CN114415947A - 一种Dummy read控制方法、装置及介质 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种Dummy read控制方法、装置及介质，涉及硬盘技术领域。本申请所提供的Dummy read控制方法，通过每隔第一预设时间，检测Nand Flash存储器的工作环境，根据Nand Flash存储器的工作环境，每隔对应的预设时间间隔对Nand Flash存储器执行Dummy read操作。比起目前的采用固定的时间间隔进行Dummy read的方式，Nand Flash存储器可以通过检测工作环境，根据不同工作环境采用不同的预设时间间隔，避免选取的时间间隔过大带来不能精确的消除首次读取效应的影响，选取时间间隔过小带来的冗余操作的问题，提高Nand Flash存储器的存储效率。
Description
技术领域
本申请涉及硬盘技术领域，特别是涉及一种Dummy read控制方法、装置及介质。
背景技术
近年来，随着计算机信息技术的兴起，涉及到信息存储的硬盘技术成为一个热门技术领域，在众多硬盘中Nand Flash是目前应用广泛的存储介质，它由无数个晶体管电路组成，最终被作为一个单位封装起来成为闪存颗粒芯片，其原理是通过存储在存储单元中不同的电荷量呈现出不同的电压值来记录数据，由于Nand颗粒的硬件电气特性，对于一个已写入数据的物理Block，当超过一段时间无Read操作时，之后用户的第一次读取操作时数据的位反转概率会增大，即会有较高的RBER，这种现象我们称为首次读取效应。
目前的技术方案中，为了规避首次读取效应的影响，通常会对每个保存有效数据的Block固定时间间隔执行Dummy read操作，即仅向对应的Block发送Read命令，并不实际读取Flash中的数据，我们称其为Read refresh操作。由于首次读取效应受快闪记忆体(Nand Flash)存储器的工作温度，磨损次数(PE cycles)的影响，固定时间间隔执行Dummyread操作，时间间隔取的较大，不能精确的消除首次读取效应的影响，时间间隔取的较小时，会引入大量的冗余操作，降低用户对Nand Flash存储器的访问效率。
鉴于上述技术，寻找一种时间间隔合理的Nand Flash存储器的Dummy read控制方法是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种Dummy read控制方法，以便于解决当前由于固定时间间隔执行Dummy read操作，时间间隔取的较大，不能精确的消除首次读取效应的影响，时间间隔取的较小时，会引入大量的冗余操作，降低用户对Nand Flash存储器的访问效率的问题。
为解决上述技术问题，一种Dummy read控制方法，应用于Nand Flash存储器，所述方法包括：
每隔第一预设时间，检测所述Nand Flash存储器的工作环境；
根据所述Nand Flash存储器的工作环境，确定所述工作环境对应的预设时间间隔；其中，所述工作环境以及其对应的所述预设时间间隔经过测试得到，测试过程包括，设置所述Nand Flash存储器的工作环境，所述工作环境包括所述Nand Flash存储器的磨损阶段、工作环境温度，测试使用的所述Nand Flash存储器为至少两个，一个所述Nand Flash存储器对应一个测试时间间隔以便于根据对应的所述测试时间间隔测试，读取各所述NandFlash存储器在测试结束时的数据，获取到所述数据中读取出错的位数，并根据所述读取出错的位数计算得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔；
按照确定出的所述预设时间间隔对所述Nand Flash存储器执行Dummy read操作。
优选地，所述测试过程中，所述读取各所述Nand Flash存储器的数据，并获取到所述数据中读取出错的位数包括：
读取各所述Nand Flash存储器中的数据，并记录各所述Nand Flash存储器读出错的位数；
在所述读取各所述Nand Flash存储器中的数据结束时，再次读取各所述NandFlash存储器中的数据，并记录各所述Nand Flash存储器读出错的位数；
根据所述读取出错的位数计算得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔包括：
统计两次读取中各所述Nand Flash存储器中的数据读出错的位数，并根据两次读出错的位数及两次读出错的位数间的差进行统计测试得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔。
优选地，所述方法还包括：
将获取到的预设时间间隔相同的工作环境划分为一个工作区间；
所述每隔第一预设时间，检测所述Nand Flash存储器的工作环境包括：
每隔第一预设时间，检测所述Nand Flash存储器的工作区间；
所述根据所述Nand Flash存储器的工作环境，确定所述工作环境对应的预设时间间隔包括：
根据所述Nand Flash存储器的工作区间，确定所述工作环境对应的预设时间间隔。
优选地，所述方法还包括：
当所述Nand Flash存储器的工作区间变化时，发出警报，以便于用户根据当前的工作区间更改对应的预设时间间隔。
优选地，所述每隔对应的预设时间间隔对所述Nand Flash存储器执行Dummy read操作包括：
每隔对应的预设时间间隔对所述Nand Flash存储器异步执行所述Dummy read操作。
优选地，所述方法还包括：
记录所有的所述Dummy read操作，并生成数据进行储存。
优选地，所述Nand Flash存储器的工作环境温度为0至70度，所述Nand Flash存储器的磨损阶段为0至10000次。
为解决上述问题，本申请还提供一种Dummy read控制装置，包括：
检测模块，用于每隔第一预设时间，检测所述Nand Flash存储器的工作环境；
确定模块，用于根据所述Nand Flash存储器的工作环境，确定所述工作环境对应的预设时间间隔；其中，所述工作环境以及其对应的所述预设时间间隔经过测试得到，测试过程包括，设置所述Nand Flash存储器的工作环境，所述工作环境包括所述Nand Flash存储器的磨损阶段、工作环境温度，测试使用的所述Nand Flash存储器为至少两个，一个所述Nand Flash存储器对应一个测试时间间隔以便于根据对应的所述测试时间间隔测试，读取各所述Nand Flash存储器在测试结束时的数据，获取到所述数据中读取出错的位数，并根据所述读取出错的位数计算得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔；
执行模块，用于按照确定出的所述预设时间间隔对所述Nand Flash存储器执行Dummy read操作。
优选地，所述装置还包括：
划分模块，用于将获取到的预设时间间隔相同的工作环境划分为一个工作区间。
优选地，所述装置还包括：
警报模块，用于当所述Nand Flash存储器的工作区间变化时，发出警报，以便于用户根据当前的工作区间更改对应的预设时间间隔。
优选地，所述装置还包括：
记录模块，记录所有的所述Dummy read操作，并生成数据进行储存。
为解决上述问题，本申请还提供一种Dummy read控制装置，包括存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如上述的时间间隔测试方法的步骤。
为解决上述问题，本申请还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述的时间间隔测试方法的步骤。
本申请所提供的Dummy read控制方法，应用于Nand Flash存储器的通过获取经测试过程得到的Nand Flash存储器在不同工作环境下的预设时间间隔，并每隔第一预设时间，检测Nand Flash存储器的工作环境，同时根据Nand Flash存储器的工作环境，每隔对应的预设时间间隔对Nand Flash存储器执行Dummy read操作。比起目前的采用固定的时间间隔对Nand Flash存储器进行Dummy read的方式，基于该方法，Nand Flash存储器可以通过检测工作环境，根据不同工作环境采用不同的预设时间间隔，有效的应对首次读取效应造成的影响，避免选取的时间间隔过大带来不能精确的消除首次读取效应的影响，选取时间间隔过小带来太多的冗余操作的问题，提高Nand Flash存储器的存储效率。
本申请Dummy read控制装置及计算机可读存储介质与上述的Dummy read控制方法相对应，有益效果同上
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种Dummy read控制方法流程图；
图2为本申请实施例提供的一种Dummy read控制装置示意图；
图3为本申请另一实施例提供的Dummy read控制装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护范围。
本申请的核心是提供一种Dummy read控制方法，以便于解决当前由于固定时间间隔执行Dummy read操作，时间间隔取的较大，不能精确的消除首次读取效应的影响，时间间隔取的较小时，会引入大量的冗余操作，降低用户对Nand Flash存储器的访问效率的问题。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。
图1为本申请实施例提供的一种Dummy read控制方法流程图，应用于Nand Flash存储器，如图1所示，该方法包括：
S10：每隔第一预设时间，检测Nand Flash存储器的工作环境；
Nand flash存储器是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，Nand Flash有很多个Block组成，每个块Block包含多个Wordline，每个Wordline包含一个或多个Page。数据存储时，以Wordline为单位一次写入至少一个Wordline的数据；数据读取时，以Page为单位，一次读取某个Wordline中的一个或多个Page的数据。
本实施例中，对于第一预设时间的设定以及具体的时间不进行限定，视NandFlash存储器的具体情况而定，例如，在工作环境变化比较快的情况下，设置的第一预设时间较短，在工作环境相对稳定的情况下，设置的第一预设时间较长。
S11：根据Nand Flash存储器的工作环境，确定工作环境对应的预设时间间隔；
需要说明的是，本实施例所提到的预设时间间隔与上述的第一预设时间有本质区别，不因混淆。
其中，工作环境以及其对应的预设时间间隔经过测试得到，测试过程包括，设置Nand Flash存储器的工作环境，工作环境包括Nand Flash存储器的磨损阶段、工作环境温度，测试使用的Nand Flash存储器为至少两个，一个Nand Flash存储器对应一个测试时间间隔以便于根据对应的测试时间间隔测试，读取各Nand Flash存储器在测试结束时的数据，获取到数据中读取出错的位数，并根据读取出错的位数计算得到Nand Flash存储器的预设时间间隔。
在具体的测试过程中，对于测试精度而言，测试使用的Nand Flash存储器个数越多精度越高，但考虑到使用的Nand Flash存储器越多，成本越高，因此本实施例中对于测试使用的Nand Flash存储器的个数不进行限定，易于理解的是，测试时间间隔即针对测试使用的Nand Flash存储器进行Dummy read的时间间隔。本实施例中对于读取Nand Flash存储器在测试结束时的数据中的读取方式不进行限定，可以是单次读取，也可以是多次读取，可以使用主机进行读取，也可以使用其它设备进行读取。在实际应用中，根据读取出错的位数计算得到Nand Flash存储器的预设时间间隔中，本实施例中对于具体的计算方式不进行限定，一般采取对比不同的时间间隔中，读取的出错位数最少的，即为预设时间间隔。
S12：按照确定出的预设时间间隔对Nand Flash存储器执行Dummy read操作。
需要说明的是，Dummy read操作即仅向对应的Block发送Read命令，并不实际读取Flash中的数据。
本申请所提供的Dummy read控制方法，应用于Nand Flash存储器，通过获取经测试过程得到的Nand Flash存储器在不同工作环境下的预设时间间隔，并每隔第一预设时间，检测Nand Flash存储器的工作环境，同时根据Nand Flash存储器的工作环境，每隔对应的预设时间间隔对Nand Flash存储器执行Dummy read操作。比起目前的采用固定的时间间隔对Nand Flash存储器进行Dummy read的方式，基于该方法，Nand Flash存储器可以通过检测工作环境，根据不同工作环境采用不同的预设时间间隔，有效的应对首次读取效应造成的影响，避免选取的时间间隔过大带来不能精确的消除首次读取效应的影响，选取时间间隔过小带来太多的冗余操作的问题，提高Nand Flash存储器的存储效率。
上述实施例中对于测试过程中Nand Flash存储器的数据，以及如何计算得到预设时间间隔未进行限定，在此提出优选方案，测试过程中，读取各Nand Flash存储器的数据，并获取到数据中读取出错的位数包括：
读取各Nand Flash存储器中的数据，并记录各Nand Flash存储器读出错的位数；
在所述读取各所述Nand Flash存储器中的数据结束时，再次读取各Nand Flash存储器中的数据，并记录各Nand Flash存储器读出错的位数；
根据读取出错的位数计算得到Nand Flash存储器的预设时间间隔包括：
统计两次读取中各Nand Flash存储器中的数据读出错的位数，并根据两次读出错的位数及两次读出错的位数间的差进行统计测试得到Nand Flash存储器的预设时间间隔。
需要说明的是，由于首次读取效应只针对于Nand Flash存储器的首次读取，因此考虑到日常磨损以及干扰等造成的数据位的出错，因此采取读取两次的数据方式，首次读取到的数据是在首读效应影响下的Nand Flash存储器的数据，之后读取的为正常工作状态的Nand Flash存储器的数据，由于考虑到间隔一定时间后Nand Flash存储器再次产生首读效应，因此在首次数据读取结束时，立即进行第二次读取，保证了第二次得到的数据必定为不受首读效应影响的正常读取的数据，从而根据测试得到的两个数据，统计两个数据中的读取出错的位数，从根据两次读出错的位数及两次读出错的位数间的差得到预设时间间隔，根据具体情况，一般来说将首次读取出错的位数设置的权重较大，以首次读取出错的位数为主进行预设时间间隔的计算。
