CN110209517A - 一种固态硬盘工作方法、系统、电子设备及存储介质 - Google Patents
一种固态硬盘工作方法、系统、电子设备及存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110209517A CN110209517A CN201910340638.2A CN201910340638A CN110209517A CN 110209517 A CN110209517 A CN 110209517A CN 201910340638 A CN201910340638 A CN 201910340638A CN 110209517 A CN110209517 A CN 110209517A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hard disk
- solid state
- state hard
- read
- error number
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 289
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 45
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 20
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 13
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 claims description 2
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 claims description 2
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010977 unit operation Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
- G06F11/0706—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation the processing taking place on a specific hardware platform or in a specific software environment
- G06F11/0727—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation the processing taking place on a specific hardware platform or in a specific software environment in a storage system, e.g. in a DASD or network based storage system
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
- G06F11/0793—Remedial or corrective actions
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/04—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
Abstract
本发明涉及一种固态硬盘工作方法、系统、电子设备及存储介质。在读取固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数；若读取错误数大于第一预设阈值，则调整读取固态硬盘的读取参数，并再次读取固态硬盘上的数据，直至预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数小于或等于第二预设阈值。本发明实施例在固态硬盘被读取数据时，获取固态硬盘在预设时间间隔内的读取错误数，并在读取错误数大于预设阈值时，根据读取错误数的变化不断调整对固态硬盘的读取参数，使得固态硬盘在预设时间间隔内读取错误数达到最低值，实现了通过调整固态硬盘的读取参数以保证固态硬盘的数据有效性，避免或减少出现再读取和读取错误的情况。
Description
技术领域
本发明涉及固态硬盘技术领域，尤其涉及一种固态硬盘工作方法、系统、电子设备及存储介质。
背景技术
固态驱动器(Solid State Drive)，俗称固态硬盘，固态硬盘是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，因为台湾英语里把固体电容称之为Solid而得名。SSD由控制单元和存储单元组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等诸多领域。
固态硬盘在传输时会因为环境的不同，如高低温度或使用的状况不同，如固态硬盘使用过频繁，使得原本设计的最合适参数变得不再适宜，导致出现再读或读取错误的情况。
发明内容
为了解决现有技术存在的问题，本发明的至少一个实施例提供了一种固态硬盘工作方法、系统、电子设备及存储介质。
第一方面，本发明实施例提供了一种固态硬盘工作方法，所述工作方法包括：
在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数；
将所述读取错误数与第一预设阈值进行比较，判断所述读取错误数是否大于第一预设阈值；
若所述读取错误数大于第一预设阈值，则调整读取所述固态硬盘的读取参数，并再次读取所述固态硬盘上的数据，直至预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数小于或等于第二预设阈值。
结合第一方面，在第一方面的第一种实施例中，所述调整读取所述固态硬盘的读取参数，并再次读取所述固态硬盘上的数据，直至预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数小于或等于第二预设阈值，包括：
调整读取所述固态硬盘的读取参数，并再次读取所述固态硬盘上的数据；
再次获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数；
判断所述读取错误数是否达到最小值，若所述读取错误数不是最小值，再次调整所述固态硬盘的读取参数，直至所述读取错误数达到最小值。
