JP2017073441A - 感光性封止樹脂組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
感光性封止樹脂組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017073441A JP2017073441A JP2015198461A JP2015198461A JP2017073441A JP 2017073441 A JP2017073441 A JP 2017073441A JP 2015198461 A JP2015198461 A JP 2015198461A JP 2015198461 A JP2015198461 A JP 2015198461A JP 2017073441 A JP2017073441 A JP 2017073441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- sealing resin
- manufactured
- photosensitive
- trade name
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 142
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 126
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 26
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 20
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 14
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 51
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 51
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 47
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 30
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 14
- -1 ether ketone Chemical class 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 5-[(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-yl)oxy]-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(OC=2C=C3C(=O)OC(C3=CC=2)=O)=C1 QQGYZOYWNCKGEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000009261 D 400 Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 10
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 3-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC(O)=C1 CWLKGDAVCFYWJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000019692 hotdogs Nutrition 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N [3-prop-2-enoyloxy-2-[[3-prop-2-enoyloxy-2,2-bis(prop-2-enoyloxymethyl)propoxy]methyl]-2-(prop-2-enoyloxymethyl)propyl] prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COCC(COC(=O)C=C)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C MPIAGWXWVAHQBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N [phenyl-(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphoryl]-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C GUCYFKSBFREPBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDSUVTROAWLVJA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO FDSUVTROAWLVJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CKLAIBQGAPMIKQ-UHFFFAOYSA-N C(C)C1=CC=C(C=C1)C(C)C.OC1=CC=C(C=C1)O Chemical compound C(C)C1=CC=C(C=C1)C(C)C.OC1=CC=C(C=C1)O CKLAIBQGAPMIKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000853 cresyl group Chemical class C1(=CC=C(C=C1)C)* 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphoryl-(2,4,6-trimethylphenyl)methanone Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VFHVQBAGLAREND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 101100255205 Caenorhabditis elegans rsa-2 gene Proteins 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000006166 lysate Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000000 tetracarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Abstract
【解決手段】 露光及び現像によってパターン形成可能な感光性封止樹脂組成物であって、アルカリ現像溶液に対して3.0μm/s以下の速度で溶解する、感光性封止樹脂組成物。(I)前記の感光性封止樹脂組成物で半導体素子を封止する工程と、(II)前記感光性封止樹脂組成物を、露光処理、及び、アルカリ現像溶液に対して3.0μm/s以下の速度で溶解させるアルカリ現像処理の工程によってパターンを形成する工程と、(III)前記形成したパターンに導電性の材料を付与する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
