JP2017083334A - 不純物の回収方法及び不純物の分析方法並びに液滴回収装置 - Google Patents
不純物の回収方法及び不純物の分析方法並びに液滴回収装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017083334A JP2017083334A JP2015212796A JP2015212796A JP2017083334A JP 2017083334 A JP2017083334 A JP 2017083334A JP 2015212796 A JP2015212796 A JP 2015212796A JP 2015212796 A JP2015212796 A JP 2015212796A JP 2017083334 A JP2017083334 A JP 2017083334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- droplet
- opening
- droplets
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】親水性の表面を有する基板の表面に存在する不純物を液滴により効率よく回収可能な回収方法及びその回収した液滴から不純物を分析する分析方法並びに液滴回収装置を提供する。【解決手段】不純物の回収方法は、接触させる工程と、回収する工程とを備える。接触させる工程は、親水性の表面Fを有する基板Wの表面F上の不純物を回収する薬液Lを表面張力により表面Fの上方から表面Fに垂れ下げて保持するとともに、薬液Lを表面Fに接触させる。回収する工程は、接触させる工程後に、表面Fの上方に薬液Lを保持するとともに、薬液Lを表面Fに接触させたまま基板Wに対して薬液Lを基板Wの面内方向に相対的に移動させて薬液Lに不純物を回収する。接触させる工程は、面内方向に沿って薬液Lを保持して表面Fに薬液Lを線状に接触させる。【選択図】図6
Description
本発明は、親水性の表面、例えば、炭化シリコン基板又は表面にシリコン酸化膜を有する基板の表面における不純物の回収方法及び回収した不純物の分析方法並びに液滴回収装置に関する。
半導体基板の表面に存在する不純物のなかで、例えば、金属不純物は、半導体デバイスの特性や半導体デバイスの製造歩留まりを低下させる原因のひとつとなっている。この特性及び製造歩留まりの低下を抑制するには、特性及び製造歩留まりの低下を引き起こす原因となる半導体基板の表面の金属不純物を分析した上で汚染対策をすることが重要となる。そのため、半導体基板の表面の金属不純物を好感度に分析する技術が必要となる。
半導体基板の表面に存在する金属不純物を分析する方法としては、原子吸光法(AAS:Atomic Absorption Spectrometry)及び誘導結合プラズマ(ICP:Inductively Coupled Plasma)を用いた誘導結合プラズマ発光分光分析法(ICP−OES:ICP−Optical Emission Spectrometry)と誘導結合プラズマ質量分析法(ICP−MS:ICP−Mass Spectrometry)等の分析法が知られている。
このような分析法により半導体基板の表面に存在する金属不純物を分析するには、分析に先立って半導体基板の表面に存在する金属不純物を回収する必要がある。例えば、特許文献1では、次のようにして金属不純物を回収することが開示される。底部が載置面に向けて凸状に湾曲することで窪み部が形成された耐酸性容器の窪み部に、金属不純物を回収する回収液を入れた状態で、基板の表面が回収液に触れるように窪み部に対向させて基板を容器に載置する。そして、容器を載置面に載置し、湾曲した底部を基点に容器を揺らすことで基板の表面全体に回収液を触れさせ、回収液中に金属不純物を取り込み、金属不純物を回収する。また、特許文献2では、底部が平坦な皿状の容器に回収液をため、容器にためた回収液に基板表面を接触させて回収液中に金属不純物を取り込み、金属不純物を回収する。
しかし、特許文献1及び2の方法では、回収液に接触させる基板の表面が親水性の基板を用いると、基板の表面側から裏面側に回収液が回り込むことでクロスコンタミネーションが生じ、基板表面の金属不純物を正確に分析できない。
そこで、非特許文献1では、フッ素樹脂製の平皿に基板を載置させた後、その平皿の上方からフッ素樹脂製のリング状の治具で基板表面の外周部を抑えて基板表面と治具を密着させる。そして、そのリング状の治具の内側に回収液を注入して金属不純物を回収液中に取り込み、金属不純物を回収する。これにより、回収液が基板裏面に回り込むことが抑制され、クロスコンタミネーションが生じるリスクを低減することできる。しかし、非特許文献1の方法では、回収液を大量に使用するため、金属不純物が回収液で希釈化され、基板表面の金属不純物を好感度に分析するのには適さない。
また、特許文献3では、表面が親水性の基板に対して回収液を使用して金属不純物を回収する方法が開示されるが、スピンコートを利用するため、金属不純物を回収するためにはスピンコートが必要となってしまう。
