JP2017084436A - 装置、有形のマシン読取可能な記録可能な記憶媒体、および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリの読取閾値電圧は、複数の読取閾値電圧についての復号されたデータに基づくビット誤り率に基づいて調整される。読取閾値電圧は、読取値を取得するために現在の読取閾値電圧においてメモリを読取ることと、硬判定デコーダを読取値に適用することと、硬判定デコーダが読取値を収束語に収束させるか否かを判断することと、収束語に対応するビットを参照ビットとして記憶することと、硬判定デコーダが収束すると、閾値が満たされるまで、(i)参照ビットに基づいて現在の読取閾値電圧についてのビット誤り率を計算し、(ii)現在の読取基準電圧を新たな読取閾値電圧に調整し、(iii)新たな読取値を取得するために新たな読取閾値電圧においてメモリを読取ることと、閾値が満たされると、ビット誤り率に基づいて読取閾値電圧を選択することと、によって調整され得る。
【選択図】図1
Description
本分野は、一般にソリッドステート記憶装置に関し、より特定的にはこのようなソリッドステート記憶装置において読取閾値電圧を調整するための技術に関する。
フラッシュメモリ装置などのソリッドステート記憶装置は、一般に、記憶セルの読取電圧レベルに基づいて、記憶セルに記憶された異なる2進値を区別する。ソリッドステート記憶装置は、一般に、記憶セルに記憶され得るデータを判断するために、読取電圧レベルを読取閾値電圧と比較する。
本発明の例示的な実施例は、ソリッドステート記憶装置において読取閾値電圧を調整するための方法および装置を提供する。一実施例では、例示的な方法は、複数の読取閾値電圧についての復号されたデータに基づくビット誤り率に基づいてメモリの読取閾値電圧を調整するステップを備える。読取閾値電圧は、読取値を取得するために現在の読取閾値電圧においてメモリを読取ることと、硬判定(hard decision)デコーダを読取値に適用することと、硬判定デコーダが読取値を収束語に収束させるか否かを判断することと、収束語に対応する1つ以上のビットを参照ビットとして記憶することと、硬判定デコーダが読取値を収束させると以下のステップを実行することと、によって調整されてもよく、当該以下のステップは、参照ビットに基づいて現在の読取閾値電圧についてのビット誤り率を計算するステップと、現在の読取基準電圧を新たな読取閾値電圧に調整するステップと、新たな読取値を取得するために新たな読取閾値電圧においてメモリを読取るステップと、試行されるいくつかの読取閾値電圧について閾値が満たされるまで、計算するステップ、調整するステップおよび読取るステップを繰返すステップと、閾値が満たされると、各々の繰返されたステップについて計算されたビット誤り率に基づいて読取閾値電圧を選択するステップとを含む。
例示的なソリッドステート記憶システムおよび他の処理装置を参照して、本発明の例示的な実施例について本明細書で説明する。しかし、本発明は、示されている特定の例示的なシステムおよび装置構成とともに使用することに限定されるものではないということが理解されるべきである。
シンドローム=Hx′
式中、xは読取値であり、HはバイナリLDPCコードのパリティチェック行列であり、′は転置オペレーションを示す。シンドロームは、1および0のベクトルであり、シンドローム重みは、シンドロームベクトルにおける1の個数である。シンドローム重みをビット誤り率に変換するための技術は多数存在する。例えば、シンドローム重みは、以下のようにビット誤り率に変換されることができる。
ステップ355において、読取閾値電圧カウンタ(i)をインクリメントし、ステップ360において、読取閾値電圧カウンタ(i)が閾値限界N未満のままであるか否かを判断するためにさらなるテストを実行する。ステップ360において読取閾値電圧カウンタ(i)が閾値限界未満のままであると判断されると、ステップ310において、新たな読取閾値電圧Viのために所与のページPjを再度読取って、新たな読取値を取得する。ステップ315において、硬判定デコーダが現在の読取値に再度適用され、ステップ320において、上記の態様で収束テストを再度実行する。
上記の用途および関連の実施例は、単に例示的なものであると考えられるべきであり、本明細書に開示されている読取閾値電圧調整技術を用いて多数の他の実施例が構成されてもよい。例えば、図3の読取閾値電圧調整プロセス300は、単にシンドローム重みを用いて(すなわち、図3の左側を用いて)実行されてもよい。さらなる変形例では、図3の読取閾値電圧調整プロセス300は、単にビット誤り率計量を用いて(すなわち、図3の右側を用いて)実行されてもよい。
Claims (20)
- 装置であって、
複数の読取閾値電圧についての復号されたデータに基づくビット誤り率に基づいてメモリの読取閾値電圧を調整するように構成されたコントローラを備える、装置。 - 前記コントローラは、
読取値を取得するために現在の読取閾値電圧において前記メモリを読取ることと、
硬判定デコーダを前記読取値に適用することと、
前記硬判定デコーダが前記読取値を収束語に収束させるか否かを判断することと、
前記収束語に対応する1つ以上のビットを参照ビットとして記憶することと、
1つ以上のビット誤り率に基づいて前記読取閾値電圧を選択することと、
によって前記読取閾値電圧を調整する、請求項1に記載の装置。 - 前記硬判定デコーダが前記読取値を収束させると、前記コントローラは以下のステップを実行し、前記以下のステップは、
前記参照ビットに基づいて前記現在の読取閾値電圧についてのビット誤り率を計算するステップと、
前記現在の読取基準電圧を新たな読取閾値電圧に調整するステップと、
新たな読取値を取得するために前記新たな読取閾値電圧において前記メモリを読取るステップと、
試行されるいくつかの読取閾値電圧について閾値が満たされるまで、前記計算するステップ、調整するステップおよび読取るステップを繰返すステップと、
前記閾値が満たされると、各々の繰返されたステップについて計算された前記ビット誤り率に基づいて前記読取閾値電圧を選択するステップとを含む、請求項2に記載の装置。 - 前記コントローラは、前記硬判定デコーダが前記現在の読取閾値電圧を収束させなければシンドローム重みから前記ビット誤り率を推定し、前記現在の読取基準電圧を前記新たな読取閾値電圧に調整する、請求項3に記載の装置。
- 前記コントローラは、いくつかの読取られた語およびいくつかの符号化されたページのうちの1つ以上において検出されるいくつかの誤りに基づいてカウントプロファイルを判断する、請求項2に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記複数の読取閾値電圧についての前記ビット誤り率に基づく第1のビット誤り率プロファイルおよび前記複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みからのビット誤り率に基づく第2のビット誤り率プロファイルのうちの1つ以上に基づいて前記新たな読取閾値電圧を選択する、請求項3に記載の装置。
- 前記新たな読取閾値電圧の選択は、いくつかの読取られた語およびいくつかの符号化されたページのうちの1つ以上において検出されるいくつかの誤りに基づくカウントプロファイルにさらに基づく、請求項6に記載の装置。
- 前記コントローラは、前記複数の読取閾値電圧についての前記ビット誤り率に基づくビット誤りプロファイルの数列、前記複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みプロファイルの数列、所与の読取閾値電圧において読取られたいくつかの語、および所与の読取閾値電圧において処理されたいくつかの語のうちの1つ以上に基づいて、次の反復のための新たな読取閾値電圧を選択する、請求項1に記載の装置。
- 前記コントローラは、
読取値を取得するために現在の読取閾値電圧において前記メモリを読取ることと、
シンドローム重みから前記ビット誤り率を推定することと、によって前記読取閾値電圧を調整し、前記シンドローム重みは、指定の回数の反復についてシンドローム重み計算機および硬判定デコーダのうちの1つ以上から取得され、前記コントローラはさらに、
前記複数の読取閾値電圧についての前記シンドローム重みからの前記ビット誤り率に基づく第2のビット誤り率プロファイルに基づいて新たな読取閾値電圧を選択すること、によって前記読取閾値電圧を調整する、請求項1に記載の装置。 - 有形のマシン読取可能な記録可能な記憶媒体であって、1つ以上のソフトウェアプログラムは、1つ以上の処理装置によって実行されたときに以下のステップを実行し、前記以下のステップは、
複数の読取閾値電圧についての復号されたデータに基づくビット誤り率に基づいて、メモリの読取閾値電圧を調整するステップを含む、記憶媒体。 - 前記読取閾値電圧は、
読取値を取得するために現在の読取閾値電圧において前記メモリを読取るステップと、
硬判定デコーダを前記読取値に適用するステップと、
前記硬判定デコーダが前記読取値を収束語に収束させるか否かを判断するステップと、