【選択図】 図11
Description
また、本発明は、[2]半導体素子封止後の封止材厚みが50μmから200μmとなる上記[1]に記載の感光性封止樹脂組成物である。
また、本発明は、[3] 感光性封止樹脂組成物の最低溶融粘度が、10Pa・sから1000Pa・sである上記[1]又は[2]に記載の感光性封止樹脂組成物である。
また、本発明は、[4] 露光後、さらに熱硬化処理された後の熱硬化物の0〜80℃における熱膨張係数が10×10-6/Kから100×10-6/Kの範囲である上記[1]〜[3]のいずれか一項に記載の感光性封止樹脂組成物である。
また、本発明は、[5] 前記感光性封止樹脂組成物が、ポリイミド樹脂を含む上記[1]〜[4]のいずれか一項に記載の感光性封止樹脂組成物である。
さらに、本発明は、[6] (I)上記[1]〜[5]のいずれか一項に記載の感光性封止樹脂組成物で半導体素子を封止する工程と、
(II)前記感光性封止樹脂組成物を、露光処理、及び、アルカリ現像溶液に対して3.0μm/s以下の速度で溶解させるアルカリ現像処理の工程によってパターンを形成する工程と、
(III)前記形成したパターンに導電性の材料を付与する工程と、
を備える半導体装置の製造方法である。
また、本発明は、[7]上記[1]〜[5]に記載の感光性封止樹脂組成物の硬化物を有する半導体装置である。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また、本明細書において「封止」とは、半導体素子を覆うように配置されていればよく、凹板状でも平板状でもよく、凹板状の樹脂組成物と平板状の固定部材(又は、再配線絶縁層)の間に半導体素子を挟んで覆ってもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に問わない。また、樹脂組成物と、再配線絶縁層と、必要に応じて、導体パターン(配線パターン)等と、半導体素子が覆われていてもよい。また、「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。
まず、半導体素子固定用基材1及び固定部材2からなる支持体を準備する(図1参照)。半導体素子固定用基材1は特に限定されるものではないが、ガラスクロスに樹脂を含浸させたガラスクロス入り基板、シリコンウェハ、ガラス、SUS(ステンレス)板等が挙げられ、25℃での貯蔵弾性率が1GPa以上の材料(「高剛性材料」ともいえる)が好適である。
半導体素子固定用基材1の厚さは0.2〜0.8mmであることが好ましい。0.2mm以上では、組立てプロセス中の反りを抑制することができ、ハンドリングが容易になる傾向がある。一方、0.8mm以下の場合は、半導体素子固定用基材1の取り外しが容易になるうえ、材料費を抑えられる傾向にある。半導体素子固定用基材1の室温(25℃)から150℃までの平均熱膨張係数は、1×10−6〜15×10−6/Kであることが好ましい。1×10−6/K以上では、材料費を抑えられる傾向がある。一方、15×10−6/K以下の場合はチップ実装後の反りを抑制できる傾向にある。
本実施形態の感光性封止樹脂組成物4は、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線重合性化合物、及び(C)光開始剤、を含むことが好ましい。なお、本明細書において、これらの成分は、単に(A)成分、(B)成分、(C)成分等と称することがある。また、本実施形態の感光性封止樹脂組成物は、半導体素子を封止するために好適に用いることができる。
感光性封止樹脂組成物の、最低溶融粘度は、10〜500Pa・sであってもよい。なお、最低溶融粘度は、露光前の感光性封止樹脂組成物を用い、昇温10℃/min、周波数1Hzに設定し、25〜200℃の範囲で溶融粘度を測定した値とする。
露光処理及び熱硬化処理後の、感光性封止樹脂組成物4の硬化物の、0〜80℃における熱膨張係数は20×10-6〜80×10-6/Kであることが好ましい。20×10-6/K以上であれば、フィラーを増量しなくてもよく、感光性封止樹脂組成物4の解像性を低下させる懸念が少なくなる。また、80×10-6/K以下の場合は、パッケージの反りを抑制しやすくなる傾向となる。熱硬化処理は、150℃前後で1時間程度行うことが好ましい。好ましくは100〜230℃、より好ましくは120〜220℃、さらに好ましくは140〜210℃であり、硬化時間についても特に限定するものではないが、好ましくは30〜300分間、より好ましくは40〜240分間、更に好ましくは50〜200分間である。
最後に、図10に示すように、個片化することで、半導体装置100を得ることができる。
8inchウェハの半導体素子(株式会社ウォルツ製、商品名:WALTS−TEG CC80−0101JY_(PI)_ModelI)を準備した(図省略)。ウェハ厚さはバックグラインド加工を行い、40μmの厚さに加工した。
ダイシングテープ(日立化成株式会社製、商品名:HAE−1504)を準備した。ダイシングテープの形成方法を以下に示す。上記半導体素子用ウェハの能動面とは反対側の面にダイシングテープを、保護フィルムのポリエチレンフィルムをはく離して、プレス式真空ラミネータ(株式会社名機製作所製、商品名:MVLP−500)を用いて貼付した。プレス条件は、プレス熱板温度40℃、真空引き時間30秒、ラミネートプレス時間60秒、気圧4kPa以下、圧着圧力0.5MPaの下で行った。
上記のダイシングテープ貼付済み半導体素子用シリコンウェハを縦10mm、横10mmのサイズに個片化した。個片化にはシリコンウェハ用ダイシングソー(株式会社ディスコ製、商品名:DAD−3350)を用いた。ダイシングブレードには27HEFFを用い、一分間あたりの回転数は30000回転/分、切削速度は20mm/秒で行なった。
個片化した上記半導体素子を能動面が上記固定部材に貼り合わさるように実装した(図2参照)。実装にはフリップチップボンダー(パナソニック株式会社製、商品名:FCB3 NM−SB50A)を用いた。ステージ上に固定部材を貼付したSUS板を、吸引によって固定した。ステージ設定温度を50℃、フリップチップボンダーのヘッド温度が50℃、圧着時間1秒間の設定で実装した。圧着時の荷重は10Nで行った。
撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた300mL丸底フラスコ内に、ジアミンである2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(セントラル硝子株式会社製、商品名:BIS−AP−AF、分子量:366、)を39g(0.11mol)、D−400(ポリオキシアルキレンジアミン、BASF社製、商品名:D−400、分子量:433)を46g(0.11mol)、BY16−871EG(シロキサンジアミン、東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名:BY16−871EG、分子量:248.5)を6.6g(0.027mol)、m−AP(メタアミノフェノール、和光純薬工業株式会社製、特級)を13.1g(0.12mol)、及び溶媒であるNMP(N−メチルピロリドン、和光純薬株式会社製、脱水)200gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