结合第一方面的第一种实施例，在第一方面的第二种实施例中，判断所述读取错误数是否为最小值，具体包括：
获取每次调整读取参数后预设时间间隔内对应的读取错误数；
将所述读取错误数与读取参数绘制变化曲线图；
确定所述变化曲线图中是否出现波谷；
若所述变化曲线图中出现波谷，则所述读取错误数达到最小值；
或者，若所述变化曲线图中未出现波谷，则所述读取错误数未达到最小值。
结合第一方面的第二种实施例，在第一方面的第三种实施例中，所述调整读取所述固态硬盘的读取参数，具体包括：
调整读取所述固态硬盘的临界电压值；
和/或者，调整所述固态硬盘的讯号终端电阻值；
和/或者，调整所述固态硬盘的数据驱动强度值；
和/或者，调整所述固态硬盘的数据被读取速度值。
结合第一方面的第三种实施例，在第一方面的第四种实施例中，所述工作方法还包括：
在调整所述固态硬盘的终端电阻后，通过ZQ校准技术对所述讯号终端电阻值进行校准。
结合第一方面或第一方面的第一、第二、第三或第四实施例，在第一方面的第五种实施例中，所述在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数，包括：
当所述固态硬盘开始被读取数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数。
结合第一方面或第一方面的第一、第二、第三或第四实施例，在第一方面的第六种实施例中，所述在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数，包括：
当所述固态硬盘被读取的数据的数据量每次达到第三预设阈值时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数。
结合第一方面或第一方面的第一、第二、第三或第四实施例，在第一方面的第七种实施例中，所述在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数，包括：
当所述固态硬盘被读取数据期间，发生再读取或读取错误时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数。
结合第一方面或第一方面的第一、第二、第三或第四实施例，在第一方面的第八种实施例中，所述在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数，包括：
获取所述固态硬盘所处环境的环境温度；
当所述固态硬盘被读取数据期间，所述环境温度超过第四预设阈值范围时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数。
第二方面，本发明实施例提供了一种固态硬盘系统，所述固态硬盘系统包括：
获取单元，用于在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数；
判断单元，将所述读取错误数与第一预设阈值进行比较，判断所述读取错误数是否大于第一预设阈值；
调整单元，若所述读取错误数大于第一预设阈值，则调整读取所述固态硬盘的读取参数，并再次读取所述固态硬盘上的数据，直至预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数小于或等于第二预设阈值。
第三方面，本发明实施例提供了一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现第一方面中任一项实施例所述方法的步骤。
第四方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现第一方面中任一项实施例所述的方法的步骤。
本发明的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：本发明实施例在固态硬盘被读取数据时，获取固态硬盘在预设时间间隔内的读取错误数，并在读取错误数大于预设阈值时，及时调整对固态硬盘的读取参数，并根据读取错误数的变化不断调整对固态硬盘的读取参数，使得固态硬盘在预设时间间隔内读取错误数达到最低值，实现了通过调整固态硬盘的读取参数以保证固态硬盘的数据有效性，避免或减少出现再读取和读取错误的情况。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种固态硬盘工作方法的应用环境图；
图2是本发明另一实施例提供的一种固态硬盘工作方法流程示意图；
图3是本发明又一实施例提供的一种固态硬盘工作方法流程示意图其一；
图4是本发明又一实施例提供的一种固态硬盘工作方法流程示意图其二；
图5是本发明又一实施例提供的一种固态硬盘系统结构示意图；
图6为本发明又一实施例提供的一种计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为一个实施例中固态硬盘工作方法的应用环境图。参照图1，该固态硬盘工作方法应用于固态硬盘系统。该固态硬盘系统包括终端110和服务器120。终端110和服务器120通过网络连接。终端110具体可以是台式终端或移动终端，移动终端具体可以手机、平板电脑、笔记本电脑等中的至少一种。服务器120可以用独立的服务器或者是多个服务器组成的服务器集群来实现。
如图2所示，在一个实施例中，提供了一种固态硬盘工作方法。本实施例主要以该方法应用于上述图1中的终端110(或服务器120)来举例说明。参照图2，该固态硬盘工作方法具体包括如下步骤：
S11、在读取固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数。
在本实施例中，处理器和存储器之间的接口位宽一般是64比特位，也就意味着处理器在一个时钟周期内会向内存发送或从内存读取64比特位的数据。所以在读取固态硬盘上的数据时，每个时钟周期可以读取64比特位的数据，当然处理器和存储器之间的接口位宽也可以是其他比特位，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数，即获取固态硬盘被读取时的Error Count，即处理器在读取固态硬盘时预设时间间隔内出现读取错误的情况的次数，预设时间间隔可以是一个时钟周期，也可以是多个时钟周期下的读取错误数。
具体的，在本实施例中，可以在处理器一开始读取固态硬盘上的数据时，就获取该预设时间间隔内的读取固态硬盘的读取错误数，在固态硬盘开始进行工作时，就检测读取固态硬盘时出现的读取错误数，避免读取错误数过高，导致获取到的数据与真实数据不符，提前对固态硬盘进行处理，避免数据错误导致的问题。
