JP2017081779A - タンタル酸リチウム単結晶の育成方法 - Google Patents
タンタル酸リチウム単結晶の育成方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】坩堝3と坩堝の上端に設置されたドーナツ板形状の貴金属製リフレクター9を備え、高周波加熱により融解された坩堝内の原料融液に種結晶8を接触させかつ種結晶を回転させつつ上方に引き上げることで結晶直径が4インチ以上のLT結晶11を育成する方法において、育成するLT単結晶の直径よりも、リフレクターの内径を35mm以上50mm以下大きく設定することを特徴とする。リフレクターの内径がLT単結晶の直径よりも35mm以上50mm以下大きく設定され、高周波作用で高温になる貴金属製リフレクターによる直胴部側面の加熱が軽減されるためクラックの発生が抑制される。
【選択図】図1
Description
坩堝と該坩堝の上端に設置されたドーナツ板形状の貴金属製リフレクターを備え、高周波加熱により融解された坩堝内の原料融液に種結晶を接触させ、かつ、上記種結晶を回転させつつ上方に引き上げることで結晶直径が4インチ以上のタンタル酸リチウム単結晶を育成する方法において、
育成するタンタル酸リチウム単結晶の直径よりも、上記リフレクターの内径を35mm以上50mm以下大きく設定することを特徴とするものである。
育成するタンタル酸リチウム単結晶の直径よりも、リフレクターの内径が35mm以上50mm以下大きく設定されているため、育成中における結晶直胴部の側面とリフレクターの上記開口縁部間に35mm以上50mm以下の隙間が形成されることになる。
内寸直径175mmφ、内寸高さ170mm、肉厚2.5mmであるイリジウム製坩堝3の開放縁上に、内径140mmφ、外径180mmφ、厚さ1.5mmであるドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9を取り付け、更に、上記リフレクター9上に、直径147mmφ、高さ150mm(肉厚1mm)である円筒状のイリジウム製アフターヒーター13を取り付けた。
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9の内径を155mmφ、リフレクター9上には、直径162mmφ、高さ150mm(肉厚1mm)である円筒状のイリジウム製アフターヒーター13を取り付けたことを除き、実施例1と同等の条件で結晶直径が105mmである単結晶の引き上げを行った。
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9の内径を145mmφとした以外は、実施例1と同等の条件で結晶直径が105mmである単結晶の引き上げを行った。
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9の内径を130mmφとした以外は、実施例1と同等の条件で結晶直径が105mmである単結晶の引き上げを行った。
ドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9の内径を160mmφ、リフレクター9上には、直径162mmφ、高さ150mm(肉厚1mm)である円筒状のイリジウム製アフターヒーター13を取り付けたことを除き、実施例1と同等の条件で結晶直径が105mmである単結晶の引き上げを行った。
実施例1〜3および比較例1〜2の結果から、育成するLT単結晶の直径よりもリフレクター9の内径を35mm以上50mm以下大きく設定することで、クラックのないLT単結晶を高い収率で育成できることが確認される。
2 セラミックス製の坩堝台
3 坩堝
4 アルミナ台
5 断熱材
6 引き上げ軸
7 蓋
8 種結晶
9 リフレクター
10 融液
11 単結晶
12 種結晶保持治具
13 アフターヒーター
内寸直径170mmφ、内寸高さ170mm、肉厚2.5mmであるイリジウム製坩堝3の開放縁上に、内径140mmφ、外径180mmφ、厚さ1.5mmであるドーナツ板形状のイリジウム製リフレクター9を取り付け、更に、上記リフレクター9上に、直径147mmφ、高さ150mm(肉厚1mm)である円筒状のイリジウム製アフターヒーター13を取り付けた。
Claims (1)
- 坩堝と該坩堝の上端に設置されたドーナツ板形状の貴金属製リフレクターを備え、高周波加熱により融解された坩堝内の原料融液に種結晶を接触させ、かつ、上記種結晶を回転させつつ上方に引き上げることで結晶直径が4インチ以上のタンタル酸リチウム単結晶を育成する方法において、
育成するタンタル酸リチウム単結晶の直径よりも、上記リフレクターの内径を35mm以上50mm以下大きく設定することを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶の育成方法。
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JP2015211532A JP6520642B2 (ja) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | タンタル酸リチウム単結晶の育成方法 |
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JP2015211532A JP6520642B2 (ja) | 2015-10-28 | 2015-10-28 | タンタル酸リチウム単結晶の育成方法 |
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JPH09328394A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物単結晶の製造方法 |
CN1311356A (zh) * | 2000-02-24 | 2001-09-05 | 东芝株式会社 | 氧化物单晶的制造装置及制造方法 |
JP2007001775A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 強誘電体結晶の製造方法 |
JP2013001581A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | タンタル酸リチウム単結晶の育成方法 |
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2015
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JPH09328394A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 酸化物単結晶の製造方法 |
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