そして、特許文献4では、基板の表面に形成された自然酸化膜をフッ酸蒸気で気相分解させることで露出した基板の表面上を点状の液滴で満遍なくなぞるようにして液滴を移動させ、液滴中に金属不純物を取り込むことで金属不純物を回収する。
竹中ら「化学分析」43(1994)、p173−176
特許文献4のように液滴を移動させる基板には、例えば、ポリッシュドウェーハのような表面が平滑かつ疎水の基板が使用される。このような基板に代えて、例えば、炭化シリコン基板又は表面にシリコン酸化膜を有する基板等の表面が親水性の基板を用いると、基板の表面を移動させる液滴の速度を非常に遅くしなければ、液滴の動きを操作できない。そのため、特許文献4のように点状の液滴により金属不純物を回収しようとすると、基板表面全体の金属不純物を回収するのに多大な時間を要してしまう。
本発明の課題は、親水性の表面を有する基板の表面に存在する不純物を液滴により効率よく回収可能な回収方法及びその回収した液滴から不純物を分析する分析方法並びに液滴回収装置を提供することにある。
本発明の不純物の回収方法は、
親水性の表面を有する基板の表面上の不純物を回収する液滴を表面張力により表面の上方から表面に垂れ下げて保持するとともに、液滴を表面に接触させる工程と、
接触させる工程後に、表面の上方に液滴を保持するとともに、液滴を表面に接触させたまま基板に対して液滴を基板の面内方向に相対的に移動させて液滴に不純物を回収する工程と、
を備え、
接触させる工程は、面内方向に沿って液滴を保持して表面に液滴を線状に接触させることを特徴とする。
親水性の表面を有する基板の表面上の不純物を回収する液滴を表面張力により表面の上方から表面に垂れ下げて保持するとともに、液滴を表面に接触させる工程と、
接触させる工程後に、表面の上方に液滴を保持するとともに、液滴を表面に接触させたまま基板に対して液滴を基板の面内方向に相対的に移動させて液滴に不純物を回収する工程と、
を備え、
接触させる工程は、面内方向に沿って液滴を保持して表面に液滴を線状に接触させることを特徴とする。
本発明の不純物の回収方法では、液滴が基板表面に線状に接触するため、液滴を点状に接触させる場合よりも一度に液滴が不純物を回収できる範囲を広くできる。よって、親水性の表面を相対的に移動させる液滴の速度を遅くしても効率よく不純物を回収することが可能となる。
本発明の実施態様では、接触させる工程は、表面に対向する線状の開口を有する箱体に液滴を注入して開口から液滴を表面に接触させる。これによれば、線状の開口を有する箱体を用いることで開口の周辺部に作用する液滴の表面張力を利用することで、液滴を基板の表面に対して簡単に線状に接触させることが可能となる。
本発明の実施態様では、回収する工程は、箱体の位置を保持したまま基板の表裏を貫通する軸線回りに基板を回転させる。箱体が移動する場合は箱体の振動等により箱体に保持された液滴が基板上に流れ出やすくなる。それに対し、この実施態様では、箱体に保持された液滴が接触する基板が回転することで箱体の振動等を抑制し、箱体に保持された液滴が基板上に流出するのを抑制することが可能となる。
本発明の実施態様では、回収する工程は、箱体に液滴を注入する注入口を塞ぐとともに、液滴が開口を塞いだ状態で、箱体を密閉して実施する。これによれば、箱体が密閉されることで箱体の内部の圧力が一定に保たれ、箱体に保持された液滴が基板上に流れ出るのを抑制できる。
本発明の実施態様では、基板が回転する軸線は基板の表面の中心部を通過し、接触させる工程は、表面の中心から表面の外縁に向かう径方向に沿って液滴を表面に接触させる。これによれば、基板を1回転させると基板の所定範囲の不純物を回収することが可能となる。
本発明の実施態様では、接触させる工程は、表面の中心部から表面の外縁部に渡り液滴を表面に接触させる。これによれば、基板を1回転させると基板の全体又は略全体の領域で不純物を回収することが可能となる。
また、本発明の別の実施態様では、接触させる工程は、表面の中心部と外縁部との間に液滴を表面に接触させる。これによれば、基板を1回転させると、任意のドーナツ状の領域で不純物を回収することが可能となる。
本発明の実施態様では、開口の長さが異なる箱体を準備する工程と、基板の径に基づき開口の長さが異なる箱体を選択する工程と、選択する工程で選択した箱体に注入する液滴の量を開口の長さに基づき設定する工程と、を備え、設定する工程後に、接触させる工程を実施する。これによれば、基板の径に基づき不純物を回収するのに適した箱体及び液滴の量を調節することが可能となる。
本発明の実施態様では、表面にシリコン酸化膜を有する基板、又は、基板にシリコン炭化基板を使用する。
また、本発明の実施態様では、上記の不純物の回収方法により回収した液滴に基づき不純物を分析する。これによれば、効率よく不純物を分析できる。
本発明の液滴回収装置は、
基板の表面上に存在する不純物を液滴により回収する液滴回収装置であって、
底部を有して内部に液滴を収容する本体部と、底部に位置して内部から外部に液滴を導く線状の開口と、底部の外面かつ開口の周辺に位置して液滴を線状に垂れ下げて保持する表面張力が作用する周辺部と、を有する箱体を備え、
箱体が、表面の上方から表面に液滴を線状に垂れ下げて保持するとともに、液滴を表面に線状に接触させたまま基板に対して基板の面内方向に相対的に移動することで、液滴に不純物が回収されることを特徴とする。