或者，具体的，在本实施例中，可以在处理器读取固态硬盘上的数据的数据量每次达到第三预设阈值时，获取该预设时间间隔内的读取固态硬盘的读取错误数，在固态硬盘被读取的数据每次达到第三预设阈值时，就获取一次预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数，通过降低读取错误数的获取频率，降低本步骤对固态硬盘的工作效率的影响，同时，由于被读取的数据量每达到第三预设阈值就检测读取错误数，可以降低固态硬盘工作不良时，对被读取数据的影响，即被影响的数据量不会超过第三预设阈值。
或者，具体的，在本实施例中，当固态硬盘被读取数据的过程中，固态硬盘发生再读取或读取错误时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数，固态硬盘发生再读取或读取错误时，说明固态硬盘被读取的数据发生错误，此时获取固态硬盘的读取错误数，可以确认是否是由于外界环境干扰或内部器件影响导致固态硬盘发生性能下降，并由此进行后续操作。
或者，具体的，在本实施例中，获取固态硬盘所处环境的环境温度，当固态硬盘被读取数据的过程中，环境温度超过第四预设阈值范围时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数，由于固态硬盘与处理器是直接连接的，在处理器进行工作过程中，随着处理器使用率越高，所散发的热量就越高，随着时间的变化，固态硬盘所处环境的环境温度会越来越高，而环境温度是影响固态硬盘工作效率的重要条件之一，比如，环境温度过高或过低，都会导致固态硬盘的工作效率降低，基于固态硬盘的存储方式，若固态硬盘还保持在适宜条件下的数据读取速率，会导致固态硬盘被读取的数据出现错误。
S12、将读取错误数与第一预设阈值进行比较，判断读取错误数是否大于第一预设阈值。
在本实施例中，将读取错误数与第一预设阈值进行比较，其中第一预设阈值可以是由用户进行限定，或者根据数据完整性得到的错误次数超过一定值会导致数据无法被完整获取，判断读取错误数是否大于第一预设阈值，若是，则读取错误数过大，从固态硬盘中无法获取准确的数据。
S13、若读取错误数大于第一预设阈值，则调整读取固态硬盘的读取参数，并再次读取固态硬盘上的数据，直至预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数读取错误数小于或等于第二预设阈值。
在本实施例中，优选的，第二预设阈值应小于所述第一预设阈值，实现对读取错误数的降低，比如，第二预设阈值可以是最小的读取错误数，保证读取到的数据的准确性，第二预设阈值也可以是最小的读取错误数到第一预设阈值之间的数，以减少调整时间，提高工作效率。
在本实施例中，在读取错误数大于第一预设阈值时，调整对固态硬盘进行读取的读取参数，重新对固态硬盘进行读取，并保证最终调整得到的读取参数可以使得对固态硬盘读取数据的读取错误数可以达到最小值，通过调整固态硬盘的读取参数以保证固态硬盘的数据有效性，避免或减少出现再读取和读取错误的情况。
具体的，调整对固态硬盘的进行读取的读取参数包括：调整读取固态硬盘的临界电压值；和/或者，调整固态硬盘的讯号终端电阻值；和/或者，调整固态硬盘的数据驱动强度值；和/或者，调整固态硬盘的数据被读取速度值。
其中，固态硬盘中的基本存储单元是改造过的晶体管，从上到下，依次为控制极、绝缘层、浮栅极、绝缘层和衬底，其中数据存储在浮栅极。往浮栅极注入电子的数目不同，其临界电压也不同。临界电压就是往控制极上加电压，如果控制电压大于临界电压，那么该晶体管就导通，否则就截止。往该固态硬盘上施加0-6.5V电压，比如0，0.1，0.2，0.3，0.4，…,6.5，当施加0.1电压时，有100个存储单元导通，说明有100个存储单元的临界电压低于0.1，当施加0.2时，有150个存储单元导通，说明有50个存储单元的临界电压介于0.1和0.2之间。通过这样的操作，对每个临界电压，就能得到有多少个存储单元具有这个临界电压；在对固态硬盘中的硬盘数据清除后，若物理块是弱块，则可能出现数据擦除不完全，导致数据块中残存数据，所以，此时再次读取固态硬盘中硬盘数据，通过读取硬盘数据即可确认数据是否被清除完全。通过调整读取固态硬盘的临界电压值以适应固态硬盘的读取偏移量，读取偏移量：操作允许固态硬盘在恢复超出正常读取错误数校正阈值的数据。
讯号终端电阻(On-Die Termination,ODT)，是从DDR2 SDRAM(Double Data RateSDRAM,双倍速率SDRAM)时代开始新增的功能。其允许用户通过读写寄存器，来控制DDR3SDRAM中内部的终端电阻的连接或者断开。在DDR3 SDRAM中，讯号终端电阻功能主要应用于：一个双倍速率通道，通常会挂接多个序列，这些序列的数据线、地址线等等都是共享；数据信号也就依次传递到每个序列，到达线路末端的时候，波形会有反射，从而影响到原始信号；因此需要加上终端电阻，吸收余波。之前的DDR，终端电阻做在板子上，但是因为种种原因，效果不是太好，到了DDR2，把终端电阻做到了DDR颗粒内部，也就称为讯号终端电阻，硅片上的终端电阻，这里也就是DDR颗粒。所以，使用讯号终端电阻的目的很简单，是为了让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，DQS、RDQS、DQ和DM信号均为信号传输领域常见信号，防止这些信号在电路上形成反射，进而增强信号完整性。上述DDR、DDR2和DDR3均为双倍速率存储器，其中DDR2为第二代双倍速率存储器，DDR3为第三代双倍速率存储器。
在本实施例中，在调整固态硬盘的终端电阻后，通过ZQ校准技术对讯号终端电阻值进行校准，ZQ校准，ZQ是DDR3一个新增的引脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎(ODCE，On-DieCalibrationEngine)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。ODT是终端匹配，那就是要在你的信号线终端上拉一个电阻，但是这个内部电阻随着温度会有些细微的变化，为了保证信号被准确的进行终端匹配，就需要ZQ了，ZQ的作用就是使用高精度240欧姆电阻来对这个内部的电阻进行校准。
DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”，其中DRAM表示动态随机存取存储器。这个参数决定存储器数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的存储器读取时，增加DRAM的驾驭能力。因此，如果你的系统存储器的读取负荷很高，则应将该值设定为高。它有助于对存储器数据总线超频。但如果你并没有超频，提升存储器数据线的信号强度，可以提高超频后速度的稳定性。