考虑到由于存储器本身的工作环境以及工作状态，干扰等等，带来的一系列误差，本实施例中采取读取两次的方法，统合了在首次读取效应的干扰下的数据误差和正常读取下的数据误差，从而降低了由于其他因素引起的首次读取效应检测不精确，增加了测试得到的预设时间间隔的精确性。
考虑到运行该方法的效率，在此提出优选方案，该方法还包括：
将获取到的预设时间间隔相同的工作环境划分为一个工作区间；
每隔第一预设时间，检测Nand Flash存储器的工作环境包括：
每隔第一预设时间，检测Nand Flash存储器的工作区间；
根据Nand Flash存储器的工作环境，确定工作环境对应的预设时间间隔包括：
根据Nand Flash存储器的工作区间，确定工作环境对应的预设时间间隔。
可以理解的是，工作区间即一个工作环境的集合，例如，检测到工作环境温度为0度到10度时，磨损阶段为0到100这个范围内的所有的Nand Flash存储器的预设时间间隔都相同，那么工作环境温度0到10度，磨损阶段0到100这个范围即为一个工作区间，本实施例中对于工作区间的具体划分方式即划分过程不进行限定，可以使用建立坐标轴的方式，也可以使用划线，统计等方式。
本实施例通过建立工作区间的方式，将相同的预设时间间隔的工作环境设置为同一个工作区间，因此可以降低检测工作环境的频率以及降低切换预设时间间隔的频率，减小了运行系统的负担，增加了系统的运行效率。
考虑到更改工作环境需要用户进行操作，在此提出优选方案，该方法还包括：
当Nand Flash存储器的工作区间变化时，发出警报，以便于用户根据当前的工作区间更改对应的预设时间间隔。
需要说明的是，本实施例中对于警报的具体方式不进行限定，通过发出警报的方式，提示用户更改对应的预设时间间隔，防止由于工作区间的改变而未改变预设时间间隔所带来的读取Nand Flash存储器的错误，增加了Nand Flash存储器的数据存储安全性。
上述实施例中对于如何执行Dummy read操作未进行限定，在此提出优选方案，每隔对应的预设时间间隔对Nand Flash存储器执行Dummy read操作包括：
每隔对应的预设时间间隔对Nand Flash存储器异步执行Dummy read操作。
即本实施例中所提到的通过异步执行Dummy read操作，不会对用户本身在该NandFlash存储器所处的系统中的其他操作产生影响，提高了用户的体验感。
考虑到数据的记录性，在此提出优选方案，该方法还包括：
记录所有的Dummy read操作，并生成数据进行储存。
需要说明的是，本实施例通过对Dummy read操作生成数据进行储存，统合出错后的位数，可以反馈到测试过程中，从而能更精确得到预设时间间隔。
考虑到Nand Flash存储器的实际工作环境，在此提出优选方案，Nand Flash存储器的工作环境温度为0至70度，Nand Flash存储器的磨损阶段为0至10000次。
本实施例中，对于通过Nand Flash存储器的实际工作环境，对本方案中的工作环境进行了限定，从而减小了测试的范围，节省了测试成本以及测试所用的时间。
在上述实施例中，对Dummy read控制方法进行了详细描述，本申请还提供Dummyread控制装置对应的实施例。需要说明的是，本申请从两个角度对装置部分的实施例进行描述，一种是基于功能模块的角度，另一种是基于硬件的角度。
图2为本申请实施例提供的一种Dummy read控制装置示意图，该装置包括：
检测模块10，用于每隔第一预设时间，检测Nand Flash存储器的工作环境；
确定模块11，用于根据Nand Flash存储器的工作环境，确定工作环境对应的预设时间间隔；其中，工作环境以及其对应的预设时间间隔经过测试得到，测试过程包括，设置Nand Flash存储器的工作环境，工作环境包括Nand Flash存储器的磨损阶段、工作环境温度，测试使用的Nand Flash存储器为至少两个，一个Nand Flash存储器对应一个测试时间间隔以便于根据对应的测试时间间隔测试，读取各Nand Flash存储器在测试结束时的数据，获取到数据中读取出错的位数，并根据读取出错的位数计算得到Nand Flash存储器的预设时间间隔；
执行模块12，用于按照确定出的时间间隔对Nand Flash存储器执行Dummy read操作。
优选地，该装置还包括：
划分模块，用于将获取到的预设时间间隔相同的工作环境划分为一个工作区间。
优选地，该装置还包括：
警报模块，用于当Nand Flash存储器的工作区间变化时，发出警报，以便于用户根据当前的工作区间更改对应的预设时间间隔。
优选地，该装置还包括：
记录模块，记录所有的Dummy read操作，并生成数据进行储存。
由于装置部分的实施例与方法部分的实施例相互对应，因此装置部分的实施例请参见方法部分的实施例的描述，这里暂不赘述。
本申请所提供的Dummy read控制装置，包括检测模块10，确定模块11，执行模块12，通过获取经测试过程得到的Nand Flash存储器在不同工作环境下的预设时间间隔，并每隔第一预设时间，检测Nand Flash存储器的工作环境，同时根据Nand Flash存储器的工作环境，每隔对应的预设时间间隔对Nand Flash存储器执行Dummy read操作。比起目前的采用固定的时间间隔对Nand Flash存储器进行Dummy read的方式，基于该方法，NandFlash存储器可以通过检测工作环境，根据不同工作环境采用不同的预设时间间隔，有效的应对首次读取效应造成的影响，避免选取的时间间隔过大带来不能精确的消除首次读取效应的影响，选取时间间隔过小带来太多的冗余操作的问题，提高Nand Flash存储器的存储效率。
图3为本申请另一实施例提供的Dummy read控制装置的结构图，如图3所示，Dummyread控制装置包括：存储器20，用于存储计算机程序；
处理器21，用于执行计算机程序时实现如上述实施例中所提到的Dummy read控制方法的步骤。
本实施例提供的Dummy read控制装置可以包括但不限于智能手机、平板电脑、笔记本电脑或台式电脑等。
其中，处理器21可以包括一个或多个处理核心，比如4核心处理器、8核心处理器等。处理器21可以采用DSP(Digital Signal Processing，数字信号处理)、FPGA(Field－Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)、PLA(Programmable Logic Array，可编程逻辑阵列)中的至少一种硬件形式来实现。处理器21也可以包括主处理器和协处理器，主处理器是用于对在唤醒状态下的数据进行处理的处理器，也称CPU(Central ProcessingUnit，中央处理器)；协处理器是用于对在待机状态下的数据进行处理的低功耗处理器。在一些实施例中，处理器21可以在集成有GPU(Graphics Processing Unit，图像处理器)，GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制。一些实施例中，处理器21还可以包括AI(Artificial Intelligence，人工智能)处理器，该AI处理器用于处理有关机器学习的计算操作。
存储器20可以包括一个或多个计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质可以是非暂态的。存储器20还可包括高速随机存取存储器，以及非易失性存储器，比如一个或多个磁盘存储设备、闪存存储设备。本实施例中，Nand Flash存储器20至少用于存储以下计算机程序201，其中，该计算机程序被处理器21加载并执行之后，能够实现前述任一实施例公开的Dummy read控制方法的相关步骤。另外，存储器20所存储的资源还可以包括操作系统202和数据203等，存储方式可以是短暂存储或者永久存储。其中，操作系统202可以包括Windows、Unix、Linux等。数据203可以包括但不限于Dummy read控制方法中涉及的数据等。
在一些实施例中，Dummy read控制装置还可包括有显示屏22、输入输出接口23、通信接口24、电源25以及通信总线26。
本领域技术人员可以理解，图3中示出的结构并不构成对Dummy read控制装置的限定，可以包括比图示更多或更少的组件。
本申请实施例提供的Dummy read控制装置，包括存储器和处理器，处理器在执行存储器存储的程序时，能够实现如下方法：上述实施例中提及的Dummy read控制方法。
由于装置部分的实施例与方法部分的实施例相互对应，因此装置部分的实施例请参见方法部分的实施例的描述，这里暂不赘述，且由于与上述方法部分，有益效果也见方法部分
最后，本申请还提供一种计算机可读存储介质对应的实施例。计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如上述方法实施例中记载的步骤。
可以理解的是，如果上述实施例中的方法以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
由于存储介质部分的实施例与方法部分的实施例相互对应，因此存储介质部分的实施例请参见方法部分的实施例的描述，这里暂不赘述，且由于与上述方法部分，有益效果也见方法部分。
以上对本申请所提供的一种Dummy read控制方法、装置及介质进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
Claims (10)
1.一种Dummy read控制方法，其特征在于，应用于Nand Flash存储器，包括：
每隔第一预设时间，检测所述Nand Flash存储器的工作环境；
根据所述Nand Flash存储器的工作环境，确定所述工作环境对应的预设时间间隔；其中，所述工作环境以及其对应的所述预设时间间隔经过测试得到，测试过程包括，设置所述Nand Flash存储器的工作环境，所述工作环境包括所述Nand Flash存储器的磨损阶段、工作环境温度，测试使用的所述Nand Flash存储器为至少两个，一个所述Nand Flash存储器对应一个测试时间间隔以便于根据对应的所述测试时间间隔测试，读取各所述Nand Flash存储器在测试结束时的数据，获取到所述数据中读取出错的位数，并根据所述读取出错的位数计算得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔；
按照确定出的所述预设时间间隔对所述Nand Flash存储器执行Dummy read操作。
2.根据权利要求1所述的Dummy read控制方法，其特征在于，所述测试过程中，所述读取各所述Nand Flash存储器的数据，并获取到所述数据中读取出错的位数包括：
读取各所述Nand Flash存储器中的数据，并记录各所述Nand Flash存储器读出错的位数；
在所述读取各所述Nand Flash存储器中的数据结束后的第二预设时间内，再次读取各所述Nand Flash存储器中的数据，并记录各所述Nand Flash存储器读出错的位数；
根据所述读取出错的位数计算得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔包括：
统计两次读取中各所述Nand Flash存储器中的数据读出错的位数，并根据两次读出错的位数及两次读出错的位数间的差进行统计测试得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔。
3.根据权利要求2所述的Dummy read控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
将获取到的预设时间间隔相同的工作环境划分为一个工作区间；
所述每隔第一预设时间，检测所述Nand Flash存储器的工作环境包括：
每隔第一预设时间，检测所述Nand Flash存储器的工作区间；
所述根据所述Nand Flash存储器的工作环境，确定所述工作环境对应的预设时间间隔包括：
根据所述Nand Flash存储器的工作区间，确定所述工作环境对应的预设时间间隔。
4.根据权利要求3所述的Dummy read控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
当所述Nand Flash存储器的工作区间变化时，发出警报，以便于用户根据当前的工作区间更改对应的预设时间间隔。
5.根据权利要求4所述的Dummy read控制方法，其特征在于，所述每隔对应的预设时间间隔对所述Nand Flash存储器执行Dummy read操作包括：
每隔对应的预设时间间隔对所述Nand Flash存储器异步执行所述Dummy read操作。
6.根据权利要求5所述的Nand Flash存储器的Dummy read控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
记录所有的所述Dummy read操作，并生成数据进行储存。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的Nand Flash存储器的Dummy read控制方法，其特征在于，所述Nand Flash存储器的工作环境温度为0至70度，所述Nand Flash存储器的磨损阶段为0至10000次。
8.一种Dummy read控制装置，其特征在于，包括：
检测模块，用于每隔第一预设时间，检测所述Nand Flash存储器的工作环境；
确定模块，用于根据所述Nand Flash存储器的工作环境，确定所述工作环境对应的预设时间间隔；其中，所述工作环境以及其对应的所述预设时间间隔经过测试得到，测试过程包括，设置所述Nand Flash存储器的工作环境，所述工作环境包括所述Nand Flash存储器的磨损阶段、工作环境温度，测试使用的所述Nand Flash存储器为至少两个，一个所述NandFlash存储器对应一个测试时间间隔以便于根据对应的所述测试时间间隔测试，读取各所述Nand Flash存储器在测试结束时的数据，获取到所述数据中读取出错的位数，并根据所述读取出错的位数计算得到所述Nand Flash存储器的预设时间间隔；
执行模块，用于按照确定出的所述预设时间间隔对所述Nand Flash存储器执行Dummyread操作。
9.一种Dummy read控制装置，其特征在于，包括存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的时间间隔测试方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的时间间隔测试方法的步骤。
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