上記で得られたアルカリ可溶性樹脂、及び、以下に示すその他の化合物を用いて、下記に示す組成比(単位:質量部)にて各成分を配合し、感光性封止樹脂組成物溶液(S―1)を得た。
(II)ビスフェノールF型ビスグリシジルエーテル(東都化成工業株式会社製、商品名:YDF−870GS):18.24質量%。
(III)トリスフェノール化合物(α,α,α´−トリス(4−ヒドロキシフェノル)−1−エチル−4−イソプロピルベンゼン)(本州化学工業株式会社製、商品名:TrisP−PA):4.3質量%。
(IV)疎水性フュームドシリカ(平均粒径:約16nm)(日本アエロジル株式会社製、商品名:R−972)(N−メチル−2−ピロリドン(関東化学株式会社製、特級)中に20質量%分散):4.3質量%。
(V)上記アルカリ可溶性樹脂(ポリイミド樹脂PI−1):42.5質量%。
(VI)光開始剤(ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド(BASF社製、商品名:I−819)):1.24質量%。
(VII)ジクミルパーオキサイド(日油株式会社製、商品名:パークミルD)0.43質量%。
(VIII)硬化促進剤(四国化成工業株式会社製、商品名:2P4MHZ)(N−メチル−2−ピロリドン(関東化学株式会社製、特級)中に10質量%溶解):0.43質量%。
(IX)溶媒(N−メチル−2−ピロリドン)(関東化学株式会社製、特級):10mL。
撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた300mL丸底フラスコ内に、ジアミンである2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(セントラル硝子株式会社製、商品名:BIS−AP−AF、分子量:366、)を54g(0.15mol)、D−400(ポリオキシアルキレンジアミン、BASF社製、商品名:D−400、分子量:433)を22g(0.051mol)、BY16−871EG(シロキサンジアミン、東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名:BY16−871EG、分子量:248.5)を6.6g(0.027mol)、m−AP(メタアミノフェノール、和光純薬工業株式会社製、特級)を13.1g(0.12mol)、及び溶媒であるNMP(N−メチルピロリドン、和光純薬株式会社製、脱水)200gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
アルカリ可溶性樹脂(PI−1)の代わりに、アルカリ可溶性樹脂(PI−2)を用いた以外は、感光性封止樹脂組成物溶液(S−1)と同様の方法で、感光性封止樹脂組成物溶液(S−2)を得た。
撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた300mL丸底フラスコ内に、ジアミンである2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(セントラル硝子株式会社製、商品名:BIS−AP−AF、分子量:366、)を77.5g(0.21mol)、BY16−871EG(シロキサンジアミン、東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名:BY16−871EG、分子量:248.5)を6.6g(0.027mol)、m−AP(メタアミノフェノール、和光純薬工業株式会社製、特級)を13.1g(0.12mol)、及び溶媒であるNMP(N−メチルピロリドン、和光純薬株式会社製、脱水)200gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
アルカリ可溶性樹脂(PI−1)の代わりに、アルカリ可溶性樹脂(PI−3)を用いた以外は、感光性封止樹脂組成物溶液(S−1)と同様の方法で、感光性封止樹脂組成物溶液(S−3)を得た。
撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた300mL丸底フラスコ内に、ジアミンである2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(セントラル硝子株式会社製、商品名:BIS−AP−AF、分子量:366、)を43.8g(0.12mol)、D−400(ポリオキシアルキレンジアミン、BASF社製、商品名:D−400、分子量:433)を51.9g(0.12mol)、BY16−871EG(シロキサンジアミン、東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名:BY16−871EG、分子量:248.5)を7.47g(0.030mol)、m−AP(メタアミノフェノール、和光純薬工業株式会社製、特級)を6.54g(0.060mol)、及び溶媒であるNMP(N−メチルピロリドン、和光純薬株式会社製、脱水)200gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
アルカリ可溶性樹脂(PI−1)の代わりに、アルカリ可溶性樹脂(PI−4)を用いた以外は、感光性封止樹脂組成物溶液(S−1)と同様の方法で、感光性封止樹脂組成物溶液(S−4)を得た。
撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた300mL丸底フラスコ内に、ジアミンである2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(セントラル硝子株式会社製、商品名:BIS−AP−AF、分子量:366、)を18g(0.049mol)、D−400(ポリオキシアルキレンジアミン、BASF社製、商品名:D−400、分子量:433)を65g(0.15mol)、BY16−871EG(シロキサンジアミン、東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名:BY16−871EG、分子量:248.5)を6.6g(0.027mol)、m−AP(メタアミノフェノール、和光純薬工業株式会社製、特級)を13.1g(0.12mol)、及び溶媒であるNMP(N−メチルピロリドン、和光純薬株式会社製、脱水)200gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
上記フラスコを氷浴中で冷却しながら、ODPA(4,4´−オキシジフタル酸二無水物、東京化成工業株式会社製)を93g(0.30mol)、フラスコ内の溶液に少量ずつ添加した。添加終了後、窒素ガスを吹き込みながら溶液を180℃に昇温させて3時間保温して、アルカリ可溶性樹脂である、ポリイミド樹脂PI−5を得た。得られたポリイミド樹脂をアルミカップ上に薄く塗布し、熱風対流式乾燥機(株式会社二葉科学製、商品名:MSO−80TPS)を用いて180℃で3時間乾燥させた後の質量減少から、ポリイミドの加熱残分を測定したところ75質量%であった。