前記収束語に対応する1つ以上のビットを参照ビットとして記憶するステップと、
前記硬判定デコーダが前記読取値を収束させると以下のステップを実行するステップと、
を実行することによって調整され、
前記以下のステップは、
前記参照ビットに基づいて前記現在の読取閾値電圧についてのビット誤り率を計算するステップと、
前記現在の読取基準電圧を新たな読取閾値電圧に調整するステップと、
新たな読取値を取得するために前記新たな読取閾値電圧において前記メモリを読取るステップと、
試行されるいくつかの読取閾値電圧について閾値が満たされるまで、前記計算するステップ、調整するステップおよび読取るステップを繰返すステップと、
前記閾値が満たされると、各々の繰返されたステップについて計算された前記ビット誤り率に基づいて前記読取閾値電圧を選択するステップとを含む、請求項10に記載の記憶媒体。 - 前記複数の読取閾値電圧についての前記ビット誤り率に基づく第1のビット誤り率プロファイルおよび前記複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みからのビット誤り率に基づく第2のビット誤り率プロファイルのうちの1つ以上に基づいて前記新たな読取閾値電圧を選択するステップをさらに備える、請求項11に記載の記憶媒体。
- 方法であって、
複数の読取閾値電圧についての復号されたデータに基づいてビット誤り率を取得するステップと、
前記複数の読取閾値電圧についての復号されたデータに基づく前記ビット誤り率に基づいて、メモリの読取閾値電圧を調整するステップとを備える、方法。 - 前記読取閾値電圧は、
読取値を取得するために現在の読取閾値電圧において前記メモリを読取るステップと、
硬判定デコーダを前記読取値に適用するステップと、
前記硬判定デコーダが前記読取値を収束語に収束させるか否かを判断するステップと、
前記収束語に対応する1つ以上のビットを参照ビットとして記憶するステップと、
1つ以上のビット誤り率に基づいて前記読取閾値電圧を選択するステップと、
を実行することによって調整される、請求項13に記載の方法。 - 前記硬判定デコーダが前記読取値を収束させると以下のステップをさらに備え、前記以下のステップは、
前記参照ビットに基づいて前記現在の読取閾値電圧についてのビット誤り率を計算するステップと、
前記現在の読取基準電圧を新たな読取閾値電圧に調整するステップと、
新たな読取値を取得するために前記新たな読取閾値電圧において前記メモリを読取るステップと、
試行されるいくつかの読取閾値電圧について閾値が満たされるまで、前記計算するステップ、調整するステップおよび読取るステップを繰返すステップと、
前記閾値が満たされると、各々の繰返されたステップについて計算された前記ビット誤り率に基づいて前記読取閾値電圧を選択するステップとを含む、請求項14に記載の方法。 - 前記硬判定デコーダが前記現在の読取閾値電圧を収束させなければシンドローム重みから前記ビット誤り率を推定し、前記現在の読取基準電圧を前記新たな読取閾値電圧に調整するステップをさらに備える、請求項15に記載の方法。
- いくつかの読取られた語およびいくつかの符号化されたページのうちの1つ以上において検出されるいくつかの誤りに基づいてカウントプロファイルを判断するステップをさらに備える、請求項15に記載の方法。
- 前記複数の読取閾値電圧についての前記ビット誤り率に基づく第1のビット誤り率プロファイルおよび前記複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みからのビット誤り率に基づく第2のビット誤り率プロファイルのうちの1つ以上に基づいて前記新たな読取閾値電圧を選択するステップをさらに備える、請求項15に記載の方法。
- 前記新たな読取閾値電圧の選択は、いくつかの読取られた語およびいくつかの符号化されたページのうちの1つ以上において検出されるいくつかの誤りに基づくカウントプロファイルにさらに基づく、請求項18に記載の方法。
- 前記複数の読取閾値電圧についての前記ビット誤り率に基づくビット誤りプロファイルの数列、前記複数の読取閾値電圧についてのシンドローム重みプロファイルの数列、所与の読取閾値電圧において読取られたいくつかの語、および所与の読取閾値電圧において処理されたいくつかの語のうちの1つ以上に基づいて、次の反復のための新たな読取閾値電圧を選択するステップをさらに備える、請求項15に記載の方法。
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