数据被读取速度值，即本方案中固态硬盘被处理器读取数据的速度，当固态硬盘处于高负荷运转时，若还是采用高速度的读取方式，其读取到的数据就越容易出错，所以在固态硬盘被读取数据时的读取错误数增大时，降低数据被读取速度值可以有效的减少读取错误数。
如图3所示，在一个实施例中，提供了一种固态硬盘工作方法。参照图3，该固态硬盘工作方法具体包括如下步骤：
S21、在读取固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数。
有关步骤S21，详细可参见步骤S11中的描述，本实施例在此不再赘述。
S22、将读取错误数与第一预设阈值进行比较，判断读取错误数是否大于第一预设阈值。
有关步骤S22，详细可参见步骤S12中的描述，本实施例在此不再赘述。
S23、若读取错误数大于第一预设阈值，则调整读取固态硬盘的读取参数，并再次读取固态硬盘上的数据。
有关步骤S23，详细可参见步骤S13中的描述，本实施例在此不再赘述。
S24、再次获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数。
在本实施例中，在调整过对固态硬盘的读取参数后，再次获取预设时间间隔内对固态硬盘进行读取的读取错误数，比如，可以通过上下微调读取参数，上下微调即将读取参数增加或减少，若读取参数向上微调后，最终的读取错误数减少了，而读取参数向下微调后，最终的读取错误数增加了，则可以选择继续向上微调读取参数，直至出现读取错误数又增加的情况，则此次情况之前一次的读取参数应该为当前情况下的最优的读取参数，分别调整不同的读取参数以适应固态硬盘的性能变化。
S25、判断读取错误数是否达到最小值，若读取错误数不是最小值，再次调整固态硬盘的读取参数，直至读取错误数达到最小值。
在本实施例中，判断调整过后的读取错误数是否达到最小值，若读取错误数不是最小值，则继续调整固态硬盘的读取参数，通过调整固态硬盘的读取参数以保证固态硬盘的数据有效性，避免或减少出现再读取和读取错误的情况。
如图4所示，在本实施例中，判断读取错误数是否达到最小值的方法可以是：
S31、获取每次调整读取参数后预设时间间隔内对应的读取错误数。
在本实施例中，在每次调整读取参数后，获取预设时间间隔内固态硬盘被读取时的读取错误数。
S32、将读取错误数与读取参数绘制变化曲线图。
在本实施例中，将读取错误数作为二维坐标系的Y轴，将相应变化的读取参数作为二维坐标系的X轴，绘制相应的变化曲线图。
S33、确定变化曲线图中是否出现波谷。
S34a、若变化曲线图中出现波谷，则读取错误数达到最小值。
S34b、或者，若变化曲线图中未出现波谷，则读取错误数未达到最小值。
在本实施例中，当变化曲线图中出现波谷时说明此时，读取错误数出现极小值，而针对不同的读取参数分别按上述步骤进行调整，可以实现寻找到一组最优的读取参数，这组读取参数可以使得最终的读取错误数达到最小值。
在一个实施例中，如图5所示，提供了一种固态硬盘系统，固态硬盘系统包括：获取单元、判断单元和调整单元。
在本实施例中，获取单元，用于在读取固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数。
在本实施例中，处理器和存储器之间的接口位宽一般是64比特位，也就意味着处理器在一个时钟周期内会向内存发送或从内存读取64比特位的数据。所以在读取固态硬盘上的数据时，每个时钟周期可以读取64比特位的数据，当然处理器和存储器之间的接口位宽也可以是其他比特位，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数，即处理器在读取固态硬盘时预设时间间隔内出现读取错误的情况的次数，预设时间间隔可以是一个时钟周期，也可以是多个时钟周期下的读取错误数。
具体的，在本实施例中，可以在处理器一开始读取固态硬盘上的数据时，就获取该预设时间间隔内的读取固态硬盘的读取错误数，在固态硬盘开始进行工作时，就检测读取固态硬盘时出现的读取错误数，避免读取错误数过高，导致获取到的数据与真实数据不符，提前对固态硬盘进行处理，避免数据错误导致的问题。
或者，具体的，在本实施例中，可以在处理器读取固态硬盘上的数据的数据量每次达到第三预设阈值时，获取该预设时间间隔内的读取固态硬盘的读取错误数，在固态硬盘被读取的数据每次达到第三预设阈值时，就获取一次预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数，通过降低读取错误数的获取频率，降低本步骤对固态硬盘的工作效率的影响，同时，由于被读取的数据量每达到第三预设阈值就检测读取错误数，可以降低固态硬盘工作不良时，对被读取数据的影响，即被影响的数据量不会超过第三预设阈值。
或者，具体的，在本实施例中，当固态硬盘被读取数据的过程中，固态硬盘发生再读取或读取错误时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数，固态硬盘发生再读取或读取错误时，说明固态硬盘被读取的数据发生错误，此时获取固态硬盘的读取错误数，可以确认是否是由于外界环境干扰或内部器件影响导致固态硬盘发生性能下降，并由此进行后续操作。
或者，具体的，在本实施例中，获取固态硬盘所处环境的环境温度，当固态硬盘被读取数据的过程中，环境温度超过第四预设阈值范围时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数，由于固态硬盘与处理器是直接连接的，在处理器进行工作过程中，随着处理器使用率越高，所散发的热量就越高，随着时间的变化，固态硬盘所处环境的环境温度会越来越高，而环境温度是影响固态硬盘工作效率的重要条件之一，比如，环境温度过高或过低，都会导致固态硬盘的工作效率降低，基于固态硬盘的存储方式，若固态硬盘还保持在适宜条件下的数据读取速率，会导致固态硬盘被读取的数据出现错误。
在本实施例中，判断单元，将读取错误数与第一预设阈值进行比较，判断读取错误数是否大于第一预设阈值。
在本实施例中，将读取错误数与第一预设阈值进行比较，其中第一预设阈值可以是由用户进行限定，或者根据数据完整性得到的错误次数超过一定值会导致数据无法被完整获取，判断读取错误数是否大于第一预设阈值，若是，则读取错误数过大，从固态硬盘中无法获取准确的数据。
在本实施例中，调整单元，若读取错误数大于第一预设阈值，则调整读取固态硬盘的读取参数，并再次读取固态硬盘上的数据，直至预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数读取错误数小于或等于第二预设阈值。
在本实施例中，在读取错误数大于第一预设阈值时，调整对固态硬盘进行读取的读取参数，重新对固态硬盘进行读取，并保证最终调整得到的读取参数可以使得对固态硬盘读取数据的读取错误数可以达到最小值，通过调整固态硬盘的读取参数以保证固态硬盘的数据有效性，避免或减少出现再读取和读取错误的情况。
