する。モレキュラーシーブは時に(特に、その製造直後)、ある量の水を含んでいることが知られているが、水の有無は本モレキュラーシーブのXRDパターンを実質的に変化させないので、本発明では、この量がどれほどでありうるかを特定又は同定しない。このことに関し、前記実験化学組成は、実際にはこのモレキュラーシーブの無水化学組成を示している。更に、前記実験化学組成が、モレキュラーシーブの骨格の化学組成を示していることは明らかである。
本発明によれば、SCM−10モレキュラーシーブにおいて、第2の酸化物に対する第1の酸化物のモル比は、一般には40未満、好ましくは3〜40未満の範囲、より好ましくは5〜30の範囲である。
本発明によれば、SCM−10モレキュラーシーブにおいて、第1の酸化物は、シリカ及び二酸化ゲルマニウムからなる群より選択される少なくとも1種、好ましくはシリカである。
本発明によれば、SCM−10モレキュラーシーブにおいて、第2の酸化物は、アルミナ、酸化ホウ素、酸化鉄、酸化ガリウム、酸化チタン、希土類酸化物、酸化インジウム及び酸化バナジウムからなる群より選択される少なくとも1種、好ましくは、酸化ホウ素、又は酸化ホウ素と、アルミナ、酸化鉄、酸化ガリウム、酸化チタン、希土類酸化物、酸化インジウム及び酸化バナジウムからなる群より選択される少なくとも1種との組み合わせ、より好ましくは、酸化ホウ素、又は酸化ホウ素とアルミナとの組み合わせ、より好ましくは、酸化ホウ素である。
本発明の一実施形態によれば、第1の酸化物は、シリカであり、第2の酸化物は、酸化ホウ素である。
本発明の他の一実施形態によれば、第1の酸化物は、シリカ及び二酸化ゲルマニウムからなる群より選択される少なくとも1種であり、第2の酸化物は、酸化ホウ素である。
本発明の他の一実施形態によれば、第1の酸化物は、シリカであり、第2の酸化物は、酸化ホウ素及びアルミナからなる群より選択される少なくとも1種である。
本発明の一実施形態によれば、複数の酸化物を組み合わせて用いる場合、2種の酸化物それぞれの間のモル比は、一般には1〜99.6:99〜0.4、好ましくは33〜99.5:67〜0.5、より好ましくは50〜99:50〜1、より好ましくは60〜99:40〜1、より好ましくは66〜98:34〜2、より好ましくは66〜97:34〜3である。
本発明によれば、焼成された形態にある前記モレキュラーシーブは、本質的に下記表:
Figure 2017100934

に示すX線回折パターンを有する。
更に、前記X線回折パターンは、本質的に下記表:
Figure 2017100934

に示すX線回折ピークを更に含む。
本発明によれば、SCM−10モレキュラーシーブは、比表面積(BET法による)250〜600m2/g、好ましくは280〜450m2/gを有する。
本発明によれば、SCM−10モレキュラーシーブは、細孔容積(t−プロット法による)0.05〜0.25cm3/g、好ましくは0.08〜0.18cm3/gを有する。
本発明によれば、SCM−10モレキュラーシーブは、細孔径(アルゴン吸着法による)0.6〜0.73nm、好ましくは0.62〜0.68nmを有する。
本発明によれば、SCM−10モレキュラーシーブは、以下の方法に従って製造することができる。このことに鑑みて、本発明は更に、SCM−10モレキュラーシーブの製造方法であって、第1の酸化物源、第2の酸化物源、有機テンプレート及び水を含む混合物(以降、前記混合物と称する)を結晶化させて、前記モレキュラーシーブを得る工程(以降、結晶化工程と称する)を含む方法に関する。
本発明によれば、SCM−10モレキュラーシーブの製造方法において、前記有機テンプレートは、下記式(A):
Figure 2017100934

で表される化合物、その4級アンモニウム塩又はその4級アンモニウム水酸化物、好ましくは4−ジメチルアミノピリジンであってよい。
本発明によれば、式(A)において、R及びRは、互いに同一であっても異なっていてもよく、各々独立に、C1−8アルキル、好ましくはC1−4アルキル、より好ましくはC1−2アルキル、最も好ましくは共にメチルを表す。
本発明によれば、式(A)で表される化合物の4級アンモニウム塩として、窒素原子に、基R及びRに加え、C1−8アルキル(好ましくはC1−4アルキル、より好ましくはC1−2アルキル又はメチル)を更に結合させることにより得られる4級窒素(N)構造を例示し得る。4級窒素の対イオンとしては、Brのようなハロイオンを例示し得るが、これに限定されない。