基板の表面上に存在する不純物を液滴により回収する液滴回収装置であって、
底部を有して内部に液滴を収容する本体部と、底部に位置して内部から外部に液滴を導く線状の開口と、底部の外面かつ開口の周辺に位置して液滴を線状に垂れ下げて保持する表面張力が作用する周辺部と、を有する箱体を備え、
箱体が、表面の上方から表面に液滴を線状に垂れ下げて保持するとともに、液滴を表面に線状に接触させたまま基板に対して基板の面内方向に相対的に移動することで、液滴に不純物が回収されることを特徴とする。
本発明の液滴回収装置では、線状の開口により液滴が基板表面に線状に接触するため、液滴を点状に接触させる場合よりも液滴が一度に不純物を回収できる範囲を広くできる。よって、効率よく不純物を回収することが可能となる。
本発明の実施態様では、表面の中心部を通過して基板の表裏を貫通する軸線回りに基板を回転可能に保持する回転部と、回転部に保持された基板の表面の中心から表面の外縁に向かう方向に沿って液滴を表面に接触させた状態で箱体を支持する支持部と、を備える。これによれば、基板を回転させると、基板表面の所定の領域に存在する不純物を回収できる。
本発明の実施態様では、開口は、直線状に形成され、開口の長手方向の長さが基板の半径の長さより短い。これによれば、例えば、開口の長手方向の長さが基板の半径より僅かに短い場合は、基板を1回転させることで、基板の全体又は略全体の領域で不純物を回収することが可能となる。
本発明の実施態様では、箱体は、内部に液滴を注入する注入口と注入口を密閉可能な蓋部を備える。注入口から箱体の内部に液滴が注入されると、箱体の開口の周辺部に作用する表面張力により液滴が開口を塞ぐ。よって、この状態で注入口を蓋部で密閉すると、箱体の内部の圧力を一定にでき、周辺部に保持された液滴が流出するのを抑制できる。
図1Aは、本発明の不純物の回収方法に使用する液滴回収装置1の一例を示す。液滴回収装置1により半導体基板(例えば、炭化シリコン基板又は表面に酸化膜を有するシリコン基板。以下、半導体基板を「基板W」とする。)の表面Fに存在する金属不純物等の不純物が回収される。液滴回収装置1は、表面Fに金属不純物を回収する液滴を接触させた状態で、液滴により表面Fをなぞるように液滴を基板Wに対して相対的に移動させ、液滴中に表面Fに存在する金属不純物等を回収する。
液滴回収装置1は、基板Wを回転させる回転部2と、回転部2により回転する基板Wの表面に存在する不純物を回収する回収部3を備える。
回転部2は、基板Wを水平又は略水平に保持し、かつ、保持した基板Wを鉛直方向に延びる軸線O回りに回転させる。回転部2は、例えば、図示しない真空チャックと、真空チャックを軸線O回りに回転させる回転機構により構成される。軸線Oが基板W表面Fの中心部を貫通するように真空チャックにより基板Wが保持された状態で、回転機構により真空チャックが回転することにより、軸線O回りに、例えば、毎秒1mmの速度で基板Wが回転可能となる。
軸線O回りに回転可能となる基板Wの表面Fに存在する不純物は回収部3により回収される。回収部3は、表面Fに存在する不純物を回収するプローブ4と、プローブ4に接続するアーム5と、アーム5を鉛直方向に延びる軸線O1回りに回転させる駆動部6を備える。
図2Aに示すようにプローブ4は、一方が横長の略L字の箱状の外形であり、プローブ4の外形に対応して内部にはL字状の空間Sが形成される本体部を有する。プローブ4は、フッ素樹脂製(PTFE)である。プローブ4は、図2Aにおいて縦に延びたL字の一方の先端部分に位置する天板部4aと、図2Aにおいて横に延びたL字の他方の下面となる底部4bを備える。天板部4aは、空間Sに通じる開口4a1を有する。開口4a1は、例えば、シリコーンゴム製の蓋部(図示省略)により塞ぐことが可能であり、開口4a1から基板W表面Fに存在する金属不純物を回収するための後述する薬液L(図2C参照)が注入される。底部4bは、図2Aに示すように横方向(長手方向)の長さL1が基板Wの半径に略対応し、図2Bに示すように短手方向の幅W1が、例えば、5〜6mmの板状で、空間Sに通じる開口4b1を有する。開口4b1は、横長の底部4bに沿って横長の直線状に形成され、図2Aに示すように開口4b1の長手方向の長さL2(<L1)は、基板Wの半径より僅かに短く形成される。一方、図2Bに示すように開口4b1の短手方向の幅W2(<W1)は、例えば、1mmである。図2Cに示すように開口4b1は、開口4a1から注入された薬液Lが開口4b1から落下しないように開口4b1の周辺部Pに作用する表面張力で薬液Lを保持できるように形成される。プローブ4は、基板Wの半径に対応して開口4b1の長さL2が異なるものが、複数用意される。なお、プローブ4は本発明の「箱体」に相当する。
開口4a1から空間Sに注入される薬液Lは、基板W表面Fに存在する金属不純物を回収するための回収液である。薬液Lとしては、例えば、塩酸(20%)と過酸化水素(35%)と超純水を用いて調製した2%塩酸+5%過酸化水素水が用いられる。
薬液Lが注入されるプローブ4には図3Aに示すようにアーム5が接続される。アーム5は、L字のプローブ4の縦に延びる一方に接続する一端部5aと、図1Aに示すように駆動部6に接続する他端部5bを有する。
駆動部6は、アーム5を作動させる駆動手段(例えば、モータ)として構成される。駆動部6は、アーム5を軸線O1回りに回転可能であるとともに、軸線O1に沿ってアーム5を昇降可能である。図1A→図1Bは、駆動部6によりアーム5を軸線O1回り(時計回り)に回転させた様子が示される。
以上、液滴回収装置1の主要な各部を説明した。次に、液滴回収装置1により基板Wの表面Fに存在する金属不純物を薬液L中に回収する回収方法について説明する。液滴回収装置1を使用して金属不純物を回収するに先立ち、開口4b1の長さL2(図2A参照)が異なるプローブ4を複数準備し、例えば、準備したプローブ4の中から金属不純物を分析する基板Wの半径より僅かに短い長さL2のプローブ4を選択する。選択したプローブ4に注入される薬液Lの量は、プローブ4の長さL1、L2に応じて設定される。例えば、長さL1が50mm(長さL2が48mm)の場合は、薬液Lの量は720〜900μLとなる。長さL1が62mm(長さL2が60mm)の場合は、薬液Lの量は900〜1200μLとなる。長さL1が74mm(長さL2が72mm)の場合は、薬液Lの量は1080〜1400μLとなる。長さL1が99mm(長さL2が97mm)の場合は、薬液Lの量は1400〜2000μLとなる。長さL1が148mm(長さL2が146mm)の場合は、薬液Lの量は2190〜3000μLとなる。よって、上記の薬液Lの量の基準から選択したプローブ4の長さL1、L2に対応した薬液Lの量を設定する。このように設定することで、後述するように基板Wを回転させた場合でも薬液Lが途切れることなく基板Wの表面Fを薬液Lが掃くように薬液Lを移動させることができる。なお、長さL1が50mm、62mm、74mm、99mmの場合は、開口4b1の幅W1が5mm(幅W2が1mm)のプローブ4が採用される。長さL1が148mmの場合は、開口4b1の幅W1が6mm(幅W2が1mm)のプローブ4が採用される。
次に、図1Aに示すように軸線O上に表面Fの中心部が位置するように回転部2に基板Wを保持させ、選択したプローブ4を液滴回収装置1に取り付け、底部4bが表面Fより上方になるようにプローブ4を配置する。以下、このように準備した液滴回収装置1により基板Wの表面Fに存在する金属不純物を回収する方法を説明する。
先ず、駆動部6がアーム5を時計回りに回転させると、プローブ4が基板Wに向けて移動する。軸線O1回りに回転するアーム5の回転角が大きくなるに連れてプローブ4が基板Wの直上に移動し、例えば、図1Aの基準線A(表面Fの中心から外縁に延びる直線)にプローブ4が対向した状態でアーム5が停止する(図1B)。図1Bに示されていないが、図1Bの状態でプローブ4の開口4b1(図2A参照)は、図1Aの基準線Aに対向する。アーム5が停止すると、駆動部6がアーム5を軸線O1に沿って降下させる。例えば、軸線O1に沿う方向で、基板Wの表面Fとプローブ4の底部4bとの距離が0.2mmになるまで底部4bを表面Fに接近させ、表面F近傍にプローブ4を配置する。
表面F近傍にプローブ4が配置されると、プローブ4の開口4a1から空間Sに上記で設定した量の薬液Lを注入する。空間Sに薬液Lが注入されると、注入された薬液Lの一部は、図2Bに示す開口4b1を通じて次第に底部4bの外面に流れ出る。プローブ4の外側に出た薬液Lは、図2Cに示すように周辺部Pに生じる表面張力によりプローブ4に保持された状態で、表面Fの上方から表面Fに垂れ下がるとともに、表面Fに線状に接触する(図2D)。具体的には、薬液Lは、図1Aの基準線Aに沿うようにして表面Fの中心部から外縁部に向けて直線状に表面Fに接触する。なお、この状態で開口4b1は薬液Lにより塞がれる。このようにして表面Fに薬液Lを接触させる工程が本発明の「接触させる工程」に相当する。
次に薬液Lを注入した開口4a1を蓋部(図示省略)で塞ぐ。一方で、開口4b1は上述のように薬液Lで塞がれるため、開口4a1を塞ぐと、空間Sが密閉状態となる。そして、空間Sを密閉した状態でプローブ4の位置を図1Bに示す位置に保持したまま、回転部2により基板Wを軸線O回りに回転させる。すると、薬液Lがプローブ4に保持されるとともに、薬液Lが基板Wの表面Fに接触した状態で基板Wが回転する。即ち、図3Aに示す軸線O回りに基板Wが回転することで、薬液Lが表面F全体を掃くように基板Wに対して相対的に回転する(図3A→図3B)。図3Bで、領域Rは、基板Wが回転することで薬液Lが通過した表面F上の領域を模式的に示したものである。薬液Lが表面Fの全域又は略全域を通過することで、表面Fに存在する金属不純物等が薬液L中に回収される。このように薬液L中に不純物を回収する工程が本発明の「回収する工程」に相当する。
薬液L中に金属不純物を回収すると、例えば、図1Bに示す駆動部6により軸線O1に沿ってアーム5を上昇させ、プローブ4の開口4b1の下方にバイアル(図示省略)を用意してバイアル内に薬液Lを集める。そして、薬液Lに含まれる金属不純物を周知の分析方法により分析する。
以上の工程により金属不純物が回収され、金属不純物の分析がされる。ここで、図4Aに示すように疎水の表面Fに滴下した薬液Lは、表面Fの狭い範囲に留まるのに対し、図4Bに示すように親水の表面Fに滴下した薬液Lは、濡れるように薄く表面Fの広範囲に広がる。従来では、表面F上で薬液Lがまとまりやすい疎水の表面Fに図5Aに示す円状の開口104b1を有するプローブ104を用いて表面Fの中心部からうずまき状に表面F全体をなぞるように薬液L及び基板Wを移動させて金属不純物を回収していた(図5A→図5B参照)。表面F上で薬液Lが広がり易い親水の表面Fに対してもプローブ104を用いて金属不純物を回収するのは可能であるが、プローブ104から薬液Lが流れ出ない遅い速度で基板Wを回転させる必要があり、金属不純物の回収に時間がかかっていた。
そこで、本実施態様では、図3Aに示すように薬液Lを基板Wの親水性の表面Fに線状に接触させる。これにより、従来のように薬液Lを点状に接触させる場合(図5B)よりも基板Wが回転することで薬液Lが表面F上を移動する範囲を広くできる。よって、基板Wを回転させる速度が遅い親水性の表面Fから金属不純物を回収する場合でも時間的に効率よく金属不純物を回収することが可能となる。
薬液Lを表面Fに接触させる際は、線状の開口4b1を有するプローブ4を使用する。そのため、図2Cに示すように開口4b1の周辺部Pに作用する表面張力を利用して基板Wの表面Fに対して簡易に薬液Lを線状に接触させることができる。また、薬液L中に金属不純物を取り込む際に図1Aに示す回転部2が基板Wを回転させるため、薬液Lを保持するプローブ4が振動するのを抑制し、プローブ4に保持された薬液Lが表面Fに流れ出るのを抑制できる。更に、プローブ4の開口4a1が蓋部により、開口4b1が薬液Lにより閉じられるため、プローブ4の空間Sの圧力が一定に保たれ、プローブ4が薬液Lを保持する力が大きくなる。そのため、プローブ4に保持された薬液Lが表面Fに流れ出るのが抑制される。なお、薬液Lは、表面Fの中心部から外縁部に渡り線状に接触することで、基板Wを軸線O回りに1回転させると表面F全域に位置する金属不純物を回収することが可能となる。よって、このように金属不純物を回収した薬液Lを使用することで、効率よく金属不純物を分析することができる。
本発明の効果を確認するために以下の実験を行った。以下においては、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、これらは本発明を限定するものではない。
(実施例)
表面に酸化膜を有するシリコン基板Wと液滴回収装置1を用意した。液滴回収装置1には、NAS技研製SC2000に独自に作製したプローブ4を組み合せたものを使用した。薬液Lは、多摩化学工業株式会社製のTAMAPURE−AA−100塩酸(20%)、同社製のTAMAPURE−AA−100過酸化水素(35%)及び超純水を用いて調製した2%塩酸+5%過酸化水素水を用いた。そして、回転部2に基板Wを配置し、開口4b1が表面Fの基準線A(図1A)に対向するようにプローブ4の位置を設定するとともに、プローブ4の底部4bと表面Fの間の隙間を0.2mmに設定し、プローブ4に薬液Lを注入した。薬液Lの注入後、プローブ4の開口4a1をシリコンーンゴム製の蓋部で蓋をして空間Sを密閉した。空間Sを密閉した状態で回転部2により基板Wを軸線O回りに1mm/secの速度で回転させ、表面Fの略全域を薬液Lで掃くようにして薬液L中に表面Fに存在する金属不純物を取り込み、回収した。
表面に酸化膜を有するシリコン基板Wと液滴回収装置1を用意した。液滴回収装置1には、NAS技研製SC2000に独自に作製したプローブ4を組み合せたものを使用した。薬液Lは、多摩化学工業株式会社製のTAMAPURE−AA−100塩酸(20%)、同社製のTAMAPURE−AA−100過酸化水素(35%)及び超純水を用いて調製した2%塩酸+5%過酸化水素水を用いた。そして、回転部2に基板Wを配置し、開口4b1が表面Fの基準線A(図1A)に対向するようにプローブ4の位置を設定するとともに、プローブ4の底部4bと表面Fの間の隙間を0.2mmに設定し、プローブ4に薬液Lを注入した。薬液Lの注入後、プローブ4の開口4a1をシリコンーンゴム製の蓋部で蓋をして空間Sを密閉した。空間Sを密閉した状態で回転部2により基板Wを軸線O回りに1mm/secの速度で回転させ、表面Fの略全域を薬液Lで掃くようにして薬液L中に表面Fに存在する金属不純物を取り込み、回収した。
以上の条件で、直径100mm、125mm、150mm、200mm、及び300mmのそれぞれの基板Wから金属不純物を薬液L中に回収した。基板Wの直径が100mmの場合は、プローブ4の長さL1を50mm(長さL2を48mm)にし、薬液Lを720μLにした。基板Wの直径が125mmの場合は、長さL1を62mm(長さL2を60mm)にし、薬液Lの量を900μLにした。基板Wの直径が150mmの場合は、長さL1を74mm(長さL2を72mm)にし、薬液Lの量を1080μLにした。基板Wの直径が200mmの場合は、長さL1を99mm(長さL2を97mm)にし、薬液Lの量を1400μLにした。基板Wの直径が300mmの場合は、長さL1を148mm(長さL2を146mm)にし、薬液Lの量を2190μLにした。なお、長さL1が50mm、62mm、74mm、99mmのプローブ4では、幅W1が5mm(幅W2が1mm)であり、長さL1が148mmのプローブ4では幅W1が6mm(幅W2が1mm)である。そして、各基板Wにおいて表面Fの略全域における金属不純物を薬液L中に回収するのに要する時間(薬液Lで表面Fの略全域を掃くのに要した時間)を測定した。
(比較例)
比較例では、実施例のプローブ4に代えて薬液Lを保持する開口104b1が直径10mmとなるプローブ104を用いた(図5A)。そして、プローブ104を基板Wの中心部の直上に配置し、軸線O回りに基板Wを1回転させる毎にプローブ104の直径分だけプローブ104の位置をずらして基板Wを計10回転させ(図5B→図5C)、実施例と同様に時間を測定した。即ち、基板Wの表面Fの略全域を渦巻き状に薬液Lを移動させ、薬液L中に金属不純物を回収するのに要する時間を実施例と同様に測定した。なお、基板Wの直径が100mmの場合は、薬液Lを250μLにした。基板Wの直径が125mm及び150mmの場合は、薬液Lの量を500μLにした。基板Wの直径が200mmの場合は、薬液Lの量を750μLにした。基板Wの直径が300mmの場合は、薬液Lの量を1500μLにした。
比較例では、実施例のプローブ4に代えて薬液Lを保持する開口104b1が直径10mmとなるプローブ104を用いた(図5A)。そして、プローブ104を基板Wの中心部の直上に配置し、軸線O回りに基板Wを1回転させる毎にプローブ104の直径分だけプローブ104の位置をずらして基板Wを計10回転させ(図5B→図5C)、実施例と同様に時間を測定した。即ち、基板Wの表面Fの略全域を渦巻き状に薬液Lを移動させ、薬液L中に金属不純物を回収するのに要する時間を実施例と同様に測定した。なお、基板Wの直径が100mmの場合は、薬液Lを250μLにした。基板Wの直径が125mm及び150mmの場合は、薬液Lの量を500μLにした。基板Wの直径が200mmの場合は、薬液Lの量を750μLにした。基板Wの直径が300mmの場合は、薬液Lの量を1500μLにした。
実施例及び比較例で得られた測定結果が図6に示される。例えば、直径200mmの基板Wにおいては、薬液L中に金属不純物を回収する時間が、実施例では約10分であるのに対して、比較例では約100分となった。薬液L中に金属不純物を回収する時間は、いずれの実施例でも比較例より短縮した。
以上のように表面Fに親水性の酸化膜を有する基板Wでも薬液Lが途切れることなく、効率よく薬液L中に金属不純物を回収できた。また、プローブ4の開口4b1の長さL2に応じて薬液Lの量を調節するとともに、プローブ4の空間Sを密閉することで、薬液Lがプローブ4から流れ出ないようにすることができた。
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はその具体的な記載に限定されることなく、例示した構成等を技術的に矛盾のない範囲で適宜組み合わせて実施することも可能であるし、またある要素、処理を周知の形態に置き換えて実施することもできる。
上記の説明では、図1Aに示すように基準線Aに沿って薬液Lを表面Fに接触させた状態で基板Wを軸線O回りに1回転させて薬液L中に金属不純物を回収する例を説明した。しかし、薬液Lを基準線Aの中の一区間に沿って薬液Lを接触させた状態で基板Wを軸線O回りに回転させて薬液L中に金属不純物を回収してもよい。こうすることで、図7A→図7Bに示すように基板Wを1回転させると、任意のドーナツ状の領域Rで金属不純物を回収することが可能となる。
上記の説明では、基板Wを回転させることで薬液Lを基板Wの面内方向に沿って移動させる例を説明した。しかし、薬液Lを保持するプローブ4を移動させて薬液Lを基板Wの面内方向に沿って移動させてもよい。
1 液滴回収装置 2 回転部
3 回収部 4 プローブ(箱体)
4a 天板部 4a1 開口
4b 底部 4b1 開口
5 アーム(支持部) 6 駆動部
A 基準線 F 表面
W 基板 L 薬液(液滴)
L1 底部の長手方向の長さ L2 開口の長手方向の長さ
3 回収部 4 プローブ(箱体)
4a 天板部 4a1 開口
4b 底部 4b1 開口
5 アーム(支持部) 6 駆動部
A 基準線 F 表面
W 基板 L 薬液(液滴)
L1 底部の長手方向の長さ L2 開口の長手方向の長さ
Claims (14)
- 親水性の表面を有する基板の前記表面上の不純物を回収する液滴を表面張力により前記表面の上方から前記表面に垂れ下げて保持するとともに、前記液滴を前記表面に接触させる工程と、
前記接触させる工程後に、前記表面の上方に前記液滴を保持するとともに、前記液滴を前記表面に接触させたまま前記基板に対して前記液滴を前記基板の面内方向に相対的に移動させて前記液滴に前記不純物を回収する工程と、
を備え、
前記接触させる工程は、前記面内方向に沿って前記液滴を保持して前記表面に前記液滴を線状に接触させることを特徴とする不純物の回収方法。 - 前記接触させる工程は、前記表面に対向する線状の開口を有する箱体に前記液滴を注入して前記開口から前記液滴を前記表面に接触させる請求項1に記載の不純物の回収方法。
- 前記回収する工程は、前記箱体の位置を保持したまま前記基板の表裏を貫通する軸線回りに前記基板を回転させる請求項2に記載の不純物の回収方法。
- 前記回収する工程は、前記箱体に前記液滴を注入する注入口を塞ぐとともに、前記液滴が前記開口を塞いだ状態で、前記箱体を密閉して実施する請求項3に記載の不純物の回収方法。