具体的，调整对固态硬盘的进行读取的读取参数包括：调整读取固态硬盘的临界电压值；和/或者，调整固态硬盘的讯号终端电阻值；和/或者，调整固态硬盘的数据驱动强度值；和/或者，调整固态硬盘的数据被读取速度值。
其中，固态硬盘中的基本存储单元是改造过的晶体管，从上到下，依次为控制极、绝缘层、浮栅极、绝缘层和衬底，其中数据存储在浮栅极。往浮栅极注入电子的数目不同，其临界电压也不同。临界电压就是往控制极上加电压，如果控制电压大于临界电压，那么该晶体管就导通，否则就截止。往该固态硬盘上施加0-6.5V电压，比如0，0.1，0.2，0.3，0.4，…,6.5，当施加0.1电压时，有100个存储单元导通，说明有100个存储单元的临界电压低于0.1，当施加0.2时，有150个存储单元导通，说明有50个存储单元的临界电压介于0.1和0.2之间。通过这样的操作，对每个临界电压，就能得到有多少个存储单元具有这个临界电压；在对固态硬盘中的硬盘数据清除后，若物理块是弱块，则可能出现数据擦除不完全，导致数据块中残存数据，所以，此时再次读取固态硬盘中硬盘数据，通过读取硬盘数据即可确认数据是否被清除完全。通过调整读取固态硬盘的临界电压值以适应固态硬盘的读取偏移量，读取偏移量：操作允许固态硬盘在恢复超出正常读取错误数校正阈值的数据。
讯号终端电阻(On-Die Termination,ODT)，是从DDR2 SDRAM(Double Data RateSDRAM,双倍速率SDRAM)时代开始新增的功能。其允许用户通过读写寄存器，来控制DDR3SDRAM中内部的终端电阻的连接或者断开。在DDR3 SDRAM中，讯号终端电阻功能主要应用于：一个双倍速率通道，通常会挂接多个序列，这些序列的数据线、地址线等等都是共享；数据信号也就依次传递到每个序列，到达线路末端的时候，波形会有反射，从而影响到原始信号；因此需要加上终端电阻，吸收余波。之前的DDR，终端电阻做在板子上，但是因为种种原因，效果不是太好，到了DDR2，把终端电阻做到了DDR颗粒内部，也就称为讯号终端电阻，硅片上的终端电阻，这里也就是DDR颗粒。所以，使用讯号终端电阻的目的很简单，是为了让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，DQS、RDQS、DQ和DM信号均为信号传输领域常见信号，防止这些信号在电路上形成反射，进而增强信号完整性。上述DDR、DDR2和DDR3均为双倍速率存储器，其中DDR2为第二代双倍速率存储器，DDR3为第三代双倍速率存储器。
在本实施例中，在调整固态硬盘的终端电阻后，通过ZQ校准技术对讯号终端电阻值进行校准，ZQ校准，ZQ是DDR3一个新增的引脚，在这个引脚上接有一个300欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎(ODCE，On-DieCalibrationEngine)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。ODT是终端匹配，那就是要在你的信号线终端上拉一个电阻，但是这个内部电阻随着温度会有些细微的变化，为了保证信号被准确的进行终端匹配，就需要ZQ了，ZQ的作用就是使用高精度240欧姆电阻来对这个内部的电阻进行校准。
DRAM Data Drive Strength表示“DRAM数据驱动强度”，其中DRAM表示动态随机存取存储器。这个参数决定存储器数据总线的信号强度，数值越高代表信号强度越高。它主要用于处理高负荷的存储器读取时，增加DRAM的驾驭能力。因此，如果你的系统存储器的读取负荷很高，则应将该值设定为高。它有助于对存储器数据总线超频。但如果你并没有超频，提升存储器数据线的信号强度，可以提高超频后速度的稳定性。
数据被读取速度值，即本方案中固态硬盘被处理器读取数据的速度，当固态硬盘处于高负荷运转时，若还是采用高速度的读取方式，其读取到的数据就越容易出错，所以在固态硬盘被读取数据时的读取错误数增大时，降低数据被读取速度值可以有效的减少读取错误数。
在本实施例中，调整单元，具体用于调整读取固态硬盘的读取参数，并再次读取固态硬盘上的数据；再次获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数；判断读取错误数是否达到最小值，若读取错误数不是最小值，再次调整固态硬盘的读取参数，直至读取错误数达到最小值。
在本实施例中，调整单元，具体用于获取每次调整读取参数后预设时间间隔内对应的读取错误数；将读取错误数与读取参数绘制变化曲线图；确定变化曲线图中是否出现波谷；若变化曲线图中出现波谷，则读取错误数达到最小值；或者，若变化曲线图中未出现波谷，则读取错误数未达到最小值。
在本实施例中，调整单元，具体用于调整读取固态硬盘的临界电压值；和/或者，调整固态硬盘的讯号终端电阻值；和/或者，调整固态硬盘的数据驱动强度值；和/或者，调整固态硬盘的数据被读取速度值。
在本实施例中，调整单元，还用于在调整固态硬盘的终端电阻后，通过ZQ校准技术对讯号终端电阻值进行校准。
在本实施例中，获取单元，具体用于当固态硬盘开始被读取数据时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数。
在本实施例中，获取单元，具体用于当固态硬盘被读取的数据的数据量每次达到第三预设阈值时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数。
在本实施例中，获取单元，具体用于当固态硬盘被读取数据期间，发生再读取或读取错误时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数。
在本实施例中，获取单元，具体用于获取固态硬盘所处环境的环境温度；当固态硬盘被读取数据期间，环境温度超过第四预设阈值范围时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数；其中获取环境温度可以通过温度传感器实现。