本発明によれば、式(A)で表される化合物の4級アンモニウム水酸化物として、窒素原子に、基R及びRに加え、C1−8アルキル(好ましくはC1−4アルキル、より好ましくはC1−2アルキル又はメチル)を更に結合させることにより得られる4級窒素(N)構造を例示し得る。4級窒素の対イオンとして、ヒドロキシルイオン(OH)が必要である。
本発明によれば、モレキュラーシーブの製造方法において、結晶化工程は、当該分野において公知のいかなる方法で行ってもよく、第1の酸化物源、第2の酸化物源、有機テンプレート及び水を所与の比率で混合し、次いで得られた混合物を、結晶化条件下に水熱結晶化するに任せる方法を例示し得る。
本発明によれば、モレキュラーシーブの製造方法において、結晶化条件には、140〜210℃、好ましくは150〜190℃、より好ましくは160〜180℃の結晶化温度、10時間〜10日、好ましくは1〜7日、より好ましくは1〜5日、より好ましくは1〜3日の結晶化期間が含まれる。
本発明によれば、モレキュラーシーブの製造方法において、第1の酸化物源は、ケイ素源及びゲルマニウム源からなる群より選択される少なくとも1種、好ましくはケイ素源である。
本発明によれば、モレキュラーシーブの製造方法において、第2の酸化物源は、アルミニウム源、ホウ素源、鉄源、ガリウム源、チタン源、希土類源、インジウム源及びバナジウム源からなる群より選択される少なくとも1種、好ましくは、ホウ素源、又はホウ素源と、アルミニウム源、鉄源、ガリウム源、チタン源、希土類源、インジウム源及びバナジウム源からなる群より選択される少なくとも1種との組み合わせ、より好ましくは、ホウ素源、又はホウ素源とアルミニウム源との組み合わせ、より好ましくは、ホウ素源である。
本発明によれば、モレキュラーシーブの製造方法において、第1の酸化物源としては、当該分野においてこの目的で知られる任意の対応酸化物源を用いることができる。例えば、第1の酸化物がシリカである場合、第1の酸化物源(ケイ素源)として、ケイ酸、シリカゲル、シリカゾル、水ガラス又はテトラアルコキシシランを例示し得る。第1の酸化物が二酸化ゲルマニウムである場合、第1の酸化物源(ゲルマニウム源)として、テトラアルコキシゲルマニウム、二酸化ゲルマニウム、硝酸ゲルマニウムを例示し得る。第1の酸化物源としては、1種、又は2種以上(それらの間の比は任意)の混合物を用いることができる。
本発明によれば、モレキュラーシーブの製造方法において、第2の酸化物源としては、当該分野においてこの目的で知られる任意の対応酸化物源を用いることができ、これには、第2の酸化物中の対応金属の、酸化物、アルコキシド、オキソ金属酸塩、酢酸塩、シュウ酸塩、アンモニウム塩、硫酸塩及び硝酸塩が含まれるが、これらに限定されない。例えば、第2の酸化物がアルミナである場合、第2の酸化物源(アルミニウム源)として、水酸化アルミニウム、アルミン酸ナトリウム、アルミニウム塩、アルミニウムアルコキシド、カオリン又はモンモリロナイトを例示し得る。アルミニウム塩として、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、炭酸アルミニウム、リン酸アルミニウム、塩化アルミニウム又はミョウバンを例示し得る。アルミニウムアルコキシドとして、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウムブトキシドを例示し得る。第2の酸化物が酸化ホウ素である場合、第2の酸化物(ホウ素源)源として、ホウ酸、ホウ酸塩、ボラックス、三酸化二ホウ素を例示し得る。第2の酸化物が酸化鉄である場合、第2の酸化物源(鉄源)として、硝酸鉄(III)、塩化鉄(III)、酸化鉄を例示し得る。第2の酸化物が酸化ガリウムである場合、第2の酸化物源(ガリウム源)として、硝酸ガリウム、硫酸ガリウム、酸化ガリウムを例示し得る。第2の酸化物が酸化チタンである場合、第2の酸化物源(チタン源)として、チタンテトラアルコキシド、チタニア、硝酸チタンを例示し得る。第2の酸化物が希土類酸化物である場合、第2の酸化物源(希土類源)として、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化イットリウム、酸化セリウム、硝酸ランタン、硝酸ネオジム、硝酸イットリウム、硫酸アンモニウムセリウムを例示し得る。第2の酸化物が酸化インジウムである場合、第2の酸化物源(インジウム源)として、塩化インジウム、硝酸インジウム、酸化インジウムを例示し得る。第2の酸化物が酸化バナジウムである場合、第2の酸化物源(バナジウム源)として、塩化バナジウム、メタバナジン酸アンモニウム、バナジン酸ナトリウム、二酸化バナジウム、硫酸バナジルを例示し得る。第2の酸化物源としては、1種、又は2種以上(それらの間の比は任意)の混合物を用いることができる。