- 前記軸線は前記表面の中心部を通過し、
前記接触させる工程は、前記表面の中心から前記表面の外縁に向かう径方向に沿って前記液滴を前記表面に接触させる請求項4に記載の不純物の回収方法。 - 前記接触させる工程は、前記表面の中心部から前記表面の外縁部に渡り前記液滴を前記表面に接触させる請求項5に記載の不純物の回収方法。
- 前記接触させる工程は、前記基板の中心部と外縁部との間に前記液滴を前記表面に接触させる請求項5に記載の不純物の回収方法。
- 前記開口の長さが異なる前記箱体を準備する工程と、
前記基板の径に応じて前記開口の長さが異なる前記箱体を選択する工程と、
前記選択する工程で選択した前記箱体に注入する液滴の量を前記開口の長さに応じて設定する工程と、を備え、
前記設定する工程後に、前記接触させる工程を実施する請求項2ないし7のいずれか1項に記載の不純物の回収方法。 - 前記表面にシリコン酸化膜を有する前記基板、又は、前記基板にシリコン炭化基板を使用する請求項1ないし8のいずれか1項に記載の不純物の回収方法。
- 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の不純物の回収方法により回収した前記液滴に基づいて前記不純物を分析する不純物の分析方法。
- 基板の表面上に存在する不純物を液滴により回収する液滴回収装置であって、
底部を有して内部に前記液滴を収容する本体部と、前記底部に位置して前記内部から外部に前記液滴を導く線状の開口と、前記底部の外面かつ前記開口の周辺に位置して前記液滴を線状に垂れ下げて保持する表面張力が作用する周辺部と、を有する箱体を備え、
前記箱体が、前記表面の上方から前記表面に前記液滴を線状に垂れ下げて保持するとともに、前記液滴を前記表面に線状に接触させたまま前記基板に対して前記基板の面内方向に相対的に移動することで、前記液滴に前記不純物が回収されることを特徴とする液滴回収装置。 - 前記表面の中心部を通過して前記基板の表裏を貫通する軸線回りに前記基板を回転可能に保持する回転部と、
前記回転部に保持された前記基板の前記表面の中心から前記表面の外縁に向かう方向に沿って前記液滴を前記表面に接触させた状態で前記箱体を支持する支持部と、
を備える請求項11に記載の液滴回収装置。 - 前記開口は、直線状に形成され、前記開口の長手方向の長さが前記基板の半径の長さより短い請求項11又は12に記載の液滴回収装置。
- 前記箱体は、前記内部に前記液滴を注入する注入口と前記注入口を密閉可能な蓋部を備える請求項11ないし13のいずれか1項に記載の液滴回収装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015212796A JP2017083334A (ja) | 2015-10-29 | 2015-10-29 | 不純物の回収方法及び不純物の分析方法並びに液滴回収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015212796A JP2017083334A (ja) | 2015-10-29 | 2015-10-29 | 不純物の回収方法及び不純物の分析方法並びに液滴回収装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017083334A true JP2017083334A (ja) | 2017-05-18 |
Family
ID=58711740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015212796A Pending JP2017083334A (ja) | 2015-10-29 | 2015-10-29 | 不純物の回収方法及び不純物の分析方法並びに液滴回収装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017083334A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023015766A1 (zh) * | 2021-08-10 | 2023-02-16 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种边缘扫描装置及金属沾污检测设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000009615A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Sony Corp | 支持棒誘導液相溶解法および支持棒誘導液相溶解装置 |
JP2003142542A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Nec Electronics Corp | 半導体ウエハ表面不純物の回収方法および回収装置 |
JP2003202277A (ja) * | 2002-10-03 | 2003-07-18 | Rigaku Industrial Co | カセットに収納されたウエハを分析する蛍光x線分析装置 |