アルカリ可溶性樹脂(PI−1)の代わりに、アルカリ可溶性樹脂(PI−5)を用いた以外は、感光性封止樹脂組成物溶液(S−1)と同様の方法で、感光性封止樹脂組成物溶液(S―5)を得た。
撹拌機、温度計、窒素置換装置(窒素流入管)、及び水分受容器付きの還流冷却器を備えた300mL丸底フラスコ内に、ジアミンである2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン(セントラル硝子株式会社製、商品名:BIS−AP−AF、分子量:366、)を39g(0.11mol)、D−400(ポリオキシアルキレンジアミン、BASF社製、商品名:D−400、分子量:433)を46g(0.11mol)、BY16−871EG(シロキサンジアミン、東レ・ダウコーニング株式会社製、商品名:BY16−871EG、分子量:248.5)を6.6g(0.027mol)、m−AP(メタアミノフェノール、和光純薬工業株式会社製、特級)を13.1g(0.12mol)、及び溶媒であるNMP(N−メチルピロリドン、和光純薬株式会社製、脱水)200gを仕込み、撹拌してジアミンを溶媒に溶解させた。
上記で得られたアルカリ可溶性樹脂、及び、以下に示すその他の化合物を用いて、下記に示す組成比(単位:質量部)にて各成分を配合し、感光性封止樹脂組成物溶液(S―6)を得た。
(II)ビスフェノールF型ビスグリシジルエーテル(東都化成工業株式会社製、商品名:YDF−870GS):9.5質量%。
(III)トリスフェノール化合物(α,α,α´−トリス(4−ヒドロキシフェノル)−1−エチル−4−イソプロピルベンゼン)(本州化学工業株式会社製、商品名:TrisP−PA):2.39質量%。
(IV)疎水性フュームドシリカ(平均粒径:約16nm)(日本アエロジル株式会社製、商品名:R−972)(N−メチル−2−ピロリドン(関東化学株式会社製、特級)中に20質量%分散):4.77質量%。
(V)上記アルカリ可溶性樹脂(ポリイミド樹脂PI−6):47.7質量%
(VI)光開始剤(ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド(BASF社製、商品名:I−819)):1.43質量%。
(VII)ジクミルパーオキサイド(日油株式会社製、商品名:パークミルD)0.48質量%。
(VIII)硬化促進剤(四国化成工業株式会社製、商品名:2P4MHZ)(N−メチル−2−ピロリドン(関東化学株式会社製、特級)中に10質量%溶解):0.24質量%。
(IX)溶媒(N−メチル−2−ピロリドン)(関東化学株式会社製、特級):10mL。
下記に示す組成比(単位:質量部)にて各成分を配合し、感光性封止樹脂組成物溶液(SE−1)を得た。
(I)酸変性クレゾールノボラック型エポキシアクリレート(DIC株式会社製、商品名:EXP−2810):39.2質量%。
(II)光反応性化合物(ジペンタエリスリトールペンタアクリレート及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレート混合物、日本化薬株式会社製、商品名:KAYARAD DPHA):6.9質量%。
(III)光開始剤として、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、BASF社製、商品名:DAROCURE−TPO):1.4質量%、及び2,4−ジエチルチオキサントン(日本化薬株式会社製、商品名:カヤキュアDETX−S):0.1質量%。
(IV)熱硬化樹脂(ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名:NC−3000H):4.6質量%、ビスフェノールF型エポキシ樹脂である(新日鉄住金化学株式会社製、商品名:YSLV−80):9.2質量%。
(V)無機フィラー成分:硫酸バリウム(堺化学工業株式会社製、商品名:B30):14質量%、シリカ(株式会社アドマテックス社製、サンプル名:MEKスラリー(1)):23質量%。無機充填材の感光性樹脂組成物中に分散した状態における平均粒径及び最大粒径は、レーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計(日機装株式会社製、商品名:MT−3100)を用いて測定した。B30の平均粒径が0.3μm、MEKスラリー(1)の平均粒径が0.5μmであった。また、B30及びMEKスラリーを含む無機充填材の最大粒径は3μm以下であった。また、フィルム化後の無機充填材の粒径はフィルムを硬化後に断面を電子顕微鏡(株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名:SU−1510)で観察して確認した。フィルム中に分散されている無機充填材の最大粒径が5μm以下であることを確認した。
(VI)その他成分としては以下のものを用いた。ブタジエン系エラストマ(株式会社ダイセル製、商品名:エポリードPB3600):1.4質量%、重合禁止剤(川口化学工業株式会社製、商品名:アンテージ500):0.2質量%。
下記に示す組成比(単位:質量部)にて各成分を配合し、感光性封止樹脂組成物溶液(SE−2)を得た。
(I)酸変性クレゾールノボラック型エポキシアクリレート(DIC株式会社製、商品名:EXP−2810):48.4質量%。
(II)光反応性化合物(ジペンタエリスリトールペンタアクリレート及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレート混合物、日本化薬株式会社製、商品名:KAYARAD DPHA):8.5質量%。
(III)光開始剤として、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、BASF社製、商品名:DAROCURE−TPO):1.7質量%、及び2,4−ジエチルチオキサントン(日本化薬株式会社製、商品名:カヤキュアDETX−S):0.2質量%。
(IV)熱硬化樹脂(ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬株式会社製、商品名:NC−3000H):5.7質量%、ビスフェノールF型エポキシ樹脂である(新日鉄住金化学株式会社製、商品名:YSLV−80):11質量%。
(V)無機フィラー成分:硫酸バリウム(堺化学工業株式会社製、商品名:B30):8.5質量%、シリカ(株式会社アドマテックス社製、サンプル名:MEKスラリー(1)):14質量%。無機充填材の感光性樹脂組成物中に分散した状態における平均粒径及び最大粒径は、レーザー回折散乱式マイクロトラック粒度分布計(日機装株式会社製、商品名:MT−3100)を用いて測定した。B30の平均粒径が0.3μm、MEKスラリー(1)の平均粒径が0.5μmであった。また、B30及びMEKスラリーを含む無機充填材の最大粒径は3μm以下であった。また、フィルム化後の無機充填材の粒径はフィルムを硬化後に断面を電子顕微鏡(株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名:SU−1510)で観察して確認した。フィルム中に分散されている無機充填材の最大粒径が5μm以下であることを確認した。