本発明の一実施形態によれば、第1の酸化物源について、複数の酸化物源を組み合わせて用いる場合、2種の酸化物源それぞれの間のモル比は、一般には1〜99.6:99〜0.4、好ましくは33〜99.5:67〜0.5、より好ましくは50〜99:50〜1、より好ましくは60〜99:40〜1、より好ましくは66〜98:34〜2、より好ましくは66〜97:34〜3である。
本発明の一実施形態によれば、第2の酸化物源について、複数の酸化物源を組み合わせて用いる場合、2種の酸化物源それぞれの間のモル比は、一般には1〜99.6:99〜0.4、好ましくは33〜99.5:67〜0.5、より好ましくは50〜99:50〜1、より好ましくは60〜99:40〜1、より好ましくは66〜98:34〜2、より好ましくは66〜97:34〜3である。
本発明の一実施形態によれば、モレキュラーシーブの製造方法において、本発明のモレキュラーシーブを得ることを促進する観点から、前記混合物はアルカリ源を含まない。アルカリ源として、第1の酸化物源、第2の酸化物源及び有機テンプレートを除くアルカリ性物質を例示することができ、具体的には、当該分野において反応系をアルカリ性にするのに従来用いられる任意のアルカリ源を例示することができ、より具体的には、陽イオンとしてアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有する無機アルカリ、特にNaOH及びKOHを例示することができる。本明細書において、「アルカリ源を含まない」とは、前記混合物にアルカリ源を意図的又は故意に導入しないことを意味する。
本発明の一実施形態によれば、モレキュラーシーブの製造方法において、本発明のモレキュラーシーブを得ることを促進する観点から、前記混合物はフッ素源を含まない。フッ素源として、フッ化物又はその水溶液、特にHFを例示することができる。本明細書において、「フッ素源を含まない」とは、前記混合物にフッ素源を意図的又は故意に導入しないことを意味する。
本発明の一実施形態によれば、モレキュラーシーブの製造方法において、本発明のモレキュラーシーブを得ることを促進する観点から、少なくとも結晶化工程の初めにおいて、好ましくは結晶化工程を通じて、前記混合物をpH=6〜14、好ましくはpH=7〜14、より好ましくは8〜14、より好ましくは8.5〜13.5、より好ましくは9〜12に制御する。
本発明の一実施形態によれば、モレキュラーシーブの製造方法において、第1の酸化物源(第1の酸化物として)、第2の酸化物源(第2の酸化物として)、有機テンプレート及び水の間のモル比は、1:(0.025〜1/3):(0.01〜1.0):(4〜50)、好ましくは1:(1/30〜1/3):(0.02〜0.9):(4〜40)、より好ましくは1:(1/30〜1/5):(0.04〜0.8):(4〜30)であり;ただし、第2の酸化物源(第2の酸化物として)に対する第1の酸化物源(第1の酸化物として)のモル比は、40未満、好ましくは30未満である。
本発明の一実施形態によれば、前記方法において、結晶化工程が完結したら、当該分野において従来公知の任意の方法を用いて、得られた反応混合物から最終生成物としてモレキュラーシーブを単離し、本発明のモレキュラーシーブを得てよい。分離方法として、得られた反応混合物を濾過し、洗浄及び乾燥する方法を例示し得る。本明細書において、濾過、洗浄及び乾燥は、当該分野において従来公知の任意の方法で行うことができる。具体的には、濾過として、得られた反応混合物を単純に吸引濾過する方法を例示し得る。洗浄として、脱イオン水で洗浄する方法を例示し得る。乾燥温度として、40〜250℃の温度、好ましくは60〜150℃の温度を例示することができ、乾燥期間として、8〜30時間の期間、好ましくは10〜20時間の期間を例示することができる。乾燥は、常圧下でも減圧下でも行うことができる。
本発明によれば、前記方法において、必要であれば、得られたモレキュラーシーブを焼成して、有機テンプレート及びあれば水をそれから除去し、そのことにより焼成モレキュラーシーブ(即ち、焼成された形態にあるモレキュラーシーブ)を得るようにすることができ、これもまた、本発明のモレキュラーシーブに相当する。焼成は、当該分野において従来公知の任意の方法で行うことができ、例えば、焼成温度は、一般には300〜800℃、好ましくは400〜650℃であり、一方焼成期間は、一般には1〜10時間、好ましくは3〜6時間である。更に、焼成は一般に酸素含有雰囲気下、例えば空気雰囲気下又は酸素雰囲気下で行われる。
本発明によれば、得られたモレキュラーシーブは、例えば、粉末、粒子又は成形物(例えば、細片、クローバー)といった、あらゆる物理的形態で使用してよい。これらの物理的形態は、当該分野において従来知られるあらゆる様式で得ることができ、これについては特に限定されない。
本発明によるモレキュラーシーブは、他の物質と合わせてよく、これによりモレキュラーシーブ組成物を得る。他の物質としては、活性物質及び不活性物質を例示し得る。活性物質としては、合成ゼオライト及び天然ゼオライトを例示し得、不活性物質(一般には結合剤と称する)としては、粘土、白土、シリカゲル及びアルミナを例示し得る。これらの他の物質としては、1種、又は2種以上(それらの間の比は任意)の混合物を用いることができる。これらの他の物質の量としては、当該分野において従来用いられるあらゆる量を用いることができ、これについては特に限定されない。
本発明のモレキュラーシーブ又はモレキュラーシーブ組成物は、吸着剤、例えば、複数の成分からできている混合物から少なくとも1成分を単離するために、気相又は液相で用いられるそれとして用いることができる。このようにして、少なくとも1成分の一部又は実質的に全てを、混合物から単離することができる。具体的には、モレキュラーシーブ又はモレキュラーシーブ組成物を混合物と接触させ、これによりこの成分を選択的に吸着する方法を例示し得る。
本発明のモレキュラーシーブ又はモレキュラーシーブ組成物は、そのままで、又は、当該分野においてモレキュラーシーブに関して従来用いられるようにして処理又は変換した後で(例えばイオン交換の後で)、有機化合物を変換するための触媒(又はその触媒活性成分)として使用し得る。具体的には、本発明によれば、例えば、有機化合物を変換するための触媒の存在下に、反応体に所与の反応を行わせて、目的とする生成物を得ることができる。所与の反応としては、ノルマルパラフィンの異性化、エチルベンゼンを製造するための、ベンゼンとエチレンの間での液相アルキル化、イソプロピルベンゼンを製造するための、ベンゼンとプロペンの間での液相アルキル化、ブテン異性化、ナフサクラッキング反応、エタノールによるベンゼンのアルキル化、シクロヘキセン水和、p−キシレンを製造するためのトルエン不均化、p−キシレンを製造するための、メタノールによるトルエンのアルキル化又は2,6−ジ(イソプロピル)ナフタレンを製造するための、イソプロピルナフタレンの不均化を例示し得る。このことに鑑みて、有機化合物を変換するための触媒としては、アルカン異性化触媒、オレフィンと芳香族化合物との間でのアルキル化用触媒、オレフィン異性化触媒、ナフサクラッキング触媒、アルコールと芳香族化合物との間でのアルキル化用触媒、オレフィン水和触媒又は芳香族化合物不均化触媒を例示し得る。
実施例
以下の実施例は、本発明を限定するというよりも、本発明を説明するものである。
実施例1
有機テンプレートの4−ジメチルアミノピリジン10.995g、水54.0g、ホウ酸1.879g、シリカゾル(SiO40重量%を含有)22.5gを均一になるまで混合して、次の比率(モル比):
SiO/B=10
4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.6
O/SiO=25
を有する混合物を得、次いでこれをステンレス鋼製反応器に入れ、撹拌下、175℃で3日間結晶化させ、結晶化が完結したら、濾過し、洗浄し、乾燥させてモレキュラーシーブ前駆体を得、次いで、前記前駆体を、空気中650℃で6時間焼成して、モレキュラーシーブを得た。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表1に列挙され、XRDパターンは、図1に示す通りである。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積297m2/g、細孔容積0.11cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=16.2を有する
Figure 2017100934
実施例2
有機テンプレートの4−ジメチルアミノピリジン36.651g、水45g、二酸化ゲルマニウム3.488g、ホウ酸3.34g、シリカゾル(SiO40重量%を含有)75gを均一になるまで混合して、次の比率(モル比):
(SiO+GeO)/B=20
4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.6
O/SiO=10
を有する混合物を得、次いでこれをステンレス鋼製反応器に入れ、撹拌下、180℃で2日間結晶化させ、結晶化が完結したら、濾過し、洗浄し、乾燥させて、合成形態のモレキュラーシーブを得た。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表2に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積342m2/g、細孔容積0.12cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=25.2を有する。
Figure 2017100934
実施例3
有機テンプレートの4−ジメチルアミノピリジン109.95g、水540g、ホウ酸9.394g、水酸化アルミニウム3.939g、シリカゾル(SiO40重量%を含有)225.0gを均一になるまで混合して、次の比率(モル比):
SiO/(B+Al)=15
4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.6
O/SiO=25
を有する混合物を得、次いでこれをステンレス鋼製反応器に入れ、撹拌下、170℃で3日間結晶化させ、結晶化が完結したら、濾過し、洗浄し、乾燥させ、次いで前記前駆体を、空気中650℃で6時間焼成して、モレキュラーシーブを得た。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表3に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積321m2/g、細孔容積0.13cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=25.2、SiO/Al=63.0を有する。
Figure 2017100934
実施例4
SiO/GeO=19.2、(SiO+GeO)/B=35.2、4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.8、HO/SiO=25とし、170℃で70時間結晶化させたことを除き、実施例2と同様。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表4に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積297m2/g、細孔容積0.11cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=35.2を有する。
Figure 2017100934
実施例5
SiO/B=27、4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.3、HO/SiO=25とし、170℃で3日間結晶化させたことを除き、実施例1と同様。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表5に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積343m2/g、細孔容積0.13cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=31.5を有する。
Figure 2017100934
実施例6
SiO/B=20、4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.2、HO/SiO=30とし、170℃で80時間結晶化させたことを除き、実施例1と同様。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表6に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積347m2/g、細孔容積0.12cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=28.0を有する。
Figure 2017100934
実施例7
SiO/B=10、4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.4、HO/SiO=17.5とし、170℃で2日間結晶化させたことを除き、実施例1と同様。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表7に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積357m2/g、細孔容積0.13cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=14.2を有する。
Figure 2017100934
実施例8
SiO/B=5、4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.5、HO/SiO=25とし、170℃で66時間結晶化させたことを除き、実施例1と同様。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表8に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積342m2/g、細孔容積0.12cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=12.1を有する。
Figure 2017100934
実施例9
SiO/B=35、4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.36、HO/SiO=25とし、170℃で3日間結晶化させたことを除き、実施例1と同様。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表9に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積331m2/g、細孔容積0.12cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=39.5を有する。
Figure 2017100934
実施例10
アルミニウム源として硫酸アルミニウムを用い、SiO/(Al+B)=20、4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.4、HO/SiO=25とし、170℃で3日間結晶化させたことを除き、実施例3と同様。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表10に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積288m2/g、細孔容積0.09cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=35.2、SiO/Al=63.3を有する。
Figure 2017100934
実施例11
フッ素源としてHFを添加し、SiO/B=15、4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.5、F/SiO=0.4、HO/SiO=25とし、170℃で60時間結晶化させたことを除き、実施例1と同様。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表11に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積318m2/g、細孔容積0.10cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=21.2を有する。
Figure 2017100934
実施例12
チタン源としてチタン酸テトラ−n−ブチルを添加し、SiO/B=10、SiO/TiO=30、4−ジメチルアミノピリジン/SiO=0.8、HO/SiO=25とし、170℃で3日間結晶化させたことを除き、実施例1と同様。
得られたモレキュラーシーブのXRDデータは、表12に列挙され、XRDパターンは、図1に類似している。
得られたモレキュラーシーブは、比表面積335m2/g、細孔容積0.10cm3/gを有する。
誘導結合プラズマ原子発光分光法(ICP)で測定すると、焼成後の試料は、SiO/B=16.2、SiO/TiO=39.1を有する。
Figure 2017100934
実施例13
実施例3で製造した粉末状のモレキュラーシーブ30gを、硝酸アンモニウム水溶液(濃度1mol/L)で4回イオン交換し、濾過し、110℃で乾燥し、空気中500℃で6時間焼成した。次いで、焼成したモレキュラーシーブ1.5gを100mLステンレス鋼製反応器に入れ、そこへ更にイソプロピルナフタレン35gを導入し、反応器を閉じた。200rpmでの撹拌下、250℃で48時間反応を行った。反応が完結したら、系を室温まで冷却し、そこから遠心でモレキュラーシーブ粉末を単離した後、反応生成物をAgilent 19091N-236ガスクロマトグラフで分析し、これはイソプロピルナフタレン転化率26.82%と、目的生成物2,6−ジ(イソプロピル)ナフタレン及び2,7−ジ(イソプロピル)ナフタレンに対する総選択性74.88%を示した。

Claims (10)

  1. 式「第1の酸化物・第2の酸化物」で表される実験化学組成を有するSCM−10モレキュラーシーブであって、第2の酸化物に対する第1の酸化物のモル比は、40未満、好ましくは3〜40未満の範囲、より好ましくは5〜30の範囲であり、第1の酸化物は、シリカ及び二酸化ゲルマニウムからなる群より選択される少なくとも1種、好ましくはシリカであり、第2の酸化物は、アルミナ、酸化ホウ素、酸化鉄、酸化ガリウム、酸化チタン、希土類酸化物、酸化インジウム及び酸化バナジウムからなる群より選択される少なくとも1種、好ましくは、酸化ホウ素、又は酸化ホウ素と、アルミナ、酸化鉄、酸化ガリウム、酸化チタン、希土類酸化物、酸化インジウム及び酸化バナジウムからなる群より選択される少なくとも1種との組み合わせ、より好ましくは、酸化ホウ素、又は酸化ホウ素とアルミナとの組み合わせ、より好ましくは、酸化ホウ素であり、焼成された形態にある前記モレキュラーシーブは、本質的に下記表:
    Figure 2017100934

    に示すX線回折パターンを有する、SCM−10モレキュラーシーブ。
  2. 前記X線回折パターンが、本質的に下記表:
    Figure 2017100934

    に示すX線回折ピークを更に含む、請求項1に記載のSCM−10モレキュラーシーブ。
  3. SCM−10モレキュラーシーブの製造方法であって、第1の酸化物源、第2の酸化物源、有機テンプレート及び水を含む混合物を結晶化させて、前記モレキュラーシーブを得る工程、及び場合により、得られた前記モレキュラーシーブを焼成する工程を含み、前記有機テンプレートは、下記式(A):
    Figure 2017100934

    (式中、R及びRは、互いに同一であっても異なっていてもよく、各々独立に、C1−8アルキル、好ましくはC1−4アルキル、より好ましくはC1−2アルキルを表す)
    で表される化合物、その4級アンモニウム塩及びその4級アンモニウム水酸化物からなる群より選択され、好ましくは4−ジメチルアミノピリジンである、方法。
  4. 前記混合物がアルカリ源を含まない、請求項3に記載の方法。
  5. 前記混合物がフッ素源を含まない、請求項3に記載の方法。
  6. 前記混合物がpH=6〜14、好ましくはpH=7〜14、より好ましくは8〜14、より好ましくは8.5〜13.5、より好ましくは9〜12、より好ましくは9〜11を有する、請求項3に記載の方法。
  7. 前記第1の酸化物源が、ケイ素源及びゲルマニウム源からなる群より選択される少なくとも1種、好ましくはケイ素源であり、前記第2の酸化物源が、アルミニウム源、ホウ素源、鉄源、ガリウム源、チタン源、希土類源、インジウム源及びバナジウム源からなる群より選択される少なくとも1種、好ましくは、ホウ素源、又はホウ素源と、アルミニウム源、鉄源、ガリウム源、チタン源、希土類源、インジウム源及びバナジウム源からなる群より選択される少なくとも1種との組み合わせ、より好ましくは、ホウ素源、又はホウ素源とアルミニウム源との組み合わせ、より好ましくは、ホウ素源であり、前記第1の酸化物源(第1の酸化物として)、前記第2の酸化物源(第2の酸化物として)、前記有機テンプレート及び水の間のモル比が、1:(0.025〜1/3):(0.01〜1.0):(4〜50)、好ましくは1:(1/30〜1/3):(0.02〜0.9):(4〜40)、より好ましくは1:(1/30〜1/5):(0.04〜0.8):(4〜30)であり、ただし、前記第2の酸化物源(第2の酸化物として)に対する前記第1の酸化物源(第1の酸化物として)のモル比が、40未満、好ましくは30未満である、請求項3に記載の方法。
  8. 請求項1に記載のSCM−10モレキュラーシーブ又は請求項3に記載の方法に従って製造されたSCM−10モレキュラーシーブ、及び結合剤を含むSCM−10モレキュラーシーブ組成物。
  9. 吸着剤、又は有機化合物を変換するための触媒としての、請求項1に記載のSCM−10モレキュラーシーブ、請求項3に記載の方法に従って製造されたSCM−10モレキュラーシーブ又は請求項8に記載のSCM−10モレキュラーシーブ組成物の使用。
  10. 前記有機化合物を変換するための触媒が、アルカン異性化触媒、オレフィンと芳香族化合物との間でのアルキル化用触媒、オレフィン異性化触媒、ナフサクラッキング触媒、アルコールと芳香族化合物との間でのアルキル化用触媒、オレフィン水和触媒及び芳香族化合物不均化触媒からなる群より選択される少なくとも1種である、請求項9に記載の使用。
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