WO2005073692A1 (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Nas Giken Inc. | 基板検査装置と基板検査方法と回収治具 |
-
2015
- 2015-10-29 JP JP2015212796A patent/JP2017083334A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000009615A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Sony Corp | 支持棒誘導液相溶解法および支持棒誘導液相溶解装置 |
JP2003142542A (ja) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | Nec Electronics Corp | 半導体ウエハ表面不純物の回収方法および回収装置 |
JP2003202277A (ja) * | 2002-10-03 | 2003-07-18 | Rigaku Industrial Co | カセットに収納されたウエハを分析する蛍光x線分析装置 |
WO2005073692A1 (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Nas Giken Inc. | 基板検査装置と基板検査方法と回収治具 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023015766A1 (zh) * | 2021-08-10 | 2023-02-16 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种边缘扫描装置及金属沾污检测设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7685895B2 (en) | Substrate inspection device, substrate inspection method, and recovery tool | |
CN1113228C (zh) | 半导体衬底表面分析的预处理方法和装置 | |
JP6160938B2 (ja) | 基板のエッチング装置及び基板のエッチング方法 | |
JP6047551B2 (ja) | ウェハの汚染測定装置およびウェハの汚染測定方法 | |
TWI618170B (zh) | 基板處理裝置,基板處理裝置之控制方法及記錄媒體 | |
TWI324799B (en) | Device and method for liquid treatment of wafer-shaped articles | |
JP2017083334A (ja) | 不純物の回収方法及び不純物の分析方法並びに液滴回収装置 | |
JP5568201B2 (ja) | 基板処理方法と基板処理装置 | |
EP3021122A1 (en) | Measurement-container supply device | |
JP2012004294A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6481168B2 (ja) | 蛍光x線分析システム | |
JP2009038224A (ja) | 半導体基板評価装置及び半導体基板評価方法 | |
JP2004347543A (ja) | 半導体ウエハの評価方法およびその評価装置 | |
JPH05283498A (ja) | 半導体基板表面不純物回収装置およびその使用方法 | |
JP6885287B2 (ja) | 石英ルツボの不純物分析方法 | |
CN102214591A (zh) | 晶圆端面采样方法 | |
JP4204434B2 (ja) | ウェーハ周辺部の被測定物を回収する方法および装置 | |
JP5281331B2 (ja) | 基板処理方法と基板処理装置と液滴保持治具 | |
JP2007198924A (ja) | 基板処理方法と基板処理装置 | |
JP3754350B2 (ja) | 半導体基板の分析方法及び分析装置 | |
JP2015099103A (ja) | 回収治具と基板検査装置 | |
CN1197212A (zh) | 分析半导体晶锭的方法 | |
JPH11204604A (ja) | ウエーハ周辺部の金属不純物回収方法とその装置 | |
JP2015149383A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4516328B2 (ja) | 半導体ウエハー、液晶基板等の基板の表面に存在する不純物を測定するための液滴を回収する装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171013 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180801 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190227 |