图6示出了一个实施例中计算机设备的内部结构图。该计算机设备具体可以是图1中的终端110(或服务器120)。如图6所示，该计算机设备包括该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、输入装置和显示屏。其中，存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该计算机设备的非易失性存储介质存储有操作系统，还可存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，可使得处理器实现固态硬盘工作方法。该内存储器中也可储存有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时，可使得处理器执行固态硬盘工作方法。计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解，图6中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，本申请提供的固态硬盘系统可以实现为一种计算机程序的形式，计算机程序可在如图6所示的计算机设备上运行。计算机设备的存储器中可存储组成该固态硬盘系统的各个程序模块，比如，图5所示的获取单元、判断单元和调整单元。各个程序模块构成的计算机程序使得处理器执行本说明书中描述的本申请各个实施例的固态硬盘工作方法中的步骤。
例如，图6所示的计算机设备可以通过如图5所示的固态硬盘系统中的获取单元执行步骤S11，计算机设备可通过判断单元执行步骤S12。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
在读取固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数；
将读取错误数与第一预设阈值进行比较，判断读取错误数是否大于第一预设阈值；
若读取错误数大于第一预设阈值，则调整读取固态硬盘的读取参数，并再次读取固态硬盘上的数据，直至预设时间间隔内读取固态硬盘的读取错误数读取错误数小于或等于第二预设阈值。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (12)
1.一种固态硬盘工作方法，其特征在于，所述工作方法包括：
在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数；
将所述读取错误数与第一预设阈值进行比较，判断所述读取错误数是否大于第一预设阈值；
若所述读取错误数大于第一预设阈值，则调整读取所述固态硬盘的读取参数，并再次读取所述固态硬盘上的数据，直至预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数小于或等于第二预设阈值。
2.根据权利要求1所述的固态硬盘工作方法，其特征在于，所述调整读取所述固态硬盘的读取参数，并再次读取所述固态硬盘上的数据，直至预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数小于或等于第二预设阈值，包括：
调整读取所述固态硬盘的读取参数，并再次读取所述固态硬盘上的数据；
再次获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数；
判断所述读取错误数是否达到最小值，若所述读取错误数不是最小值，再次调整所述固态硬盘的读取参数，直至所述读取错误数达到最小值。
3.根据权利要求2所述的固态硬盘工作方法，其特征在于，判断所述读取错误数是否为最小值，具体包括：
获取每次调整读取参数后预设时间间隔内对应的读取错误数；
将所述读取错误数与读取参数绘制变化曲线图；
确定所述变化曲线图中是否出现波谷；
若所述变化曲线图中出现波谷，则所述读取错误数达到最小值；
或者，若所述变化曲线图中未出现波谷，则所述读取错误数未达到最小值。
4.根据权利要求3所述的固态硬盘工作方法，其特征在于，所述调整读取所述固态硬盘的读取参数，具体包括：
调整读取所述固态硬盘的临界电压值；
和/或者，调整所述固态硬盘的讯号终端电阻值；
和/或者，调整所述固态硬盘的数据驱动强度值；
和/或者，调整所述固态硬盘的数据被读取速度值。
5.根据权利要求4所述的固态硬盘工作方法，其特征在于，所述工作方法还包括：
在调整所述固态硬盘的终端电阻后，通过ZQ校准技术对所述讯号终端电阻值进行校准。
6.根据权利要求1～5中任一所述的固态硬盘工作方法，其特征在于，所述在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数，包括：
当所述固态硬盘开始被读取数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数。
7.根据权利要求1～5中任一所述的固态硬盘工作方法，其特征在于，所述在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数，包括：
当所述固态硬盘被读取的数据的数据量每次达到第三预设阈值时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数。
8.根据权利要求1～5中任一所述的固态硬盘工作方法，其特征在于，所述在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数，包括：
当所述固态硬盘被读取数据期间，发生再读取或读取错误时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数。
9.根据权利要求1～5中任一所述的固态硬盘工作方法，其特征在于，所述在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数，包括：
获取所述固态硬盘所处环境的环境温度；
当所述固态硬盘被读取数据期间，所述环境温度超过第四预设阈值范围时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数。
10.一种固态硬盘系统，其特征在于，所述固态硬盘系统包括：
获取单元，用于在读取所述固态硬盘上的数据时，获取预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数；
判断单元，将所述读取错误数与第一预设阈值进行比较，判断所述读取错误数是否大于第一预设阈值；
调整单元，若所述读取错误数大于第一预设阈值，则调整读取所述固态硬盘的读取参数，并再次读取所述固态硬盘上的数据，直至预设时间间隔内读取所述固态硬盘的读取错误数小于或等于第二预设阈值。
11.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1～9中任一项所述方法的步骤。
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1～9中任一项所述的方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910340638.2A CN110209517B (zh) | 2019-04-25 | 2019-04-25 | 一种固态硬盘工作方法、系统、电子设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910340638.2A CN110209517B (zh) | 2019-04-25 | 2019-04-25 | 一种固态硬盘工作方法、系统、电子设备及存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110209517A true CN110209517A (zh) | 2019-09-06 |