(VI) その他成分としては以下のものを用いた。ブタジエン系エラストマ(株式会社ダイセル製、商品名:エポリードPB3600):1.7質量%、重合禁止剤(川口化学工業株式会社製、商品名:アンテージ500):0.3質量%。
上記で得られた感光性封止樹脂組成物溶液を用いて下記に示す操作でフィルム状に成形し、実施例1〜9及び比較例1〜3の感光性封止樹脂組成物(フィルム状の感光性封止樹脂材料)を得た。支持層である厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人株式会社製、商品名:G2−16)上に、上記で得られた感光性封止樹脂組成物溶液をコーター(株式会社康井精機製、商品名:βコーターSNC280)を使用して均一に塗布することにより感光性封止樹脂組成物層を形成した。塗布速度は3.0mm/minとした。続いて、熱風対流式乾燥機(株式会社二葉科学製、商品名:MSO−80TPS)を用いて80℃で20分間乾燥したのち、さらに120℃で20分間乾燥した。塗布時の厚みについては、下記の手順で半導体素子を封止した後に、下記の測定方法にて測定した際に所定の厚みが得られるよう、コーターのナイフと塗布面との間隔を設定することで調整した。
この感光性封止樹脂組成物を用いて、上記固定部材上に固定した上記半導体素子上に貼付した。感光性封止樹脂組成物の形成方法を以下に示す。上記半導体素子上に感光性封止樹脂組成物を、保護フィルムのポリエチレンフィルムをはく離して、プレス式真空ラミネータ(ニッコー・マテリアルズ株式会社製、商品名:V130)を用いて貼付した(図3参照)。ラミネート条件は、プレス用熱板温度100℃、真空引き時間18秒、ラミネートプレス時間60秒、気圧4kPa以下、圧着圧力0.4MPで行なった。
感光性封止樹脂組成物の封止後の厚みの計測方法について説明する。
上記感光性封止樹脂組成物で上記半導体素子を封止後、半導体素子の存在しない部分の厚みを、膜厚計(株式会社ミツトヨ製、商品名:デジマチックインジケータID−H)にて測定した。
上記で得られた感光性封止樹脂組成物について、以下の評価試験を行った。
感光性封止樹脂組成物の現像液溶解速度の測定方法について説明する。上記の感光性封止樹脂組成物で、厚み300μmに塗工したものを、厚み725μmの8インチシリコンウェハ(エナテック株式会社製)の鏡面上にプレス式真空ラミネータ(ニッコー・マテリアルズ株式会社製、商品名:V130)を用いて貼付した。ラミネート条件は、プレス用熱板温度100℃、真空引き時間18秒、ラミネートプレス時間60秒、気圧4kPa以下、圧着圧力0.4MPで行なった。貼付後、膜厚計(株式会社ミツトヨ製、商品名:デジマチックインジケータID−H)にて膜厚を測定し、これを初期値とした。スピン現像機(ミカサ株式会社製、商品名:AD−3000、スプレー圧力0.2MPa、スキャン幅4.0cm、スキャン速度5.0cm/秒)を用いて26℃の2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(多摩化学工業株式会社製)を20秒間スプレーし、次いで20秒間純水で洗浄、さらに10秒間の風乾を行なった。現像後、上記膜厚計にて膜厚を計測した。以上を繰り返し、現像時間に対する残膜量をプロットし、直線近似をすることで傾きの値から現像速度を算出した。
感光性封止樹脂組成物の溶融粘度の測定方法について説明する。
溶融粘度は低粘度粘弾性測定装置(株式会社アントンパール・ジャパン(AntonPaar社)製、商品名:MCR−301)を用いて測定した。直径4cm、深さ5mmのアルミニウム製円形プレート(株式会社アントンパール・ジャパン製、商品名:ディスポーザブルプレート EMS/CTD600)の底部中央に、縦30mm、横30mm、厚み300μmのフィルム状に成形した感光性封止樹脂組成物を貼付し、円形プレートを装置のステージに固定した。測定セル(株式会社アントンパール・ジャパン製、商品名:Messkorperachse D−CP/PP7)を装置に取り付けた後、セルの先端には治具(株式会社アントンパール・ジャパン製、商品名:SPPYU08−07)を装着した。治具の先端が上記円形プレートの底面から200μmの高さに来るように、上記測定セルを下降し、上記治具の先端を上記感光性封止樹脂組成物内に埋没させた。測定条件は昇温10℃/min、周波数1Hzに設定し、25〜200℃の範囲で溶融粘度の測定を行なった。当該温度範囲での溶融粘度の最低値を、最低溶融粘度とした。
感光性封止樹脂組成物の、露光及び現像後の貯蔵弾性率の測定方法について説明する。まず、厚さ40μmの感光性封止樹脂組成物の層を作製し、この層を、高精度平行露光機(株式会社オーク製作所製、商品名:EXM−1172−B−∞)により1000mJ/cm2で全面露光し、次いで、80℃のホットプレート上で約30秒間加熱する。その後、上記の層に、現像機(ミカサ株式会社製、商品名:AD−3000、スプレー圧力0.2MPa、スキャン幅4.0cm、スキャン速度5.0cm/秒)を用いて26℃の2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(多摩化学工業株式会社製)を180秒間スプレーし、次いで20秒間純水で洗浄、さらに10秒間の風乾を行なった。こうして得られたフィルムを2枚用意し、120℃で10分間加熱乾燥させた後、ロールラミネーター(株式会社ラミーコーポレーション製、商品名:HOTDOG 12DX、温度60℃、線圧4kgf/cm(39.2N/cm)、送り速度0.5m/分)によって積層し、厚さが80μmの積層体を得る。次に、得られた積層体をオーブン中で180℃、3時間の条件で加熱する。この加熱硬化された積層体を5mm幅、長さ30mmの短冊状に切断したものをサンプルとし、粘弾性アナライザー(レオメトリックス社製、商品名:RSA−2)を用いて、昇温速度5℃/min、周波数1Hz、測定温度−50〜300℃の条件で測定を行い、110℃における貯蔵弾性率を求める。
感光性封止樹脂組成物の熱膨張係数の測定方法について説明する。まず、厚さ100μmの感光性封止樹脂組成物の層を作製し、この層を、平行露光機(株式会社オーク製作所製、商品名:EXM−1201)を使用して、1600mJ/cm2のエネルギー量で露光を行った。次いで、ホットプレート(AS−ONE株式会社製、商品名:Triplet Hotplate TH−900)の上に置き、80℃で1分間加熱した。感光性封止樹脂組成物上のポリエチレンテレフタレートを剥離し、現像機(ミカサ株式会社製、商品名:AD−3000、スプレー圧力0.2MPa、スキャン幅4.0cm、スキャン速度5.0cm/秒)を用いて26℃の2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(多摩化学工業株式会社製)を180秒間スプレーし、次いで20秒間純水で洗浄、さらに10秒間の風乾を行なった。こうして得られたフィルムを2枚用意し、120℃で10分間加熱乾燥させた後、ロールラミネーター(株式会社ラミーコーポレーション製、商品名:HOTDOG 12DX、温度60℃、線圧4kgf/cm(39.2N/cm)、送り速度0.5m/分)で積層し、厚さが200μmの積層体を得る。次に、得られた積層体をオーブン(エスペック株式会社製、商品名:PVC−212)中で175℃、2時間の条件で加熱する。この加熱硬化された積層体を5mm幅、長さ30mmの短冊状に切断して短冊状のサンプルを得た。この短冊状のサンプルの両端を治具で固定し、さらにこれを熱分析装置(セイコーインスツル株式会社製、商品名:TMA/SS6000)に固定し、荷重が一定になるように両端を引っ張りながら昇温させ、各温度でのひずみ量を測定した。荷重19.6mN、昇温速度5℃/min、測定温度−20〜250℃の条件で行い、0℃から80℃までの温度とひずみ量の直線の傾きから熱膨張係数を得た。
貼付した感光性封止樹脂組成物上に、パターンを形成したフォトマスクを密着させ、平行露光機(株式会社オーク製作所製、商品名:EXM−1201)を使用して、800mJ/cm2のエネルギー量で露光を行った。次いで、ホットプレート(アズワン株式会社製、商品名:Triplet Hotplate TH−900)の上に置き、80℃で1分間加熱した。感光性封止樹脂組成物上のポリエチレンテレフタレートを剥離し、現像機(ミカサ株式会社製、商品名:AD−3000、スプレー圧力0.2MPa、スキャン幅4.0cm、スキャン速度5.0cm/秒)を用いて26℃の2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(多摩化学工業株式会社製)を180秒間スプレーし、次いで20秒間純水で洗浄、さらに10秒間の風乾を行なうことで感光性封止樹脂組成物に開口部を設けた。続いて、平行露光機(株式会社オーク製作所製、商品名:EXM−1201)を使用して2000mJ/cm2のエネルギー量で紫外線照射を行い、オーブン(エスペック株式会社製、商品名:PVC−212)で175℃、2時間で熱硬化した(図4参照)。
上記感光性封止樹脂組成物の上記開口部に、スパッタ装置(芝浦プレシジョン株式会社製、商品名:CFS−12P−100)によってシード層を形成した。スパッタは、まず接着層としてTiを100nm成膜し、次いでCuを300nm積層させた。スパッタ時の圧力は10−5Pa、電圧印加時間はそれぞれTiが10分、Cuが30分で行った。
次いで上記開口部に、電解銅めっき法で、金属材料(銅)をめっき付与(充填)した(図5参照)。電解めっき用のめっき液組成を以下に示す。
(電解めっき液組成)
硫酸銅(和光純薬工業株式会社製、特級) 5.0g、
濃硫酸(和光純薬工業株式会社製、特級) 120g、
塩酸(和光純薬工業株式会社製、特級) 0.2g
を純水中に溶解させ、全体を1Lとした。電解めっきの手順を、以下に示す。まず陽極を銅板に接続し、陰極を上記感光性封止樹脂組成物上に形成した上記スパッタ銅に接続し、上記めっき液内に浸潤させた。電流密度を1.0A/dm2とし、4時間処理することで上記開口部内にめっき銅を付与(充填)させた。
次いで、半導体素子固定用基材の面をテープリムーバー(アズワン株式会社製、商品名:NEO HOTPLATE HI−1000)に真空吸着して150℃に加熱することで、固定部材を発泡させ、半導体素子、めっき銅を含む感光性封止樹脂組成物を剥離した(図6参照)。
感光性封止樹脂組成物の上に再配線絶縁層を形成した(図7、8、9参照)。具体的には、スピンコーターで感光性絶縁材料(日立化成株式会社製、商品名:AH−1170T)を塗布し、マスクを装着し露光(ミカサ株式会社製、商品名:マスクアライナー MA−200、300mJ/cm2)した後、現像機(ミカサ株式会社製、商品名:AD−3000)を用い、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(多摩化学工業株式会社製)でディップ現像(35秒浸潤後、スピンで廃液)を行なった。
次いで、200℃で窒素雰囲気(酸素濃度50体積ppm以下)下、オーブン(エスペック株式会社製、商品名:PVC−212)で1時間の熱硬化を行った。次いで、スパッタ装置(芝浦プレシジョン株式会社製、商品名:CFS−12P−100)により、Tiを100nmの厚さ蒸着し、連続してCuを300nmの厚さ蒸着し、シード層を形成した。次いで、ドライフィルムレジスト(日立化成株式会社製、商品名:Photec RY−3525)をロールラミネーター(株式会社ラミーコーポレーション製、商品名:HOTDOG 12DX、温度60℃、線圧4kgf/cm(39.2N/cm)、送り速度0.5m/分)で貼着し、パターンを形成したフォトマスクを密着させ、露光機(株式会社オーク製作所製、商品名:EXM−1201、100mJ/cm2)で露光を行った。次いで、30℃の1質量%炭酸ナトリウム水溶液で、90秒間スプレー現像を行い、ドライフィルムレジストを開口させた。次いで、電解銅めっき法により、シード層上に、厚さ5μmの銅めっきを形成した。次いで、はく離液により、ドライフィルムレジストを剥離した。次いでシード層をエッチング液より除去した。次いで、スピンコーターで再度、感光性絶縁材料(日立化成株式会社製、商品名:AH−1170T)を塗布し、露光処理及び現像処理を行った。次いで、所定温度200℃で窒素雰囲気(酸素濃度50体積ppm以下)下、1時間の熱硬化を行った(図示省略)。
リフロー装置(株式会社タムラ製作所製、商品名:TNP25−337EM)を用いて、窒素雰囲気(酸素濃度100体積ppm以下)ではんだボールを搭載した(図9参照)。
最後に、ダイサー(株式会社ディスコ製、商品名:DAD−3350)を用いて個片化することによって、パッケージサイズが縦15mm、横15mmの半導体装置100を得た(図10、11参照)。ダイシングブレードには27HEFF(株式会社ディスコ製)を用い(一分間あたりの回転数は30000回転/分、切削速度は20mm/秒)、個片化を行った。
半導体素子封止後の感光性封止樹脂組成物の平坦性を、半導体素子上部と半導体素子のない部分の封止後の段差で評価した。段差は膜厚計(株式会社ミツトヨ製、商品名:デジマチックインジケータID−H)にて測定した。
「◎」:半導体素子上部と、半導体素子の存在しない部分の感光性封止樹脂組成物の段差が0μmのもの
「○」:半導体素子上部と、半導体素子の存在しない部分の感光性封止樹脂組成物の段差が0μmを超え〜5μm未満のもの
「△」:半導体素子上部と、半導体素子の存在しない部分の感光性封止樹脂組成物の段差が5μm以上〜10μm未満のもの
「×」:上記に当てはまらないもの(10μm以上のもの)
パッケージの反り量は、個片化した半導体装置の表面を、室温下(25℃)、レーザー変位計(株式会社キーエンス製、LKG80、ステップ100μm、測定範囲縦15mm、横15mm)で測定した。得られた各点の変位から3次元の平均面を算出し、得られた平均面と、計測で得られた変位との差が最も大きいものを反り量とし、以下のように評価した。
「◎」:反り量が3μm未満のもの
「○」:反り量が3μm以上〜5μm未満のもの
「△」:反り量が5μm以上〜10μm未満のもの
「×」:上記に当てはまらないもの(10μm以上のもの)
感光性封止樹脂組成物の開口可能アスペクト比(膜厚/開口径)については以下の基準に基づいて評価した。
「◎」:アスペクト比が2.0以上のもの
「○」:アスペクト比が1.0以上、2.0未満のもの
「×」:アスペクト比が1.0未満のもの
耐熱衝撃試験は、個片化した同一のパッケージを5つ熱衝撃試験機(エスペック株式会社製、NT−1010)中に静置し、最低温度−55℃から最高温度125℃を一回の温度サイクルとして、1000回の温度サイクルに曝した。その後、各パッケージの開口部を無作為に100個抽出しヒビ割れや剥がれ等の欠陥数を金属顕微鏡(オンリンパス株式会社製、正立金属顕微鏡BX51)を使用して数えた。これを5つのパッケージで行い平均値をとり、以下の基準に基づいて評価した。
「A」:開口部100個中、欠陥を生じた開口部の平均数が10個以下のもの
「B」:開口部100個中、欠陥を生じた開口部の平均数が10個を超えて、50個以下のもの
「C」:開口部100個中、欠陥を生じた開口部の平均数が50個を超えるもの
Claims (7)
- 露光及び現像によってパターン形成可能な感光性封止樹脂組成物であって、アルカリ現像溶液に対して3.0μm/s以下の速度で溶解する、感光性封止樹脂組成物。
- 半導体素子封止後の封止材厚みが50μmから200μmとなる請求項1に記載の感光性封止樹脂組成物。
- 前記感光性封止樹脂組成物の最低溶融粘度が、10Pa・sから500Pa・sである請求項1又は請求項2に記載の感光性封止樹脂組成物。
- 露光後、さらに熱硬化処理された後の熱硬化物の0〜80℃における熱膨張係数が20×10-6/Kから80×10-6/Kの範囲である請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性封止樹脂組成物。
- 前記感光性封止樹脂組成物が、ポリイミド樹脂を含む請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性封止樹脂組成物。
- (I)請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性封止樹脂組成物で半導体素子を封止する工程と、
(II)前記感光性封止樹脂組成物を、露光処理、及び、アルカリ現像溶液に対して3.0μm/s以下の速度で溶解させるアルカリ現像処理の工程によってパターンを形成する工程と、
(III)前記形成したパターンに導電性の材料を付与する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜5に記載の感光性封止樹脂組成物の硬化物を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015198461A JP6627390B2 (ja) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | 感光性封止樹脂組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015198461A JP6627390B2 (ja) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | 感光性封止樹脂組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017073441A true JP2017073441A (ja) | 2017-04-13 |
JP6627390B2 JP6627390B2 (ja) | 2020-01-08 |
Family
ID=58538378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015198461A Active JP6627390B2 (ja) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | 感光性封止樹脂組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6627390B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190007967A (ko) * | 2017-07-14 | 2019-01-23 | 주식회사 엘지화학 | 절연층 제조방법 및 반도체 패키지 제조방법 |
US11876012B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-01-16 | Haesung Ds Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor package substrate and semiconductor package substrate manufactured using the same |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998034159A1 (fr) * | 1997-01-30 | 1998-08-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Composition de resine photosensible, procede de production de motifs a partir de celle-ci, dispositif electroniques produits au moyen de celle-ci et procede de production de ladite composition |
JPH1115157A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性ポリイミド前駆体組成物及びこれを用いた半導体素子の製造法 |
JP2005060584A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用フィルム |
JP2006222164A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012129262A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法 |
JP2012212724A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップ実装体の製造方法及び封止樹脂 |
WO2014174838A1 (ja) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 三井化学株式会社 | ブロックポリイミドおよびブロックポリアミド酸イミド、ならびにその用途 |
-
2015
- 2015-10-06 JP JP2015198461A patent/JP6627390B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998034159A1 (fr) * | 1997-01-30 | 1998-08-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Composition de resine photosensible, procede de production de motifs a partir de celle-ci, dispositif electroniques produits au moyen de celle-ci et procede de production de ladite composition |
JPH1115157A (ja) * | 1997-06-24 | 1999-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 感光性ポリイミド前駆体組成物及びこれを用いた半導体素子の製造法 |
JP2005060584A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用フィルム |
JP2006222164A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012129262A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体素子封止体の製造方法および半導体パッケージの製造方法 |
JP2012212724A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-01 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体チップ実装体の製造方法及び封止樹脂 |
WO2014174838A1 (ja) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 三井化学株式会社 | ブロックポリイミドおよびブロックポリアミド酸イミド、ならびにその用途 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190007967A (ko) * | 2017-07-14 | 2019-01-23 | 주식회사 엘지화학 | 절연층 제조방법 및 반도체 패키지 제조방법 |
KR102216172B1 (ko) | 2017-07-14 | 2021-02-15 | 주식회사 엘지화학 | 절연층 제조방법 및 반도체 패키지 제조방법 |
US11876012B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-01-16 | Haesung Ds Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor package substrate and semiconductor package substrate manufactured using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6627390B2 (ja) | 2020-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI715734B (zh) | 半導體裝置之製造方法、覆晶型半導體裝置之製造方法、半導體裝置及覆晶型半導體裝置 | |
TWI502659B (zh) | 電子裝置之製造方法及電子裝置封裝之製造方法 | |
JP2013251368A (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれに用いる熱硬化性樹脂組成物並びにそれにより得られる半導体装置 | |
WO2018139407A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、モールドアンダーフィル用感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2014056924A (ja) | 半導体装置の製造方法及びそれに用いる熱硬化性樹脂組成物並びにそれらにより得られる半導体装置 | |
WO2012133384A1 (ja) | 液状樹脂組成物、半導体パッケージ、および半導体パッケージの製造方法 | |
JP7225546B2 (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JP5648514B2 (ja) | 感光性接着剤組成物、接着剤パターン、接着剤層付半導体ウェハ、及び、半導体装置の製造方法。 | |
US11979990B2 (en) | Wiring board and method for manufacturing the same | |
JP2016213321A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP6468017B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6627390B2 (ja) | 感光性封止樹脂組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
TW201812939A (zh) | 半導體裝置的製造方法 | |
JP2016213315A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
JP2022110943A (ja) | 樹脂組成物、積層体の製造方法及び硬化膜 | |
JP2018067659A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6739893B2 (ja) | 半導体封止用部材、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2016139754A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6384118B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置及び半導体装置製造用部材 | |
JP7040129B2 (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
JP2016025217A (ja) | プリント配線板及びその製造方法並びに熱硬化性樹脂組成物及び樹脂フィルム | |
JP2015090926A (ja) | 半導体装置製造用フィルム、これを用いた半導体装置、及び半導体装置の製造方法 | |
TWI756318B (zh) | 半導體裝置的製造方法 | |
JP6511830B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2016143671A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20170111 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190319 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190320 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191118 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6627390 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |