JP2017092467A - 温度効果を含む成形ビームリソグラフィを使用してパターンを形成するための方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
Description
本願は「Method and System for Forming Patterns Using Shaped Beam Lithography Including Temperature Effects」と題する、2015年11月4日付け米国仮特許出願62/250,913に対する優先権を主張するものであり、あらゆる目的のためにこれを参照文献とすることにより、本願に援用する。
Claims (18)
- 全期間中に荷電粒子ビームライタから送出される複数のショットグループを画定するデータを受け、前記複数のショットグループの第1ショットグループは、前記全期間中の第1期間に表面の第1指定領域に送出され、更に、
前記全期間中の異なる期間で前記第1指定領域の温度を決定することを含み、
前記受けること及び決定することは、コンピューティングハードウェアプロセッサにより実行される、方法。 - 前記異なる期間は、前記第1指定領域で第2ショットグループからの露光の二次的効果を受ける第2期間であり、前記第2ショットグループからの露光の前記二次的効果は、長距離効果と中距離効果とを有するグループの1つを含み、前記長距離効果は後方散乱を含み、中距離効果はEUV散乱効果を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数のショットグループは、第2指定領域に送出される第2ショットグループを含み、前記異なる期間は、前記第1指定領域で前記第2ショットグループから露光の二次的効果を受ける期間であり、更に、
前記方法は、更に、前記第2ショットグループにより、前記第1指定領域で露光の前記二次的効果を決定することを含み、前記二次的効果を決定することは、前記異なる期間における前記第1指定領域の温度が、前記第1指定領域で前記第2ショットグループから二次的効果にどのように影響するかを考慮する、請求項1に記載の方法。 - 前記第2ショットグループからの露光の前記二次的効果は、長距離効果と中距離効果とを包含するグループの1つを含み、前記長距離効果は、後方散乱を含み、前記中距離効果は、EUV散乱効果を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記温度を決定することは、全期間内の複数の期間にわたって実行され、露光は、前記第1指定領域が各期間に受け、更に、
前記方法は、更に、各期間における前記第1指定領域の温度に基づいて前記第1指定領域の実効温度を決定することを含み、各期間における前記第1指定領域の温度に補償ファクタが適用され、各期間における前記補償ファクタは、その期間に前記第1指定領域が受けた露光量に基づく、請求項1に記載の方法。 - 前記第1領域が各期間に受けた前記露光は、前方散乱及び二次的効果を含むグループの1つを含む露光タイプであり、前記二次的効果は後方散乱を含み、更に、
前記補償ファクタは、更に、前記露光タイプにしたがう、請求項5に記載の方法。 - 前記複数のショットグループの各ショットグループは、1つまたは複数の個々の荷電粒子ビームショットを含み、更に、
前記荷電粒子ビームライタは、単一ビームライタまたはマルチビームライタである、請求項1に記載の方法。 - 前記第1指定領域は、チップ、ストライプ、ゾーンまたはサブゾーンを含むグループの1つで画定される、請求項1に記載の方法。
- 全期間中に荷電粒子ビームライタが送出する複数のショットグループを画定するデータを受け、前記複数のショットグループのターゲットショットグループは、全期間中のターゲット期間に表面のターゲット指定領域に送出され、
複数の期間に前記ターゲット指定領域の複数の過渡温度を決定し、各期間は、複数のショットグループのうちのショットグループからターゲット指定領域が受ける露光の時間の間隔であり、過渡温度が決定される少なくとも1つのショットグループは、ターゲットショットグループとは異なり、
全期間に対する前記ターゲット指定領域の実効温度を決定し、前記実効温度は、複数の過渡温度を使用して決定され、各期間で補償ファクタを前記過渡温度に適用し、前記補償ファクタは、前記ターゲット領域がその期間に受けた露光量に基づき、更に、
前記ターゲット指定領域の前記実効温度に基づいて前記ターゲットショット内のショットを変更し、
前記受けること、前記複数の過渡温度を決定すること、前記実効温度を決定すること、及び、前記変更することは、コンピューティングハードウェアプロセッサで実行される、方法。 - 前記変更は、用量補正ファクタをターゲットショットグループのショットの用量に適用させる、請求項9に記載の方法。
- 前記実効温度の決定は、適用された露光ベースの補償ファクタを有する過渡温度を合計し、前記合計を、全期間中に前記ターゲット指定領域が受けた全ての露光の合計で割る、請求項9に記載の方法。
- 前記ターゲット指定領域が各期間に受けた露光は、前方散乱及び二次的効果を包含するグループの1つを含む露光タイプであり、前記二次的効果は後方散乱を含み、更に、
前記補償ファクタは、更に、前記露光タイプにしたがう、請求項11に記載の方法。 - 更に、ターゲットショットグループを使用してパターンを書き込み、更に、
複数のショットグループの他のショットグループに対応する他の指定領域に対して実効温度を決定し、
前記方法は、他のショットグループに対する実効温度の決定を実行する間に、書き込みを実行するインラインコンピューティングを含む、請求項9に記載の方法。 - 前記コンピューティングハードウェアプロセッサは、グラフィック処理ユニットを含む、請求項13に記載の方法。
- 全期間中に荷電粒子ビームライタが送出する複数のショットグループを画定するデータを受け、前記複数のショットグループの第1ショットグループは、全期間中の第1期間に表面の第1指定領域に送出され、更に、
第2期間に前記第1指定領域の温度を決定し、この第2期間は、複数のショットグループの第2ショットグループからの露光の二次的効果を前記第1指定領域で受ける時間であり、更に、
前記第1ショットグループに温度ベースの近接効果補正(PEC)を実行し、前記温度ベースのPECは、第2期間に前記第1指定領域の温度が、前記第1領域で前記第2ショットグループからの露光の二次的効果にどのように影響するかを考慮する、方法。 - 全期間中に荷電粒子ビームライタが送出する複数のショットグループを画定するデータを受けるように構成されたデバイスを含み、前記複数のショットグループのターゲットショットグループはターゲット期間に表面のターゲット指定領域に送出され、更に、
全期間中の複数の期間に、前記ターゲット指定された領域の複数の過渡温度を決定するように構成されたデバイスを含み、前記複数の期間のうちの少なくとも1つの期間は、複数のショットグループのうちの第2ショットグループからの露光の二次的効果を前記ターゲット指定領域で受ける期間である、システム。 - 更に、前記複数の過渡温度に基づいて前記ターゲット指定領域の実効温度を決定するように構成されたデバイスと、
前記ターゲット指定領域の実効温度に基づいて前記ターゲットショットグループ内のショットを変更するように構成されたデバイスと、
前記変更されたターゲットショットグループを使用して前記表面にパターンを形成するように構成されたデバイスと、を含む、請求項16のシステム。 - 前記システムは、インライン処理を実行するように構成され、前記複数の過渡温度を決定するように構成されたデバイス及び前記実効温度を決定するように構成されたデバイスが、複数のショットグループ内の追加ショットグループに対応する追加指定領域の複数の過渡温度及び実効温度を決定する間に、前記パターンは、ターゲットショットグループを使用して形成される、請求項17のシステム。
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