| CN110209517B CN110209517B (zh) | 2024-01-23 |
Family
ID=67786478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910340638.2A Active CN110209517B (zh) | 2019-04-25 | 2019-04-25 | 一种固态硬盘工作方法、系统、电子设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110209517B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114415947A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-29 | 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 | 一种Dummy read控制方法、装置及介质 |
| CN116302799A (zh) * | 2023-02-18 | 2023-06-23 | 深圳市晶封半导体有限公司 | 一种固态硬盘温控方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210027A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | ハードディスク装置 |
| JP2010244644A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Sharp Corp | データ読取り装置、データ読取り装置の制御方法、および記録データ再生システム |
| CN103092531A (zh) * | 2013-01-21 | 2013-05-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种消除固态存储系统读取错误的方法 |
| WO2014194141A1 (en) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Western Digital Technologies, Inc. | Reading voltage calculation in solid-state storage devices |
| CN105590649A (zh) * | 2014-11-10 | 2016-05-18 | 爱思开海力士有限公司 | 固态储存系统中的读取阈值校准 |
| JP2017084436A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーＳｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＬＬＣ | 装置、有形のマシン読取可能な記録可能な記憶媒体、および方法 |
| CN107247636A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-10-13 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种固态硬盘中数据重建优化的方法及装置 |
| CN107291398A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-10-24 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种数据存储的保护方法及装置 |
| CN108461107A (zh) * | 2017-02-21 | 2018-08-28 | 北京忆恒创源科技有限公司 | 读阈值跟踪方法与装置 |
| CN109558263A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-04-02 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种固态硬盘数据读取错误的处理方法及相关装置 |
-
2019
- 2019-04-25 CN CN201910340638.2A patent/CN110209517B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210027A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | ハードディスク装置 |
| JP2010244644A (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-28 | Sharp Corp | データ読取り装置、データ読取り装置の制御方法、および記録データ再生システム |
| CN103092531A (zh) * | 2013-01-21 | 2013-05-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种消除固态存储系统读取错误的方法 |
| WO2014194141A1 (en) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Western Digital Technologies, Inc. | Reading voltage calculation in solid-state storage devices |
| CN105590649A (zh) * | 2014-11-10 | 2016-05-18 | 爱思开海力士有限公司 | 固态储存系统中的读取阈值校准 |
| JP2017084436A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | シーゲイト テクノロジー エルエルシーＳｅａｇａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＬＬＣ | 装置、有形のマシン読取可能な記録可能な記憶媒体、および方法 |
| CN108461107A (zh) * | 2017-02-21 | 2018-08-28 | 北京忆恒创源科技有限公司 | 读阈值跟踪方法与装置 |
| CN107247636A (zh) * | 2017-06-06 | 2017-10-13 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种固态硬盘中数据重建优化的方法及装置 |
| CN107291398A (zh) * | 2017-06-29 | 2017-10-24 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种数据存储的保护方法及装置 |
| CN109558263A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-04-02 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种固态硬盘数据读取错误的处理方法及相关装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114415947A (zh) * | 2021-12-28 | 2022-04-29 | 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 | 一种Dummy read控制方法、装置及介质 |
| CN114415947B (zh) * | 2021-12-28 | 2024-02-23 | 山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司 | 一种Dummy read控制方法、装置及介质 |
| CN116302799A (zh) * | 2023-02-18 | 2023-06-23 | 深圳市晶封半导体有限公司 | 一种固态硬盘温控方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110209517B (zh) | 2024-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11379366B2 (en) | Memory devices having selectively-activated termination devices | |
| US10635131B2 (en) | Interface adjustment processes for a data storage device | |
| US8041865B2 (en) | Bus termination system and method | |
| US9558849B1 (en) | Methods for memory interface calibration | |
| JP5156932B2 (ja) | 集積回路における信号タイミングの再構成 | |
| CN1969337B (zh) | 操作集成电路器件的方法和系统 | |
| CN110083502A (zh) | 用于实时地监测存储器模块的信息的方法和系统 | |
| US8159853B2 (en) | Memory module cutting off DM pad leakage current | |
| US9608632B1 (en) | Resistance calibration method and related calibration system | |
| CN110209517A (zh) | 一种固态硬盘工作方法、系统、电子设备及存储介质 | |
| CN112863563A (zh) | 通过识别位置信息执行自校准的存储器设备和存储器模块 | |
| US10585835B1 (en) | Methods and apparatuses for independent tuning of on-die termination impedances and output driver impedances, and related semiconductor devices and systems | |
| US20170103797A1 (en) | Calibration method and device for dynamic random access memory | |
| US9837153B1 (en) | Selecting reversible resistance memory cells based on initial resistance switching | |
| US10637533B2 (en) | Dedicated termination dies for memory systems | |
| CN102880582B (zh) | 可编程延迟单元、其方法以及控制器 | |
| US10566037B1 (en) | Automated voltage and timing margin measurement for NAND flash interface | |
| CN109284238B (zh) | 增强eMMC接口稳定性的方法及系统 | |
| US11296693B1 (en) | Apparatuses and methods for compensating for crosstalk noise at input receiver circuits | |
| CN111710354B (zh) | 一种ddr3的cmd延时补偿方法、装置、设备及介质 | |
| CN107545918A (zh) | 存储器控制电路单元与存储装置及参考电压产生方法 | |
| US10468074B2 (en) | Methods for generating reference voltages and controllers utilizing the same | |
| CN107168831A (zh) | 内存的参考电压自适应装置、方法、系统以及计算机 | |
| US12124706B2 (en) | Apparatus with signal quality feedback | |
| US20240069744A1 (en) | Apparatus with signal quality feedback |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |